JPS5952889A - 半導体レ−ザの駆動回路 - Google Patents
半導体レ−ザの駆動回路Info
- Publication number
- JPS5952889A JPS5952889A JP57164633A JP16463382A JPS5952889A JP S5952889 A JPS5952889 A JP S5952889A JP 57164633 A JP57164633 A JP 57164633A JP 16463382 A JP16463382 A JP 16463382A JP S5952889 A JPS5952889 A JP S5952889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- drive circuit
- output
- laser drive
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパルス発振を呈する半導体レーザの駆動回路に
関するものである。
関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体レーザは、光変換効率が高く、一点に絞り易い発
光波長が単一である、など多くの利点があるので各種の
光源に用いられている。その反面人力対光出力特性で、
しきい値を境界にして光変換効率が１〜２桁も大きくな
り、レーザ動作時には少しの入力揺らぎが発光出力の大
きな揺らぎとなる。
光波長が単一である、など多くの利点があるので各種の
光源に用いられている。その反面人力対光出力特性で、
しきい値を境界にして光変換効率が１〜２桁も大きくな
り、レーザ動作時には少しの入力揺らぎが発光出力の大
きな揺らぎとなる。
また大出力動作を続けると端面の劣化がおこり、内部の
結晶欠陥の成長も加速されるため、レーザ寿命の低下が
おこるなどの欠点があるので、その駆動にあたっては光
出力を許容範囲内の一定出力で安定化させることが必要
である。
結晶欠陥の成長も加速されるため、レーザ寿命の低下が
おこるなどの欠点があるので、その駆動にあたっては光
出力を許容範囲内の一定出力で安定化させることが必要
である。
さて、半導体レーザは応答速変が速いだめパルレフ発振
での利用は有効であり、まだパルレフ発振の方が寿命が
連続発振時より延び、電力消費も少なくなることから、
簡易な用途ではパルス動作で安定な光出力を得る串が望
まれている。
での利用は有効であり、まだパルレフ発振の方が寿命が
連続発振時より延び、電力消費も少なくなることから、
簡易な用途ではパルス動作で安定な光出力を得る串が望
まれている。
従来連続発振時の電流注入型レーザの駆動にはムＰ Ｃ
（Ａｕｔｏｍａ、ｔｉｃ−Ｐｏｗｅｒ−Ｃｏｎｔｒｏｌ
ｌ）回路といわれる安定化回路が用いられ、光出力の一
部を常にモニターして駆動回路に負帰還をかける方法が
用いられてきた。またこれを利用してパルス発振時のＡ
ＰＣ回路として第１図に示すものが考えられている。
（Ａｕｔｏｍａ、ｔｉｃ−Ｐｏｗｅｒ−Ｃｏｎｔｒｏｌ
ｌ）回路といわれる安定化回路が用いられ、光出力の一
部を常にモニターして駆動回路に負帰還をかける方法が
用いられてきた。またこれを利用してパルス発振時のＡ
ＰＣ回路として第１図に示すものが考えられている。
同図において、１は基準電圧発生器、２は比較器、３は
積分回路、４は受光器、５は電力供給器、６はレーザ、
７は変調器、８はパルス発振器である。
積分回路、４は受光器、５は電力供給器、６はレーザ、
７は変調器、８はパルス発振器である。
しかし第１図に示すような受光器と比較器の間に積分回
路を設ける方法では、パルヌの周波数が高くなるにつれ
て積分回路での応答速度が問題となり、ＡＰＣ動作が行
なわれるのは高々数百ヘルツまでのものに限られていた
。この程度の周波数範囲では半導体レーザの基本特性で
ある応答の速さを充分に生かすことができないという欠
点があった。
路を設ける方法では、パルヌの周波数が高くなるにつれ
て積分回路での応答速度が問題となり、ＡＰＣ動作が行
なわれるのは高々数百ヘルツまでのものに限られていた
。この程度の周波数範囲では半導体レーザの基本特性で
ある応答の速さを充分に生かすことができないという欠
点があった。
発明、の目的
本発明は高周波パルスでのＡＰＣ動作を可能にする半導
体レーザの駆動回路を提供するものである。
体レーザの駆動回路を提供するものである。
発明の構成
すなわち、本発明の半導体レーザの駆動回路は、半導体
レーザの発光出力の受光回路と、この受光回路からの出
力および一定尖頭電圧を有するパルス信号出力とが入力
