JPS5950570A - 梁構造体を有する半導体装置 - Google Patents
梁構造体を有する半導体装置Info
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- JPS5950570A JPS5950570A JP57161258A JP16125882A JPS5950570A JP S5950570 A JPS5950570 A JP S5950570A JP 57161258 A JP57161258 A JP 57161258A JP 16125882 A JP16125882 A JP 16125882A JP S5950570 A JPS5950570 A JP S5950570A
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- Japan
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- beam pattern
- pattern
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- angle
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/60—Capacitors
- H10D1/62—Capacitors having potential barriers
- H10D1/66—Conductor-insulator-semiconductor capacitors, e.g. MOS capacitors
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、８１基板上に異方性エツチングを利用して
振動可能な梁構造体を形成した半導体装ηの改良に関す
る。
振動可能な梁構造体を形成した半導体装ηの改良に関す
る。
従来、この種の梁構造体を右する半導体装置としては、
第１図および第２図に示すものが知られでいる。この半
導体装置は、まずＮ型（１００）３ｉ基板１の表面に１
〕型不純物を１％ Ｑ度に埋め込んだＰ土層２を形成し
、次に基板″１の仝而に１ビタキシ１１ル成長によりＮ
型（１００） Ｓ ｉ層３を形成覆る。次に、このウェ
ハの土ビタキシ鵞・ル層３の上面に熱酸化５ｔＯ２１９
４をコープインクし、更にその表面側全面にＡ ＋３等
の金属を蒸着しノこ後、不必要な部分を１ツヂングによ
り除去し、所定パターンの金属電極５を形成し、次に８
１０２膜４をエツチングにより部分的に除去し−（所定
パターンとする。
第１図および第２図に示すものが知られでいる。この半
導体装置は、まずＮ型（１００）３ｉ基板１の表面に１
〕型不純物を１％ Ｑ度に埋め込んだＰ土層２を形成し
、次に基板″１の仝而に１ビタキシ１１ル成長によりＮ
型（１００） Ｓ ｉ層３を形成覆る。次に、このウェ
ハの土ビタキシ鵞・ル層３の上面に熱酸化５ｔＯ２１９
４をコープインクし、更にその表面側全面にＡ ＋３等
の金属を蒸着しノこ後、不必要な部分を１ツヂングによ
り除去し、所定パターンの金属電極５を形成し、次に８
１０２膜４をエツチングにより部分的に除去し−（所定
パターンとする。
第１図の斜線を施した部分がＳｉＯ２Ｄり／ｌ’（ある
。なお、この図で゛は金属Ｎ極５を省略しＣいる。
。なお、この図で゛は金属Ｎ極５を省略しＣいる。
Ｓｉ０２層４は以下に述べるＳｉの箕り性１ニツヂング
に耐性のある祠料Ｃ・あり、かつ適宜４１弾１１Ｆを有
する材料である。以下、所定パターンに１−ツチングさ
れた５ｆＯ２１１１Ｉ４をマスクパターンと称する。
に耐性のある祠料Ｃ・あり、かつ適宜４１弾１１Ｆを有
する材料である。以下、所定パターンに１−ツチングさ
れた５ｆＯ２１１１Ｉ４をマスクパターンと称する。
マスクパターン４は、第１図に承りように、幅がＷで長
さかでの長方形状をなづ半島状（ご突出した梁パターン
６を含み、この梁パターン６を複数個並設している。
さかでの長方形状をなづ半島状（ご突出した梁パターン
６を含み、この梁パターン６を複数個並設している。
ここで、３ｉＩピタキシ４１ル層３の表面はく１００）
而であり、この表面に形成されたマスクパターン４にお
りる梁パターン６の支持基準辺８は〈１１０・方向に設
定されており、梁パターン６の長手方向に沿う２側辺６
ａ、６ｂは」ニ記支Ｊ４基準辺８と直交する一ｇ’１１
０＞方向に設定されている。つまり第１図では、マスク
パターン４の８１０２を除去した部分（これを窓部と称
