JPS5955441A - 水素化アモルフアスシリコン膜の形成方法 - Google Patents
水素化アモルフアスシリコン膜の形成方法Info
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- JPS5955441A JPS5955441A JP57164990A JP16499082A JPS5955441A JP S5955441 A JPS5955441 A JP S5955441A JP 57164990 A JP57164990 A JP 57164990A JP 16499082 A JP16499082 A JP 16499082A JP S5955441 A JPS5955441 A JP S5955441A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- pressure
- decomposition
- hydrogenated amorphous
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
７ランを熱分解することによりノに素化アモルファス／
リフ／（以下、ａ−Ｓｉ：ＩＩと略ｌｔ１．．＋する）
を形成する方法に関する。
リフ／（以下、ａ−Ｓｉ：ＩＩと略ｌｔ１．．＋する）
を形成する方法に関する。
ａ−Ｓｉ：Ｈを得る方法は、モノ７シン（Ｓｉｌｌ４
）のグロー放電（ＣＤ）によって形成する方法や熱分解
法（ＣＶＤ）が広く知らｌｔでいるが、まだ満足される
ものは得られてい４：い。すなわち、Ｓ ｉ Ｈ，のグ
ロー放電による方法は得られるａーＳｉ：Ｈ膜の暗伝導
度＜ｊ．ｘ）が比較的高く、まだ耐熱性も劣っておシ、
しかも装置が高価複雑となる。また、ＳｉＨ４の熱分解
による方法は、基板上への堆積速度を大きくできる事、
製造設備を簡素化できる事等の利点があるが、分解温度
が高く、６００℃以上の高温を必要とする為、ａ−Ｓｉ
：Ｈを堆積する基板の材質が高価な石英ガラス、サファ
イア等に限定される。その上、得て小さい等）、光電変
換素子、光感光体、薄膜トランジスタ等に実用化する為
にはアモルファスシリコンを基板上に堆積後、水素プラ
ズマ中で更にアニールする工程や水素イオンを注入する
工程を別に必要とし、２段階の操作をせねばならず実用
性の乏しいものであった。
）のグロー放電（ＣＤ）によって形成する方法や熱分解
法（ＣＶＤ）が広く知らｌｔでいるが、まだ満足される
ものは得られてい４：い。すなわち、Ｓ ｉ Ｈ，のグ
ロー放電による方法は得られるａーＳｉ：Ｈ膜の暗伝導
度＜ｊ．ｘ）が比較的高く、まだ耐熱性も劣っておシ、
しかも装置が高価複雑となる。また、ＳｉＨ４の熱分解
による方法は、基板上への堆積速度を大きくできる事、
製造設備を簡素化できる事等の利点があるが、分解温度
が高く、６００℃以上の高温を必要とする為、ａ−Ｓｉ
：Ｈを堆積する基板の材質が高価な石英ガラス、サファ
イア等に限定される。その上、得て小さい等）、光電変
換素子、光感光体、薄膜トランジスタ等に実用化する為
にはアモルファスシリコンを基板上に堆積後、水素プラ
ズマ中で更にアニールする工程や水素イオンを注入する
工程を別に必要とし、２段階の操作をせねばならず実用
性の乏しいものであった。
とされているが、従来の方法によってはこのような高抵
抗の膜を形成することは困難であった。
抗の膜を形成することは困難であった。
本発明者らは以上の点にがんかみ鋭意検討してかつ後１
１１のごとく優れた特徴をもった膜が、他の工程を追加
することなく容易に得られることを見い出し、本発明を
完成するにい／ζつだ。
１１のごとく優れた特徴をもった膜が、他の工程を追加
することなく容易に得られることを見い出し、本発明を
完成するにい／ζつだ。