される比較器とをそなえ、前記受光回路からの出力と前
記イクルス信号出力との差分をもって前記半導体レーザ
を駆動するものである。
レーザの発光出力の受光回路と、この受光回路からの出
力および一定尖頭電圧を有するパルス信号出力とが入力
される比較器とをそなえ、前記受光回路からの出力と前
記イクルス信号出力との差分をもって前記半導体レーザ
を駆動するものである。
実施例の説明
以下本発明を実施例をあげて具体的に説明する。
第２図は本発明によるレーザ駆動回路の一例を示すブロ
ックダイヤグラムである。
ックダイヤグラムである。
同図において、１１は基準電圧発生器、１２は変調器、
１３はパルレフ発振器、１４は受光器、１５は比較器、
１６はレーザ、１７は電力供給部である。レーザ１６よ
り出だパルス光出力の一部を受光器１４でモニターし、
パルス出力として比ＩＫＱ器す １６の一部の入ツＪに入れる。他方の人力には基準電圧
発生器１１からの電圧が変調器１２によりパルス変調さ
れた基準電圧が入力され、上記モニター出力との差分の
電力がレーザ１６に供給される。
１３はパルレフ発振器、１４は受光器、１５は比較器、
１６はレーザ、１７は電力供給部である。レーザ１６よ
り出だパルス光出力の一部を受光器１４でモニターし、
パルス出力として比ＩＫＱ器す １６の一部の入ツＪに入れる。他方の人力には基準電圧
発生器１１からの電圧が変調器１２によりパルス変調さ
れた基準電圧が入力され、上記モニター出力との差分の
電力がレーザ１６に供給される。
基準電圧がすでにパルヌ変調されているため、この回路
の応答速度は主に比較器１６で律速される。
の応答速度は主に比較器１６で律速される。
比較器１６が通常のシリコンＩＣであったとしても数百
Ｍｆｌｚの応答を有し、さらにＧａＡｓ ＩＣでは数Ｇ
）Ｉｚにまで達する。
Ｍｆｌｚの応答を有し、さらにＧａＡｓ ＩＣでは数Ｇ
）Ｉｚにまで達する。
第３図に本発明の実施例による半導体レーザの駆動回路
を示す。Ｔｒｙでドライブされたレーザより放出された
光の一部を受光器のＰｉｎダイオードＰＤ１で受光する
。受光出力はオペアンプＯＰ−Ａｍｐ＋の一方の入力に
入る。基準重用−Ｖよパルス発振器ＰＣで変調されてい
るため、ピークがツェナーダイオードＺＤ１ で決めら
れる値でボトムがアース電位のテップ状パルヌとなって
オペアンプＯＰ −Ａｍｐ＋の他方の入力に加えられる
。これらの入力を比較し、その差分に見合った電力がト
ランシヌタ、Ｔｒ １Ｋ 供給されレーザＬＤ１はパル
ヌ発振を継続する。
を示す。Ｔｒｙでドライブされたレーザより放出された
光の一部を受光器のＰｉｎダイオードＰＤ１で受光する
。受光出力はオペアンプＯＰ−Ａｍｐ＋の一方の入力に
入る。基準重用−Ｖよパルス発振器ＰＣで変調されてい
るため、ピークがツェナーダイオードＺＤ１ で決めら
れる値でボトムがアース電位のテップ状パルヌとなって
オペアンプＯＰ −Ａｍｐ＋の他方の入力に加えられる
。これらの入力を比較し、その差分に見合った電力がト
ランシヌタ、Ｔｒ １Ｋ 供給されレーザＬＤ１はパル
ヌ発振を継続する。
発明の効果
以上のように本発明の半導体レーザの駆動回路によれば
高周波パルヌ駆動時での半導体レーザのＡＰＯ動作が可
能となるもので、工業上の利用価値が高い。
高周波パルヌ駆動時での半導体レーザのＡＰＯ動作が可
能となるもので、工業上の利用価値が高い。
第１図は従来の半導体レーザの駆動回路のブロック図、
第２図は本発明の実適例による半導体レーザの駆動回路
のブロック図、第３図は本発明のさらに具体的な半導体
レーザの駆動回路図である。 １１・・・・・・基準電圧発生器、１２・・・・・・変
調器、１３・・・・・・パルス発振器、１４・・・・・
・受光器、１５・・・・・・比較器、１６・・・・・・
レーザ、１了・・・・・・電力供給部、Ｔｒｙ、 Ｔｒ
２・・・・・・１−ランジスタ、ＬＤｌ・・・山レーザ
ー、ＰＤｌ・・・・・・Ｐ工ｎホトダイオード、ＺＤｌ
・・印・ツェナーダイオード、ＯＰ−Ａｍｐｌ・・・・
・・オペアンプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図
第２図は本発明の実適例による半導体レーザの駆動回路
のブロック図、第３図は本発明のさらに具体的な半導体
レーザの駆動回路図である。 １１・・・・・・基準電圧発生器、１２・・・・・・変
調器、１３・・・・・・パルス発振器、１４・・・・・
・受光器、１５・・・・・・比較器、１６・・・・・・
レーザ、１了・・・・・・電力供給部、Ｔｒｙ、 Ｔｒ
２・・・・・・１−ランジスタ、ＬＤｌ・・・山レーザ
ー、ＰＤｌ・・・・・・Ｐ工ｎホトダイオード、ＺＤｌ
・・印・ツェナーダイオード、ＯＰ−Ａｍｐｌ・・・・