す）の各辺は全て＜１１０＞方向に設定されている。
而であり、この表面に形成されたマスクパターン４にお
りる梁パターン６の支持基準辺８は〈１１０・方向に設
定されており、梁パターン６の長手方向に沿う２側辺６
ａ、６ｂは」ニ記支Ｊ４基準辺８と直交する一ｇ’１１
０＞方向に設定されている。つまり第１図では、マスク
パターン４の８１０２を除去した部分（これを窓部と称
す）の各辺は全て＜１１０＞方向に設定されている。
次に、異方性エツチング液（１ヂレンジアミン−１ピル
カテコール＋水の混合液）にＪこり上記マスクパターン
４の窓部を通してＳｉエピタキシトル層３をエツチング
し、上記梁パターン６の周囲Ｊ３よび直下のエピタキシ
トル層３をえぐるように除去して堀込部９を形成覆る。
カテコール＋水の混合液）にＪこり上記マスクパターン
４の窓部を通してＳｉエピタキシトル層３をエツチング
し、上記梁パターン６の周囲Ｊ３よび直下のエピタキシ
トル層３をえぐるように除去して堀込部９を形成覆る。
その結果、上記梁パターン６がその長手方向の一端が基
板側に支持されたハ持ちの振動可能な梁構造体どしく残
置形成される。なお、基板の厚み方向へのエツチングは
、Ｐ −１−３！ｐ込層２が」２ツヂングストツパとし
て作用し、このＰ十埋込層２が露出ＪるＪ： ’（’
：ＩピタニＶシ（・ル層３がエツチングされる。つまり
、堀込部９の深さｄはエピタキシトル層３の厚みで制御
りることができる。
板側に支持されたハ持ちの振動可能な梁構造体どしく残
置形成される。なお、基板の厚み方向へのエツチングは
、Ｐ −１−３！ｐ込層２が」２ツヂングストツパとし
て作用し、このＰ十埋込層２が露出ＪるＪ： ’（’
：ＩピタニＶシ（・ル層３がエツチングされる。つまり
、堀込部９の深さｄはエピタキシトル層３の厚みで制御
りることができる。
この種の梁構造を有Ｊる半導体装置は次のにうに応用さ
れる。上記梁パターン６（以下単に梁６と称″ｔＪ）の
上面に形成された金属電極５５を可動電極とし、堀込部
９の底に露呈しているＰ土層２が可動電極と対向覆る固
定電極どじ、こ４１らの間に一つのコンデン１すが形成
され（いる。外部からの振動ににつて梁６が共振りると
、上記２つの電極の間隔が大きく変動し、それに応じて
上記］ンデン４Ｊ“の容母が変化する。この容口）変化
を検出りる回路を上記基板に一体的に集積形成してＪ３
（）ば、梁６による周波数弁別機能を持った静電型の振
動検出器として使用づることがてさる。また、上記２つ
の電極に印加りる電圧佑月’ｃしって」記梁６の振動や
変位量を制御することがてさ、これを静電型アクチュエ
ータとして使用りることかできる。
れる。上記梁パターン６（以下単に梁６と称″ｔＪ）の
上面に形成された金属電極５５を可動電極とし、堀込部
９の底に露呈しているＰ土層２が可動電極と対向覆る固
定電極どじ、こ４１らの間に一つのコンデン１すが形成
され（いる。外部からの振動ににつて梁６が共振りると
、上記２つの電極の間隔が大きく変動し、それに応じて
上記］ンデン４Ｊ“の容母が変化する。この容口）変化
を検出りる回路を上記基板に一体的に集積形成してＪ３
（）ば、梁６による周波数弁別機能を持った静電型の振
動検出器として使用づることがてさる。また、上記２つ
の電極に印加りる電圧佑月’ｃしって」記梁６の振動や
変位量を制御することがてさ、これを静電型アクチュエ
ータとして使用りることかできる。
このように、この種の半導体装置は可逆イ１静電二（′
（の機械電気変換器として様々な応用が考えられている
。
（の機械電気変換器として様々な応用が考えられている
。
しかしながら、上述した従来の梁構造１本を右りる半導
体装置にあっては、その梁構造体を精度Ｑく作成づる上
で次のにうな問題点があった。
体装置にあっては、その梁構造体を精度Ｑく作成づる上
で次のにうな問題点があった。
第３図はマスクパターン４（梁パターン６を含む）の下
部のＳｉが異方性エツチングにＪ：つて除去されていく
様子を示している。図中の細かくドツトを（＝Ｊりた部
分がマスクパターン４の下部の８１層３を示している。
部のＳｉが異方性エツチングにＪ：つて除去されていく
様子を示している。図中の細かくドツトを（＝Ｊりた部
分がマスクパターン４の下部の８１層３を示している。
梁パターン６の支持基Ｌ１を辺８は」−述したように＜
１１０＞方向に設定されているので、エツチングが開始
されるとすぐに支持基準辺８に治って（１１１）面が現
れる。ｌ’ｉ１様に、梁パターン６の両側辺５ａ、６ｂ
も＜１１０＞方向に設定されているので、この両側辺６
