JPS5951723B2 - サ−ミスタ - Google Patents
サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPS5951723B2 JPS5951723B2 JP14177979A JP14177979A JPS5951723B2 JP S5951723 B2 JPS5951723 B2 JP S5951723B2 JP 14177979 A JP14177979 A JP 14177979A JP 14177979 A JP14177979 A JP 14177979A JP S5951723 B2 JPS5951723 B2 JP S5951723B2
- Authority
- JP
- Japan
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- thermistor
- crystal layer
- gold
- single crystal
- silicon single
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はサーミスタ本体上に金属電極がオーミックに附
されてなる構成を有するサーミスタに関する。
されてなる構成を有するサーミスタに関する。
斯種サーミスタとして従来、そのサーミスタ本体が、金
属酸化物を用いて構成されているものと、ゲルマニュウ
ム単結晶層を用いて構成されているというものとが提案
されている。
属酸化物を用いて構成されているものと、ゲルマニュウ
ム単結晶層を用いて構成されているというものとが提案
されている。
然し乍らサーミスタ本体が金属酸化物を用いて構成され
ているサーミスタの場合、それを、サーミスタの良さを
表わす比較的大なるサーミスタ定数を有するものとして
得ることが出来るとしても、このサーミスタ本体を再現
性良く容易に得るに困難を伴う等の欠点を有していた。
ているサーミスタの場合、それを、サーミスタの良さを
表わす比較的大なるサーミスタ定数を有するものとして
得ることが出来るとしても、このサーミスタ本体を再現
性良く容易に得るに困難を伴う等の欠点を有していた。
又サーミスタ本体がゲルマニュウム単結晶層を用いて構
成されているサーミスタの場合、それを所謂半導体素子
乃至装置の製造技術を用いて比較的容易に再現性良く得
ることが出来るとしても、そのサーミスタ本体としての
ゲルマニュウム単結晶層として４０Ω−ｃｍ以上の如き
高い比抵抗を有するものを用いるを要し、又この為この
サーミスタ本体に附される金属電極との間に大なる仕事
関数の差を有することによりサーミスタ本体及び金属電
極間にショットキ障壁が形成されて金属電極がサーミス
タ本体ｉこ良好にオーミックに附されず、依って直線性
の良好な電流−電圧特性が得ちれない等の欠点を有して
い：た。
成されているサーミスタの場合、それを所謂半導体素子
乃至装置の製造技術を用いて比較的容易に再現性良く得
ることが出来るとしても、そのサーミスタ本体としての
ゲルマニュウム単結晶層として４０Ω−ｃｍ以上の如き
高い比抵抗を有するものを用いるを要し、又この為この
サーミスタ本体に附される金属電極との間に大なる仕事
関数の差を有することによりサーミスタ本体及び金属電
極間にショットキ障壁が形成されて金属電極がサーミス
タ本体ｉこ良好にオーミックに附されず、依って直線性
の良好な電流−電圧特性が得ちれない等の欠点を有して
い：た。