すなわち、本発明に従って、−・般式Ｓ ｉ ｎ Ｉ−
１２ｎ −１−２（ここで１１はｎ≧２の整数を示す）
であられされる高次／ランカスを大気圧以上の圧力下で
熱分解し基板上に堆積せしめることを特徴とする水素化
アモルファスノリコン膜の形成方法。
１２ｎ −１−２（ここで１１はｎ≧２の整数を示す）
であられされる高次／ランカスを大気圧以上の圧力下で
熱分解し基板上に堆積せしめることを特徴とする水素化
アモルファスノリコン膜の形成方法。
か提供される。
以下、本発明の詳細な説明する１゜
本発明における高次ンランは−・般、■（、Ｓ ｉ ｎ
ｌ（２ｎ＋２（ここで１１は１１≧２の整数をンＪ、ず
）であられされるもので、たとえば、シソラン（Ｓ１２
１１６）、トす／ラン（ＳｉａＨａ）、テｌラゾン／（
Ｓｉ４ Ｈ＋ｏ ）、ペンタ／ラン（Ｓ １１５ ＨＩ
２） 、ヘキＨノンラノ（Ｓｉｓ Ｈ＋ ４）等である
が、取り扱いの容易さから、シソラン、トリンラノ、テ
トランランがＵ”；ｊ Ｌい。
ｌ（２ｎ＋２（ここで１１は１１≧２の整数をンＪ、ず
）であられされるもので、たとえば、シソラン（Ｓ１２
１１６）、トす／ラン（ＳｉａＨａ）、テｌラゾン／（
Ｓｉ４ Ｈ＋ｏ ）、ペンタ／ラン（Ｓ １１５ ＨＩ
２） 、ヘキＨノンラノ（Ｓｉｓ Ｈ＋ ４）等である
が、取り扱いの容易さから、シソラン、トリンラノ、テ
トランランがＵ”；ｊ Ｌい。
これらは単独でまたは混合物として使用される。
なお、高次７ランを混合物として使用するｊ混合Ｃ」１
、小（１′Ｌの七）／ジｙ （Ｓ ＋ １１．４． ）
’Ｊ Ｊ’；イ＋’ Ｌティーｃもか丑わないことは
もちろんである。しかして高次７ランの代りにモノ７ラ
ンのみを用いた場合は、前記のごとく本発明の目的を達
成できない。
、小（１′Ｌの七）／ジｙ （Ｓ ＋ １１．４． ）
’Ｊ Ｊ’；イ＋’ Ｌティーｃもか丑わないことは
もちろんである。しかして高次７ランの代りにモノ７ラ
ンのみを用いた場合は、前記のごとく本発明の目的を達
成できない。
本発明はかかる高次ンランを原料として、それ自体公知
の熱分解法により基板」二にアモルファスシリコン膜を
形成せしめるものであるが熱分解圧力は大気圧以上の圧
力下であることが必要である。大気圧以上の圧力下で分
解反応を行これに対し分解圧力が大気圧末／ニアａ （
減圧）であると膜の形成速度（生長速度）が遅いはかり
でなく、得られる膜の特性が大気圧以上で形成した場合
に比し喧伝導度をはじめとして劣るものしか（１，１ら
れない。もちろん、減月：設（＋ｉｉｊを備えなること
ができるが、２ Ｋｇ／ ａｒｔ−に以下の範囲で十分
本発明の目的を達することかできる。また、装置の取扱
い上もこの範囲が打首しい。
の熱分解法により基板」二にアモルファスシリコン膜を
形成せしめるものであるが熱分解圧力は大気圧以上の圧
力下であることが必要である。大気圧以上の圧力下で分
解反応を行これに対し分解圧力が大気圧末／ニアａ （
減圧）であると膜の形成速度（生長速度）が遅いはかり
でなく、得られる膜の特性が大気圧以上で形成した場合
に比し喧伝導度をはじめとして劣るものしか（１，１ら
れない。もちろん、減月：設（＋ｉｉｊを備えなること
ができるが、２ Ｋｇ／ ａｒｔ−に以下の範囲で十分
本発明の目的を達することかできる。また、装置の取扱
い上もこの範囲が打首しい。
本発明における熱分解温度＆、Ｉ ２５０ ’Ｃ〜６０
０℃、好ましく ＃１． ：３００〜５００ ℃の範囲
である。分ニくり、１−分な特性を得るこＪ：ができな
い。
０℃、好ましく ＃１． ：３００〜５００ ℃の範囲
である。分ニくり、１−分な特性を得るこＪ：ができな
い。
そして、−１−外な特性を得るためには水素をとり込ま
せる後処理が必要となる。寸だ、これが２５０ ℃未ｉ
ｉ！ｌ！ｉであると高次ランプの分解速度が遅くなり、