ａ 、 ６ｂに治って＜ １１．１ ）面が現れる。
１１０＞方向に設定されているので、エツチングが開始
されるとすぐに支持基準辺８に治って（１１１）面が現
れる。ｌ’ｉ１様に、梁パターン６の両側辺５ａ、６ｂ
も＜１１０＞方向に設定されているので、この両側辺６
ａ 、 ６ｂに治って＜ １１．１ ）面が現れる。
周知のように、Ｓｉの異方性１ツチングでは、（１’＋
１ ）面の１ツチングスピードが最も遅く、■ツヂン
グスピードの最も大きな（１００）面に対して約１／３
０程度である。従って、支持基準辺８および両側片（３
ａ、 （’）１１７）＋ｌろマスクパターン４の下部方
向へのエツチングは殆ど進まヂ、梁パターン６の下部の
Ｓｉは梁パターン６の′Ｊ′［、端側から＜ １００
二・方向のエツブーングによって除去される。
１ ）面の１ツチングスピードが最も遅く、■ツヂン
グスピードの最も大きな（１００）面に対して約１／３
０程度である。従って、支持基準辺８および両側片（３
ａ、 （’）１１７）＋ｌろマスクパターン４の下部方
向へのエツチングは殆ど進まヂ、梁パターン６の下部の
Ｓｉは梁パターン６の′Ｊ′［、端側から＜ １００
二・方向のエツブーングによって除去される。
３ｔの−： １００ ＞ｌｊ向の−［ツチンク速麿（，
１他の方向に比べて著しく大きいが、梁パターンＧのＦ
部のＳｉはその先端側からのエツブング進ｔｊＭ Ｊ、
って大部分除去されることになるのて、梁パターン６の
長さｌが長いと、梁パターン６の下部のＳｉが完全に除
去されるまでに１．Ｌ非常に長時間を要Ｊる。
１他の方向に比べて著しく大きいが、梁パターンＧのＦ
部のＳｉはその先端側からのエツブング進ｔｊＭ Ｊ、
って大部分除去されることになるのて、梁パターン６の
長さｌが長いと、梁パターン６の下部のＳｉが完全に除
去されるまでに１．Ｌ非常に長時間を要Ｊる。
梁パターン６の直下のＳ（を完全に除去づるまでに長時
間を要するということは、」−ツチングされにくい（１
１１）面もある程ｌ哀１ツブンクが進行してしまうこと
を意味し、その結甲第３図（［３）に示Ｊ−ように支持
基準辺８からマスクパターン４の下部側へｅで示づり・
イドエッチが牛してしまう、。
間を要するということは、」−ツチングされにくい（１
１１）面もある程ｌ哀１ツブンクが進行してしまうこと
を意味し、その結甲第３図（［３）に示Ｊ−ように支持
基準辺８からマスクパターン４の下部側へｅで示づり・
イドエッチが牛してしまう、。
また同時に、梁パターン６の直上の８１の１ツチング境
界線１０が支持基ｔ（＋′辺８に揃わり′、Ｓｌの小さ
な半島状の突起を残してしまう。また同時に、エツチン
グに長時間を要部るため、堀込部９の底に現れるエッチ
ングス１−ツバとして作用づべさＰ十埋込層２も徐々に
犯されてしまい、極端な場合にはＰ十埋込層２を突き破
って基板１にまでエツチングが進／υＣしよう。
界線１０が支持基ｔ（＋′辺８に揃わり′、Ｓｌの小さ
な半島状の突起を残してしまう。また同時に、エツチン
グに長時間を要部るため、堀込部９の底に現れるエッチ
ングス１−ツバとして作用づべさＰ十埋込層２も徐々に
犯されてしまい、極端な場合にはＰ十埋込層２を突き破
って基板１にまでエツチングが進／υＣしよう。
このように、梁パターン６の支持ｐ Ｑｊ ５１Ｊ ８
の部分にサイドエッチを生じること、および梁パターン
６の支持部分の下部に半島状の小突起を残してしまうこ
とににす、梁６の支持点が所期の位置に正しく定まらな
い。支持基準辺８に対して直角に突出した梁６は、基本
的にはその振動形態が一番７１純で解析しやすく、従っ
て共振周波数の設Ｈ＋等に当っても容易である。しかし
、それは梁６の支持部の３ｉの１ツヂング境界線１０が
支持基準辺８に一致づる場合であって、第３図（Ｂ）の
に−うなＶイド−Ｌツヂや小突起を生じた状態ぐは、梁
６の振動形ｆぷは単純ではなくなる。また、堀込部９の
底のＰ十埋込層２もエツチングされることから、深さｄ
が所期の値に定まらない。特に、これらの不確定要糸が
梁６の艮ざｌにＪ、って変りｊりることがら、これを予
め児込んで設計！ｊることｌｉｔ ：ｌＩ’ ？ｉＳに
難しい。
の部分にサイドエッチを生じること、および梁パターン
６の支持部分の下部に半島状の小突起を残してしまうこ
とににす、梁６の支持点が所期の位置に正しく定まらな
い。支持基準辺８に対して直角に突出した梁６は、基本
的にはその振動形態が一番７１純で解析しやすく、従っ
て共振周波数の設Ｈ＋等に当っても容易である。しかし