尚従来サーミスタ本体がシリコン単結晶層を用いて構成
されているサーミスタが提案されているも、その従来の
サーミスタの場合サーミスタ本体を、それがゲルマニュ
ウム単結晶層を用いて構成されてなる場合と同様に半導
体素子乃至装置の製造技術を用いて比較的容易に再現性
良く得ることが出来でも、３００℃以上の温度領域に於
てのみサーミスタとしての機能を呈し、従って３００℃
以下の温度領域で使用し得ないものであった。
されているサーミスタが提案されているも、その従来の
サーミスタの場合サーミスタ本体を、それがゲルマニュ
ウム単結晶層を用いて構成されてなる場合と同様に半導
体素子乃至装置の製造技術を用いて比較的容易に再現性
良く得ることが出来でも、３００℃以上の温度領域に於
てのみサーミスタとしての機能を呈し、従って３００℃
以下の温度領域で使用し得ないものであった。
叙上に臨み本発明は、サーミスタ本体が、半導体素子乃
□至装置の製造技術を用いて比較的容易に再現性良く得
ることが出来るということで、半導体単結晶層就中シリ
コン単結晶層を用いて構成されているも、３００℃以下
の温度領域で使用し得、しかもサーミスタ本体がゲルマ
ニュウム単結晶層を用いて構成されている上述せる従来
のサーミスタに伴う上述せる欠点のない、新規な斯種サ
ーミスタを提案せんとするもので、以下詳述する所より
明らかとなるで゛あろう。
□至装置の製造技術を用いて比較的容易に再現性良く得
ることが出来るということで、半導体単結晶層就中シリ
コン単結晶層を用いて構成されているも、３００℃以下
の温度領域で使用し得、しかもサーミスタ本体がゲルマ
ニュウム単結晶層を用いて構成されている上述せる従来
のサーミスタに伴う上述せる欠点のない、新規な斯種サ
ーミスタを提案せんとするもので、以下詳述する所より
明らかとなるで゛あろう。
本発明者等は種々の実験の結果、第１図に示す如きサー
ミスタ本体１の一方の主面２ａ上に対の金属電極３及び
４がオーミックに附されてなる構成、第２図に示す如き
サーミスタ本体１の相対向する主面２ａ及び２ｂ上に対
の金属電極３及び４がオーミックに附されてなる構成の
サーミスタに於て、そのサーミスタ本体１がＰ型又はＮ
型のシリコン単結晶層に金を拡散して得られてなる金拡
散シリコン単結晶層でなる場合、今サーミスタ本体１が
Ｐ型シリコン単結晶層に金を拡散して得られてなる金拡
散シリコン単結晶層でなるものとした場合で述べれば、
そのサーミスタ本体１の比抵抗をρ、絶対温度をＴとす
るとき、比抵抗ρがこれを１ｎρで表わすとき、 で表わされる如く、絶対温度Ｔの逆数に対して直線的に
変化し、負の温度係数を有するサーミスタとしての機能
が３００℃以下の温度領域で得られることを確認するに
到った。
ミスタ本体１の一方の主面２ａ上に対の金属電極３及び
４がオーミックに附されてなる構成、第２図に示す如き
サーミスタ本体１の相対向する主面２ａ及び２ｂ上に対
の金属電極３及び４がオーミックに附されてなる構成の
サーミスタに於て、そのサーミスタ本体１がＰ型又はＮ
型のシリコン単結晶層に金を拡散して得られてなる金拡
散シリコン単結晶層でなる場合、今サーミスタ本体１が
Ｐ型シリコン単結晶層に金を拡散して得られてなる金拡
散シリコン単結晶層でなるものとした場合で述べれば、
そのサーミスタ本体１の比抵抗をρ、絶対温度をＴとす
るとき、比抵抗ρがこれを１ｎρで表わすとき、 で表わされる如く、絶対温度Ｔの逆数に対して直線的に
変化し、負の温度係数を有するサーミスタとしての機能
