JPS5954341A - 光ヘテロダイン通信機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業−［二の利用分ＩＰｆ 本発明は゛１４導体レーザを用いた光−＼テロダイン通
イ菖機に関する。。

従来例の構成とその問題点 従来、）１４導体レー→ノ分光通信に利用ず２）場合、
光にイ菖閃を乗ぜるのに強度変調を用い、伝送され／ζ
信号を検出するのには光の強度変化をその１′１電気信
けの変化として検出する直接検波か用いられている。し
７かしながら最近では光か１０　　Ｈｚ以上の非常に高
い周波数を有することを積極的に利用しようとするヘテ
ロダイン検波によるコヒーレント伝送か考７ぐ−らノ１
−７いる３、コ（７）　、、ｉ　ウ；！’ｉ：　１１（
Ｂ　（Ａ機〕４ｔＹｔ　ｉ例ヲｈｒ　１　ｊｚｌ　ｌｚ
４　小−ｊ　。

崖導体し−せ１６−周？皮数変調ｆ１−、ν；光源虎し
、出射さ！土たソーヤ光２う二尾ノー７・イハ伝（米路
３て伝送し、（□□□、［哩に４て・℃′慢’ｔ’、−
Ｊ′□；′、）際１．Ｙ−、イ、９１−）の゛１′−導
体レーー９５を局部芹１１１１．器として用い、局部イ
ｌ　：ｌ１１（Ｊｌｌ　Ｌ／　−−−ＩＪ光６を例乏（
りｔ　”ｌ’　？（り鏡７石用いて検ｉｉｊ器４（、・
１−合、ルート；／、）。　士゛、１＞イ」　レ−１す
　１　及Ｑ’　５　Ｃ’乃老１ｊ、□、１．′、旨ル敦
否−・し１．ν２に１１．−Ｃｆ１イＪ１１０”　４Ｈ
７以トもの−Ｉｔ’　７’＋’；　ｌ・（′高い周ｌ皮
数であるかε・検出：Ｊ：；４ば、！、Ｌ、答ず／：、
）ことか出来るか、ｉτ＝周？皮於Ｊレーレ。−ν２召
・検出２に４の用冒ぺ一周肢′数より小さ　く−・１−
イン、）−４り朋；シ））出ノｊ市７どバ「（Ｃ１Δよ
・　び）１−３し皮敦成勺→もつ１．つｔすζノ］か九
のシクートであ（）１、電気的ノイルり８（（′よ０こ
の周？皮数成分σ）′占流９をｉ１７１っ出ず（−とか
出射２ニア９、これか）ｖ、−＼プロダイン法てあ／−
〕かこの’４ｔＹｌ来のＩＩ！ｉ信機Ｇ１いくつかの欠
点を含んでいる３、すなわち （１）　　半導体レー−りの発振周彼独（・よ福１１隻
変化、ｉ／こそれに起因する屈折率変化、Ｊ（振器長変
化、ハンドギヤ、ブエネルギのψ、・化雪に対して非常
（ＩＣ敏感かつ不安定なため、極めて精密な温度コント
ロールを行なわねばならない６゜ （梼　変調イ８号用半導体レーザは送信側５局部発振光
用半導体レーザは受（Ｎ　ｊｌＦｌｌ、１に各々独立に
配置ぜねばならず、相互の発振周波数安定化を行なわね
ばならない１３ （■　検出器へ信号光と局部発振光を合波する際の結合
損失か大きい、。

などがある。

以上の」：うな欠点かあるため、半導体レーザを用いた
光ヘテロダイン通信はあく寸で実験室系（／こおける段
階でとどまっており、実用化にほぼと遠いと考えざるを
得ない１、 発明の目的 本発明の光ヘテロダイン通信機は上記従来の欠点を一挙
に解決する半導体レーザを用いた光ヘテロダイン通信機
を提案することを目的とする。すなわち、光へテロゲイ
ン通信機において（１）　　温度変動等による周波数変
動の効果を受けにく　く、 （４変調信号光源となる半導体レーザと局部発振光源と
なる半導体レーリーとを独立に用演じて、独立に調整す
ることなく、 （榊　信号光と局部発振ｙｔの伝送路や検出器への結合
をも容易にする。。