、それは梁６の支持部の３ｉの１ツヂング境界線１０が
支持基準辺８に一致づる場合であって、第３図（Ｂ）の
に−うなＶイド−Ｌツヂや小突起を生じた状態ぐは、梁
６の振動形ｆぷは単純ではなくなる。また、堀込部９の
底のＰ十埋込層２もエツチングされることから、深さｄ
が所期の値に定まらない。特に、これらの不確定要糸が
梁６の艮ざｌにＪ、って変りｊりることがら、これを予
め児込んで設計！ｊることｌｉｔ ：ｌＩ’ ？ｉＳに
難しい。
この発明は上述した従来の問題点に鑑みなされたもので
あり、その目的は、梁パターンの直下の３ｉを異方性エ
ツチングで・除去する際に、梁パターンの側片側からも
エツチングが進行し、従来）こ比べてエツチング時間が
大幅に少＜（溜み、−ソの結果上述したサイドエッチや
小金な小突起を残りことや堀込部の底をエツチングし′
（シようこと等の不都合点を全７．解消できるようにし
ｌこ梁構造体を有づ゛る半導体装置を提供覆ることにあ
る。
あり、その目的は、梁パターンの直下の３ｉを異方性エ
ツチングで・除去する際に、梁パターンの側片側からも
エツチングが進行し、従来）こ比べてエツチング時間が
大幅に少＜（溜み、−ソの結果上述したサイドエッチや
小金な小突起を残りことや堀込部の底をエツチングし′
（シようこと等の不都合点を全７．解消できるようにし
ｌこ梁構造体を有づ゛る半導体装置を提供覆ることにあ
る。
上記の目的を達成覆るために、この発明ｔｉｔ、上記梁
パターンの支持基準辺を８１基板の（１００）表面に＋
３いて＜１１０＞方向に設定づるとともに、上記梁パタ
ーンの長子プｊ向に沿う２側辺のうらの少くとも一方の
側辺を該辺と上記支Ｊｌ＋ Ｌ！１Ｉ−ｉυとのなす角
が鈍角とｈるＪ：うに設定しＩこことを１、°Ｉ徴とづ
る。
パターンの支持基準辺を８１基板の（１００）表面に＋
３いて＜１１０＞方向に設定づるとともに、上記梁パタ
ーンの長子プｊ向に沿う２側辺のうらの少くとも一方の
側辺を該辺と上記支Ｊｌ＋ Ｌ！１Ｉ−ｉυとのなす角
が鈍角とｈるＪ：うに設定しＩこことを１、°Ｉ徴とづ
る。
以下、この発明の実施例を図面に基゛）い（訂細に説明
ず′る。
ず′る。
第１図はこの発明の第１の実施例を承り。この図は本発
明の要部どなる部分のみを抽出し−Ｃ示づｂので、第２
図に示したような断面構造の半導体Ｈ１ｆｆに＋３りる
マスクパターン４の平面形状を示している。このマスク
パターン４は、表面が（１００）而である３ｉ基板上に
異方性エツチングに耐性のある弾性材１１でもって形成
されＣいるものであり、半、も状に突出した梁パターン
６を含／υでいる。この梁パターン６に治った断面構造
は第２図と同じなので図示省略している。このマスクパ
ターン４の月わ１としては、先に説明したように、例え
ばＳｌの酸化膜が用いられ、また３ｉ ３Ｎ４股等でも
良い。
明の要部どなる部分のみを抽出し−Ｃ示づｂので、第２
図に示したような断面構造の半導体Ｈ１ｆｆに＋３りる
マスクパターン４の平面形状を示している。このマスク
パターン４は、表面が（１００）而である３ｉ基板上に
異方性エツチングに耐性のある弾性材１１でもって形成
されＣいるものであり、半、も状に突出した梁パターン
６を含／υでいる。この梁パターン６に治った断面構造
は第２図と同じなので図示省略している。このマスクパ
ターン４の月わ１としては、先に説明したように、例え
ばＳｌの酸化膜が用いられ、また３ｉ ３Ｎ４股等でも
良い。
第１実施例のマスクパターン４は、３本の長さの異なる
梁パターン６を平行に突出形成している。
梁パターン６を平行に突出形成している。
梁パターンＯの支持基準辺８は、Ｓｉ基板のく１００〉
表面において、＜１１０＞方向に設定されている。梁パ
ターン６の両側辺（３ａ、５ｂは平行で、ともに＜１０
０＞方向に設定されでいる。つまり、側辺６ａは支持基
準辺８に対してθ１−１３５°の鈍角をなし、側辺６１
）は支持基Ｑｊ辺ε３に対してθ２＝４５°をなしてい
る。
表面において、＜１１０＞方向に設定されている。梁パ
ターン６の両側辺（３ａ、５ｂは平行で、ともに＜１０
０＞方向に設定されでいる。つまり、側辺６ａは支持基
準辺８に対してθ１−１３５°の鈍角をなし、側辺６１
）は支持基Ｑｊ辺ε３に対してθ２＝４５°をなしてい
る。
梁パターン６の部分の５ｉＯＩＩφあるいは８１３Ｎ４
膜の厚さは必要とされる梁の撓み狛１コ１に応じて選ば
れるが、通常１μ” ｆＩＣｌ ｉＤにとり、梁パター
ン６の幅Ｗと長さｌを変えて必要な特性（撓み特性２強
度、共振周波数等）を１？る。：Ｊ、た第／Ｉν１では