が３００℃以下の温度領域で得られることを確認するに
到った。
尚（１）式に於てｑは電子の電荷量、μ２は２００°に
以上に於てμ、α「■で表わされる正孔の移動度、ｋは
ポルツマン定数、ＥＤはサーミスタ本体１での金がドナ
ーとして振舞う場合におけるそのドナーのエネルギ準位
を表わし、又Ｅｖは価電子帯の上端のエネルギ準位を表
わし、更にＰはサーミスタ本体１での正孔キャリア濃度
を表わし、それは で表わされる。
以上に於てμ、α「■で表わされる正孔の移動度、ｋは
ポルツマン定数、ＥＤはサーミスタ本体１での金がドナ
ーとして振舞う場合におけるそのドナーのエネルギ準位
を表わし、又Ｅｖは価電子帯の上端のエネルギ準位を表
わし、更にＰはサーミスタ本体１での正孔キャリア濃度
を表わし、それは で表わされる。
但しＮＡ及びＮ。はそれぞれアクセプタ及びドナー濃度
、ＮＡＵは金の濃度を示し又Ｎ型はＮｖ’ｒ＋で表わさ
れるサーミスタ本体１での正孔の有効エネルギ準位密度
、ｑＤは金がドナとして振舞う場合のそのドナーレベル
の縮退係数を示す。
、ＮＡＵは金の濃度を示し又Ｎ型はＮｖ’ｒ＋で表わさ
れるサーミスタ本体１での正孔の有効エネルギ準位密度
、ｑＤは金がドナとして振舞う場合のそのドナーレベル
の縮退係数を示す。
又サーミスタ本体１でのドナー濃度をｎとするとき、Ｐ
、 ｎ、 ＮＡ、 ＮＤ及びＮＡＵが、ｐ＞＞ｎ Ｐ＜＜ＮＡ−ＮＤ ・・・・・・・・・（３）ｐ
＜ ＜ Ｎ Ａｕ（Ｎ Ａ Ｎ Ｄ）なる関係を満足
しているものとする。
、 ｎ、 ＮＡ、 ＮＤ及びＮＡＵが、ｐ＞＞ｎ Ｐ＜＜ＮＡ−ＮＤ ・・・・・・・・・（３）ｐ
＜ ＜ Ｎ Ａｕ（Ｎ Ａ Ｎ Ｄ）なる関係を満足
しているものとする。
又本発明者等は、上述に於て、第１図及び第２図にて上
述せるサーミスタに於て、そのサーミスタ本体１がＰ型
のシリコン単結晶層に金を拡散して得られてなる金拡散
シリコン単結晶層である場合、そのサーミスタ本体１の
比抵抗ρがｌｎρでみて絶対温度Ｔの逆数に対して直線
的に変化し、サーミスタとしての機能が３００℃以下の
温度領域で得られると述べたが、サーミスタ本体１がＮ
型のシリコン単結晶層に金を拡散して得られてなる金拡
散シリコン単結晶層でなる場合であっても、詳細説明は
これを省略するも上述せるに準じて上述せると同様のサ
ーミスタとしての機能が３００℃以下の温度領域で得る
ことを確認するに到った。
述せるサーミスタに於て、そのサーミスタ本体１がＰ型
のシリコン単結晶層に金を拡散して得られてなる金拡散
シリコン単結晶層である場合、そのサーミスタ本体１の
比抵抗ρがｌｎρでみて絶対温度Ｔの逆数に対して直線
的に変化し、サーミスタとしての機能が３００℃以下の
温度領域で得られると述べたが、サーミスタ本体１がＮ
型のシリコン単結晶層に金を拡散して得られてなる金拡
散シリコン単結晶層でなる場合であっても、詳細説明は
これを省略するも上述せるに準じて上述せると同様のサ
ーミスタとしての機能が３００℃以下の温度領域で得る
ことを確認するに到った。
更に本発明者等は、第１図及び第２図にて上述せるサー
ミスタに於て、そのサーミスタ本体１を、比抵抗ρが１
０Ω−ｃｍ、２０Ω−ｃｍ及び２６Ω−ｃｍであるＰ型
のシリコン単結晶層に金をそのシリコン単結晶層のアク
セプタ濃度と同程度の不純物濃度が得られるべく拡散し
てなる金拡散シリコン単結晶層として得、而してそのサ
ーミスタ本体１の温度Ｔ’ （’Ｃ）に対する比抵抗ρ
（Ω−ｃｍ）を測定した所第３図に示す如き結果を得る
