JPS5951582A - レ−ザ・ポンピング用高電力セシウムランプ装置 - Google Patents
レ−ザ・ポンピング用高電力セシウムランプ装置Info
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- JPS5951582A JPS5951582A JP58141969A JP14196983A JPS5951582A JP S5951582 A JPS5951582 A JP S5951582A JP 58141969 A JP58141969 A JP 58141969A JP 14196983 A JP14196983 A JP 14196983A JP S5951582 A JPS5951582 A JP S5951582A
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Classifications
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- H01J61/12—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature
- H01J61/18—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature having a metallic vapour as the principal constituent
- H01J61/22—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature having a metallic vapour as the principal constituent vapour of an alkali metal
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- H01J61/34—Double-wall vessels or containers
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- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術的背景
本発明はレーザ・ポンピング用のランプおよびランプ装
置に関し、特にレーザ・ポンピングにとって特に有用で
あるパルス式セシウムランプに供給される電力を増加さ
せるだめの手段に関する。
置に関し、特にレーザ・ポンピングにとって特に有用で
あるパルス式セシウムランプに供給される電力を増加さ
せるだめの手段に関する。
ネオジム・ガラス・レーザもしくはネオジム−YAGレ
ーザのポンピングにとって特に効果的であるパルス式セ
シウムランプは、/979年//月乙日発行の米国特許
第g/737.M号に記載されている。 この特許には
高電流でパルス駆動されレーザのポンピングとサイリス
タのトリガにとって有効である強力な光パルスを発生で
きるセシウム蒸気ランプが開示されている。 例えば、
セシウムランプの典型的な電流値は、200ミリ秒の持
続時間で300アンペアの大きさであった。 このよう
なランプは、高圧ナトリウムランプにおいて採用されて
いる普通のナトリウム・水銀アマルカムよりもむしろセ
シウムφ水銀アマルガムをアルミナのアーク管に封入す
ることによって構成できる。
ーザのポンピングにとって特に効果的であるパルス式セ
シウムランプは、/979年//月乙日発行の米国特許
第g/737.M号に記載されている。 この特許には
高電流でパルス駆動されレーザのポンピングとサイリス
タのトリガにとって有効である強力な光パルスを発生で
きるセシウム蒸気ランプが開示されている。 例えば、
セシウムランプの典型的な電流値は、200ミリ秒の持
続時間で300アンペアの大きさであった。 このよう
なランプは、高圧ナトリウムランプにおいて採用されて
いる普通のナトリウム・水銀アマルカムよりもむしろセ
シウムφ水銀アマルガムをアルミナのアーク管に封入す
ることによって構成できる。
更に、前記特許に記載されたセシウムランプ中には、ア
ーク管の下側部分に配置されだ液体セシウムの溜めがあ
る。 このセシウム蒸気ランプでは、セシウムが裸のタ
ングステン金属上に強力に吸着して強力な電子放出面を
作るので、裸のタングステン電極が採用されている。
前記特許に記載のランプについて行われた寿命試験によ
れば、このようなランプは光出力を低下させることなく
90億個以上のパルスを発生できることがわかっている
。 これに対し、ネオジム・レーザをポンピングする
ための強力な光パルス用として広く用いられているキセ
ノン・フラッシュランプは、最高で100θ万個の光パ
ルスを生じるに過ぎない。 更に、前記の特許にはこれ
らのセシウム蒸気ランプを、ネオジム・ガラスもしくは
ネオジム・YAGレーザをポンピングするために用い得
ることが開示されている。
ーク管の下側部分に配置されだ液体セシウムの溜めがあ
る。 このセシウム蒸気ランプでは、セシウムが裸のタ
ングステン金属上に強力に吸着して強力な電子放出面を
作るので、裸のタングステン電極が採用されている。
前記特許に記載のランプについて行われた寿命試験によ
れば、このようなランプは光出力を低下させることなく
90億個以上のパルスを発生できることがわかっている
。 これに対し、ネオジム・レーザをポンピングする
ための強力な光パルス用として広く用いられているキセ
ノン・フラッシュランプは、最高で100θ万個の光パ
ルスを生じるに過ぎない。 更に、前記の特許にはこれ
らのセシウム蒸気ランプを、ネオジム・ガラスもしくは
ネオジム・YAGレーザをポンピングするために用い得
ることが開示されている。
例えばネオジム−YAGレーザ等の成る種のレーサハ、
普通キセノン・フラッシュランプからの光を使ってポン
ピングさせる。 例えば、レーザ物質のスラブ(厚板)
は、λつのキセノン・フラッシュランプからレーザ物質
のスラブ上に光を集束させる高反射性の2重橢円空洞内
に通常収納されている。 冷却水を圧送するだめの外側
ジャケットでキセノン・フラッシュランプを囲むこと等
