JPS5952784A - 核融合装置 - Google Patents
核融合装置Info
- Publication number
- JPS5952784A JPS5952784A JP57164254A JP16425482A JPS5952784A JP S5952784 A JPS5952784 A JP S5952784A JP 57164254 A JP57164254 A JP 57164254A JP 16425482 A JP16425482 A JP 16425482A JP S5952784 A JPS5952784 A JP S5952784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bellows
- plasma
- shield
- blanket
- vacuum vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
- Discharge Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は核融合装置に関する。
第１図ないし第３図を参照し７て従来例を説明する。第
１図は核融合装置の概略構成図である。
１図は核融合装置の概略構成図である。
図中１は真空容器を示す。この真空容器１はトーラス状
をなし内部に重水素（Ｄ）および三重水素（Ｔ）を燃料
としたプラズマ２を封じ込め高真空を維持している。こ
の真空容器１の内側に上記プラズマ２を囲むようにブラ
ンケット３が設けられている。このブランケット３内に
は例えばＬ ｉ２０等のセラミックよりなるトリチウム
増殖材が収容されている。
をなし内部に重水素（Ｄ）および三重水素（Ｔ）を燃料
としたプラズマ２を封じ込め高真空を維持している。こ
の真空容器１の内側に上記プラズマ２を囲むようにブラ
ンケット３が設けられている。このブランケット３内に
は例えばＬ ｉ２０等のセラミックよりなるトリチウム
増殖材が収容されている。
上記プラズマ２から１４ ＭｅＶの中性子が発生しこの
中性子は上記ブランケット３内で三重水素の増殖および
中性子発熱を行々う。そして熱ばブランケット３内に配
設された冷却配管（図示せず）を通流する冷却材により
外部に取り出される構成である。このブランケット３と
前記入学容器１との間には遮蔽体４が設けられている。
中性子は上記ブランケット３内で三重水素の増殖および
中性子発熱を行々う。そして熱ばブランケット３内に配
設された冷却配管（図示せず）を通流する冷却材により
外部に取り出される構成である。このブランケット３と
前記入学容器１との間には遮蔽体４が設けられている。
上記真空容器１外周にはトロイダルコイル５が設けられ
ておりさらにその外周にはボロイグルコイル６が設けら
れている。このポロイダルコイル６ば、フ０ラズマ２側
にできるだけ近づけて設けられている。これは、プラズ
マ２の性能を上げる為アスペクト比（Ｒ／ａ 、 Ｒ：
プラズマ主半径、ａ：プラズマ副半径）を小さくしかつ
ポロイダルコイル６とプラズマ２とのカップリングを良
好にし電源容量を小容量化する為である。そして上記ト
ロイダルコイル５により前記プラズマ２をとじ込め、上
記ポロイダルコイル６によりプラズマ２の立ち上げ、立
ち下げおよび位置、形状の制御を行なう構成である。ま
た上記トロイダルコイル５およびポロイダルコイル６は
共に超電導コイルによシ構成されている。図中７はベル
ジャをまた８は前記遮蔽体４に接近する為のアクセスト
ンネルをそれぞれ示すＯ 一般に前記遮蔽体４、ブランケット３および真空容器１
等はトーラス方向にプラズマ２に比べて十分高い１ター
ン抵抗を有する必要がある。
ておりさらにその外周にはボロイグルコイル６が設けら
れている。このポロイダルコイル６ば、フ０ラズマ２側
にできるだけ近づけて設けられている。これは、プラズ
マ２の性能を上げる為アスペクト比（Ｒ／ａ 、 Ｒ：
プラズマ主半径、ａ：プラズマ副半径）を小さくしかつ
ポロイダルコイル６とプラズマ２とのカップリングを良
好にし電源容量を小容量化する為である。そして上記ト
ロイダルコイル５により前記プラズマ２をとじ込め、上