省略したが、梁パターン６の」−には第２図で示したよ
うな金属電極５が重ねられ゛（いる。金１ｔｌ電極３は
異方性エツチングに耐える必要かあるので、Ｃｒ 、Ａ
ｕ 、Ｐｔ等の薄膜（ｅＱ １０人−１’ｙ、 １００
人〉から選ばれる。
膜の厚さは必要とされる梁の撓み狛１コ１に応じて選ば
れるが、通常１μ” ｆＩＣｌ ｉＤにとり、梁パター
ン６の幅Ｗと長さｌを変えて必要な特性（撓み特性２強
度、共振周波数等）を１？る。：Ｊ、た第／Ｉν１では
省略したが、梁パターン６の」−には第２図で示したよ
うな金属電極５が重ねられ゛（いる。金１ｔｌ電極３は
異方性エツチングに耐える必要かあるので、Ｃｒ 、Ａ
ｕ 、Ｐｔ等の薄膜（ｅＱ １０人−１’ｙ、 １００
人〉から選ばれる。
マスクパターン４を第４図に示りＪ、うに形成し７だ場
合、上述した堀込部９を形成りるための異方’Ｉ’ｌ
エツチングて−は、第５図（Δ）（＋３）のＪ、うにエ
ツチングが進行する。このときのＪツザング液としては
１ヂレンジｊ／ミン：ビ１１カア：’ｌ −）し：水＝
１７ｃｃ： ８ｑ： ３ｃｃの組成からなる異方性上
ツヂング液を用い、該液中にて煮沸処理りる。この■ツ
チング液は８１結晶の＜１００＞＜１１０＞＜ １１１
：〉方向にそれぞれ５０，３０．３μｍ 、’時のエ
ッチ速度を右する。
合、上述した堀込部９を形成りるための異方’Ｉ’ｌ
エツチングて−は、第５図（Δ）（＋３）のＪ、うにエ
ツチングが進行する。このときのＪツザング液としては
１ヂレンジｊ／ミン：ビ１１カア：’ｌ −）し：水＝
１７ｃｃ： ８ｑ： ３ｃｃの組成からなる異方性上
ツヂング液を用い、該液中にて煮沸処理りる。この■ツ
チング液は８１結晶の＜１００＞＜１１０＞＜ １１１
：〉方向にそれぞれ５０，３０．３μｍ 、’時のエ
ッチ速度を右する。
従って、梁パターン６の両側辺６ａ、６ｂをともに＜１
００＞方向に設定した第１実施例の場合、＜１００＞方
向のエツチング速度は非常に速いので、第５図に承りよ
うに梁パターン６の側辺６ａ。
００＞方向に設定した第１実施例の場合、＜１００＞方
向のエツチング速度は非常に速いので、第５図に承りよ
うに梁パターン６の側辺６ａ。
６ｂの全域にわたってそこから幅方向にエツチングが進
み、梁パターン６の直下のＳｉ （細かいドラ１〜を
付して示している）がエツチング境界線ゴＯで示′１Ｊ
Ｊ：うに幅方向に細められるＪ：うにして急速に除去さ
れ、梁パターン６の直下の８１を完全に除去するまでの
時間は従来に比べて大幅に短縮される。
み、梁パターン６の直下のＳｉ （細かいドラ１〜を
付して示している）がエツチング境界線ゴＯで示′１Ｊ
Ｊ：うに幅方向に細められるＪ：うにして急速に除去さ
れ、梁パターン６の直下の８１を完全に除去するまでの
時間は従来に比べて大幅に短縮される。
一方、・支持基準辺８は＜１１０＞方向に配置されてい
るので、エツチング時に支持基準辺８に治って（１１１
）面が現れるのＣ１支持基準辺８の内側には殆どエツチ
ングが進まない。
るので、エツチング時に支持基準辺８に治って（１１１
）面が現れるのＣ１支持基準辺８の内側には殆どエツチ
ングが進まない。
ここで重要なことは、梁パターン６の長手方向に沿う２
辺のうちの少くとも一辺は支持基準辺８に対して鈍角と
なっている必要がある。づなわら、この実施例にお（プ
る側辺６ ｂはエツチングされ易いく１００〉方向に設
定されているが、支持基準辺８に対しては７Ｉ５°の角
度で交わっている１、この場合、支持基準辺８と側辺６
１）との交点ＯにＬ１３いて、−１−ツヂング境界面１
０が支持基準６ｙ４ Ｂに対して９０’になった時点で
（１’＋ １ ＞而が現れ、エツチングが進まなくなっ
てしまう。Ｃれに列し、支持基Ｌ（（辺８と側辺６ａの
Ｊ：うにθ１＝１３５゜のように両辺が９０°より聞い
ていると、１ツブングが進行しても１′、ツチング境界
線１０と支持基準辺８の角度は常に９０°より聞いたま
Ｊ、であるから、順調にエツチングが進む。
辺のうちの少くとも一辺は支持基準辺８に対して鈍角と
なっている必要がある。づなわら、この実施例にお（プ
る側辺６ ｂはエツチングされ易いく１００〉方向に設
定されているが、支持基準辺８に対しては７Ｉ５°の角
度で交わっている１、この場合、支持基準辺８と側辺６
１）との交点ＯにＬ１３いて、−１−ツヂング境界面１
０が支持基準６ｙ４ Ｂに対して９０’になった時点で
（１’＋ １ ＞而が現れ、エツチングが進まなくなっ
てしまう。Ｃれに列し、支持基Ｌ（（辺８と側辺６ａの
Ｊ：うにθ１＝１３５゜のように両辺が９０°より聞い
