JPS5953916A - 無効電力補償装置 - Google Patents
無効電力補償装置Info
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- JPS5953916A JPS5953916A JP16546582A JP16546582A JPS5953916A JP S5953916 A JPS5953916 A JP S5953916A JP 16546582 A JP16546582 A JP 16546582A JP 16546582 A JP16546582 A JP 16546582A JP S5953916 A JPS5953916 A JP S5953916A
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- Japan
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- capacitor
- coil
- transformer
- discharge
- thyristor
- Prior art date
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- Granted
Links
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- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 7
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- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/70—Regulating power factor; Regulating reactive current or power
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は例えば圧延機や抵抗浴接機のように無効電力を
間欠使用する時に生ずるフリッカを補償する無効“重力
補償装置に関するものである。
間欠使用する時に生ずるフリッカを補償する無効“重力
補償装置に関するものである。
半導体を用いた無効Ｙｊ力補信装置ｎは種々の方式があ
るが、第１図に示すようにδ％圧コンデンサをサイリス
タで開閉するのに、コンデンサ２と直列に接続されたリ
アクタトランス１の２次側１１ｆｔ圧に降圧し、これに
接続きれたサイリスタ３にて開閉する無効電力補償装置
をすでに提案している。
るが、第１図に示すようにδ％圧コンデンサをサイリス
タで開閉するのに、コンデンサ２と直列に接続されたリ
アクタトランス１の２次側１１ｆｔ圧に降圧し、これに
接続きれたサイリスタ３にて開閉する無効電力補償装置
をすでに提案している。
いま第１図のサイリスタ開路時の状態を范２図に示す。
すなわち、コンデンサ２の充電重荷が同図（ａ）の時に
開路すると、これより半サイクル後は同図（ｂ）のよう
にリアクタトランス１０１次側に°市源甫圧の２倍の電
圧が印加きれることになる。実際はサイリスタ３の開路
時リアクタトランス１の励磁電流が流れ、コンデンサ２
が逆光“屯されるため１次側ｍ圧は２倍を越える。
開路すると、これより半サイクル後は同図（ｂ）のよう
にリアクタトランス１０１次側に°市源甫圧の２倍の電
圧が印加きれることになる。実際はサイリスタ３の開路
時リアクタトランス１の励磁電流が流れ、コンデンサ２
が逆光“屯されるため１次側ｍ圧は２倍を越える。
この時リアクタトランス１が飽和し、その励磁インピー
ダンスが低下してコンデンサ２のインピーダンスに等し
くなった時、過大な共振電流が流れ事故につながる。
ダンスが低下してコンデンサ２のインピーダンスに等し
くなった時、過大な共振電流が流れ事故につながる。
すなわち、この方式においては、サイリスタ３の開路時
、リアクタトランス１の１次巻線に１（−ζ、圧がＦＩ
Ｊ加されることによシ、リアクタトランス１が飽和して
大電流が流れる。この飽和を避けるためリアクタトラン
スの磁束密度を低く抑える必要が生じ、装着が犬′形化
する欠点があった。
、リアクタトランス１の１次巻線に１（−ζ、圧がＦＩ
Ｊ加されることによシ、リアクタトランス１が飽和して
大電流が流れる。この飽和を避けるためリアクタトラン
スの磁束密度を低く抑える必要が生じ、装着が犬′形化
する欠点があった。
本発明は上述のト―和を抑えることにより装置の小形化
を図るものである。
を図るものである。