記ポロイダルコイル６によりプラズマ２の立ち上げ、立
ち下げおよび位置、形状の制御を行なう構成である。ま
た上記トロイダルコイル５およびポロイダルコイル６は
共に超電導コイルによシ構成されている。図中７はベル
ジャをまた８は前記遮蔽体４に接近する為のアクセスト
ンネルをそれぞれ示すＯ 一般に前記遮蔽体４、ブランケット３および真空容器１
等はトーラス方向にプラズマ２に比べて十分高い１ター
ン抵抗を有する必要がある。
これは前記ポロイダルコイル６によシプラズマ２の立ち
上げ、立ち下げ、位置および形状の告制御を行なう場合
、ポロイダルコイル６の制作１電流が上記遮蔽体４、ブ
ランケット３および真空容器１に誘起されるのを防止す
る為である。そこで第３図に示すように遮蔽体４および
真空容器１には高抵抗ベローズ９および１０がそれぞれ
設けられている。この高抵抗ベローズ９および１０によ
り遮蔽体４および真空容器１は高い１ターン抵抗を有す
ることができる構成である。
上げ、立ち下げ、位置および形状の告制御を行なう場合
、ポロイダルコイル６の制作１電流が上記遮蔽体４、ブ
ランケット３および真空容器１に誘起されるのを防止す
る為である。そこで第３図に示すように遮蔽体４および
真空容器１には高抵抗ベローズ９および１０がそれぞれ
設けられている。この高抵抗ベローズ９および１０によ
り遮蔽体４および真空容器１は高い１ターン抵抗を有す
ることができる構成である。
まだ遮蔽体４およびブランケット３は分割部にセラミッ
ク等よりなる絶縁材１１をそれぞれ有しており、この絶
縁材１１によっても１ターン抵抗を高める構成である。
ク等よりなる絶縁材１１をそれぞれ有しており、この絶
縁材１１によっても１ターン抵抗を高める構成である。
上記構成によると、遮蔽体４および真空容器１にベロー
ズ９，１０を設けることによりその部分における遮蔽厚
さが薄く々リドロイダルコイル５の超電導導体の比抵抗
が短期間に使用限界値を越える、換言すれば安定化鋼の
抵抗値が限界を越える恐れがあり、これを回復する為に
短期間におけるアニーリングを必要とし、装置としての
稼動率低下をひきおこす恐れがあった。
ズ９，１０を設けることによりその部分における遮蔽厚
さが薄く々リドロイダルコイル５の超電導導体の比抵抗
が短期間に使用限界値を越える、換言すれば安定化鋼の
抵抗値が限界を越える恐れがあり、これを回復する為に
短期間におけるアニーリングを必要とし、装置としての
稼動率低下をひきおこす恐れがあった。
本発明の目的とするところはトロイダルコイルの超電導
導体の比抵抗が短期間のうちに使用限界値を越えるとい
った事態を未然に防止し、それによって装置としての稼
動率向上を図ることができる信頼性の高い核融合装置を
提供することにある。
導体の比抵抗が短期間のうちに使用限界値を越えるとい
った事態を未然に防止し、それによって装置としての稼
動率向上を図ることができる信頼性の高い核融合装置を
提供することにある。
本発明による核融合装置はトーラス状をなし内部にプラ
ズマを封じ込めベローズを有する真空容器と、この真空
容器の内側に上記プラズマを囲むように設けられ増殖材
を収容するブランケットと、上記真空容器およびブラン
ケットとの間に設けられベローズを有する遮蔽体と、上
記真空容器外周に設けられたトロイダルコイルと、上記
遮蔽体に設けられたベローズの内側および外側の内部く
ともどちらか一方に設けられだ補助遮蔽体とを具備した
構成である。
ズマを封じ込めベローズを有する真空容器と、この真空
容器の内側に上記プラズマを囲むように設けられ増殖材
を収容するブランケットと、上記真空容器およびブラン
ケットとの間に設けられベローズを有する遮蔽体と、上
記真空容器外周に設けられたトロイダルコイルと、上記
遮蔽体に設けられたベローズの内側および外側の内部く
ともどちらか一方に設けられだ補助遮蔽体とを具備した
構成である。
すなわち遮蔽体に設けられたベローズの内側および外側
の少くともどちらか一方に補助遮蔽体を設はベローズの
部分における遮蔽厚さを確保しようとする構成である。
の少くともどちらか一方に補助遮蔽体を設はベローズの
部分における遮蔽厚さを確保しようとする構成である。
したがってベローズ部分におしへても確実に遮蔽厚さを