ことが出来た。
ミスタに於て、そのサーミスタ本体１を、比抵抗ρが１
０Ω−ｃｍ、２０Ω−ｃｍ及び２６Ω−ｃｍであるＰ型
のシリコン単結晶層に金をそのシリコン単結晶層のアク
セプタ濃度と同程度の不純物濃度が得られるべく拡散し
てなる金拡散シリコン単結晶層として得、而してそのサ
ーミスタ本体１の温度Ｔ’ （’Ｃ）に対する比抵抗ρ
（Ω−ｃｍ）を測定した所第３図に示す如き結果を得る
ことが出来た。
これよりしてこの場合のサーミスタ本体が１、その比抵
抗ρをして温度Ｔ′に対して５０℃以下の温度で負の抵
抗温度係数を有するという優れた特性を有するものであ
ることを明らかにすることが出来た。
抗ρをして温度Ｔ′に対して５０℃以下の温度で負の抵
抗温度係数を有するという優れた特性を有するものであ
ることを明らかにすることが出来た。
又本発明者等は、第１図及び第２図にて上述せるサーミ
スタに於て、そのサーミスタ本体１を、比抵抗ρが上述
せる１０Ω−ｃｍ、２０Ω−ｃｍ及び２６Ω−ｃｍ以外
の０．１Ω−ｃｍ〜１００Ω−ｃｍの範囲にある値を有
するＰ型のシリコン単結晶層に金をそのシリコン単結晶
層のアクセプタ濃度と同程度の不純物濃度即ちシリコン
単結晶層の比抵抗ρが０．１Ω−ｃｍである場合Ｉ Ｘ
１１０１７ａｔｏ／ｃｍ３程度、１００Ω−ｃｍであ
る場合Ｉ ＸＩＯ”ａｔｏｍ／−程度に対応する関係を
以って１×１０１７〜１×１１０１４ａｔＯ／ｃＴｒＩ
ａ程度の不純物濃度が得られるべく拡散してなる金拡散
シリコン単結晶層として得た所、この場合も又上述せる
と同様にそのサーミスタ本体１が、その比抵抗ρをして
温度Ｔ′に対して負の抵抗温度係数を有するという優れ
た特性を有するものであることを明らかにすることが出
来た。
スタに於て、そのサーミスタ本体１を、比抵抗ρが上述
せる１０Ω−ｃｍ、２０Ω−ｃｍ及び２６Ω−ｃｍ以外
の０．１Ω−ｃｍ〜１００Ω−ｃｍの範囲にある値を有
するＰ型のシリコン単結晶層に金をそのシリコン単結晶
層のアクセプタ濃度と同程度の不純物濃度即ちシリコン
単結晶層の比抵抗ρが０．１Ω−ｃｍである場合Ｉ Ｘ
１１０１７ａｔｏ／ｃｍ３程度、１００Ω−ｃｍであ
る場合Ｉ ＸＩＯ”ａｔｏｍ／−程度に対応する関係を
以って１×１０１７〜１×１１０１４ａｔＯ／ｃＴｒＩ
ａ程度の不純物濃度が得られるべく拡散してなる金拡散
シリコン単結晶層として得た所、この場合も又上述せる
と同様にそのサーミスタ本体１が、その比抵抗ρをして
温度Ｔ′に対して負の抵抗温度係数を有するという優れ
た特性を有するものであることを明らかにすることが出
来た。
更に本発明者等は、第１図及び第２図にて上述せるサー
ミスタに於て、そのサーミスタ本体１を、比抵抗ρが０
．１Ω−ｃｍ〜１００Ω−ｃｍの範囲にある値を有する
Ｎ型のシリコン単結晶層に金をそのシリコン単結晶層の
ドナー濃度と同程度の不純物濃度即ち上述せる如＜１×
１１０１７ａｔＯ／ｃｍ３〜１×１１０１４ａｔｏ／ｃ
ＴｒＩ３程度の不純物濃度が得られるべく拡散してなる
金拡散シリコン単結晶層と、して得た所、この場合も又
上述せると同様にそのサーミスタ本体１が、その比抵抗
ρをして温度Ｔ′に対して負の抵抗温度係数を有すると
いう優れた特性を有するもので゛あることを明らかにす
ることが出来た。
ミスタに於て、そのサーミスタ本体１を、比抵抗ρが０
．１Ω−ｃｍ〜１００Ω−ｃｍの範囲にある値を有する
Ｎ型のシリコン単結晶層に金をそのシリコン単結晶層の
ドナー濃度と同程度の不純物濃度即ち上述せる如＜１×