ことを目的とするものである１ 発明の構成 ずなわぢ、本発明の丸ヘテロダイン１巾イ言磯（は、周
θＵ数変調用生導体レーザ光源と局部発振器用半導体レ
ーザ尤σ１ゴニ・伝送系の送信側に設けてヘテロダイン
杉２　ｎｋ　ｉ：　＜１なうものである１、）ＩＭ＋白
列の１．４を明 以ト木″１と明の実施例について図面を小しなから１ｊ
ｉ２．明−Ｊ、７．、。第２図（・こおいて周波数変調
用゛ｒ導体レーザ１ｏと局部発振器用半導体レーザ１１
（はとちらも送イＡ側ユニット１２内に配置されている
。こｒＬら各半導体レーザからのレーヅ光１３及び１４
は何らかの光合波器１６て合波され、その後光伝送路と
しての光ファイバ１６を伝搬し、その光フアイバ出力１
３．１４か検出器１γで検知された後、所望の周θＵ数
帯域の信−づを抽出する電気フィルタ１８を通り信−弓
市、流１９が観測されるわけである。。

従来例の第１図と本発明の一実施例を示した第２図を比
較すれば明らかな如く、従来独立に送信側々受信（ＩＩ
Ｉ　ＶＣ用、をさ］１．た半導体レーザが、本実施例で
は１つの送信ユニット内に収めることかり能となる。

これらレーザー、同一基板上に同時に成長された半導体
レーザであるとすると、そえ１．ら半導体レーザチップ
が別々のヒート／ツク台にマウントさ第１．たものであ
れ、またレーザアレイ的に１つのヒート７ンクににマウ
ントされプこものであオ区同−場所Ｖこ設置されている
ため環境の変化等に対してコントロールか容易となる９
３たとえば第２図において半導体レーザ１０及び１１の
発振周波数をシ１．シ２とすると信号は差周波数Δν一
ν１−ν２である１、全温度変動により、これら半導体
のレーザのもともとの発振周波数がΔν′たけ変動した
としても、差周波数Δν＝（シ１＋Δシ′）−（シ２＋
Δシ′）＝シ１−シ２ であるため信号Δν（Ｃ幻しては影響を−ｔ−４えにく
い。

かつ検出器への結合部においても不発明に」：れは（孕
めて容易に結合することか出来る。

発明の効果 以上のように不発明の光ヘテロダインｌｌ１４仏゛磯に
よれば、半導体レーザを用いメこ光ヘテログインゾスデ
トにおいて、従来の」二うに必（；−ｉ　１＋！ＩＩに
変調用゛１”導体レーザを・、捷た受イ、′１側に局パ
１１発振用−゛１′導体レーザ５＝ＩＩＩ消して各／、
独立にコンｉ・ロールする場合Ｃす」：うに発振周波数
か不安定とを２）ようなことか乙゛く、−４１−グｒ検
出ｚＱ−＼の結合部で１１１矢をもっことなく、￥１易
に尤へゾロダイン７ステムを実現することか出来ｚ）。

。

【図面の簡単な説明】

第１図ｄ従来の光ヘテロダイン通有）磯の構成看。 ノＪりず図、第２図は本発明の実施例にょる尤ヘテロゲ
イン通信機の構成を示す図である。 １・・・・周θＵ数変調用半樽体し−現、２　・・　レ
ーザ光、３・　・光ファイバ、４・・・検出器、６・局
部発振１１半導体レーーーリ、６・・・レーリ゛尤、７
・　゛Ｉ′透鏡５．８　・・電気−ノイルタ、９・　・
・差周波１Ｆ１弓電流、１０・・・）１へ］波数変調用
）１〈導体レーヤ、１１・　・・局部イ’Ｌ　４ＭＣ月
１゛１勇体レーザ、１２・・・・・送ブ乙器ユニット、
１３・　レ−−−り光、１４　・・し／−→Ｊ光、１５
・　　合波器、１６・・　元ファイバ、１７・・・検出
器、１８　　市、気ノ、イルタ、１９・・　、、′（周
波信罵小流。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 周波数変調用）１′−導体レーザ光殊と局部発振器用土
   導体レー−り元画を伝送系の送信４Ｊｌｌに設υすてヘ
   テロダイン検波を行なうことを特徴とする尤ヘテロダイ
   ン通化機。