ａ−８ｉ−膜の成長速度が実用に適さないほと低くなる
。
せる後処理が必要となる。寸だ、これが２５０ ℃未ｉ
ｉ！ｌ！ｉであると高次ランプの分解速度が遅くなり、
ａ−８ｉ−膜の成長速度が実用に適さないほと低くなる
。
捷だ、５Ｈ（４を使用した場合は、大気圧以上の熱分解
においても、６ ｆ） ０ ’Ｌ： ＪＪＪ、Ｌの高温
を必要とし、使用基板の制約があ６ ｋ：Ｉ”、かりで
なくかかる温度では水素を取込むこノーができず、ａ
−８ｉ中のダングリングボンド（未結合手）を十分補償
することができない。さらに５００ ℃まで低下させた
場合は、膜の成長速度がきわめて遅くなって、実用的な
速度で膜を形成させることが欠ｆ１シくなるばかりか、
依然として水素を取込みにくく、ａ−８ｉ中の上記ダン
グリングボンドをなお十分補償することができないとい
う欠点がある。本発明の方法によれば、同ｒ！ｒＡ、同
１［−における５ｉｌｌ、の熱分解に比べ膜の成長速度
か１０〜５０倍になるばかりでな（（４ｊられる水素］ 化アモルファスシリコン膜（ａ−８Ｉ：■Ｉ）は後記実
施例に示すような優れメし特性を有するのである。
においても、６ ｆ） ０ ’Ｌ： ＪＪＪ、Ｌの高温
を必要とし、使用基板の制約があ６ ｋ：Ｉ”、かりで
なくかかる温度では水素を取込むこノーができず、ａ
−８ｉ中のダングリングボンド（未結合手）を十分補償
することができない。さらに５００ ℃まで低下させた
場合は、膜の成長速度がきわめて遅くなって、実用的な
速度で膜を形成させることが欠ｆ１シくなるばかりか、
依然として水素を取込みにくく、ａ−８ｉ中の上記ダン
グリングボンドをなお十分補償することができないとい
う欠点がある。本発明の方法によれば、同ｒ！ｒＡ、同
１［−における５ｉｌｌ、の熱分解に比べ膜の成長速度
か１０〜５０倍になるばかりでな（（４ｊられる水素］ 化アモルファスシリコン膜（ａ−８Ｉ：■Ｉ）は後記実
施例に示すような優れメし特性を有するのである。
本発明を実施するだめの装置としては、んとえば第１図
に示したようなものか使用］できる１゜１０は分解炉（
反応管）であり、：３０ ｍｍ、 ０ ＞５００ ｍ１
ｂｌ−６０ｉａ１２１ Ｘ Ｉ ＯＬＩ ０１ｎｌｎｌ
程度の石英ガラス管である。これに：管でなく角１す（
ダクト）でも」：い。反応管は外周囲にハロケアランプ
のごとき加熱器２’０を備えている。加熱器に対応する
ゞｔ＆’内の部分が分解ゾーンであり、／リコン製ザセ
プター＋３０（支ｈ’＋台）および該サセプター上に石
英ガラス、シリ−１ノ、サファイア。
に示したようなものか使用］できる１゜１０は分解炉（
反応管）であり、：３０ ｍｍ、 ０ ＞５００ ｍ１
ｂｌ−６０ｉａ１２１ Ｘ Ｉ ＯＬＩ ０１ｎｌｎｌ
程度の石英ガラス管である。これに：管でなく角１す（
ダクト）でも」：い。反応管は外周囲にハロケアランプ
のごとき加熱器２’０を備えている。加熱器に対応する
ゞｔ＆’内の部分が分解ゾーンであり、／リコン製ザセ
プター＋３０（支ｈ’＋台）および該サセプター上に石
英ガラス、シリ−１ノ、サファイア。
ＳＵＳ等の基板４０か七ソトされている。分解ゾーンの
副１度に、熱電力］４５により測定される。
副１度に、熱電力］４５により測定される。
反応管の一端部は原１ガスの供給部５０であり、高次ン
ランカス６０およびキャリアガス７０配管部に結合され
ている。６１．７１けバルブであり、６３．７３はガス
流１６計である。
ランカス６０およびキャリアガス７０配管部に結合され
ている。６１．７１けバルブであり、６３．７３はガス
流１６計である。
首だ、反応管の他端部は排出ガスの出ｔ−１肖ｊＩ ｓ
。
。
である。
なお、力１１熱器は、ランプ加熱式でなく、反応管全体
を加熱する抵抗加熱式でもか１わない。
を加熱する抵抗加熱式でもか１わない。