１１０１７ａｔＯ／ｃｍ３〜１×１１０１４ａｔｏ／ｃ
ＴｒＩ３程度の不純物濃度が得られるべく拡散してなる
金拡散シリコン単結晶層と、して得た所、この場合も又
上述せると同様にそのサーミスタ本体１が、その比抵抗
ρをして温度Ｔ′に対して負の抵抗温度係数を有すると
いう優れた特性を有するもので゛あることを明らかにす
ることが出来た。
又本発明者等は、第１図及び第２図にて上述せるサーミ
スタに於て、そのサーミスタ本体１を、比抵抗ρが０．
１Ω−ｃｍ〜１００Ω−ｃｍの範囲にある値を有するＰ
型又はＮ型のシリコン単結晶層に金をそのシリコン単結
晶層のアクセプタ又はドナー濃度と同程度の不純物濃度
即ち１×１１０１７ａｔＯ／ｃｍ３〜Ｉ Ｘ １０”ａ
ｔｏｍ／ｃｍ”程度の不純物濃度が得られるべく拡散し
てなる金拡散シリコン単結晶層として得、而してそのサ
ーミスタ本体１の比抵抗ρに対するサーミスタの良さを
表わすサーミスタ定数Ｂ （’ Ｋ）の関係を測定した
所、第４図に示す如き結果を得ることが出来た。
スタに於て、そのサーミスタ本体１を、比抵抗ρが０．
１Ω−ｃｍ〜１００Ω−ｃｍの範囲にある値を有するＰ
型又はＮ型のシリコン単結晶層に金をそのシリコン単結
晶層のアクセプタ又はドナー濃度と同程度の不純物濃度
即ち１×１１０１７ａｔＯ／ｃｍ３〜Ｉ Ｘ １０”ａ
ｔｏｍ／ｃｍ”程度の不純物濃度が得られるべく拡散し
てなる金拡散シリコン単結晶層として得、而してそのサ
ーミスタ本体１の比抵抗ρに対するサーミスタの良さを
表わすサーミスタ定数Ｂ （’ Ｋ）の関係を測定した
所、第４図に示す如き結果を得ることが出来た。
これよりしてこの場合のサーミスタ本体１が、その比抵
抗ρの値の大なる範囲に於てサーミスタ定数Ｂの値が大
であることを明らかにすることが出来た。
抗ρの値の大なる範囲に於てサーミスタ定数Ｂの値が大
であることを明らかにすることが出来た。
更に本発明者等は、第１図及び第２図にて上述せるサー
ミスタに於て、そのサーミスタ本体１を、比抵抗ρが０
．１Ω−ｃｍ〜１００Ω−ｃｍの範囲にある値を有する
シリコン単結晶層に金をそのシリコン単結晶層のアクセ
プタ文はドナー濃度と同程度の不純物濃度即ち１×１１
０１７ａｔＯ／ｃＴｒＩ３〜１×１０”ａｔｏｍ／−程
度の不純物濃度が得られるべく拡散してなる金拡散シリ
コン単結晶層として得、又電極３及び４を金とし、而し
て斯る金拡散シリコン単結晶層であるサーミスタ本体１
に金でなる電極３及び４の附されてなるサーミスタの、
サーミスタ本体１の比抵抗ρに対する高調波歪ＫＦ（ｄ
Ｂ）の関係を測定した所、第５図に示す如く第２次及び
第３次高調波（基本周波数４ＭＨｚに対する）に関し高
調波歪ＫＦが夫々平均で８０ｄＢ及び１００ｄＢをとる
という大なる値であるという結果を得ることが出来た。
ミスタに於て、そのサーミスタ本体１を、比抵抗ρが０
．１Ω−ｃｍ〜１００Ω−ｃｍの範囲にある値を有する
シリコン単結晶層に金をそのシリコン単結晶層のアクセ
プタ文はドナー濃度と同程度の不純物濃度即ち１×１１
０１７ａｔＯ／ｃＴｒＩ３〜１×１０”ａｔｏｍ／−程
度の不純物濃度が得られるべく拡散してなる金拡散シリ
コン単結晶層として得、又電極３及び４を金とし、而し
て斯る金拡散シリコン単結晶層であるサーミスタ本体１
に金でなる電極３及び４の附されてなるサーミスタの、
サーミスタ本体１の比抵抗ρに対する高調波歪ＫＦ（ｄ
Ｂ）の関係を測定した所、第５図に示す如く第２次及び
第３次高調波（基本周波数４ＭＨｚに対する）に関し高
