JPS5954146A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
- Publication number
- JPS5954146A JPS5954146A JP57164637A JP16463782A JPS5954146A JP S5954146 A JPS5954146 A JP S5954146A JP 57164637 A JP57164637 A JP 57164637A JP 16463782 A JP16463782 A JP 16463782A JP S5954146 A JPS5954146 A JP S5954146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductive film
- imaging device
- film
- layer
- photoconductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は撮像管あるいは光導電膜と走査回路基板を組み
あわせた構成の固体撮像装置の改良に関するものであり
、より詳細に旨うならば、主に光導電膜の動作電圧を低
下式せた場合に発生する解像度劣化を防止した撮像装置
に関するものである。
あわせた構成の固体撮像装置の改良に関するものであり
、より詳細に旨うならば、主に光導電膜の動作電圧を低
下式せた場合に発生する解像度劣化を防止した撮像装置
に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、撮像管ターゲットのターゲット電圧は、数十Ｖも
のターゲット電圧を必要としたが、ｐ −１−ｎ構成の
水素化アモルファスＳｉ （以下ａ−８ｔ ： Ｈと記
す）を使用することによりターゲット電圧を数Ｖ程度に
下げることが可能であるとともに、ブロッキング構造を
有することがら耐圧も良く、撮像管として動作裕度を広
げることが可能である。
のターゲット電圧を必要としたが、ｐ −１−ｎ構成の
水素化アモルファスＳｉ （以下ａ−８ｔ ： Ｈと記
す）を使用することによりターゲット電圧を数Ｖ程度に
下げることが可能であるとともに、ブロッキング構造を
有することがら耐圧も良く、撮像管として動作裕度を広
げることが可能である。
一方、信号走査機能を有する基板上に光導電膜を積層し
た構成の固体撮像装置（以下積層型固体撮像装置と呼ぶ
〕においても、電源電圧の制限以外にブルーミング現象
と残像現象の抑制や走査回路の耐圧からの制限のために
、光導電膜の動作電圧の低下は、必要不可欠となってお
り、このため、前述したｐ−１−ｎ構造のａ−８ｉや、
ｉ層より（○ごＸ、／；１．ＱイＹ４１）などの光導電
膜が用いられる。
た構成の固体撮像装置（以下積層型固体撮像装置と呼ぶ
〕においても、電源電圧の制限以外にブルーミング現象
と残像現象の抑制や走査回路の耐圧からの制限のために
、光導電膜の動作電圧の低下は、必要不可欠となってお
り、このため、前述したｐ−１−ｎ構造のａ−８ｉや、
ｉ層より（○ごＸ、／；１．ＱイＹ４１）などの光導電
膜が用いられる。
このように、撮像管ターゲットや積層型固体撮像装置に
おいては光導電膜の動作電圧の低下が強く望１れている
。ところが従来、光導電膜の印加電圧を下げて動作させ
た場合、感度低下や焼きっけ現象はないにもかかわらず
、解像度の低下が顕著であった。
おいては光導電膜の動作電圧の低下が強く望１れている
。ところが従来、光導電膜の印加電圧を下げて動作させ
た場合、感度低下や焼きっけ現象はないにもかかわらず
、解像度の低下が顕著であった。
発明の目的
本発明はこのような光導電膜の動作電圧を低下させても
解像度の劣化が牛じない撮像装置を提供することを目的
とするものである。
解像度の劣化が牛じない撮像装置を提供することを目的
とするものである。
発明の構成
すなわち、本発明の撮像装置は基板上に形成された光導
電膜と、上記光導電膜上に形成された電極と、信号走査
回路を有し、上記光導電膜のリセット直後の膜厚方向の
電界が、膜面内方向に応じて異なった値にするものであ
る。
電膜と、上記光導電膜上に形成された電極と、信号走査
回路を有し、上記光導電膜のリセット直後の膜厚方向の
電界が、膜面内方向に応じて異なった値にするものであ
る。
実施例の説明
６ ・・
次に本発明にかかる実施例を図面にもとすいて説明する
。
。
第１図は、信号走査回路にＣＣＤが用いられた積層型固
体撮像装置の１セルを複数個形成した場合の平面図であ
