JPS5951446A - 荷電粒子ビ−ムの軌道の偏向を変化させる方法 - Google Patents
荷電粒子ビ−ムの軌道の偏向を変化させる方法Info
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- JPS5951446A JPS5951446A JP58149516A JP14951683A JPS5951446A JP S5951446 A JPS5951446 A JP S5951446A JP 58149516 A JP58149516 A JP 58149516A JP 14951683 A JP14951683 A JP 14951683A JP S5951446 A JPS5951446 A JP S5951446A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
逸■Ω宜量
本発明は、例えば、イオン打込み器に利用される強烈な
イオンビームのような荷電粒子ビームの軌道を偏向させ
るための方法に関する。
イオンビームのような荷電粒子ビームの軌道を偏向させ
るための方法に関する。
ある密度、例えば１ｍ＾／ｄに達するか或いはそれを超
える同極性の重イオンビームは、何等かの特殊な予防手
段を行じなければイオンビームの分裂を引き起す粒子間
に働く非常に高い反発力のために状態を維持するのが困
難であることが知られている。このようなイオンビーム
は、ビームの極性と反対の極性の粒子の空間電荷、特に
正の重いイオンビームの場合の電子の空間電荷が最小の
ときのみ存在する。一般に、かかる電子は、ビーム内に
存在する。その理由は、ビームが移動する容器内を完全
な真空にすることはできず、イオン化された残留空気の
一部が必要な電子を供給するためである。
える同極性の重イオンビームは、何等かの特殊な予防手
段を行じなければイオンビームの分裂を引き起す粒子間
に働く非常に高い反発力のために状態を維持するのが困
難であることが知られている。このようなイオンビーム
は、ビームの極性と反対の極性の粒子の空間電荷、特に
正の重いイオンビームの場合の電子の空間電荷が最小の
ときのみ存在する。一般に、かかる電子は、ビーム内に
存在する。その理由は、ビームが移動する容器内を完全
な真空にすることはできず、イオン化された残留空気の
一部が必要な電子を供給するためである。
このような高密度、高質量のイオンビームの取扱いを可
能にするためには、逆極性の粒子の空間電荷によって補
償が崩れないようにすることが必然的に重要になり、こ
のことから、ビームを利用するべくビームの偏向するた
めには電界を利用することができないということになる
。かくて、現状では、ビームの軌道は磁界によって偏向
している。なぜならば、磁界は、十分な偏向を確保する
と共に、前述の補償を保持することが可能であるからで
ある。
能にするためには、逆極性の粒子の空間電荷によって補
償が崩れないようにすることが必然的に重要になり、こ
のことから、ビームを利用するべくビームの偏向するた
めには電界を利用することができないということになる
。かくて、現状では、ビームの軌道は磁界によって偏向
している。なぜならば、磁界は、十分な偏向を確保する
と共に、前述の補償を保持することが可能であるからで
ある。
このように、従来技術によると、磁界が時間の関数とし
て変化する領域を創り出し、ビームが通る軌道の曲率半
径を変化させることによって、ビームを偏向していた。
て変化する領域を創り出し、ビームが通る軌道の曲率半
径を変化させることによって、ビームを偏向していた。
これは、一般に、空隙を有し磁化コイルによって誘導さ
れる磁界が循環する磁気回路手段によって行い、磁化コ
イルに強さの変化する電流を流して可変磁界を作り出し