次に分解操作について説明するに１分解炉を分解温度以
上に昇温し、窒素ガスを流し７ながらヘーギンク操作を
行った後、分解譚１度〕１で降温し３００〜６００℃で
温度安定１じさぜる３、シかる後、高次７ラン１００％
のもの、−］／こけ、 ０．１〜２０係程度に窒素、ヘ
リウム、−ノ′ルコ／、水素等の不活性ガスで希釈し／
、−、ものを、そのまま、捷だは、上記不活性ガスのキ
ャリヤーガスと共に、３００〜６００℃の分解温度に七
ノドしだ分解炉に供給し、高次ンランカスの熱分解を行
い基板上にａ−８ｉ：Ｈ膜を堆積せしめる。
上に昇温し、窒素ガスを流し７ながらヘーギンク操作を
行った後、分解譚１度〕１で降温し３００〜６００℃で
温度安定１じさぜる３、シかる後、高次７ラン１００％
のもの、−］／こけ、 ０．１〜２０係程度に窒素、ヘ
リウム、−ノ′ルコ／、水素等の不活性ガスで希釈し／
、−、ものを、そのまま、捷だは、上記不活性ガスのキ
ャリヤーガスと共に、３００〜６００℃の分解温度に七
ノドしだ分解炉に供給し、高次ンランカスの熱分解を行
い基板上にａ−８ｉ：Ｈ膜を堆積せしめる。
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
以下の実施例において得られたａ −Ｓ ｉ ： Ｈ膜
は次のごとくして分析ないし評価した。
は次のごとくして分析ないし評価した。
（１） 喧伝導度
測定に先立って破測定ａ−８ｉ：ＩＩ膜上６′こゲート
電極を真空蒸着によってイτ１け、オーミック特性をと
った。電圧−電流特性は光を遮断し、日本分光■製回析
格子分光器ＣＴ−５０により測定した。
電極を真空蒸着によってイτ１け、オーミック特性をと
った。電圧−電流特性は光を遮断し、日本分光■製回析
格子分光器ＣＴ−５０により測定した。
（２）水素含有量及び赤外吸収
赤外吸収係数の積分強度により求めた。
使用した赤外分尤滞ｋｉ ＩＥ１木分尤■１１２Ｆ１２
型である。
型である。
同時に赤外吸収スペクトルからＳ ｉ −Ｈ及びＳｉ
Ｎ２の伸縮振動の赤外吸収を求めた。
Ｎ２の伸縮振動の赤外吸収を求めた。
（３）耐熱性
第１図に示しだ装置を使つ−Ｃａ−８ｉ ：Ｈ膜をＮ２
．ＩＩ２等のキャリアガスを流しながら１時間熱アニー
ルし水素のｊη［１脱）（１か元の水素含有はの１０％
を越える？！ｌｌ’１度で表示する。
．ＩＩ２等のキャリアガスを流しながら１時間熱アニー
ルし水素のｊη［１脱）（１か元の水素含有はの１０％
を越える？！ｌｌ’１度で表示する。
（４）膜１ｊ、Ｉみ
膜ノ“−ノみに応じて、重１１１−法、表１１１”ｌｉ
荒さ計による方法、透過率による干渉から求める方法を
併用して求めた。
荒さ計による方法、透過率による干渉から求める方法を
併用して求めた。
実施例１
実験装置として第１図にしめし、た装置を使用した（反
応管： ５０ ＡＩＩＬのＸ ｌ Ｏ，（１０ｒｔｖｎ
ｌ ）。
応管： ５０ ＡＩＩＬのＸ ｌ Ｏ，（１０ｒｔｖｎ
ｌ ）。
Ｎ２カスで希釈した１％のＳ１□１−１６を含む原料ガ
スを１０００ ｃｃ／ｍｉｎの流速で、Ｎ２をキャリヤ
ガスとして用い圧力１− ＯＮ９ ／’ Ｃｒｔ’ｔ−
Ｇで分解Ｐに流し３０分ＣＶＤ操作を行った。熱分解温
度第１表 （実施例） 比較例１ 圧力を５０Ｔｏｒｒの減圧で行った以外は実施１り］１
１と同様の実験を行った。結果を第２表に／］モした。
スを１０００ ｃｃ／ｍｉｎの流速で、Ｎ２をキャリヤ
ガスとして用い圧力１− ＯＮ９ ／’ Ｃｒｔ’ｔ−
Ｇで分解Ｐに流し３０分ＣＶＤ操作を行った。熱分解温
度第１表 （実施例） 比較例１ 圧力を５０Ｔｏｒｒの減圧で行った以外は実施１り］１
１と同様の実験を行った。結果を第２表に／］モした。
第２表 （比較例）
比較例２
原料ガスとしてＮ２で希釈した１係のＳｉＨ４を含むガ
スを使用した以外は実施例１と同様な実験を行った（但