以下、本発明を第３図〜第５図ＶＣ７ｒ：、す実施例に
より６見１１月する。
より６見１１月する。
第３図は無効電力補償装置の単相回路図で、１′はりア
クタトランス、２′はりアクタトランス１′の１次巻線
に面列接続したコンデンサ、３′は逆並列４映続したサ
イリスクからなり、かつリアクタトランス１′の２次巻
線に並列接続した第１の制御整流；や；子、４′は上記
コンデンサ２′に並列接続した２次巻線付故事コイ／Ｉ
／（以下放電コイルという）、５′は該放Ｔ［コイル４
′の２次巻線に接続しかつ逆並列接続したサイリスクか
らなる第２の制御整流素子である。
クタトランス、２′はりアクタトランス１′の１次巻線
に面列接続したコンデンサ、３′は逆並列４映続したサ
イリスクからなり、かつリアクタトランス１′の２次巻
線に並列接続した第１の制御整流；や；子、４′は上記
コンデンサ２′に並列接続した２次巻線付故事コイ／Ｉ
／（以下放電コイルという）、５′は該放Ｔ［コイル４
′の２次巻線に接続しかつ逆並列接続したサイリスクか
らなる第２の制御整流素子である。
ここで王ザイリスタからなるｉｌの制御整流素子３′の
開路と同時に放電コイルの２次側に接続されたサイリス
タからなる第２の制御整流素子５′を閉路すれば、放゛
ｉ（コイル４′のインピーダンスを半サイクル放一時定
数に選定するとコンデンサ２′の重荷は半サイクル後に
零近くになり、それに続く励磁’？［流が疏れても、放
電コイル４′の漏洩リアクタンスＸｄ ｅコンデンサ２
′のりアククンスＸＣ以下に選定しておけば合成インピ
ーダンスＺｄはｃ ｘｉ となり、ＸＣ＞Ｘ１０時、合成インピ−ダンスＺｄは誘
導性リアクタンスとなるため、リアクタトランス１′と
コンデンサ２′は電源電圧を分圧することになり、それ
ぞれ電源電圧を越えることはなくなり飽和を防ぐことが
できる。
開路と同時に放電コイルの２次側に接続されたサイリス
タからなる第２の制御整流素子５′を閉路すれば、放゛
ｉ（コイル４′のインピーダンスを半サイクル放一時定
数に選定するとコンデンサ２′の重荷は半サイクル後に
零近くになり、それに続く励磁’？［流が疏れても、放
電コイル４′の漏洩リアクタンスＸｄ ｅコンデンサ２
′のりアククンスＸＣ以下に選定しておけば合成インピ
ーダンスＺｄはｃ ｘｉ となり、ＸＣ＞Ｘ１０時、合成インピ−ダンスＺｄは誘
導性リアクタンスとなるため、リアクタトランス１′と
コンデンサ２′は電源電圧を分圧することになり、それ
ぞれ電源電圧を越えることはなくなり飽和を防ぐことが
できる。
この放電コイル４′は王サイリスタからなる第１の制御
整流素子３′の開路と同時に放Ｖぽコイｌし４′の２次
側に接続したサイリスタからなる第２０宙１ｊ御
゛整流素子５′を閉路するので、その瞬間コンデンサ２
′の故事電流が流れるが、これは半一リ゛イクル後にリ
アクタトランス１′の励磁電流の大きさに低減されると
同時に数サイクル（３〜５サイク）ｖ８度）後に開路す
るため小形化が可能である。
整流素子３′の開路と同時に放Ｖぽコイｌし４′の２次
側に接続したサイリスタからなる第２０宙１ｊ御
゛整流素子５′を閉路するので、その瞬間コンデンサ２
′の故事電流が流れるが、これは半一リ゛イクル後にリ
アクタトランス１′の励磁電流の大きさに低減されると
同時に数サイクル（３〜５サイク）ｖ８度）後に開路す
るため小形化が可能である。
なお、上述の実施例において、放電コイル４′の２次側
に接続したサイリスタの代シに例えば第５図に示すよう
にバリスタやギヤツプアレヌタのような設定゛重圧を越
えると急激に抵抗が低トするような第２の制御整流素子
６′を使用しても可能なことは明白である。
に接続したサイリスタの代シに例えば第５図に示すよう
にバリスタやギヤツプアレヌタのような設定゛重圧を越
えると急激に抵抗が低トするような第２の制御整流素子
６′を使用しても可能なことは明白である。
壕だ上述の実施例の単相回路に限らず、三相または多相
に適用してもよく、リアクタトランスは降圧トランスで
あっても同一動作となるのはいうまでもない。そして制
御整流素子も逆並列接続したサイリスクの代りにトライ
ブックを使用できる。
に適用してもよく、リアクタトランスは降圧トランスで
あっても同一動作となるのはいうまでもない。そして制
御整流素子も逆並列接続したサイリスクの代りにトライ
ブックを使用できる。
このようにコンデンサ２′と並列に一す−イリスタなど
の第２の制御整流素子５′または６′を有する放電コイ
ル４′を用いることによシ、リアクタトランス１′の磁
束密度を高く選定できることにな帆装置全体が小形で経
済的となるなど効果が大である。
の第２の制御整流素子５′または６′を有する放電コイ