によって、このキセノン・フラッシュランプを冷却する
必要があるような高電力の用途においては、多くの前述
した種類のレーザが採用されている。
普通キセノン・フラッシュランプからの光を使ってポン
ピングさせる。 例えば、レーザ物質のスラブ(厚板)
は、λつのキセノン・フラッシュランプからレーザ物質
のスラブ上に光を集束させる高反射性の2重橢円空洞内
に通常収納されている。 冷却水を圧送するだめの外側
ジャケットでキセノン・フラッシュランプを囲むこと等
によって、このキセノン・フラッシュランプを冷却する
必要があるような高電力の用途においては、多くの前述
した種類のレーザが採用されている。
このような冷却システムのだめに、キセノン・フラッシ
ュランプの石英管は、例えば30ワツト/ Caのよう
な高い平均管壁負荷(wall loading)で動
作できる。 このランプは数百マイクロ秒間のみパルス
駆動されて、次いではるかに長い時間の間、例えば約0
7秒間オフにされるため、もちろんピーク負荷は平均値
よりもはるかに大である。
ュランプの石英管は、例えば30ワツト/ Caのよう
な高い平均管壁負荷(wall loading)で動
作できる。 このランプは数百マイクロ秒間のみパルス
駆動されて、次いではるかに長い時間の間、例えば約0
7秒間オフにされるため、もちろんピーク負荷は平均値
よりもはるかに大である。
一層高い平均電力をパルス式セシウム蒸気ランプに供給
する際の問題は、本発明の適切な理解にとって重要であ
る。 特に、セシウム蒸気ランプの場合、ランプへの電
力の増加に伴なう問題、すなわちランプ内の必要なセシ
ウム蒸気圧(好ましくは約20トル)を維持するだめに
約j00°Cの温度以下にアーク管壁を冷却することな
くアルミナのアーク管からの熱を除去するような態様で
ランプの管壁負荷を増加させるには問題があることを理
解すべきである。 普通のキセノン・フラッシュランプ
に対して採用されたような簡単な水冷システムは、セシ
ウム蒸気ランプの冷却には応用できない。 以前に開発
されたセシウム蒸気ランプにおいてアーク管壁を適切な
動作温度に維持するだめに、ランプに外管が設けらAす
る。 更に、アーク管と外管との間の空間を排気するこ
とによって、真空ギャップを形成する。 このだめ、外
管の水冷によりアーク管の許容可能な管壁負荷に実質的
に何ら変化が生じない。 と云うのは、外管がアーク管
よりも充分に冷却されている限り、真空ギャップを横切
る輻射伝達が外管に対し敏感でないからである。 アー
ク管自体を直接永劫することは、管壁温度を常に高くし
ておくことが必要であるため可能ではない。 セシウム
蒸気ランプが現在約2,2ワツト/Cn?の平均管壁負
荷限界を示しているにもかかわらず、この限界を増加さ
せることは非常に望ましい。
する際の問題は、本発明の適切な理解にとって重要であ
る。 特に、セシウム蒸気ランプの場合、ランプへの電
力の増加に伴なう問題、すなわちランプ内の必要なセシ
ウム蒸気圧(好ましくは約20トル)を維持するだめに
約j00°Cの温度以下にアーク管壁を冷却することな
くアルミナのアーク管からの熱を除去するような態様で
ランプの管壁負荷を増加させるには問題があることを理
解すべきである。 普通のキセノン・フラッシュランプ
に対して採用されたような簡単な水冷システムは、セシ
ウム蒸気ランプの冷却には応用できない。 以前に開発
されたセシウム蒸気ランプにおいてアーク管壁を適切な
動作温度に維持するだめに、ランプに外管が設けらAす
る。 更に、アーク管と外管との間の空間を排気するこ
とによって、真空ギャップを形成する。 このだめ、外
管の水冷によりアーク管の許容可能な管壁負荷に実質的
に何ら変化が生じない。 と云うのは、外管がアーク管
よりも充分に冷却されている限り、真空ギャップを横切
る輻射伝達が外管に対し敏感でないからである。 アー
ク管自体を直接永劫することは、管壁温度を常に高くし
ておくことが必要であるため可能ではない。 セシウム
蒸気ランプが現在約2,2ワツト/Cn?の平均管壁負
荷限界を示しているにもかかわらず、この限界を増加さ
せることは非常に望ましい。
前記の特許に記載されたセシウム蒸気ランプは、室外照
明用として従来広く採用されてきた高圧ナトリウムラン
プに類似している。 こ」1.らの氾種類のランプは
、各々が好ましくアルミナのアーク管を採用している事
実によって基本的な関連性がある。 高圧ナトリウムラ
ンプは、アルミナのアーク管端部キャップを通り抜けて
伸びるニオフのリードを備えた焼結アルミナのアーク管
を採用1〜てきた。 高圧ナトリウムランプの電極は、
仕事関数を減少させるためトリウムもしくはバリウム化
合物で被覆されたタングステンによシ形成されている。
明用として従来広く採用されてきた高圧ナトリウムラン
プに類似している。 こ」1.らの氾種類のランプは
、各々が好ましくアルミナのアーク管を採用している事
実によって基本的な関連性がある。 高圧ナトリウムラ
ンプは、アルミナのアーク管端部キャップを通り抜けて
伸びるニオフのリードを備えた焼結アルミナのアーク管
を採用1〜てきた。 高圧ナトリウムランプの電極は、
仕事関数を減少させるためトリウムもしくはバリウム化
合物で被覆されたタングステンによシ形成されている。
高圧ナトリウムランプにおいては、封入ガスは金属ナ
トリウム、水銀およびキセノン等の不活性カスからなり
、不活性ガスは始動を助長し、更にアークからアーク管
壁への熱の流れを減少させるように作用する。 この
ようなランプにおいて、ナトリウムと水銀は、製造中に
アマルガムのペレットの形でランプ内に置かれる。 セ
シウム蒸気ランプにおけるように、高圧ナトリウムラン
プは丑だ約、22ワツト/ adの最大管壁負荷を示し
ている。 アークからアルミナのアーク管壁への実際の
熱伝導は、この値の約3j%に過ぎず、エネルキー流の
残りは、アークからアルミナ管壁を介して放射される(
可視および赤外)輻射線である。 高圧ナトリウムラン
プの効率(すなわち、ルーメン/ワット出力)は、アー
ク管壁温度の増加により改良されるだめ、アーク管はア
ルミナ管壁がランプ寿命の長さと一致するようにして出
来る限シ高温で動作するように寸法を定める。 この最