り、第２図は第１図に示された固体撮像装置のＡ−Ｂ方
向の断面構造を示した図である。第３図は、第１図に示
された固体撮像装置（Ｄ 駆動パルス波形である。
体撮像装置の１セルを複数個形成した場合の平面図であ
り、第２図は第１図に示された固体撮像装置のＡ−Ｂ方
向の断面構造を示した図である。第３図は、第１図に示
された固体撮像装置（Ｄ 駆動パルス波形である。
第１図および第２図に示された固体撮像装置の動作をま
ず説明する。時間ｔ１において信号読み込みパルスが印
力目されると、光導電膜およびダイオードに蓄積してい
た信号電荷は、ＣＯＤ転送段１２ａ、１２ｂに移動し、
ダイオード１１ａ〜１１ｃおよび光導電膜は、ある値ま
で充電される。
ず説明する。時間ｔ１において信号読み込みパルスが印
力目されると、光導電膜およびダイオードに蓄積してい
た信号電荷は、ＣＯＤ転送段１２ａ、１２ｂに移動し、
ダイオード１１ａ〜１１ｃおよび光導電膜は、ある値ま
で充電される。
透明電極に印加されるパルスは、転送パルスで信号電荷
が転洋豐に移動すそことを阻止するためのもので、リセ
ット期間以外のダイオード電位を、容量結合により、高
い電位に保つ働きをする。転送段３移０Ｉ−１荷０・−
’ｔｏ、ｉ・°°］″°ゝ１゛″周波数で転送される。
が転洋豐に移動すそことを阻止するためのもので、リセ
ット期間以外のダイオード電位を、容量結合により、高
い電位に保つ働きをする。転送段３移０Ｉ−１荷０・−
’ｔｏ、ｉ・°°］″°ゝ１゛″周波数で転送される。
第１図の構成の場合、電荷６ペーーミ゛
転送段には、電位阻止領域３０ａ〜３０ｄと、蓄積領域
３１ａ〜３１ｃが設けてあり、２相駆動で転送可能であ
る。ダイオードおよび光導電膜は１フレーム（３３，３
ｍ５）光信号を蓄積した後、再び充電される。以上がフ
ィールド人の信号読み込み動作であり、フィールドＢは
、１フイ一ルド期間（１６，６７ｍ５）の後、フィール
ド人と同様にリセットされる。
３１ａ〜３１ｃが設けてあり、２相駆動で転送可能であ
る。ダイオードおよび光導電膜は１フレーム（３３，３
ｍ５）光信号を蓄積した後、再び充電される。以上がフ
ィールド人の信号読み込み動作であり、フィールドＢは
、１フイ一ルド期間（１６，６７ｍ５）の後、フィール
ド人と同様にリセットされる。
以上が第１図に示された固体撮像装置の動作の説明であ
る。次に、上述した固体撮像装置の製造方法を説明する
。
る。次に、上述した固体撮像装置の製造方法を説明する
。
ｐ型半導体基板１ｏにｎ領域を形成してダイオード１１
とする。１２はＣＯＤ転送段を構成するｎ−ウェルであ
り、上記ダイオード１１とゲート酸化膜１３とゲート電
極１４とで、ＭＯＳＦＥＴを構成している。１６は光導
電膜１６の一方の電極であり１．ダイオード１１の一部
を除いて信号走査回路とは、りん硅酸ガラス等の低融点
ガラス１７で絶縁されている。光導電膜１６は、ａ ７
８ｉ：Ｈからなジグロー放電あるいはスパッタリング７ 蒸着によりｎ −ｉ −ｐ構造または１層単層構造で形
成されるが、ｎ −ｉ −ｐ構造またはｉ層単層構造の
いずれの場合も、炭素または窒素またｌｌｊ：酸素とＳ
ｉとの化合物とすることもある。光導電膜１６上の一部
領域には、数十Ａから数百ＡのＳｉＯ２からなる絶縁体
層１８が形成され、光導電膜１６と絶縁膜１８土にスパ
ッタリング蒸着によりＩｎ２０３（Ｓｎ）が形成され透
明電極１９とし、光２０は透明電極１９側から入射され
る。
とする。１２はＣＯＤ転送段を構成するｎ−ウェルであ
り、上記ダイオード１１とゲート酸化膜１３とゲート電
極１４とで、ＭＯＳＦＥＴを構成している。１６は光導
電膜１６の一方の電極であり１．ダイオード１１の一部
を除いて信号走査回路とは、りん硅酸ガラス等の低融点
ガラス１７で絶縁されている。光導電膜１６は、ａ ７
８ｉ：Ｈからなジグロー放電あるいはスパッタリング７ 蒸着によりｎ −ｉ −ｐ構造または１層単層構造で形
成されるが、ｎ −ｉ −ｐ構造またはｉ層単層構造の
いずれの場合も、炭素または窒素またｌｌｊ：酸素とＳ
ｉとの化合物とすることもある。光導電膜１６上の一部
領域には、数十Ａから数百ＡのＳｉＯ２からなる絶縁体
層１８が形成され、光導電膜１６と絶縁膜１８土にスパ
ッタリング蒸着によりＩｎ２０３（Ｓｎ）が形成され透
明電極１９とし、光２０は透明電極１９側から入射され
る。
上記のように構成した積層型固体撮像装置の光導電膜中
の光入射により生成したキャリアの挙動を第４図を用い
て説明する。なかでも本実施例の場合信号電荷は電子で
あるから主に電子の挙動全説明する。第４図は、簡単の