確保できるのでトロイダルコイルの超電導導体の比抵抗
が短期間のうちに使用限界値を越えるといった事態を未
然に防止することができ装置としての稼動率を向上させ
る上できわめて効果的である。
確保できるのでトロイダルコイルの超電導導体の比抵抗
が短期間のうちに使用限界値を越えるといった事態を未
然に防止することができ装置としての稼動率を向上させ
る上できわめて効果的である。
第４図ないし第６図を参照して本発明の一実施例を説明
する。
する。
第４図は核融合装置の概略（苫成図である。図中１０１
は真空容器を示す。この真空容器１０）はトーラス状を
表し内部に重水素（Ｄ） 、ｔ；−よび三重水素（Ｔ＞
を燃料としたプラズマ１０２を封じ込め高真空を維持し
ている。この真空容器ｌθ）の内側に上記プラズマ１０
２を囲むようにブランケット１０３が設けられている。
は真空容器を示す。この真空容器１０）はトーラス状を
表し内部に重水素（Ｄ） 、ｔ；−よび三重水素（Ｔ＞
を燃料としたプラズマ１０２を封じ込め高真空を維持し
ている。この真空容器ｌθ）の内側に上記プラズマ１０
２を囲むようにブランケット１０３が設けられている。
このプランケアト１０３内には例えばＬ１２０等のセラ
ミックよりなるトリチウム増殖材が収容されている。
ミックよりなるトリチウム増殖材が収容されている。
上記プラズマ１０２から１４ ＭｅＶの中性子が発生し
この中性子は上記ブランケット１０３内で三重水素の増
殖および中性子発熱を折々う。
この中性子は上記ブランケット１０３内で三重水素の増
殖および中性子発熱を折々う。
そして熱はブランケット１０３内に配設された冷却配管
（図示せず）を通流する冷却材により外部に取り出され
る構成である。このブランケラトノ０３と前記真空容器
１０１との間には遮蔽体１０４が設けられている。上記
真空容器１０１外周にはトロイダルコイル１０５が設け
られておシさらにその外周にはポロイダルコイル１０６
が設けられている。とのポロイダルコイル１０６は、プ
ラズマ１０２側にできるだけ近づけて設けられている。
（図示せず）を通流する冷却材により外部に取り出され
る構成である。このブランケラトノ０３と前記真空容器
１０１との間には遮蔽体１０４が設けられている。上記
真空容器１０１外周にはトロイダルコイル１０５が設け
られておシさらにその外周にはポロイダルコイル１０６
が設けられている。とのポロイダルコイル１０６は、プ
ラズマ１０２側にできるだけ近づけて設けられている。
これは、プラズマ１０２の性能を上げる為アスペクト比
（Ｒ／ａ。
（Ｒ／ａ。
Ｒニア″ラズマ主半径、ａ、プラズマ副半径）を小さく
しかつポロイダルコイル１０６とプラズマ１０２とのカ
ップリングを良好にし電源容量を小容量化する為である
。そして上記トロイダルコイル１０５により前記プラズ
マ１０２をとじ込め、上記ポロイダルコイル１０６によ
りプラズマ１０２の立ち上げ、立ち下げおよび位置、形
状の制御を行なう構成である。まだ上記トロイダルコイ
ル１０５およびポロイダルコイル１０６は共に超電導コ
イルにより構成されている。図中１０７はベルジャをま
だ１０８は前記遮蔽体１０４に接近する為のアクセスト
ンネルをそれぞれ示す。
しかつポロイダルコイル１０６とプラズマ１０２とのカ
ップリングを良好にし電源容量を小容量化する為である
。そして上記トロイダルコイル１０５により前記プラズ
マ１０２をとじ込め、上記ポロイダルコイル１０６によ
りプラズマ１０２の立ち上げ、立ち下げおよび位置、形
状の制御を行なう構成である。まだ上記トロイダルコイ
ル１０５およびポロイダルコイル１０６は共に超電導コ
イルにより構成されている。図中１０７はベルジャをま
だ１０８は前記遮蔽体１０４に接近する為のアクセスト
ンネルをそれぞれ示す。
上記遮蔽体１０４および真空容器１０１には高抵抗ベロ
ーズ１０９および１１０がそれぞれ設けられている。こ
の高抵抗ベローズ１０９および１１０によシ遮蔽体ノθ
４および真空容器１０１は高い１ターン抵抗を有するこ
とができる構成である。−！！た遮蔽体１０４およびブ
ランケット１０３は分割部にセラミック等よりなる絶縁
材１１ノをそれぞれ有しておりこの絶縁材１１１により