ていると、１ツブングが進行しても１′、ツチング境界
線１０と支持基準辺８の角度は常に９０°より聞いたま
Ｊ、であるから、順調にエツチングが進む。
上述のように、梁パターン６の側辺りうちの少くども一
辺と支持基準辺８が鈍角をなしでいれば、極めて短時間
のエツチングで完全な堀込部を形成して梁を完成するこ
とが可能である。ぞの結果、支持基準辺８のザイド］ニ
ッヂは殆どなくなり、また梁の支持部直下に突起が残る
ことも殆どな・くなり、また第２図におりる深さ方向の
Ｊツブンクス１〜ツバであるＰ十埋込層２への突き抜【
′Ｊ等がなくなり、梁の加］ニ精度が大きく向上するこ
ととなる。
辺と支持基準辺８が鈍角をなしでいれば、極めて短時間
のエツチングで完全な堀込部を形成して梁を完成するこ
とが可能である。ぞの結果、支持基準辺８のザイド］ニ
ッヂは殆どなくなり、また梁の支持部直下に突起が残る
ことも殆どな・くなり、また第２図におりる深さ方向の
Ｊツブンクス１〜ツバであるＰ十埋込層２への突き抜【
′Ｊ等がなくなり、梁の加］ニ精度が大きく向上するこ
ととなる。
特に上記第１実施例においては、梁パターン６の両側辺
（３ａ、６ｂども・１００＞方向に配置しＣいるが、こ
れは＜１００＞辺に対してはエツチングスピードを低下
させるＪ：うな結晶面が現れにくいというｔａｇ Ｍを
利用した好ましい実施例である。
（３ａ、６ｂども・１００＞方向に配置しＣいるが、こ
れは＜１００＞辺に対してはエツチングスピードを低下
させるＪ：うな結晶面が現れにくいというｔａｇ Ｍを
利用した好ましい実施例である。
第６図（△）（Ｂ）はこの発明の第２実施例を示Ｊ。こ
の第２実施例は、梁パターン６の両側辺６ａ、６ｂをと
もに、＜１１０＞方向に配置しｌ〔支持基準辺８に対し
て鈍角どなるにうに設定したｂのである。つまりこの場
合、梁パターン６がほぼ台形をなり。両側辺６ａ、６ｂ
がともに支持基準辺９に対して鈍角をなしているため、
どちら側の辺にもエツチングされにくい（１１１）面は
現れｆ、両側から対称的にコニッチングが進行し、素早
くＳｉ層を除去づることができる。
の第２実施例は、梁パターン６の両側辺６ａ、６ｂをと
もに、＜１１０＞方向に配置しｌ〔支持基準辺８に対し
て鈍角どなるにうに設定したｂのである。つまりこの場
合、梁パターン６がほぼ台形をなり。両側辺６ａ、６ｂ
がともに支持基準辺９に対して鈍角をなしているため、
どちら側の辺にもエツチングされにくい（１１１）面は
現れｆ、両側から対称的にコニッチングが進行し、素早
くＳｉ層を除去づることができる。
第７図＜Ａ）＜８）はこの発明の第３実施例を示づ。こ
の第３実施例は、梁パターン６の一方の側辺６ａをく’
＋ｉｏ＞方向に設定し、他方の側辺６ｂを支持基準辺８
にス４ して鈍角をなづＪ、うに限定したものである。
の第３実施例は、梁パターン６の一方の側辺６ａをく’
＋ｉｏ＞方向に設定し、他方の側辺６ｂを支持基準辺８
にス４ して鈍角をなづＪ、うに限定したものである。
この場合、−１ツブングは鈍角をなづ側辺６ｂ側から進
行し、らう一方の側辺６ａ側からは殆ど進行しないが、
側辺６１Ｊ側からのエツチングは充分速いので、梁パタ
ーン６の幅が極端に大きくならない限り問題はない。
行し、らう一方の側辺６ａ側からは殆ど進行しないが、
側辺６１Ｊ側からのエツチングは充分速いので、梁パタ
ーン６の幅が極端に大きくならない限り問題はない。
第８図はこの発明の第４実施例を示す。以上の実施例は
全てＶ１持ら状態の児゛１１日告（４、を右りる半導体
装置についＣてあったが、この第４実施例（、Ｌ第６を
両持ち状ｆぷに段りるようにした半導体装置についての
ものである。この場合、梁パターンＧの長手方向の両端
が支持基準辺８ａ、８ｂに−と１１それ繋がる。支持基
準辺８ａ、８ｂはどもに・、１１０〉方向に設定され、
イしく、梁パターン６の両側辺６ａ、６ｂはともに支持
Ｊｊ ｉ−ｐ辺８ａ、Ｑｂど直交してＪ３らず、イれぞ
れ伺れかの支［、′ｌ阜Ｑ’ ！２となす角が鈍角とな
るように設定されＣいる。この場合の梁パターン６と支
持基準辺８どの連結部分におけるエツチングの進行は第
５図に示したのと同様な形Ｃ′なされる。
全てＶ１持ら状態の児゛１１日告（４、を右りる半導体
装置についＣてあったが、この第４実施例（、Ｌ第６を
両持ち状ｆぷに段りるようにした半導体装置についての
ものである。この場合、梁パターンＧの長手方向の両端
が支持基準辺８ａ、８ｂに−と１１それ繋がる。支持基
準辺８ａ、８ｂはどもに・、１１０〉方向に設定され、
イしく、梁パターン６の両側辺６ａ、６ｂはともに支持