ために光導電膜１６はｉ層単層の場合について１セルの
縦方向の模式的なバンドモデル図である。第４図（ａ）
は暗状態で光導電膜にバイアスが印加されたときを表わ
しており、絶縁体層のある部分（以後領域大と呼ぶ）を
実線により絶縁体のない部分（以後領域Ｂと呼ぶ）を点
線により示している。第４図（ｂ）はＡ領域とＢ領域の
関係を示した平面図である。この図から明らかなように
、絶縁層の介在により領域Ａのポテンシャルは領域Ｂよ
りも低く設定される。光入射がある場合には電極１６」
二以外でかつ領域Ｂで生成した電荷は、電界によりｉ層
−絶縁体層１７の界面に到達する。これらの電荷の一部
は光導電膜１６と低融点ガラス１７の界面準位などにト
ラップされ、この界面のポテンシャルをおし上げる。
の光入射により生成したキャリアの挙動を第４図を用い
て説明する。なかでも本実施例の場合信号電荷は電子で
あるから主に電子の挙動全説明する。第４図は、簡単の
ために光導電膜１６はｉ層単層の場合について１セルの
縦方向の模式的なバンドモデル図である。第４図（ａ）
は暗状態で光導電膜にバイアスが印加されたときを表わ
しており、絶縁体層のある部分（以後領域大と呼ぶ）を
実線により絶縁体のない部分（以後領域Ｂと呼ぶ）を点
線により示している。第４図（ｂ）はＡ領域とＢ領域の
関係を示した平面図である。この図から明らかなように
、絶縁層の介在により領域Ａのポテンシャルは領域Ｂよ
りも低く設定される。光入射がある場合には電極１６」
二以外でかつ領域Ｂで生成した電荷は、電界によりｉ層
−絶縁体層１７の界面に到達する。これらの電荷の一部
は光導電膜１６と低融点ガラス１７の界面準位などにト
ラップされ、この界面のポテンシャルをおし上げる。
その結果第４図（Ｃ）に示すように領域Ｂをはさまれる
関係にある二つの領域Ａは光導電膜の膜厚方向全体にわ
たって、領域Ｂにより形成される電位障壁によって分離
される。
関係にある二つの領域Ａは光導電膜の膜厚方向全体にわ
たって、領域Ｂにより形成される電位障壁によって分離
される。
第４図（ｄ）は、絶縁体層１日のない従来の固体撮像装
置の場合について示したもので、ｉ層と絶縁体層１７の
界面近くには電位障壁が存在するが、透明電極１９０光
電変換作用にとり最も重要な領域での電位障壁は非常に
小さい。第４図（Ｃ）および（ｄ）の状態をよりわかり
やすく説明するだめに、光導電膜１６の横方向の電位分
布を示したものが第６図であり、第５図（ａ）は本実施
例の場合を、第５図（ｂ）は従来例を示したものである
。第６図（ａ）より、本発明を用いると効果的に信号電
荷を領域Ａに閉じ込めることが可能であり、横方向への
電荷４０の流れが少なくなり、解像度を劣化させること
がない効果が得られることがわかる。また電子４０は領
域人の中を正孔４１は領域Ｂの中を流れる確率が増える
。このため電子と正孔の再結合確率が減少し、光導電膜
の動作電圧をより低下させることが可能となる。
置の場合について示したもので、ｉ層と絶縁体層１７の
界面近くには電位障壁が存在するが、透明電極１９０光
電変換作用にとり最も重要な領域での電位障壁は非常に
小さい。第４図（Ｃ）および（ｄ）の状態をよりわかり
やすく説明するだめに、光導電膜１６の横方向の電位分
布を示したものが第６図であり、第５図（ａ）は本実施
例の場合を、第５図（ｂ）は従来例を示したものである
。第６図（ａ）より、本発明を用いると効果的に信号電
荷を領域Ａに閉じ込めることが可能であり、横方向への
電荷４０の流れが少なくなり、解像度を劣化させること
がない効果が得られることがわかる。また電子４０は領
域人の中を正孔４１は領域Ｂの中を流れる確率が増える
。このため電子と正孔の再結合確率が減少し、光導電膜
の動作電圧をより低下させることが可能となる。
上述した実施例では、光導電膜１６としてａ−３ｔのｉ
層単層としたが、ｎ−１−ｐ構造のａ−３ｔ ｆ用いて
も全く同様な効果が得られる。
層単層としたが、ｎ−１−ｐ構造のａ−３ｔ ｆ用いて
も全く同様な効果が得られる。
ｎ−１−ｐ構造で、ｐ層を炭素あるいは窒素あるいは酸
素とシリコンとの化合物とし、高抵抗層とした場合には
、上述の実施例と異なる構成にすることが可能であり、
第６図を用いて説明する。
素とシリコンとの化合物とし、高抵抗層とした場合には
、上述の実施例と異なる構成にすることが可能であり、
第６図を用いて説明する。
第６図は第４図と同様なバンドモデル図であり、実線で
示したＡ領域は信号電荷閉じ込め領域である。ここで、
第４図（ｂ）に示した様にＢ領域としてｐ層の膜厚のよ