１ターン抵抗を高める構成である。
ーズ１０９および１１０がそれぞれ設けられている。こ
の高抵抗ベローズ１０９および１１０によシ遮蔽体ノθ
４および真空容器１０１は高い１ターン抵抗を有するこ
とができる構成である。−！！た遮蔽体１０４およびブ
ランケット１０３は分割部にセラミック等よりなる絶縁
材１１ノをそれぞれ有しておりこの絶縁材１１１により
１ターン抵抗を高める構成である。
上記ベローズ１０９の内側および外側には補助遮蔽体１
１２および１１３がそれぞれ設けられており補助遮蔽体
１１２は？シト１１６にょシ遮蔽体ノθ４ＫＪｐ３縁さ
れて固定されている。
１２および１１３がそれぞれ設けられており補助遮蔽体
１１２は？シト１１６にょシ遮蔽体ノθ４ＫＪｐ３縁さ
れて固定されている。
まだこの補助遮蔽体１１２および１１３とベローズ１０
９との間には絶縁被膜１１４および１１５がそれぞれ設
けられている。この絶縁被膜１１４．１１５はセラミッ
クスをコーティングした材料あるいは、ｌ ＩＪイミド
等で構成されている。また上記補助遮蔽体１１２および
１１３はポロイダル方向に多分割して設置されてお）相
互の合せ目に段を設はプラズマ１０２から発生する中性
子のス）ＩＪ９ングを防止する構成となっている。
９との間には絶縁被膜１１４および１１５がそれぞれ設
けられている。この絶縁被膜１１４．１１５はセラミッ
クスをコーティングした材料あるいは、ｌ ＩＪイミド
等で構成されている。また上記補助遮蔽体１１２および
１１３はポロイダル方向に多分割して設置されてお）相
互の合せ目に段を設はプラズマ１０２から発生する中性
子のス）ＩＪ９ングを防止する構成となっている。
以上の構成によると、ベローズ１０９においても従来の
構成を損うことなく十分な遮蔽厚さを確保することがで
き、従来懸念されていたトロイダルコイル１０５の超電
導導体の比抵抗が短期間の内に使用限界値を越えるとい
っだ事態を未然に防止することができ、アニーリングの
必要もなくなシ装置としての稼動率を大幅に向上させる
ことができる。またベローズ１０９は高い１ターン抵抗
を得る為に薄板が使用されておシ長さも長くなっている
。このため外部が１気圧、内部が真空とｂった状況にお
いて強度的に心配されるが上記補助遮蔽体１１２，１１
３を設けることによりベローズ１０９を支持することが
できベローズ１０９の変位を防止し強度本発明による核
融合装置はトーラス状を表し内部にプラズマを封じ込め
ベローズを有する真空容器と、この真空容器の内側に上
記プラズマを囲むように設けられ増殖材を収容するブラ
ンケットと、上記真空容器およびブランケットとの間に
設けられベローズを有する遮蔽体と、上記真空容器外周
に設けられたトロイダルコイルと、上記遮蔽体に設けら
れたベローズの内側および外側の内部くともどちらが一
方に設けられた補助遮蔽体とを具備した構成である。
構成を損うことなく十分な遮蔽厚さを確保することがで
き、従来懸念されていたトロイダルコイル１０５の超電
導導体の比抵抗が短期間の内に使用限界値を越えるとい
っだ事態を未然に防止することができ、アニーリングの
必要もなくなシ装置としての稼動率を大幅に向上させる
ことができる。またベローズ１０９は高い１ターン抵抗
を得る為に薄板が使用されておシ長さも長くなっている
。このため外部が１気圧、内部が真空とｂった状況にお
いて強度的に心配されるが上記補助遮蔽体１１２，１１
３を設けることによりベローズ１０９を支持することが
できベローズ１０９の変位を防止し強度本発明による核
融合装置はトーラス状を表し内部にプラズマを封じ込め
ベローズを有する真空容器と、この真空容器の内側に上
記プラズマを囲むように設けられ増殖材を収容するブラ
ンケットと、上記真空容器およびブランケットとの間に
設けられベローズを有する遮蔽体と、上記真空容器外周
に設けられたトロイダルコイルと、上記遮蔽体に設けら
れたベローズの内側および外側の内部くともどちらが一
方に設けられた補助遮蔽体とを具備した構成である。
すなわち遮蔽体に設けられたベローズの内」りおよび外
側の少くともどちらか一方に補助遮蔽体を設はベローズ
の部分における遮蔽厚さを確保しようとする構成である
。
側の少くともどちらか一方に補助遮蔽体を設はベローズ