Ｊｊ ｉ−ｐ辺８ａ、Ｑｂど直交してＪ３らず、イれぞ
れ伺れかの支［、′ｌ阜Ｑ’ ！２となす角が鈍角とな
るように設定されＣいる。この場合の梁パターン６と支
持基準辺８どの連結部分におけるエツチングの進行は第
５図に示したのと同様な形Ｃ′なされる。
まＩこ、上記の各実施例について、支持基準辺と梁パタ
ーンとのな１鈍角は、１３５°が最もエツヂング速度が
速い角度であることは明らかであり、また、９０°より
も約５°位大きな角度であれば、エツチングの際（１１
１）面が現れにくく本願にお（）る所望の効果を１ｑら
れるものである。
ーンとのな１鈍角は、１３５°が最もエツヂング速度が
速い角度であることは明らかであり、また、９０°より
も約５°位大きな角度であれば、エツチングの際（１１
１）面が現れにくく本願にお（）る所望の効果を１ｑら
れるものである。
以上の各実施例で説明したように、本発明を適用づるに
あたり梁の形状が第１図ａ３よび第２図で示した従来の
ちのと異なり、そのことによっＣ梁の特性く撓み０強度
、共振周波数等）は当然変ってくるが、梁の厚さ１幅、
良さ等を適宜に選ぶことにより所望りる特性が実現ぐき
るので、本発明の実施にあたっての障害とはならない。
あたり梁の形状が第１図ａ３よび第２図で示した従来の
ちのと異なり、そのことによっＣ梁の特性く撓み０強度
、共振周波数等）は当然変ってくるが、梁の厚さ１幅、
良さ等を適宜に選ぶことにより所望りる特性が実現ぐき
るので、本発明の実施にあたっての障害とはならない。
以上詳細に説明したにうに、この発明に係る梁構造体を
有する半導体装置にあっては、その製造に際してのエツ
チング時間が従来に比べて大幅に短くてすみ、その結果
梁の形状精度、加工精度が大幅に向上し、所望する振動
特性の梁を高い歩留で形成することがぐきる。
有する半導体装置にあっては、その製造に際してのエツ
チング時間が従来に比べて大幅に短くてすみ、その結果
梁の形状精度、加工精度が大幅に向上し、所望する振動
特性の梁を高い歩留で形成することがぐきる。
第１図は従来の梁構造体を右づる半導体装置の要部ＳＪ
ｊ面図、第２図は第１図におりるＡ−Δ断面図、第３図
は第１図に示した従来例の１ツヂング進行状態を示す説
明図、第４図はこの発明にＪ、る梁構造体を有する半導
体装置の第１実施例を示づ要部平面図、第５図は第４図
の実施例の１ツヂング進行状態を示す説明図、第６図は
この発明の第２実施例をそのエツチング進行状態とどし
に示Ｊ説明図、第７図はこの発明の第３実施例をそのエ
ツチング進行状態どともに示′！ｌ説明図、第６３図は
この発明の第４実施例をそのエツチング進行状態どとも
に示１説明図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・Ｓ１基板２・・・・
・・・・・・−・・・・１〕＋ｊ里込層３・・・・・・
・・・・・・・・・Ｓｉエピタキシャル層４・・・・・
・・・・・・・・・・マスクパターン５・・・・・・・
・・・・・・・・金属電極６・・・・・・・・・・・・
・・・梁パターン（３ａ、５ｂ・・・側辺 ８・・・・・・・・・・・・・・・支持す単連９・・・
・・・・・・・・・・・・掘込部特許出願人 日産自動車株式会社 ３３図 、、−＋−＋−ｅ 第４図 第６図 （Ａ）
（Ｂン第７図 第８図 ＜１１０＞
ｊ面図、第２図は第１図におりるＡ−Δ断面図、第３図
は第１図に示した従来例の１ツヂング進行状態を示す説
明図、第４図はこの発明にＪ、る梁構造体を有する半導
体装置の第１実施例を示づ要部平面図、第５図は第４図
の実施例の１ツヂング進行状態を示す説明図、第６図は
この発明の第２実施例をそのエツチング進行状態とどし
に示Ｊ説明図、第７図はこの発明の第３実施例をそのエ
ツチング進行状態どともに示′！ｌ説明図、第６３図は
この発明の第４実施例をそのエツチング進行状態どとも
に示１説明図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・Ｓ１基板２・・・・
・・・・・・−・・・・１〕＋ｊ里込層３・・・・・・
・・・・・・・・・Ｓｉエピタキシャル層４・・・・・
・・・・・・・・・・マスクパターン５・・・・・・・
・・・・・・・・金属電極６・・・・・・・・・・・・
・・・梁パターン（３ａ、５ｂ・・・側辺 ８・・・・・・・・・・・・・・・支持す単連９・・・
・・・・・・・・・・・・掘込部特許出願人 日産自動車株式会社 ３３図 、、−＋−＋−ｅ 第４図 第６図 （Ａ）
（Ｂン第７図 第８図 ＜１１０＞
Claims (1)