り薄い部分を形成すると、透明電１０ベーミ・ 極１９側の電位はＡおよびＢ領域で同一であるから、第
６図で点線で示すように、絶縁物を形成した場合と同様
な電位障壁が形成される。上述した構成（は、ｉ層単層
の光導電膜でも可能であるが、この場合にはＡ領域とＢ
領域の膜厚差を十分大きくしなければ、効果的な電位障
壁が形成されない。
示したＡ領域は信号電荷閉じ込め領域である。ここで、
第４図（ｂ）に示した様にＢ領域としてｐ層の膜厚のよ
り薄い部分を形成すると、透明電１０ベーミ・ 極１９側の電位はＡおよびＢ領域で同一であるから、第
６図で点線で示すように、絶縁物を形成した場合と同様
な電位障壁が形成される。上述した構成（は、ｉ層単層
の光導電膜でも可能であるが、この場合にはＡ領域とＢ
領域の膜厚差を十分大きくしなければ、効果的な電位障
壁が形成されない。
ところで、絶縁物あるいは高抵抗層を光導電膜上に形成
する方法は、他の動作電圧の低い光導電膜、例えばＺｎ
ｘＣｄｌ−ｘＳｅ −ＺｎｙＣｄｙＴｅ （Ｉｎ） （
ＯＩＸ ｌ ’１ 、 ＯＩ Ｙ ｌ １ ’）に適用
しても同様な効果が得られる。また、第２図に示された
実施例では、１絵素に一つのＡ領域とその周辺に存在す
るＢ領域の場合を示しているが１絵素領域内に複数の独
立したＡ領域が存在しても良く、位置あわせ等の必要性
は特にない。
する方法は、他の動作電圧の低い光導電膜、例えばＺｎ
ｘＣｄｌ−ｘＳｅ −ＺｎｙＣｄｙＴｅ （Ｉｎ） （
ＯＩＸ ｌ ’１ 、 ＯＩ Ｙ ｌ １ ’）に適用
しても同様な効果が得られる。また、第２図に示された
実施例では、１絵素に一つのＡ領域とその周辺に存在す
るＢ領域の場合を示しているが１絵素領域内に複数の独
立したＡ領域が存在しても良く、位置あわせ等の必要性
は特にない。
以上述べた実施例においては、光導電膜と走査回路を組
みあわせた固体撮像装置の中でも、特に走査回路として
ｃａｎを用いた構成の固体撮像装置について記したが、
本発明は光導電膜部分についてのものであるから、走査
回路としてＢＢＤや１１ ・ ＭＯＳアドレス機能を有するものを用いても同様な効果
が得られることは言う丑でもない。丑だ、撮像管に応用
する場合には、光が入射する側に高抵抗層や絶縁物層を
一部領域に形成したり、ｎ−１−ｐ構造の光導電膜の場
合には、ｎ層の厚みを変化させることにより同様な効果
が得られる。
みあわせた固体撮像装置の中でも、特に走査回路として
ｃａｎを用いた構成の固体撮像装置について記したが、
本発明は光導電膜部分についてのものであるから、走査
回路としてＢＢＤや１１ ・ ＭＯＳアドレス機能を有するものを用いても同様な効果
が得られることは言う丑でもない。丑だ、撮像管に応用
する場合には、光が入射する側に高抵抗層や絶縁物層を
一部領域に形成したり、ｎ−１−ｐ構造の光導電膜の場
合には、ｎ層の厚みを変化させることにより同様な効果
が得られる。
発明の効果
本発明の撮像装置は光導電膜の動作電圧を低下させた場
合に生ずる解像度の劣化が防止可能であり、その産業上
の意義は極めて大きい。
合に生ずる解像度の劣化が防止可能であり、その産業上
の意義は極めて大きい。
第１図は走査回路がＣＯＤで形成された光導電膜を積層
した構成の固体撮像装置の複数単位を平す平面図、第２
図は、第１図に示された固体撮像装置の１絵素の断面図
、第３図（−）〜（Ｃ）は第１図に示された固体撮像装
置を駆動するだめのパルス波形図、第４図（ａ） 〜（
ｄ） 、 第ｔｓ図（ａ）、（ｂ） 、および第６図は
、本発明の詳細な説明するだめの図である。 １０・・・・・・ｐ型半導体基板、１１・・・・・・ダ
イオード、１２・・・・・・ｎウェノペ１３・・・・・
・ゲート酸化膜、１４・・・・・・ゲート電極、１５・
・・・・・電極、１６・・・・・・光導電膜、１７・・
・・・・りん硅酸ガラス、１８・・・・・・高抵抗層、
１９・・・・・・透明電極、２ｏ・・・・・・入射光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 ℃１ 将聞 第５図 −２５３− 第６図
した構成の固体撮像装置の複数単位を平す平面図、第２
図は、第１図に示された固体撮像装置の１絵素の断面図
、第３図（−）〜（Ｃ）は第１図に示された固体撮像装
置を駆動するだめのパルス波形図、第４図（ａ） 〜（
ｄ） 、 第ｔｓ図（ａ）、（ｂ） 、および第６図は
、本発明の詳細な説明するだめの図である。 １０・・・・・・ｐ型半導体基板、１１・・・・・・ダ
イオード、１２・・・・・・ｎウェノペ１３・・・・・
・ゲート酸化膜、１４・・・・・・ゲート電極、１５・