大管壁温度は市販のランプにおいては約/夕00°にで
ある。 これらのナトリウムランプにおいては、アーク
管よりも直径が大きい、排気した外側真空ジャケットを
有するー アークからアーク管壁へ伝導される熱(約ざ
ワット/ aI)は、アーク管壁から外側ジャケットお
よび外方周囲へ放射されなければならない。 アルミナ
は可視スペクトル領域において低放射率を有するため、
この放射は主として波長が約3ミクロンより長い赤外領
域で生ずる。
トリウム、水銀およびキセノン等の不活性カスからなり
、不活性ガスは始動を助長し、更にアークからアーク管
壁への熱の流れを減少させるように作用する。 この
ようなランプにおいて、ナトリウムと水銀は、製造中に
アマルガムのペレットの形でランプ内に置かれる。 セ
シウム蒸気ランプにおけるように、高圧ナトリウムラン
プは丑だ約、22ワツト/ adの最大管壁負荷を示し
ている。 アークからアルミナのアーク管壁への実際の
熱伝導は、この値の約3j%に過ぎず、エネルキー流の
残りは、アークからアルミナ管壁を介して放射される(
可視および赤外)輻射線である。 高圧ナトリウムラン
プの効率(すなわち、ルーメン/ワット出力)は、アー
ク管壁温度の増加により改良されるだめ、アーク管はア
ルミナ管壁がランプ寿命の長さと一致するようにして出
来る限シ高温で動作するように寸法を定める。 この最
大管壁温度は市販のランプにおいては約/夕00°にで
ある。 これらのナトリウムランプにおいては、アーク
管よりも直径が大きい、排気した外側真空ジャケットを
有するー アークからアーク管壁へ伝導される熱(約ざ
ワット/ aI)は、アーク管壁から外側ジャケットお
よび外方周囲へ放射されなければならない。 アルミナ
は可視スペクトル領域において低放射率を有するため、
この放射は主として波長が約3ミクロンより長い赤外領
域で生ずる。
要約すると、アルミナのアーク管を採用している点で高
圧ナトリウムランプと類似しているセシウム蒸気ランプ
は、レーザ・ポンピング、特にネオジム−YAGレーザ
のポンピングにとって有用なものとして従来記載されて
きた。 しかしながら、現在の管壁負荷限界が約ムθ
ット/c〃)であるため、セシウム蒸気ランプに供給さ
れる平均電力を増加することは困難である。 更に、レ
ーザ・ランプに対する普通の冷却法お・よび装置は、ア
ーク管壁温度な566°Cもしくはそれ以上に維持する
必要があるため、セシウム蒸気ランプについては採用で
きない。
圧ナトリウムランプと類似しているセシウム蒸気ランプ
は、レーザ・ポンピング、特にネオジム−YAGレーザ
のポンピングにとって有用なものとして従来記載されて
きた。 しかしながら、現在の管壁負荷限界が約ムθ
ット/c〃)であるため、セシウム蒸気ランプに供給さ
れる平均電力を増加することは困難である。 更に、レ
ーザ・ランプに対する普通の冷却法お・よび装置は、ア
ーク管壁温度な566°Cもしくはそれ以上に維持する
必要があるため、セシウム蒸気ランプについては採用で
きない。
発明の概要
本発明の一面によれば、例えば前掲の特許に記載されて
いるようなセシウム蒸気ランプにアーク管を囲む排気可
能な外管が設けられ、該外管は、外管の表面とアーク管
の表面とが外管とアーク管との間に熱伝達用ガスを封入
するように一定距離隔たるように配置される。 更に、
外側の透明な水ジャケットのような手段が外管を冷却す
るために設けられる。 なお本発明では、ヘリウムが熱
伝達用ガスとして好寸しい。
いるようなセシウム蒸気ランプにアーク管を囲む排気可
能な外管が設けられ、該外管は、外管の表面とアーク管
の表面とが外管とアーク管との間に熱伝達用ガスを封入
するように一定距離隔たるように配置される。 更に、
外側の透明な水ジャケットのような手段が外管を冷却す
るために設けられる。 なお本発明では、ヘリウムが熱
伝達用ガスとして好寸しい。
寸だ、本発明の別の面においては、レーザ・ポンピング
用光装置を、上述したヘリウムを封入した外管を持つ2
個のセシウム蒸気ランプで構成する。 これらのラン
プは/対の一部が重なり合う器内部分から々る断面を有
する長い空洞を備えだハウジング内に配設される。 こ
れらの橢円の焦点は直線上に位置していて、空洞の長さ
方向に沿って伸びる/対の内側および/対の外側の焦線
を形成する。 これらのランプは外側の焦線に沿って配
置され、このためランプからの光がそれぞれの内側の焦
点に沿った部分に向けられる。
用光装置を、上述したヘリウムを封入した外管を持つ2
個のセシウム蒸気ランプで構成する。 これらのラン
プは/対の一部が重なり合う器内部分から々る断面を有
する長い空洞を備えだハウジング内に配設される。 こ
れらの橢円の焦点は直線上に位置していて、空洞の長さ
方向に沿って伸びる/対の内側および/対の外側の焦線
を形成する。 これらのランプは外側の焦線に沿って配
置され、このためランプからの光がそれぞれの内側の焦
点に沿った部分に向けられる。
最後に、本発明は丑だ、上述した光および光反射装置が
内側の焦線に沿って位置するレーザ物質のスラブを含む
ようにしだレーザ装置を提供する。 特に、発明の好ま
しい実施例ではネオジム−YAGレーザ物質のスラブが
用いられる。
内側の焦線に沿って位置するレーザ物質のスラブを含む
ようにしだレーザ装置を提供する。 特に、発明の好ま
しい実施例ではネオジム−YAGレーザ物質のスラブが
用いられる。
従って、本発明の7つの目的は、セシウム蒸気ランプへ
供給可能な最大電力を増加させることである。
供給可能な最大電力を増加させることである。
本発明の他の目的は、より高いレベルのアーク管壁負荷
でセシウム蒸気ランプを動作させる手段を提供すること
である。
でセシウム蒸気ランプを動作させる手段を提供すること
である。
丑だ、本発明の他の目的は、レーザ・ポンピング用のラ
ンプ装置、特にネオジム−YAGレーザ物質に対し使用
するのに適したランプ装置を提供することである。
ンプ装置、特にネオジム−YAGレーザ物質に対し使用
するのに適したランプ装置を提供することである。
本発明の更に他の目的は、レーザ・ポンピング用光装置
、並びにセシウム蒸気光発生および反射装置を含むレー
ザ装置を提供することである。