し、熱分解温度は５００℃を下回ると膜の成長速度が極
めて小さく実用的範囲で得られない為、５００〜６５０
℃の範囲とした）。
スを使用した以外は実施例１と同様な実験を行った（但
し、熱分解温度は５００℃を下回ると膜の成長速度が極
めて小さく実用的範囲で得られない為、５００〜６５０
℃の範囲とした）。
結果を第：う表にンＪ（シた。
第３表 （比較例）
＊−１ａ−８ｉ膜を作成後：３００℃で水素フラズマア
ニール処理を行なった膜についての結果である。
ニール処理を行なった膜についての結果である。
以上実施例より明らかなように、本発明の方法により得
られる水素化アモルファス７リコ／（ａ−８ｉ：ＩＩ）
膜は次のごとき優Ｉシた特性をイＪすることがわかる３
、 したがって、電子写真用感光体Ｊ二してＩＬ′譜に適し
たものである。場合によ一：）−Ｃは１３，０等を添加
することによって史１１（高抵ト′１．の膜を得ること
もできる。
られる水素化アモルファス７リコ／（ａ−８ｉ：ＩＩ）
膜は次のごとき優Ｉシた特性をイＪすることがわかる３
、 したがって、電子写真用感光体Ｊ二してＩＬ′譜に適し
たものである。場合によ一：）−Ｃは１３，０等を添加
することによって史１１（高抵ト′１．の膜を得ること
もできる。
（２）水素含有量が５〜１０原ｒ％と多い；したかつて
、ａ−８ｌ中のダンクリ／り７＋（ンド（未結合手）は
十分１山伯、憲Ｊｔているということができる。なおこ
のことはＥＳＲによって確認した、すなわち、本発明の
方法によれば、水素後処理をする必要なしに、熱分解の
みの一段プロセスでかかるすぐれたａ−８ｉ：Ｈ膜がイ
畳られるのである。
、ａ−８ｌ中のダンクリ／り７＋（ンド（未結合手）は
十分１山伯、憲Ｊｔているということができる。なおこ
のことはＥＳＲによって確認した、すなわち、本発明の
方法によれば、水素後処理をする必要なしに、熱分解の
みの一段プロセスでかかるすぐれたａ−８ｉ：Ｈ膜がイ
畳られるのである。
（：３） ＋ｆｉｉｌ−ノ（性か高い；すなわち、４
００℃アニー、１しにおける離脱水素置か１０裂以下で
ある３−万Ｑこ、場合によっては、５００℃を越えるア
ニ・−ルによっても耐熱性を有することが表−１カ・ら
［力ら力・である。
００℃アニー、１しにおける離脱水素置か１０裂以下で
ある３−万Ｑこ、場合によっては、５００℃を越えるア
ニ・−ルによっても耐熱性を有することが表−１カ・ら
［力ら力・である。
通常の、グロー放電等により形成したａ−３ｉ：Ｊ−Ｉ
膜はアニールすると３００℃イ二１近より膜中の水素の
離脱が始まり、４００℃刊近まで昇温するとは＼完全に
水素が離脱する。これに対し本発明により形成した膜ｄ
１．４００℃月近においても水素の離脱量はわずかであ
り、きわめて優れた耐熱性を有していることが明らかで
ある。
膜はアニールすると３００℃イ二１近より膜中の水素の
離脱が始まり、４００℃刊近まで昇温するとは＼完全に
水素が離脱する。これに対し本発明により形成した膜ｄ
１．４００℃月近においても水素の離脱量はわずかであ
り、きわめて優れた耐熱性を有していることが明らかで
ある。
（４）赤外吸収において１９６０〜２０００ Ｃ７ｎ□
Ｉ伺近に５ｉ−Ｈ伸縮振動の赤外吸収をもち、２１００
ｏ＋＋ ’（Ｊ近のＳｉ −Ｎ２伸縮振動の赤外吸収は
見られない； すなわち、電気特性と５ｉ−ＨｌＳｉ−１１２伸縮振動
の赤外吸収との関係Ｃ」１．８ ｉ −ＩＩ２のそれが
少なくなるほど電気特性が良くなるとされているが、本
発明により得ら）Ｉた膜は５ｉ−Ｎ２のそれを全く含ま
ないといつ打首しい４馬徴をもつのである。
Ｉ伺近に５ｉ−Ｈ伸縮振動の赤外吸収をもち、２１００
ｏ＋＋ ’（Ｊ近のＳｉ −Ｎ２伸縮振動の赤外吸収は
見られない； すなわち、電気特性と５ｉ−ＨｌＳｉ−１１２伸縮振動