・・・・・電極、１６・・・・・・光導電膜、１７・・
・・・・りん硅酸ガラス、１８・・・・・・高抵抗層、
１９・・・・・・透明電極、２ｏ・・・・・・入射光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 ℃１ 将聞 第５図 −２５３− 第６図
Claims (7)
- （１）基板上に形成された光導電膜と、上記光導電膜上
に形成された電極と、信号走査回路とを有し、上記光導
電膜のリセット直後の膜厚方向の電界が、膜面内方向に
応じて異なった値にすることを特徴とする撮像装置。 - （２） 光導電膜がシリコンを主成分とする非晶質半
導体薄膜のｐ−１−ｎ構造で形成され、高比抵抗を有す
るｐ層あるいはｎ層の厚みあるいは比抵抗を場所的に変
化させることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項に
記載の撮像装置。 - （３）ｐ層あるいはｎ層の少なくともどちらか一方に、
炭素、窒素又は酸素の内の少なくとも１つ以上の元素と
シリコンからなる化合物半導体薄膜を用いたことを特徴
とする特許請求の範囲第（２）項に記載の撮像装置。 - （４）光導電膜がシリコンを主成分とする非晶質半２
ｔｉ−、、：・ 導体薄膜と上記非晶質半導体薄膜の片面の一部領域に形
成された絶縁物あるいは高抵抗層とからなることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項に記載の撮像装置。 - （５）光導電膜が、ＺｎｘＣｄ 、−ｘＳｅ−ＺｎｙＣ
ｄ 、−、Ｔｅ（Ｉｎ）（０，ｆｆＸ、＜１ 、 Ｏｆ
Ｙ、＜１ ）と、上記Ｚｎ、Ｃｄ 、 −，５ｅ−Ｚｎ
ｙＣｄｙＴｅ（Ｉｎ） （０，？Ｘｆ１ 、 ＯｆＹ、
ｆｆ１）の片面の一部領域に形成された絶縁物あるいは
高抵抗層とからなることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項に記載の撮像装置。 - （６）信号走査回路が電子ビームを含むことを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項、第（２）項、第（４）項
。 または第（四項に記載の撮像装置。 - （７）信号走査回路が、基板中に形成された電荷転送素
子あるいはＭＯＳアドレス素子であることを特徴とする
特許請求の範囲第０）項、第（２）項。 第（４〕項、または第（５）項に記載の撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164637A JPH0666920B2 (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164637A JPH0666920B2 (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954146A true JPS5954146A (ja) | 1984-03-28 |
| JPH0666920B2 JPH0666920B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=15796972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57164637A Expired - Lifetime JPH0666920B2 (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666920B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4994405A (en) * | 1989-11-21 | 1991-02-19 | Eastman Kodak Company | Area image sensor with transparent electrodes |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9134398B2 (en) | 1996-09-09 | 2015-09-15 | Tracbeam Llc | Wireless location using network centric location estimators |
| US6236365B1 (en) | 1996-09-09 | 2001-05-22 | Tracbeam, Llc | Location of a mobile station using a plurality of commercial wireless infrastructures |