- （１）表面が（１００）面である３ｉ基板−Ｌに異方性
エツチングにによって形成された梁構造体を右づる半導
体装置において； 上記梁構造体の支持基準辺を上記３ｉ基板の・く１１０
〉方向に設定づるとともに、上記梁構造体の長手方向に
沿う２側辺のうちの少くとも一方の側辺を該辺と上記支
持基準辺とのなす角が鈍角となるように設定し！ここと
を特徴とづる梁構造体を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57161258A JPS5950570A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 梁構造体を有する半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57161258A JPS5950570A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 梁構造体を有する半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950570A true JPS5950570A (ja) | 1984-03-23 |
Family
ID=15731669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57161258A Pending JPS5950570A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 梁構造体を有する半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950570A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01128506U (ja) * | 1988-02-23 | 1989-09-01 | ||
| US5072279A (en) * | 1990-10-29 | 1991-12-10 | Delco Electronics Corporation | Electrical interconnection having angular lead design |
| US5162265A (en) * | 1990-10-29 | 1992-11-10 | Delco Electronics Corporation | Method of making an electrical interconnection having angular lead design |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764978A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-20 | Ibm | Capacitive pressure transducer |
-
1982
- 1982-09-16 JP JP57161258A patent/JPS5950570A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764978A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-20 | Ibm | Capacitive pressure transducer |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01128506U (ja) * | 1988-02-23 | 1989-09-01 | ||
| US5072279A (en) * | 1990-10-29 | 1991-12-10 | Delco Electronics Corporation | Electrical interconnection having angular lead design |
| US5162265A (en) * | 1990-10-29 | 1992-11-10 | Delco Electronics Corporation | Method of making an electrical interconnection having angular lead design |
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