の赤外吸収との関係Ｃ」１．８ ｉ −ＩＩ２のそれが
少なくなるほど電気特性が良くなるとされているが、本
発明により得ら）Ｉた膜は５ｉ−Ｎ２のそれを全く含ま
ないといつ打首しい４馬徴をもつのである。
第１図は本発明を実施するだめの装置の説明図である。
Claims (1)
- 】 一般式５ｉｎｌＩ２ｎ＋２ （ここで口１ｔ、ｌ：
ｎ≧２の整数を示す）であられされる高次ノランガス
を大気圧以上の圧力下で熱分解し基板上に堆積せしめる
ことを特徴とする水素化アモルファスノリコン膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164990A JPS5955441A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 水素化アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164990A JPS5955441A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 水素化アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5955441A true JPS5955441A (ja) | 1984-03-30 |
| JPH0462073B2 JPH0462073B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=15803739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57164990A Granted JPS5955441A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 水素化アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5955441A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS633463A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-08 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| US5951774A (en) * | 1995-01-27 | 1999-09-14 | Nec Corporation | Cold-wall operated vapor-phase growth system |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP57164990A patent/JPS5955441A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS633463A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-08 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| US5951774A (en) * | 1995-01-27 | 1999-09-14 | Nec Corporation | Cold-wall operated vapor-phase growth system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0462073B2 (ja) | 1992-10-05 |
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