調波歪ＫＦが夫々平均で８０ｄＢ及び１００ｄＢをとる
という大なる値であるという結果を得ることが出来た。
これよりしてこの場合のサーミスタ本体１に電極３及び
４が良好なオーミック接触を以ってオーミックに附され
ていることを明らかにすることが出来た。
４が良好なオーミック接触を以ってオーミックに附され
ていることを明らかにすることが出来た。
更に本発明者等は、第１図及び第２図にて上述せるサー
ミスタに於て、そのサーミスタ本体１を、比抵抗ρが０
．１Ω−ｃｍ〜１００Ω−ｃｍの範囲にある値を有する
Ｐ型又はＮ型のシリコン単結晶層に金をそのシリコン単
結晶層のアクセプタ又はドナー濃度と同程度即ち１×１
０１７〜１×１１０１４ａｔＯ／ｃｍ３程度の不純物濃
度が得られるべく拡散してなる金拡散シリコン単結晶層
として得、又電極３及び４を金とし、而して電極３及び
４間のインピーダンスＺ（Ω）の周波数ｆ （ＭＨｚ
）依存性を測定した所、第６図に示す如く広い周波数範
囲に亘ってインピーダンスＺの値が略々一定であるとい
う結果を得ることが出来た。
ミスタに於て、そのサーミスタ本体１を、比抵抗ρが０
．１Ω−ｃｍ〜１００Ω−ｃｍの範囲にある値を有する
Ｐ型又はＮ型のシリコン単結晶層に金をそのシリコン単
結晶層のアクセプタ又はドナー濃度と同程度即ち１×１
０１７〜１×１１０１４ａｔＯ／ｃｍ３程度の不純物濃
度が得られるべく拡散してなる金拡散シリコン単結晶層
として得、又電極３及び４を金とし、而して電極３及び
４間のインピーダンスＺ（Ω）の周波数ｆ （ＭＨｚ
）依存性を測定した所、第６図に示す如く広い周波数範
囲に亘ってインピーダンスＺの値が略々一定であるとい
う結果を得ることが出来た。
これよりしてもこの場合のサーミスタ本体１に電極３及
び４が良好なオーミックを以って附されていることを明
らかにすることが出来た。
び４が良好なオーミックを以って附されていることを明
らかにすることが出来た。
以上よりして本発明者等は、第１図及び第２図に示す如
き、サーミスタ本体上に金属電極がオーミックに附され
てなる構成を有するサーミスタに於て、サーミスタ本体
がＰ型又はＮ型のシリコン単結晶層に金を拡散して得ら
れてなる金拡散シリコン単結晶層であり、又金属電極が
金であるという新規なサーミスタを本発明によるサーミ
スタとして提案するに到ったもので、斯る本発明による
サーミスタによれば上述せる所より明らかな如く、３０
０℃以下の温度領域で使用し得、そしてサーミスタ本体
上に金属電極が良好なオーミックを以って附され、従っ
て直線性の良好な電流−電圧特性が得られるという特徴
を有すると共に、そのサーミスタを半導体素子乃至装置
の製造技術を用いて容易に再現性良く得ることが出来る
等の大なる特徴を有するものである。
き、サーミスタ本体上に金属電極がオーミックに附され
てなる構成を有するサーミスタに於て、サーミスタ本体
がＰ型又はＮ型のシリコン単結晶層に金を拡散して得ら
れてなる金拡散シリコン単結晶層であり、又金属電極が
金であるという新規なサーミスタを本発明によるサーミ
スタとして提案するに到ったもので、斯る本発明による
サーミスタによれば上述せる所より明らかな如く、３０
０℃以下の温度領域で使用し得、そしてサーミスタ本体
上に金属電極が良好なオーミックを以って附され、従っ
て直線性の良好な電流−電圧特性が得られるという特徴
を有すると共に、そのサーミスタを半導体素子乃至装置
の製造技術を用いて容易に再現性良く得ることが出来る
等の大なる特徴を有するものである。