ていた。
れる磁界が循環する磁気回路手段によって行い、磁化コ
イルに強さの変化する電流を流して可変磁界を作り出し
ていた。
これらの公知の偏向方法は総て、可変磁界を作り出す磁
気材料内の、決して無視し得ないうず電流やヒステリシ
スによる損失や、磁界を変化する際の比較的高い無効電
力による損失等の重大な欠点がある。後者の欠点の例と
して、５０Ｈｚで約１゜の角度の、２００ｋｅνのアン
チモニイオンビームを偏向する場合を例に挙げるならば
、長さ約０．２ｍ、幅 ０．２ｍ 、厚さ０．１ｍ 、
の空隙に相当する容積の磁化空間で、最大磁束密度１０
００ガウス或いは０．１テスラの磁界を得るには、約５
，８ ＫＶＡの無効電力を消費しなければならない。こ
の量の規模の無効電力は、それを供給する電源回路の平
衡にとって大きな障害になる。
気材料内の、決して無視し得ないうず電流やヒステリシ
スによる損失や、磁界を変化する際の比較的高い無効電
力による損失等の重大な欠点がある。後者の欠点の例と
して、５０Ｈｚで約１゜の角度の、２００ｋｅνのアン
チモニイオンビームを偏向する場合を例に挙げるならば
、長さ約０．２ｍ、幅 ０．２ｍ 、厚さ０．１ｍ 、
の空隙に相当する容積の磁化空間で、最大磁束密度１０
００ガウス或いは０．１テスラの磁界を得るには、約５
，８ ＫＶＡの無効電力を消費しなければならない。こ
の量の規模の無効電力は、それを供給する電源回路の平
衡にとって大きな障害になる。
光肌ｑ撞翌
本発明は、荷電粒子ビームの軌道の偏向を、磁界を利用
して変化させることを可能にする方法に関する。しかし
、本発明は、簡単でありながら効果的な手段を用いるこ
とで、ヒステリシス損、うず電流損或いは高い無効電力
消費による回路網の不平衡等に係る上述した従来技術の
欠点を解消することができる。
して変化させることを可能にする方法に関する。しかし
、本発明は、簡単でありながら効果的な手段を用いるこ
とで、ヒステリシス損、うず電流損或いは高い無効電力
消費による回路網の不平衡等に係る上述した従来技術の
欠点を解消することができる。
磁束密度がＢ （ｘ＋ ｙ＋ ｚ）の磁界の容積Ｖ
の空間中を長さｌにわたって通過させて荷電粒子ビーム
の軌道の偏向を変化させるために、本発明の方法では、
ビームの軌道に沿って算出された量３８ ｄｌｌを変え
て粒子ビームが空間Ｖを通過する間にビームが受ける偏
向特性を変えるようにビームに対して空間■を相対的に
変位させることを特徴としている。
の空間中を長さｌにわたって通過させて荷電粒子ビーム
の軌道の偏向を変化させるために、本発明の方法では、
ビームの軌道に沿って算出された量３８ ｄｌｌを変え
て粒子ビームが空間Ｖを通過する間にビームが受ける偏
向特性を変えるようにビームに対して空間■を相対的に
変位させることを特徴としている。
体積■、長さｌ、軌道に対して直角な磁束密度Ｂの磁界
を通過する荷電粒子ビームの偏向角度αは、与えられた
エネルギーとイオンの種類により、この軌道に関して算
出した積分３Ｂ ｄ７！の関数である。従来技術におい
ては、この角度は、時間の関数として、やはり時間の関
数である磁束密度Ｂを変化させて実現していた。本発明
によれば、角度αを変化させるために、積分ＳＢ ｃＨ
！が、荷電粒子ビームのとる軌道に沿って変化される。
を通過する荷電粒子ビームの偏向角度αは、与えられた
エネルギーとイオンの種類により、この軌道に関して算
出した積分３Ｂ ｄ７！の関数である。従来技術におい
ては、この角度は、時間の関数として、やはり時間の関
数である磁束密度Ｂを変化させて実現していた。本発明
によれば、角度αを変化させるために、積分ＳＢ ｃＨ
！が、荷電粒子ビームのとる軌道に沿って変化される。
こうして、本発明によれば、ビームの偏向角度αは、体
積Ｖの空間に対してビームのとる位置の関数として得ら