の部分における遮蔽厚さを確保しようとする構成である
。
したがってベローズ部分においても確実に遮蔽厚さを確
保することができるのでトロイダルコイルの超電導導体
の比抵抗が短期間のうちに使用限界値を越えるといった
事態を未然に防止することができ装置としての稼動率を
向上させることができる等その効果は大である。
保することができるのでトロイダルコイルの超電導導体
の比抵抗が短期間のうちに使用限界値を越えるといった
事態を未然に防止することができ装置としての稼動率を
向上させることができる等その効果は大である。
第１図ないし第３図は従来例を示す図で第１図は核融合
装置の概略構成図、第２図は第１図の■−■断面図、第
３図は第２図の一部拡大図、＠４図ないし第６図は本発
明の一実施例を示す図で第４図は核融合装置の概略構成
図、第５図は第４図の■−■断面図、第６図は第５甲の
一部拡大図である。 １０１・・・真空容器、１０２・・・プラズマ、１０３
・・・ブランケット、１０４・・・遮蔽体、１０５・・
・トロイダルコイル、１０９・・・ベローズ、１１２゜
１１３・・・補助遮蔽体。 第１図 第２図 第３図 第４図
装置の概略構成図、第２図は第１図の■−■断面図、第
３図は第２図の一部拡大図、＠４図ないし第６図は本発
明の一実施例を示す図で第４図は核融合装置の概略構成
図、第５図は第４図の■−■断面図、第６図は第５甲の
一部拡大図である。 １０１・・・真空容器、１０２・・・プラズマ、１０３
・・・ブランケット、１０４・・・遮蔽体、１０５・・
・トロイダルコイル、１０９・・・ベローズ、１１２゜
１１３・・・補助遮蔽体。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）トーラス状をなし内部にプラズマを封じ込めベロ
ーズを有する真空容器と、この真空容器の内側に上記プ
ラズマを囲むように設けられ増殖材を収容するブランケ
ットと、上記真空容器およびブランケットとの間に設け
られベローズを有する遮蔽体と、上記真空容器外周に設
けられたトロイダルコイルと、上記遮蔽体に設けられた
ベローズの内側および外側の内部くともどちらか一方に
設けられだ補助遮蔽体とを具備したことを特徴とする核
融合装置。 - （２）上記補助遮蔽体は絶縁材を介してベローズの内側
および外側に設けられたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の核融合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164254A JPS5952784A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 核融合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164254A JPS5952784A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 核融合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952784A true JPS5952784A (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=15789600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57164254A Pending JPS5952784A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 核融合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952784A (ja) |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP57164254A patent/JPS5952784A/ja active Pending
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