第１図及び第２図は本発明の適用し得るサーミスタを示
す路線的断面図、第３図は本発明によるサーミスタのサ
ーミスタ本体の温度Ｔ′（℃）−比抵抗ρ （Ω−ｃｍ
）特性曲線図、第４図は本発明によるサーミスタのサー
ミスタ本体の比抵抗（Ω−ｃｍ）−サーミスタ定数Ｂ
（’ Ｋ）特性曲線図、第５図は本発明によるサーミス
タのサーミスタ本体の比抵抗ρ （Ω−ｃｍ）−高周波
歪ＫＦ （ｄＢ）特性曲線図、第６図は本発明によるサ
ーミスタの周波数ｆ （ＭＨｚ）−インピーダンスＺ
（Ω）特性曲線図である。 図中１はサーミスタ本体、３及び４は電極を夫々示す。
す路線的断面図、第３図は本発明によるサーミスタのサ
ーミスタ本体の温度Ｔ′（℃）−比抵抗ρ （Ω−ｃｍ
）特性曲線図、第４図は本発明によるサーミスタのサー
ミスタ本体の比抵抗（Ω−ｃｍ）−サーミスタ定数Ｂ
（’ Ｋ）特性曲線図、第５図は本発明によるサーミス
タのサーミスタ本体の比抵抗ρ （Ω−ｃｍ）−高周波
歪ＫＦ （ｄＢ）特性曲線図、第６図は本発明によるサ
ーミスタの周波数ｆ （ＭＨｚ）−インピーダンスＺ
（Ω）特性曲線図である。 図中１はサーミスタ本体、３及び４は電極を夫々示す。
Claims (1)
- １ サーミスタ本体上に金属電極がオーミックに付され
てなる構成を有するサーミスタに於て、上記サーミスタ
本体がＰ型又はＮ型のシリコン単結晶層に金を拡散して
得られてなる金拡散シリコン単結晶層でなり、上記金属
電極が金でなる事を特徴とするサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14177979A JPS5951723B2 (ja) | 1979-10-31 | 1979-10-31 | サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14177979A JPS5951723B2 (ja) | 1979-10-31 | 1979-10-31 | サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5666003A JPS5666003A (en) | 1981-06-04 |
| JPS5951723B2 true JPS5951723B2 (ja) | 1984-12-15 |
Family
ID=15299966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14177979A Expired JPS5951723B2 (ja) | 1979-10-31 | 1979-10-31 | サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951723B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4382010B2 (ja) | 2005-06-23 | 2009-12-09 | 本田技研工業株式会社 | エンジンの動弁装置 |
-
1979
- 1979-10-31 JP JP14177979A patent/JPS5951723B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5666003A (en) | 1981-06-04 |
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