れる。かくて、ビームに対して体積Ｖの空間を相対的に
変位させることにより、積分、５’Ｂ ｄｌｌ、の値を
変化させることが可能となり、求める偏向が得られる。
積Ｖの空間に対してビームのとる位置の関数として得ら
れる。かくて、ビームに対して体積Ｖの空間を相対的に
変位させることにより、積分、５’Ｂ ｄｌｌ、の値を
変化させることが可能となり、求める偏向が得られる。
注目すべきことは、本発明によれば、磁束密度Ｂ （ｘ
、 ｙ、 ｚ）は、従来技術の場合と違って、時間
の関数ではなく、時間からは独立した磁化装置、例えば
永久磁石或いは一定のアンペアターンにより磁化された
磁気回路によって得られる。本発明の範囲を越えること
なく、本発明による方法の変更例を示すことができる。
、 ｙ、 ｚ）は、従来技術の場合と違って、時間
の関数ではなく、時間からは独立した磁化装置、例えば
永久磁石或いは一定のアンペアターンにより磁化された
磁気回路によって得られる。本発明の範囲を越えること
なく、本発明による方法の変更例を示すことができる。
第１の態様によれば、磁束密度は、例えば直方体の空間
Ｖ内一定で、この直方体がその二つの面とビームの方向
とに直角な軸のまわりで回転する。
Ｖ内一定で、この直方体がその二つの面とビームの方向
とに直角な軸のまわりで回転する。
第２の態様は、磁界が空間Ｖ内で一定ではなく、空間■
がビームに直角で磁界の方向に平行な軸のまわりで回転
する。
がビームに直角で磁界の方向に平行な軸のまわりで回転
する。
第３の態様では、空間Ｖが固定され、磁束密度は一定で
はなく、ビームが空間Ｖに進入する前に、空間Ｖに対し
て変位される。
はなく、ビームが空間Ｖに進入する前に、空間Ｖに対し
て変位される。
第４の態様では、空間Ｖはビームに直角な軸のまわりで
回転すると共に、空間Ｖが、実質的に等しい２つの隣接
領域を有し、それぞれの領域内の磁界の向きが前記回転
軸に平行で互いに反対の方向にある。
回転すると共に、空間Ｖが、実質的に等しい２つの隣接
領域を有し、それぞれの領域内の磁界の向きが前記回転
軸に平行で互いに反対の方向にある。
ス１側１
以下添付図面に従い本発明の実施例について詳述する。
しかし、本発明はそれら実施例に限定されるものではな
い。
い。
第１ａ図及び第１ｂ図は、図中に示されたようにＳ極及
びＮ極を備えている２個のフェライト１及び２により磁
化された空間Ｖを示している。このような空間Ｖには、
矢印で示すような、一様の磁束密度Ｂの磁界が存在する
。本発明によれば、２個のフェライト１及び２は、それ
らの共面に対して直角でその対称中心を通る回転軸３の
まわりで一体となって回転する。回転軸３は、装置に進
入するビーム４の方向に直角である。２個のフェライト
が第１ａ図に実線で示す位置５を占める時、積分ＳＢ
ｄ７！の値は最大となり、出口側におけるビームの軌道
は参照番号６で示す通りである。また、フェライト１及
び２が回転軸３のまわりで９０゛回転して第１ａ図に破
線で示す位置７をとる時、ビームが空間Ｖを横切る長さ
ｌは最小となるので積分３Ｂ ｄｊ！はその最小値をと
る。この時の出口側におけるビームの軌道は参照番号８
で示す。このように、２個のフェライト１及び２よりな
る装置、即ち磁化空間Ｖを単に回転することにより、ビ
ームを偏向させることができ、この偏向は両極限の偏向
ビーム軌道６及び８の間の角度Δαの範囲内で変えるこ
とができる。
びＮ極を備えている２個のフェライト１及び２により磁
化された空間Ｖを示している。このような空間Ｖには、
矢印で示すような、一様の磁束密度Ｂの磁界が存在する
。本発明によれば、２個のフェライト１及び２は、それ
らの共面に対して直角でその対称中心を通る回転軸３の
まわりで一体となって回転する。回転軸３は、装置に進