、並びにセシウム蒸気光発生および反射装置を含むレー
ザ装置を提供することである。
発明として見なされる要件は、明細1の特許請求の範囲
に記載されている。 しが;〜ながら、本発明は構成お
よび実施の方法に関して、他の目的および効果と共に、
添付の図面を参照した以下の説明からより良く理解され
よう。
に記載されている。 しが;〜ながら、本発明は構成お
よび実施の方法に関して、他の目的および効果と共に、
添付の図面を参照した以下の説明からより良く理解され
よう。
第1図は前掲の特許に記載されているようなセシウム蒸
気ランプ1oの従来形状を示す。 具体的に説明すると
、典型的には外径オ關、内径り助および長さ!’1rn
aのアルミナのアーク管11の各端部にタングステン電
極12が配設されている。
気ランプ1oの従来形状を示す。 具体的に説明すると
、典型的には外径オ關、内径り助および長さ!’1rn
aのアルミナのアーク管11の各端部にタングステン電
極12が配設されている。
裸のタングステン電極12は、アルミナのアーク管を介
して配設されたニオブ線の支持体上に支持されている。
して配設されたニオブ線の支持体上に支持されている。
このニオブ線の直径は典型的にはほぼOg msであ
る。 セシウム・アマルガムのプール13がアーク管1
1内に配設されて、作動中にはランプ電流を通す放電媒
体18を提供する。
る。 セシウム・アマルガムのプール13がアーク管1
1内に配設されて、作動中にはランプ電流を通す放電媒
体18を提供する。
放電媒体は好捷しくけセシウム蒸気もしくはセシウムお
よび水銀蒸気の混合物からなる。 まだ、ランプ動作中
の好ましいセシウム蒸気圧の範囲は約タトルおよび約i
so トルとの間であり、7oトルの圧力が望ましい。
よび水銀蒸気の混合物からなる。 まだ、ランプ動作中
の好ましいセシウム蒸気圧の範囲は約タトルおよび約i
so トルとの間であり、7oトルの圧力が望ましい。
また、通常外径9ア、内径J’ mynおよび長さ/
、X) m、rnの耐熱カラスの外管14内に、前記ア
ーク管11が配設されている。 アーク管11の両端を
貫通して配設されたニオブ線19は、外管14を貫通1
−て伸びるタングステン導線15に取り(1けられてい
る。 この場合、通常導線15の直径はほぼ/ m、m
である。 封じ切りステム16は、アーク管11と外管
14との間にある容積17内を真空にするために用いら
れる。
、X) m、rnの耐熱カラスの外管14内に、前記ア
ーク管11が配設されている。 アーク管11の両端を
貫通して配設されたニオブ線19は、外管14を貫通1
−て伸びるタングステン導線15に取り(1けられてい
る。 この場合、通常導線15の直径はほぼ/ m、m
である。 封じ切りステム16は、アーク管11と外管
14との間にある容積17内を真空にするために用いら
れる。
このようなランプにおける管壁負荷は、現在のところ最
大約2.2’)ット/ cnffに制限されている。
大約2.2’)ット/ cnffに制限されている。
このようなセシウム蒸気ランプにおいては、好ましくは
ほぼ20トルである所要のセシウム蒸気圧にするために
、アルミナのアーク管壁の温度をQlぼ50066以上
の温度に維持しなければならない。
ほぼ20トルである所要のセシウム蒸気圧にするために
、アルミナのアーク管壁の温度をQlぼ50066以上
の温度に維持しなければならない。
」=述したように、このようなランプはア〜り管11
もしくは外管14のいずれかに適用される普通の冷却方
式には適していない。
もしくは外管14のいずれかに適用される普通の冷却方
式には適していない。
第一図は水冷キセノン・フラッシュランプを用いた従来
のネオジム−YAGレーザ装置を示す。
のネオジム−YAGレーザ装置を示す。
この場合、−個のキセノン・フラッシュランプが用いら
れ、各々は容積37中に望ましいキセノンを含む放電媒
体を封入した外管3oを有している。
れ、各々は容積37中に望ましいキセノンを含む放電媒
体を封入した外管3oを有している。
外側ジャケット23はこのようなキセノン・フラッシュ
ランプを各々囲んでいて、環状の容積22を通して水を
循環させると)とにより、キセノン・フラッシュランプ
の必要な冷却を行うものである。
ランプを各々囲んでいて、環状の容積22を通して水を
循環させると)とにより、キセノン・フラッシュランプ
の必要な冷却を行うものである。
この形態の冷却は、アーク管3oの溶融もしくは劣化を
伴なうことなしにキセノン・フランユランプへ供給され
る電力を増加させることが出来る。
伴なうことなしにキセノン・フランユランプへ供給され
る電力を増加させることが出来る。
このキセノン拳フラッシュランプはハウシング55内、
特にハウシング中の長い空洞内に配設されている。 こ
の空洞は/対の一部が重なり合う欄内筒の形状をしてお
り、欄内の焦点が共通の直線に沿うように構成されてい
る。 この構成により/対の内側の焦点と/対の外側
の焦点が形成される。 かようにして、キセノン・フラ
ッシュランプは、図示の如く、各々の直橢円筒状部分3
1゜32の焦線に沿って配設される。 従って、外側の
焦点のいずれかもしくはその近くで発生した光は、その
対となる焦点、すなわち2つの内側の欄内焦点の/方に
向けられる。 良好な反射を保証するだめに、例えば銀
もしくは銀蒸着によって設けられる反射被覆36を2つ
の欄内空洞の内部表面に設ける。 キセノン・フラッシ
ュランプにより励起される通常のネオジム−YAGレー
ザ装置においては、外側の欄内焦点は互いに対1〜約グ
41 m、mの距離D2だけ離れている。 各欄内の
中心(その焦点間の中点)は、互いに対し典型的には約
、2乙闘の距離D1だけ離れている。 第2図に示すよ
うな通常のレーザ装置においては、キセノン・ランプの
アーク’=’goが通常はぼ7 m、mの外径を持って
いる。 同様に、外側ジャケット33は、典型的にはほ
ぼ/乙maの外径をもち、その合壁はほぼ/關の厚さを
もっている。
特にハウシング中の長い空洞内に配設されている。 こ
の空洞は/対の一部が重なり合う欄内筒の形状をしてお
り、欄内の焦点が共通の直線に沿うように構成されてい
る。 この構成により/対の内側の焦点と/対の外側
の焦点が形成される。 かようにして、キセノン・フラ