ル４′を用いることによシ、リアクタトランス１′の磁
束密度を高く選定できることにな帆装置全体が小形で経
済的となるなど効果が大である。
第１図は従来の無効電力補償装置１＃の単Ａ１４回路（
図、第２図（ａｌ、（ｂ）は同従来の缶効直力１ｉ１ｉ
係装置ｄの±−イリヌタ開路時の回路要部の峠、明図、
ｆｆｉ ３１ＹＩは木Ｑ明の無効電力補償装置の一実施
例の単１ｆｌ １９１路１図、第４図は開本考案の無効
屯力抽偵４私ｉ４の’４ （）ｌｉｉ １回路図、第５
図は木考案の無効Ｙｌｉ力翰１偵装置Ｆ！ｆのイｔｂ、
のブイ施例の単相回路図である。 １′： リアクタトランス ２′：コンデンサ ３′：第１の制御＋Ｗ′流累子 ４′：２次巻線付き放ＶＩＥコイル ５′、６′：第２の制御整流素子
図、第２図（ａｌ、（ｂ）は同従来の缶効直力１ｉ１ｉ
係装置ｄの±−イリヌタ開路時の回路要部の峠、明図、
ｆｆｉ ３１ＹＩは木Ｑ明の無効電力補償装置の一実施
例の単１ｆｌ １９１路１図、第４図は開本考案の無効
屯力抽偵４私ｉ４の’４ （）ｌｉｉ １回路図、第５
図は木考案の無効Ｙｌｉ力翰１偵装置Ｆ！ｆのイｔｂ、
のブイ施例の単相回路図である。 １′： リアクタトランス ２′：コンデンサ ３′：第１の制御＋Ｗ′流累子 ４′：２次巻線付き放ＶＩＥコイル ５′、６′：第２の制御整流素子
Claims (1)
- リアクタトランスまたは降圧トランスト、’Ｊ ！”ラ
ン７の２次側に並列接続した逆並列サイリスタ、トライ
アックなどからなる第１の制御整流素子と、上記トラン
スの１次側に直接接続したコンデンサと、該コンデンサ
に並列接続した２次巻線付き放′屯コイルと、該放電コ
イルの２次側に］ｐ列接続した逆並列サイリスタ、トラ
イアックなどからなる槁２の制御整流素子からなり、上
記制御整流素子を開閉制御することを特徴とする無効゛
重力補償装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16546582A JPS5953916A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 無効電力補償装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16546582A JPS5953916A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 無効電力補償装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5953916A true JPS5953916A (ja) | 1984-03-28 |
| JPH0324688B2 JPH0324688B2 (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=15812926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16546582A Granted JPS5953916A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 無効電力補償装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5953916A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5627142A (en) * | 1979-08-13 | 1981-03-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Developr regenerating method |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP16546582A patent/JPS5953916A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5627142A (en) * | 1979-08-13 | 1981-03-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Developr regenerating method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0324688B2 (ja) | 1991-04-03 |
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