入するビーム４の方向に直角である。２個のフェライト
が第１ａ図に実線で示す位置５を占める時、積分ＳＢ
ｄ７！の値は最大となり、出口側におけるビームの軌道
は参照番号６で示す通りである。また、フェライト１及
び２が回転軸３のまわりで９０゛回転して第１ａ図に破
線で示す位置７をとる時、ビームが空間Ｖを横切る長さ
ｌは最小となるので積分３Ｂ ｄｊ！はその最小値をと
る。この時の出口側におけるビームの軌道は参照番号８
で示す。このように、２個のフェライト１及び２よりな
る装置、即ち磁化空間Ｖを単に回転することにより、ビ
ームを偏向させることができ、この偏向は両極限の偏向
ビーム軌道６及び８の間の角度Δαの範囲内で変えるこ
とができる。
第２ａ図及び第２ｂ図は本発明による方法の他の実施態
様を示すが、ここでは、磁化空間Ｖを、入射するビーム
４に直角で磁界の方向に平行な回転軸３のまわりで回転
する。第２ａ図に立面図で、第２ｂ図に線Ａ−Ａに沿っ
た断面で示されたこの装置は、主に、固定磁気回路１０
より構成されており、この磁気回路１０は好ましくは環
状断面を有し、ｎｌアンペアターンの起磁力に対応して
一定の電流■を巻回数ｎのコイル１１ｃに流している。
様を示すが、ここでは、磁化空間Ｖを、入射するビーム
４に直角で磁界の方向に平行な回転軸３のまわりで回転
する。第２ａ図に立面図で、第２ｂ図に線Ａ−Ａに沿っ
た断面で示されたこの装置は、主に、固定磁気回路１０
より構成されており、この磁気回路１０は好ましくは環
状断面を有し、ｎｌアンペアターンの起磁力に対応して
一定の電流■を巻回数ｎのコイル１１ｃに流している。
この磁気回路１０は、第２ａ図の平面に位置する回転軸
３のまわりで一体に回転可能に配置された磁極片１４及
び１５に備わる２つの傾斜した面１２及び１３をにより
画成された空隙１１を有する。空隙１１の形状は矢印で
示す如き磁界Ｂが得られるようになっている。しかしな
がら、空隙１１間の空間Ｖ内では磁束密度Ｂは一定では
ない。その理由は、磁界の強さは空隙の局所的な厚さに
反比例するからである。換言すれば、第２ａ図に示す磁
極片１４及び１５の位置では、空隙の左の外側では磁束
密度は最小であり、空隙の右の内側では最大となる。空
間ｖ内で偏向を変えられる荷電粒子ビームは、回転軸３
に対して中心をはずれて４の位置を通過するので、磁極
片１４．１５を回転軸３のまわりで回転するだけでビー
ム４から見た磁界の強さを変化させることができ、かく
て、ビーム４を様々な度合で偏向させることができる。
３のまわりで一体に回転可能に配置された磁極片１４及
び１５に備わる２つの傾斜した面１２及び１３をにより
画成された空隙１１を有する。空隙１１の形状は矢印で
示す如き磁界Ｂが得られるようになっている。しかしな
がら、空隙１１間の空間Ｖ内では磁束密度Ｂは一定では
ない。その理由は、磁界の強さは空隙の局所的な厚さに
反比例するからである。換言すれば、第２ａ図に示す磁
極片１４及び１５の位置では、空隙の左の外側では磁束
密度は最小であり、空隙の右の内側では最大となる。空
間ｖ内で偏向を変えられる荷電粒子ビームは、回転軸３
に対して中心をはずれて４の位置を通過するので、磁極
片１４．１５を回転軸３のまわりで回転するだけでビー
ム４から見た磁界の強さを変化させることができ、かく
て、ビーム４を様々な度合で偏向させることができる。
第２ｂ図は、空間Ｖにおけるビーム４の、最小の磁束密
度に対応する最小偏向軌道１６と、最大磁の東密度に対
応する最大偏向軌道１７を示す。最小偏向軌道１６と最
大の偏向軌道１７は、軌道の偏向の変化の両極限を規定
する角度Δαのだけ角方向に離隔しており、第２ａ図及
び第２ｂ図の装置によってビームはこの範囲内で偏向を
変化させられる。 第３ａ図及び第３ｂ図の装置は、本
発明の一部を構成しな０ い機械的又は電気的手段による公知の方法により得られ