| US7764231B1 (en) | 1996-09-09 | 2010-07-27 | Tracbeam Llc | Wireless location using multiple mobile station location techniques |
| US9538493B2 (en) | 2010-08-23 | 2017-01-03 | Finetrak, Llc | Locating a mobile station and applications therefor |
-
1982
- 1982-09-20 JP JP57164637A patent/JPH0666920B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4994405A (en) * | 1989-11-21 | 1991-02-19 | Eastman Kodak Company | Area image sensor with transparent electrodes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666920B2 (ja) | 1994-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0096725B1 (en) | Semiconductor image pick-up device | |
| US4862237A (en) | Solid state image sensor | |
| US4740824A (en) | Solid-state image sensor | |
| CN101427387B (zh) | 使用连续膜的集成mis光敏器件 | |
| US5591963A (en) | Photoelectric conversion device with dual insulating layer | |
| JPS5831669A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US4616249A (en) | Solid state image pick-up element of static induction transistor type | |
| JPH0458698B2 (ja) | ||
| JPS5954146A (ja) | 撮像装置 | |
| US4789888A (en) | Solid-state image sensor | |
| JP3238160B2 (ja) | 積層形固体撮像装置 | |
| JPH08250694A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2509592B2 (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JPH0347624B2 (ja) | ||
| Chikamura et al. | A high-sensitivity solid-state image sensor using a thin-film ZnSe-Zn 1-x Cd x Te heterojunction photosensor | |
| JP2831752B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6333353B2 (ja) | ||
| JPH0237746B2 (ja) | ||
| JPH0430577A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH07335936A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH07115183A (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JPS5846066B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH05145110A (ja) | 光電変換装置及びその駆動方法 | |
| JPH05167057A (ja) | 放射線検出素子 | |
| JP3087415B2 (ja) | イメ−ジセンサ |