ッシュランプは、図示の如く、各々の直橢円筒状部分3
1゜32の焦線に沿って配設される。 従って、外側の
焦点のいずれかもしくはその近くで発生した光は、その
対となる焦点、すなわち2つの内側の欄内焦点の/方に
向けられる。 良好な反射を保証するだめに、例えば銀
もしくは銀蒸着によって設けられる反射被覆36を2つ
の欄内空洞の内部表面に設ける。 キセノン・フラッシ
ュランプにより励起される通常のネオジム−YAGレー
ザ装置においては、外側の欄内焦点は互いに対1〜約グ
41 m、mの距離D2だけ離れている。 各欄内の
中心(その焦点間の中点)は、互いに対し典型的には約
、2乙闘の距離D1だけ離れている。 第2図に示すよ
うな通常のレーザ装置においては、キセノン・ランプの
アーク’=’goが通常はぼ7 m、mの外径を持って
いる。 同様に、外側ジャケット33は、典型的にはほ
ぼ/乙maの外径をもち、その合壁はほぼ/關の厚さを
もっている。
更に、第2図に示す通常のネオジム−YAGレーレー置
においては、レーザ物質34のスラブは、その容積内に
上述した内側の焦点の両方を含むように、ハウジング5
5中の2つの欄内空洞31゜32に沿って配設されてい
る。 好ましくは、2つの内側の焦点は同じ点か又は近
接して位置するようにする。 また、レーザ物質34は
典型的にはパイレックス(商標)のよう々物質からなる
スラブ38間に配設されている。 このスラブ38の
各々の厚さはほぼ2鼎である。 各スラブ38は、レー
ザ物質34に最も近接した該スラブの表面」二に設けら
れた反射被覆をもっていてもよい。
においては、レーザ物質34のスラブは、その容積内に
上述した内側の焦点の両方を含むように、ハウジング5
5中の2つの欄内空洞31゜32に沿って配設されてい
る。 好ましくは、2つの内側の焦点は同じ点か又は近
接して位置するようにする。 また、レーザ物質34は
典型的にはパイレックス(商標)のよう々物質からなる
スラブ38間に配設されている。 このスラブ38の
各々の厚さはほぼ2鼎である。 各スラブ38は、レー
ザ物質34に最も近接した該スラブの表面」二に設けら
れた反射被覆をもっていてもよい。
更に、光学的に半透明な充填物質33.35が、一定の
予め選ばれた位置にレーザ物質を保持するように支持管
39内に配設されている。 この支持管39は通常例え
ばガラスもしくは石英などの半透明物質で構成され、そ
の内径がほぼ/9ms、外径がほぼ2/m、mである。
予め選ばれた位置にレーザ物質を保持するように支持管
39内に配設されている。 この支持管39は通常例え
ばガラスもしくは石英などの半透明物質で構成され、そ
の内径がほぼ/9ms、外径がほぼ2/m、mである。
第3A図および第3B図は、通常のネオジム−YAGレ
ーザ物質のスラブ′の寸法と形状を例示する。 一般に
、高さHは乙鼎十003 m、mである。
ーザ物質のスラブ′の寸法と形状を例示する。 一般に
、高さHは乙鼎十003 m、mである。
まだ、厚さWは/ jman±003m、tnである。
寸だ、長さは/、27.2乙關十0.2藺である。
更に、内部光学路はスラブの反射表面に対する角度αが
7グ°士d′を示す。
更に、内部光学路はスラブの反射表面に対する角度αが
7グ°士d′を示す。
第り図はレーザ用に用いられ、竹にネオジム−YAGレ
ーザ物質のボンピンクに有利に用いられるセシウム蒸気
ランプを示す。 具体的に説明すると既述したセシウム
蒸気ランプ10のアーク管11を囲む外管22が設けら
れる。 このだめ、アーク管11と外管200間に容積
21が形成される。 この容積内には高い熱伝導性を有
する熱伝達ガスが充填されている3、 この用途には、
好ましいカスはヘリウムであるが、ネオンもまだ用いる
ことができる。 更に、本発明の目的にとって重要なこ
とは、アーク管11の管壁と外管20の管壁との間の距
離を適切に選ぶことにより、外管20そして究極的には
外側ジャケット23と外管20との間を流れる冷却液体
たとえば水に寸で、熱伝達ガスを介1〜て熱エネルキー
を適切に伝達することである。 ランプへ供給される平
均電力が高くなる程、アーク管11と外管20との間の
所望のキャップは狭くなる。 ヘリウムを使った場合、
1算によると一〇ミル(θオ/關)のギャップが1.2
.fワット/cnIのアーク管管壁負荷に対して充分な
熱除去を行うのに満足なものである。 前記ギャップを
半分すなわち10ミル(023ms )に減少すると、
3乙ワツト/ca iでの管壁負荷に対する熱除去を行
うのに充分である。 更にギャップをその半分すなわち
jミル(θ/ 3 m、m )の距離まで減少した場合
には、最大許容管壁負荷ははソ//3ワット/aiに増
加する。 本発明においては、アーク管11 と外管2
0との間のギャップは、約グOミル(/朋)未満の値を
持っていることが好捷しい。
ーザ物質のボンピンクに有利に用いられるセシウム蒸気
ランプを示す。 具体的に説明すると既述したセシウム
蒸気ランプ10のアーク管11を囲む外管22が設けら
れる。 このだめ、アーク管11と外管200間に容積
21が形成される。 この容積内には高い熱伝導性を有
する熱伝達ガスが充填されている3、 この用途には、
好ましいカスはヘリウムであるが、ネオンもまだ用いる
ことができる。 更に、本発明の目的にとって重要なこ
とは、アーク管11の管壁と外管20の管壁との間の距
離を適切に選ぶことにより、外管20そして究極的には
外側ジャケット23と外管20との間を流れる冷却液体
たとえば水に寸で、熱伝達ガスを介1〜て熱エネルキー
を適切に伝達することである。 ランプへ供給される平
均電力が高くなる程、アーク管11と外管20との間の
所望のキャップは狭くなる。 ヘリウムを使った場合、
1算によると一〇ミル(θオ/關)のギャップが1.2
.fワット/cnIのアーク管管壁負荷に対して充分な
熱除去を行うのに満足なものである。 前記ギャップを
半分すなわち10ミル(023ms )に減少すると、
3乙ワツト/ca iでの管壁負荷に対する熱除去を行
うのに充分である。 更にギャップをその半分すなわち
jミル(θ/ 3 m、m )の距離まで減少した場合
には、最大許容管壁負荷ははソ//3ワット/aiに増