たビームの偏向を更に増大させるものである。この装置
は、全体に静的である特徴を有し、第２ａ図及び第２ｂ
図の場合と同様に、コイルＩｌｃで形成される固定磁気
回路１０を有している。この磁気回路１０は、コイルｌ
ｌｃに強さＩの電流が流されて、ｎＩチアンアターンの
起磁力を与える。
度に対応する最小偏向軌道１６と、最大磁の東密度に対
応する最大偏向軌道１７を示す。最小偏向軌道１６と最
大の偏向軌道１７は、軌道の偏向の変化の両極限を規定
する角度Δαのだけ角方向に離隔しており、第２ａ図及
び第２ｂ図の装置によってビームはこの範囲内で偏向を
変化させられる。 第３ａ図及び第３ｂ図の装置は、本
発明の一部を構成しな０ い機械的又は電気的手段による公知の方法により得られ
たビームの偏向を更に増大させるものである。この装置
は、全体に静的である特徴を有し、第２ａ図及び第２ｂ
図の場合と同様に、コイルＩｌｃで形成される固定磁気
回路１０を有している。この磁気回路１０は、コイルｌ
ｌｃに強さＩの電流が流されて、ｎＩチアンアターンの
起磁力を与える。
前述の例と同様に、磁気回路１０は空隙１１を備えてお
り、この空隙１１は、磁極片１４．１５によって画成さ
れており、磁極片１４．１５は傾斜した平坦な面１２、
Ｉ３により限定され、かつ、空隙１１内の磁界の方向は
矢印で示す通りであり、その強さは不均一で空隙１１の
一端から他端に向って変化している。
り、この空隙１１は、磁極片１４．１５によって画成さ
れており、磁極片１４．１５は傾斜した平坦な面１２、
Ｉ３により限定され、かつ、空隙１１内の磁界の方向は
矢印で示す通りであり、その強さは不均一で空隙１１の
一端から他端に向って変化している。
前述の装置と比較して異なる点で重要なことは、第３ａ
図及び第３ｂ図の装置では、磁極片１４．１５は固定さ
れており、また、ビーム４が第３ａ図の面内で数度に限
られた角度α１の間で変位することである。しかし、ビ
ームの極限偏向軌道１６．１７の間の角度α２は最初の
偏向角度α１よりも大きいので、ビームの偏向はこの装
置内で増加される。かくし１ て、ビーム４は、第３ａ図及び第３ｂ図の装置に進入す
る以前に数度の角度α１で振られると、装置かう出るビ
ームは、ビームの極限偏向軌道１６ト１７（７）間を振
れ、従って、角度α、の前述の偏向角よりも遥かに大き
い角度α２だけ変位される（α２は通常α、の１０倍以
上になる）。
図及び第３ｂ図の装置では、磁極片１４．１５は固定さ
れており、また、ビーム４が第３ａ図の面内で数度に限
られた角度α１の間で変位することである。しかし、ビ
ームの極限偏向軌道１６．１７の間の角度α２は最初の
偏向角度α１よりも大きいので、ビームの偏向はこの装
置内で増加される。かくし１ て、ビーム４は、第３ａ図及び第３ｂ図の装置に進入す
る以前に数度の角度α１で振られると、装置かう出るビ
ームは、ビームの極限偏向軌道１６ト１７（７）間を振
れ、従って、角度α、の前述の偏向角よりも遥かに大き
い角度α２だけ変位される（α２は通常α、の１０倍以
上になる）。
この装置は、公知の機械的或いは物理的手段によって予
め僅かに最初の偏向された荷電ビームの偏向を、自動的
により大きくしたいときに利用することができる。
め僅かに最初の偏向された荷電ビームの偏向を、自動的
により大きくしたいときに利用することができる。
第４ａ図及び第４ｂ図に示す装置は、本発明による他の
実施態様を示すが、回転軸３のまわりで回転する空間Ｖ
内に、第４ａ図に示すように等容積で同じ磁束密度Ｂで
反対向きの磁界が作用している２つの隣接する領域２０
．２１がある。これは、例えば４個のフェライト磁石の
Ｓ極とＮ極を第４ａ図に示すように配置することにより
簡単に得ることができる。第４ａ図に示す面において荷