・・オペアンプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図
Claims (1)
- 半導体レーザの発光出力の受光回路と、この受光回路か
らの出力および一定尖頭電圧を有するパルス信号出力と
が入力される比較器とをそなえ、前記受光回路からの出
力と前記パルス信号出力との差分をもって前記半導体レ
ーザを駆動する半導体レーザの駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164633A JPS5952889A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 半導体レ−ザの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164633A JPS5952889A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 半導体レ−ザの駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952889A true JPS5952889A (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=15796905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57164633A Pending JPS5952889A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 半導体レ−ザの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952889A (ja) |
-
1982
- 1982-09-20 JP JP57164633A patent/JPS5952889A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4237427A (en) | Apparatus for stabilizing a laser | |
| US4355395A (en) | Injection lasers | |
| US5724170A (en) | Automatic power control circuit | |
| GB1563944A (en) | Imjection lasers | |
| EP0910143B1 (en) | Laser diode protecting circuit | |
| US5127015A (en) | Driving circuit of a semiconductor laser | |
| DE69032987D1 (de) | Elektro-optischer Abtastapparat mit rauscharmer, gepulster Laserdiode | |
| JPH0342025B2 (ja) | ||
| JPS5934683A (ja) | 半導体レ−ザの駆動方法およびその駆動回路 | |
| JP2613670B2 (ja) | 半導体レーザの駆動回路 | |
| US4757508A (en) | Tracking modulation limiter for lasers | |
| JPS59112670A (ja) | 光デイジタル送信器における出力安定化回路 | |
| JPH0575547A (ja) | 光送信器 | |
| JPS62151039A (ja) | 光出力安定化方式 | |
| JP2581176Y2 (ja) | レーザー変調回路 | |
| JPH01259585A (ja) | 半導体レーザの自動出力制御回路 | |
| Mariani et al. | Simple, linear, and safe light control for laser diodes | |
| JP2817102B2 (ja) | 光変調回路 | |
| JPH0249557Y2 (ja) | ||
| JPS6160622B2 (ja) | ||
| JPS5799046A (en) | Optical transmitter | |
| JPH0677532A (ja) | Ｌｅｄ駆動回路 | |
| JPH0324830A (ja) | 光送信器 | |
| JPH07245441A (ja) | 半導体レーザ駆動回路及び光学センサ | |
| JPH01155672A (ja) | レーザダイオード駆動回路 |