加する。 本発明においては、アーク管11 と外管2
0との間のギャップは、約グOミル(/朋)未満の値を
持っていることが好捷しい。
アーク管11と外管20との間のギャップは、/気圧の
ヘリウムを充填するのが好ましいが、/気圧のネオンも
また用いることもできる。 ネオンは特に/300°に
近傍の温度で固体中に拡散する傾向がいくらか少ないの
で、高温の用途においては好捷しい。 しかしながら
、ネオンの場合には、一般にアーク管11と外管20と
の間のギャップを小さくすることが必要である。 また
分子流が生じない程度に圧力が充分高くなると、ガスの
熱伝導率は圧力に依存1−ないので、ガス圧は余り重要
ではない。 またヘリウムを用いる場合、0/mynの
ギャップでは、熱伝導率は約j0トル以上においては実
質的に一定になる。
ヘリウムを充填するのが好ましいが、/気圧のネオンも
また用いることもできる。 ネオンは特に/300°に
近傍の温度で固体中に拡散する傾向がいくらか少ないの
で、高温の用途においては好捷しい。 しかしながら
、ネオンの場合には、一般にアーク管11と外管20と
の間のギャップを小さくすることが必要である。 また
分子流が生じない程度に圧力が充分高くなると、ガスの
熱伝導率は圧力に依存1−ないので、ガス圧は余り重要
ではない。 またヘリウムを用いる場合、0/mynの
ギャップでは、熱伝導率は約j0トル以上においては実
質的に一定になる。
次に第5図は、例えばキセノン・フラッシュランプを用
いたレーザ装置で用いられるのと同様に2重橢円空洞ハ
ウジングによって得られるような光反射装置内に、第9
図のランプを配設した本発明の実施例を示す。 この場
合、外側水ジャケット23と共に、例えばヘリウム等の
熱伝達ガスを封入する容積21を形成する外管20が設
けられている。 この構成にしない場合には、第5図の
レーザ装置は第2図に示すレーザ装置と類似1〜でいる
。
いたレーザ装置で用いられるのと同様に2重橢円空洞ハ
ウジングによって得られるような光反射装置内に、第9
図のランプを配設した本発明の実施例を示す。 この場
合、外側水ジャケット23と共に、例えばヘリウム等の
熱伝達ガスを封入する容積21を形成する外管20が設
けられている。 この構成にしない場合には、第5図の
レーザ装置は第2図に示すレーザ装置と類似1〜でいる
。
可変の定常キープアライブ(keep −al 1vc
)電力をセシウム蒸気放電ランプに供給することにより
多くの利点があることがわかった。 このキ〜プアライ
ブ電力は、電流パルス間の間のセシウム蒸気を電離状態
に維持1〜、パルス駆動に先だちランプをウオームアツ
プし且つセシウムの圧力を調整することが出来る。 更
に、瞬時的なパルス電力すなわちパルス繰返し数を変化
させる必要がある場合、キープアライブ電力によりセシ
ウム蒸気圧およびランプ平均電力を一定に保持すること
が出来る。 したがって、本発明のヘリウム・ギャッ
プは、ランプをより大きい且つよシ柔軟性のあるレベル
のキープアライブ電力で維持可能であると云う理由で、
キープアライブ状態に維持されるセシウム蒸気ランプに
対して付加的な利点を与える。
)電力をセシウム蒸気放電ランプに供給することにより
多くの利点があることがわかった。 このキ〜プアライ
ブ電力は、電流パルス間の間のセシウム蒸気を電離状態
に維持1〜、パルス駆動に先だちランプをウオームアツ
プし且つセシウムの圧力を調整することが出来る。 更
に、瞬時的なパルス電力すなわちパルス繰返し数を変化
させる必要がある場合、キープアライブ電力によりセシ
ウム蒸気圧およびランプ平均電力を一定に保持すること
が出来る。 したがって、本発明のヘリウム・ギャッ
プは、ランプをより大きい且つよシ柔軟性のあるレベル
のキープアライブ電力で維持可能であると云う理由で、
キープアライブ状態に維持されるセシウム蒸気ランプに
対して付加的な利点を与える。
第り図および第5図に示す外管20は、好まj〜くはア
ルミナで構成する。 アーク管11の管壁負荷が、、2
0ワツト/Cniまだそれ以下、すなわち、本発明によ
る性能との利点を幾分犠牲にするレベルに維持される場
合には、カラスが外管20用として適している。 し
かしながら、アルミナはガラスよりもほぼ22倍の熱伝
導率をもっているので、外管20用と1〜でずつと適し
ている。 また、ザファイヤ(単結晶アルミナ)は、よ
り透明度が高いため焼結多結晶アルミナよりも明きらか
に好ましいが、かなり高価でもある。
ルミナで構成する。 アーク管11の管壁負荷が、、2
0ワツト/Cniまだそれ以下、すなわち、本発明によ
る性能との利点を幾分犠牲にするレベルに維持される場
合には、カラスが外管20用として適している。 し
かしながら、アルミナはガラスよりもほぼ22倍の熱伝
導率をもっているので、外管20用と1〜でずつと適し
ている。 また、ザファイヤ(単結晶アルミナ)は、よ
り透明度が高いため焼結多結晶アルミナよりも明きらか
に好ましいが、かなり高価でもある。
本発明のランプおよびレーザ装置は、真空の条件よシも
むしろ約/気圧の圧力のヘリウムでアルミナのアーク管
11を囲む結果、更に7つの他の利点を有する。 具体
的に云うと、キャンプベル(Campbel I )お
よびクルーントジz (Kroontje )によれば
、アルミナのアーク管の外側に03気圧のアルゴンを配
設することにより、アルミナの蒸発と云う問題を生せず
に、アーク管温度を7200″にと/、!’006にと
の間捷で上昇させ得ることが示されている。 このこと
は、真空条件で得られるほぼ1500°にの温度と比較
されるべきである。
むしろ約/気圧の圧力のヘリウムでアルミナのアーク管
11を囲む結果、更に7つの他の利点を有する。 具体
的に云うと、キャンプベル(Campbel I )お
よびクルーントジz (Kroontje )によれば
、アルミナのアーク管の外側に03気圧のアルゴンを配
設することにより、アルミナの蒸発と云う問題を生せず
に、アーク管温度を7200″にと/、!’006にと
の間捷で上昇させ得ることが示されている。 このこと
は、真空条件で得られるほぼ1500°にの温度と比較
されるべきである。
キャンベルおよびクルーントジエはこの事実を/9(!