電粒子ビーム４がこの装置に進入するときに起こること
について述べると、ビームが領ＪＩ３ｉ２０．２１でそ
れぞれ反対の２ 方向に偏向するので、４個のフェライト２２．２３．２
４．２５の装置の第１の位置では極限軌道１６をとり、
フェライト磁石を回転軸３のまわりで半回転して同じ位
置にすると極限軌道１７をとることは明白である。そし
て、空間Ｖがその中間の位置にあるときは、ビームの軌
道は極限軌道１６と１７の間を通過する。
実施態様を示すが、回転軸３のまわりで回転する空間Ｖ
内に、第４ａ図に示すように等容積で同じ磁束密度Ｂで
反対向きの磁界が作用している２つの隣接する領域２０
．２１がある。これは、例えば４個のフェライト磁石の
Ｓ極とＮ極を第４ａ図に示すように配置することにより
簡単に得ることができる。第４ａ図に示す面において荷
電粒子ビーム４がこの装置に進入するときに起こること
について述べると、ビームが領ＪＩ３ｉ２０．２１でそ
れぞれ反対の２ 方向に偏向するので、４個のフェライト２２．２３．２
４．２５の装置の第１の位置では極限軌道１６をとり、
フェライト磁石を回転軸３のまわりで半回転して同じ位
置にすると極限軌道１７をとることは明白である。そし
て、空間Ｖがその中間の位置にあるときは、ビームの軌
道は極限軌道１６と１７の間を通過する。
上記のごとく図面を参照して詳述した総ての実施例にお
いて、荷電粒子ビームの軌道の偏向の変化は、空間Ｖ内
のビームからみた積分、５’Ｂ ｄＪを変化する磁気装
置によって得ることができ、その際、磁界は永久磁石あ
るいは定電流電磁気回路によって得ることができるので
、無効電力消費も、ヒステリシス損もうず電流損も一切
無い。
いて、荷電粒子ビームの軌道の偏向の変化は、空間Ｖ内
のビームからみた積分、５’Ｂ ｄＪを変化する磁気装
置によって得ることができ、その際、磁界は永久磁石あ
るいは定電流電磁気回路によって得ることができるので
、無効電力消費も、ヒステリシス損もうず電流損も一切
無い。
第１ａ図及び第１ｂ図は、直方体の空間Ｖを用いて荷電
粒子ビームの偏向を変化させる実施例を示すそれぞれ平
面図及び立面図である。 第２ａ図は、密度の変化する空間の回転によって３ 荷電粒子ビームの軌道の偏向を変化させる、本発明によ
る方法の実施態様のひとつを示す図である。 第２ｂ図は、第２ａ図に示した装置の線Ａ−Ａに沿って
の断面図である。 第３ａ図及び第３ｂ図は、空間■が固定され、その空間
Ｖ内で磁束密度が一定ではなく、ビームは空間Ｖに進入
する前にビームが空間■に対して変位させられる、走査
を拡大するための装置のそれぞれ立面図及び平面図であ
る。 第４ａ図及び第４ｂ図は、磁界が互いに反対の向きにな
っている実質的に等しい２つの隣接した領域を有する、
本発明による偏向方法を実施する装置のそれぞれ立面図
及び平面図である。 （主な参照番号） １．２：フェライト磁石、 ３：回転軸、 ４：ビーム、１１ｃ：コイル
、 １１：空隙、１２．１３．１４．１５：磁極
片、 ６．８．１６．１７：偏向ビーム、 ４ ２０、２２７領域。 出願人 コミサリア タ レネルジー アトミック 代理人 弁理士 新居止音 ５ ＦＩＧ、 １ｂ ２３
粒子ビームの偏向を変化させる実施例を示すそれぞれ平
面図及び立面図である。 第２ａ図は、密度の変化する空間の回転によって３ 荷電粒子ビームの軌道の偏向を変化させる、本発明によ
る方法の実施態様のひとつを示す図である。 第２ｂ図は、第２ａ図に示した装置の線Ａ−Ａに沿って
の断面図である。 第３ａ図及び第３ｂ図は、空間■が固定され、その空間
Ｖ内で磁束密度が一定ではなく、ビームは空間Ｖに進入
する前にビームが空間■に対して変位させられる、走査
を拡大するための装置のそれぞれ立面図及び平面図であ
る。 第４ａ図及び第４ｂ図は、磁界が互いに反対の向きにな
っている実質的に等しい２つの隣接した領域を有する、
本発明による偏向方法を実施する装置のそれぞれ立面図
及び平面図である。 （主な参照番号） １．２：フェライト磁石、 ３：回転軸、 ４：ビーム、１１ｃ：コイル
、 １１：空隙、１２．１３．１４．１５：磁極
片、 ６．８．１６．１７：偏向ビーム、 ４ ２０、２２７領域。 出願人 コミサリア タ レネルジー アトミック 代理人 弁理士 新居止音 ５ ＦＩＧ、 １ｂ ２３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１荷電粒子ビームを、磁束密度Ｂ （ｘ、 ｙ、
ｚ）の磁界の体積■の空間の中を長さｌにわたって
通過させて、荷電粒子ビームの軌道の偏向を変化する方
法にして、ビームの軌道に沿って算出した、５’Ｂ ｄ
Ｊ量を変化させて空間Ｖを通過するときビームが受ける
軌道の偏向特性を変えるようにビームに対して空間Ｖを
相対的に変位させることを特徴とする、荷電粒子ビーム
の軌道の偏向を変化させる方法。 （２）前記磁界は少なくとも１個の永久磁石により形成
される特許請求範囲第１項記載の方法。 （３）前記磁界は、一定の量のアンペアターンで磁化さ
れる、前記空間■を画成する空隙を有する磁気回路によ
って形成される特許請求範囲第１項記載の方法。 （４）前記磁界は、直方体に形成された空間Ｖ内で磁束
密度が一定で、該空間は、該空間の２面とビームの方向
に直角な軸のまわりで回転する特許請求範囲第１項記載
の方法。 （５）前記磁界は、空間Ｖ内で磁束密度が一定ではなく
、該空間Ｖは、ビームに直角で磁界に平行な軸のまわり
で回転する特許請求範囲第１項記載の方法。 （６）前記空間Ｖは固定されており、磁束密度は一定で
はなく、ビームは該空間■に進入する以前に該空間Ｖに
対して変位される特許請求範囲第１項記載の方法。 （７）前記空間Ｖは、ビームに直角な軸のまわりで回転
し、互いに反対の極性の、回転軸に平行な磁界を有する
、２つの実質的に等しい隣接した領域を有する特許請求
範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8214204 | 1982-08-17 | ||
| FR8214204A FR2532112A1 (fr) | 1982-08-17 | 1982-08-17 | Procede pour faire varier en fonction du temps la trajectoire d'un faisceau de particules chargees |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951446A true JPS5951446A (ja) | 1984-03-24 |
Family
ID=9276907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58149516A Pending JPS5951446A (ja) | 1982-08-17 | 1983-08-16 | 荷電粒子ビ−ムの軌道の偏向を変化させる方法 |
Country Status (4)
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|---|---|
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| EP (1) | EP0103502A1 (ja) |
| JP (1) | JPS5951446A (ja) |
| FR (1) | FR2532112A1 (ja) |
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