?0年7月発行のrJournal or the l
l1u+nir+atingEngineering
5ncicty J 、第233頁に開示している。
?0年7月発行のrJournal or the l
l1u+nir+atingEngineering
5ncicty J 、第233頁に開示している。
前述したことから、本願発明が、ランプにより高い平均
レベルの電力に供給し、従ってアーク管管壁負荷をより
高いレベルにすることができる」:うな方法で、セシウ
ム蒸気放電ランプのアーク管の冷却用手段を提供してい
ることを理解すべきである。 このことは、所望のセシ
ウム蒸気圧力を作るためにアーク管壁温度を所要のso
o ’cのレベル以上に維持しつつ達成されている。
ここで考察1−だ種類のセシウム蒸気ランプは、例えば
キセノン・フラッシュランプ等の他の形態のパルス式ラ
ンプに用いられたと同じ方法では冷却できないことを更
に理解すべきである。 また、本発明がネオジム−YA
Gレーザ物質とその装置の使用に特に適している装置を
提供していることを更に理解すべきである。
レベルの電力に供給し、従ってアーク管管壁負荷をより
高いレベルにすることができる」:うな方法で、セシウ
ム蒸気放電ランプのアーク管の冷却用手段を提供してい
ることを理解すべきである。 このことは、所望のセシ
ウム蒸気圧力を作るためにアーク管壁温度を所要のso
o ’cのレベル以上に維持しつつ達成されている。
ここで考察1−だ種類のセシウム蒸気ランプは、例えば
キセノン・フラッシュランプ等の他の形態のパルス式ラ
ンプに用いられたと同じ方法では冷却できないことを更
に理解すべきである。 また、本発明がネオジム−YA
Gレーザ物質とその装置の使用に特に適している装置を
提供していることを更に理解すべきである。
本発明を好ましい実施例について詳細に説明してきだが
、多くの修正と変形は自業者によって可能である。 従
って、本発明の真の精神および範囲内にあるような修正
と変化のすべてを包含するものとして特許請求の範囲は
記載されている。
、多くの修正と変形は自業者によって可能である。 従
って、本発明の真の精神および範囲内にあるような修正
と変化のすべてを包含するものとして特許請求の範囲は
記載されている。
第1図は従来のセシウム蒸気ランプの縦断面図、第2図
はキセノン・フラッシュランプを用いた従来構成のネオ
ジム−YAGレーザ装置の横断面図、第3A図はレーザ
物質のスラブの平面図、第3B図はレーザ物質のスラブ
とその光路を示す側面図、第り図は本発明に係る冷却装
置を含むレーザ・ポンピング用セシウム蒸気ランプの縦
断面図、第5図は本発明に従って冷却されたセシウム蒸
気ランプを含むレーザ装置の横断面図である。 11・・・アルミナのアーク管: 12・・・タングス
テン電極; 13・・・セシウム・アマルカムのプール
; 15・・・タングステン導線;18・・・放電媒体
; 19・・・ニオブ線:20・・・外管; 23・・
・外側ジャケット:30・・・アーク管; 3L32
・・・欄内部分:34・・・レーザ物質: 35・・・
ハウジング;36・・・反射被覆 特n出亀人1イ ル・ 、ン1す、り・力/パニイ代理
人 (7B30) 生 88 徳 二手続ン山正
書(方式) 1.串イ!1の表示 昭和58年特eT願第141969号 2、発明の名称 レーリ“・ポンピング用高電力セシウムランプ装置3、
補正をする者 事件との関係 出願人 住 所 アメリカ合衆国、12305、ニューヨーク
州、スケネクタデイ、リバーロード、1番 名 称 ゼネラル・エレクトリック・jyンパニイ代
表者 リムソン・ヘルツボッ1〜 4、代理人 住 所 107東京都港区赤坂1丁目14番14号第
35同和ビル 4階 日本Lネラル・エレクトリック株式会社・極東特許部内
電話(588)5200−5207 6、補正の対象 図面 7、補正の内容 別紙のとおり、但し、図面の浄@(内容に変更なし)8
、添イー」出り:11の目録
はキセノン・フラッシュランプを用いた従来構成のネオ
ジム−YAGレーザ装置の横断面図、第3A図はレーザ
物質のスラブの平面図、第3B図はレーザ物質のスラブ
とその光路を示す側面図、第り図は本発明に係る冷却装
置を含むレーザ・ポンピング用セシウム蒸気ランプの縦
断面図、第5図は本発明に従って冷却されたセシウム蒸
気ランプを含むレーザ装置の横断面図である。 11・・・アルミナのアーク管: 12・・・タングス
テン電極; 13・・・セシウム・アマルカムのプール
; 15・・・タングステン導線;18・・・放電媒体
; 19・・・ニオブ線:20・・・外管; 23・・
・外側ジャケット:30・・・アーク管; 3L32
・・・欄内部分:34・・・レーザ物質: 35・・・
ハウジング;36・・・反射被覆 特n出亀人1イ ル・ 、ン1す、り・力/パニイ代理
人 (7B30) 生 88 徳 二手続ン山正
書(方式) 1.串イ!1の表示 昭和58年特eT願第141969号 2、発明の名称 レーリ“・ポンピング用高電力セシウムランプ装置3、
補正をする者 事件との関係 出願人 住 所 アメリカ合衆国、12305、ニューヨーク
州、スケネクタデイ、リバーロード、1番 名 称 ゼネラル・エレクトリック・jyンパニイ代
表者 リムソン・ヘルツボッ1〜 4、代理人 住 所 107東京都港区赤坂1丁目14番14号第
35同和ビル 4階 日本Lネラル・エレクトリック株式会社・極東特許部内
電話(588)5200−5207 6、補正の対象 図面 7、補正の内容 別紙のとおり、但し、図面の浄@(内容に変更なし)8
、添イー」出り:11の目録
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)第1の端部および第2の端部を有し、赤外線に対
して透過性である排気可能なアーク管と、前記アーク管
の第1の端部に配設された固体金属アノードと、 前記アーク管の第2の端部に配設されだ液体セシウムの
プールと、 セシウムを吸着できる導電性物質で構成さま れ、好しい放電終端点を与えるように前記プールから突
出したカソードと、 前記アノードとカソード間で前記アーク管内に充填され
た、セシウム蒸気を含む封入ガスと、前記アーク管を囲
み、表面が前記アーク管の表面から一定距離離隔するよ
うに配設され、赤外線に対して透過性である排気可能な
外管と、前記アーク管と前記外管との間に前記外管内に
封入された熱伝達ガスと、 前記外管の外側にあって、この外管を冷却するだめの冷
却手段とを備えるレーザ・ポンピング用ランプ装置。 (2)前記熱伝達ガスが、ヘリウムとネオンからなる群
から選択される特許請求の範囲第(1)項記載のランプ
装置。 (3)前記アーク管がアルミナからなる特許請求の範囲
第(1)項記載のランプ装置。 (4)前記外管がアルミナからなる特許請求の範囲第(
1)項記載のランプ装置。 (5)前記アノードがタングステンからなる特許請求の
範囲第(1)項記載のランプ装置。 (6)前記カソードがタングステンからなる特許請求の
範囲第(1)項記載のレーザポンピング用高電力セシウ
ムランプ装置。 (力 前記封入ガスが水銀蒸気を含んでいる特許請求の
範囲第(1)項記載のランプ装置。 (8)前記冷却手段が、前記外管を囲む外側ジャケット
と、この外側ジャケットと前記外管との間で光透過性冷
却流体を循環させるだめの手段とを有する特許請求の範
囲第(1)項記載のランプ装置。 (9)前記外管の表面と前記アーク管の表面が、約/關
から約θ/関の間のほぼ均一な距離だけ離う 隔している特許請求の範囲第(1)項記載のメンプ装置
。 (10)第1の端部および第2の端部を有し、赤外線透
過性の排気可能なアーク管、このアーク管の第1の端部
に配設された固体金属アノード、前記アーク管の第2の
端部に配設された液体セシウムのプール、セシウムを吸
着できる導電性物質で構成され、好ましい放電終端点を
与えるように前記プールから突出したカソード、前記ア
ノードと前記カソードとの間で前記アーク管内に、充填
されたセシウム蒸気を含む封入ガス、前記アーク管を囲
み、表面が前記アーク管の表面から一定距離離隔するよ
うに配設された、赤外線透過性の排気可能な外管、前記
ア−り管と前記外管の間で前記外管内に封入された熱伝
達カス、および前記外管の外側に位置し該外管を冷却す
るだめの冷却手段を各々備える2つのランプと、 /対の一部が重なり合う橢円、部分からなる断面を有す
る長い空洞を含み、該橢円の焦点が直線上に位置するこ
とによって夫々/対の内側の焦点と/対の外側の焦点を
形成しているハウジングとを有し、 前記ランプが前記長い空洞の中に伸びる外側の焦線に沿
って配置されており、このため前記ランプからの光が各
内側の焦線に沿った点に向けられることを特徴とするレ
ーザ物質をポンピングするだめの光装置。 (11)前記空洞の内壁上には光反射被覆が配設されて
いる特許請求の範囲第(10)項記載の光装置。 (12)第1の端部および第一の端部な有し、赤外線透
過性の排気可能なアーク管、このアーク管の第1の端部
に配設された固体金属アノード、前記アーク管の第2の
端部に配設された液状セシウムのプール、セシウムを吸
着できる導電性物質で構成され、好ましい放電終端点を
与えるように前記プールから突出したカソード、前記ア
ノードと前記カソードの間で前記アーク管に充填された
セシウム蒸気を含む封入ガス、前記アーク管を囲み、表
面が前記アーク管の表面から一定距離離隔するように配
設された、赤外線透過性の排気可能な外管、前記アーク
管と前記外管の間で前記外管内に封入された熱伝達カス
、前記外管の外側に位置し該外管を冷却するだめの冷却
手段を各々備えるλつのランプと、 各焦点が直線上に位置することによって夫夫7対の内側
の焦点と/対の外側の焦点を形成する/対の一部が重な
り合った欄内部分からなる断面を有する長い空洞を含む
ハウジングとを有し、前記ランプが前記長い空洞の中に
伸びる側の焦線に沿って配置されており、このため前記
ランプからの光が各内側の焦線に沿った点に向けられ、 更に、前記内側の焦線に沿ってレーザ物質を配設したこ
とを特徴とするレーザ装置。 (13)前記レーザ物質かネオジム−YAG物質のスラ
ブからなる特許請求の範囲第(12)項記載のレーザ装
置。 04)放電電流の通路を形成する赤外線透過性のアーク
管を有するセシウム蒸気ランプと、前記アーク管を囲み
、表面が該アーク管の表面から一定の距離離隔するよう
に配設された、赤外線透過性の排気可能な外管と、 前記アーク管と前記外管との間で該外管内に充填された
熱伝達ガスと、 前記外管の外側にあって、該外管を冷却するだめの手段
とを備えるレーザ・ポンピング用ランプ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US405826 | 1982-08-06 | ||
| US06/405,826 US4506369A (en) | 1982-08-06 | 1982-08-06 | High power cesium lamp system for laser pumping |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951582A true JPS5951582A (ja) | 1984-03-26 |
| JPH0363232B2 JPH0363232B2 (ja) | 1991-09-30 |
Family
ID=23605413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141969A Granted JPS5951582A (ja) | 1982-08-06 | 1983-08-04 | レ−ザ・ポンピング用高電力セシウムランプ装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4506369A (ja) |
| JP (1) | JPS5951582A (ja) |
| CA (1) | CA1211091A (ja) |
| DE (1) | DE3327940A1 (ja) |
| FR (1) | FR2531579B1 (ja) |
| GB (1) | GB2126414B (ja) |
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1982
- 1982-08-06 US US06/405,826 patent/US4506369A/en not_active Expired - Fee Related
-
1983
- 1983-06-29 CA CA000431412A patent/CA1211091A/en not_active Expired
- 1983-07-29 GB GB08320480A patent/GB2126414B/en not_active Expired
- 1983-08-02 FR FR8312697A patent/FR2531579B1/fr not_active Expired
- 1983-08-03 DE DE19833327940 patent/DE3327940A1/de not_active Ceased
- 1983-08-04 JP JP58141969A patent/JPS5951582A/ja active Granted
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| JPH01297875A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-11-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 高圧ナトリウムランプ励起固体レーザ |
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|---|---|
| DE3327940A1 (de) | 1984-02-09 |
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| JPH0363232B2 (ja) | 1991-09-30 |
| US4506369A (en) | 1985-03-19 |
| FR2531579A1 (fr) | 1984-02-10 |
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| GB2126414B (en) | 1985-10-30 |
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