JPS5960368A - 電圧比較回路 - Google Patents
電圧比較回路Info
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- JPS5960368A JPS5960368A JP57171941A JP17194182A JPS5960368A JP S5960368 A JPS5960368 A JP S5960368A JP 57171941 A JP57171941 A JP 57171941A JP 17194182 A JP17194182 A JP 17194182A JP S5960368 A JPS5960368 A JP S5960368A
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- JP
- Japan
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- voltage
- circuit
- transistor
- base
- differential amplifier
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
- G01R19/16533—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application
- G01R19/16538—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application in AC or DC supplies
- G01R19/16542—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application in AC or DC supplies for batteries
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- Tests Of Electric Status Of Batteries (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Stand-By Power Supply Arrangements (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不明本発明非常灯の制御回路、更に詳しくは、非常灯電
源として用いられている蓄電池の電圧状態を監祝し、吾
屯池が異常状態になったとき警報を発する電圧監視回路
に用いる制御回路に関するものである。
源として用いられている蓄電池の電圧状態を監祝し、吾
屯池が異常状態になったとき警報を発する電圧監視回路
に用いる制御回路に関するものである。
非常灯は、通常は商用電源で点灯し、停電時に自動的に
内蔵の蓄%、池に切換えて非常点灯するものである。通
猟点灯時、非常時とも同一ランプを点灯する方式をとる
ので、ランプ等比較的短寿命の部品は通常時の点灯状態
を・見るだけで容易に寿酷の判断ができ、直ちに又挨で
きるが、内蔵蓄電池(11u當、ニツ′Jル、カドミウ
ム蓄電池を用いることが多い)は放電させてみない限り
、規定時間非常点灯できる’?t’J ’tiiがある
かどうかは容易に判別ができない。このために、蓄電池
の容拓、をff1j単に検出し、低下時に11−報表示
できるように蓄電池電圧監視回路が開発され、バッテリ
七ニ夕という名で知られている。
内蔵の蓄%、池に切換えて非常点灯するものである。通
猟点灯時、非常時とも同一ランプを点灯する方式をとる
ので、ランプ等比較的短寿命の部品は通常時の点灯状態
を・見るだけで容易に寿酷の判断ができ、直ちに又挨で
きるが、内蔵蓄電池(11u當、ニツ′Jル、カドミウ
ム蓄電池を用いることが多い)は放電させてみない限り
、規定時間非常点灯できる’?t’J ’tiiがある
かどうかは容易に判別ができない。このために、蓄電池
の容拓、をff1j単に検出し、低下時に11−報表示
できるように蓄電池電圧監視回路が開発され、バッテリ
七ニ夕という名で知られている。
非常点灯基準として、冗全充電後規定時間以上有効点灯
し、却、定の明るさを維持しなけれはならない吉勘定さ
れている冗全充電後の蓄ηL池の放電充亀酌゛性を第1
図に示す。蓄電池が正常なときは、Aのようになり規定
同量1において規定′i1【用具上である。規定電圧は
1セル当り約0.9■であるので、6セルで5.4Vと
なる。一方、不良又は寿命末期の蓄電池はBのような放
Pr%4:特性を描き、規定時開′rにおいて電圧が規
定′i1.圧以下あるいは殆んど零に達してしまう。一
方、充電時の特性は、不良又は寿命末期の蓄電池であっ
ても、電池内部短絡などの場合を除いて71i圧はほぼ
正常の蓄電池と同朽度の電圧(通′帛、約1.6V/セ
ルであるので6tルで?’Lt 9.6 V )まで回
復する。よって、一定時間非常点灯した後の蓄電池電圧
を監視し、規定電圧以下であれは何らかの打報を発する
ための蓄′亀池監視装置が開発されたわけである。例え
ば、6tルのときは52〜5.4V以下で警報を出す装
置となる。又、蓄電池の充放電特性より不良又は寿命末
期の蓄電池であっても、充電時に電圧だけは回復するこ
とから、電圧が上っても検出状態を維持する、いわゆる
ヒステリシ2 %性を有する回路方式としてシュ三ット
回路を用いることがあった第2図は従来の上述のような
蓄電池電圧す;I視装置に用いるtlill衛1回路で
、この回路は抵抗R7、■く。、R3によってしステリ
シスが決定され、その値は、で示される。」一式で示さ
れる」:うに、このスレシホールF′電圧には]・ラン
ジスタのVBEが含まtlており、温度が変化するとこ
の′[1L圧値が変化する。
し、却、定の明るさを維持しなけれはならない吉勘定さ
れている冗全充電後の蓄ηL池の放電充亀酌゛性を第1
図に示す。蓄電池が正常なときは、Aのようになり規定
同量1において規定′i1【用具上である。規定電圧は
1セル当り約0.9■であるので、6セルで5.4Vと
なる。一方、不良又は寿命末期の蓄電池はBのような放
Pr%4:特性を描き、規定時開′rにおいて電圧が規
定′i1.圧以下あるいは殆んど零に達してしまう。一
方、充電時の特性は、不良又は寿命末期の蓄電池であっ
ても、電池内部短絡などの場合を除いて71i圧はほぼ
正常の蓄電池と同朽度の電圧(通′帛、約1.6V/セ
ルであるので6tルで?’Lt 9.6 V )まで回
復する。よって、一定時間非常点灯した後の蓄電池電圧
を監視し、規定電圧以下であれは何らかの打報を発する
ための蓄′亀池監視装置が開発されたわけである。例え
ば、6tルのときは52〜5.4V以下で警報を出す装
置となる。又、蓄電池の充放電特性より不良又は寿命末
期の蓄電池であっても、充電時に電圧だけは回復するこ
とから、電圧が上っても検出状態を維持する、いわゆる
ヒステリシ2 %性を有する回路方式としてシュ三ット
回路を用いることがあった第2図は従来の上述のような
蓄電池電圧す;I視装置に用いるtlill衛1回路で
、この回路は抵抗R7、■く。、R3によってしステリ
シスが決定され、その値は、で示される。」一式で示さ
れる」:うに、このスレシホールF′電圧には]・ラン
ジスタのVBEが含まtlており、温度が変化するとこ
の′[1L圧値が変化する。
VBEの温度係数は約−2m v / ’Oであり、5
0′Cの変化で0.1■変化して好ましくない。丈に、
従来の非常灯のff1lJ御回路は、小型化のためにチ
ップ部品を用いて高密度実装を行なっているが、チップ
部品は本来ディスクリートであり、個々の部品ばらつき
を考l・λI、した設計がなされているが、部品のラン
ク分は等コストアップの要因が多く、かつチップ実装を
行なってもある程ハぢ以下の容積にならず、器、g l
li込みのとき器具の大きさに制約があるという欠点を
・有していた。
0′Cの変化で0.1■変化して好ましくない。丈に、
従来の非常灯のff1lJ御回路は、小型化のためにチ
ップ部品を用いて高密度実装を行なっているが、チップ
部品は本来ディスクリートであり、個々の部品ばらつき
を考l・λI、した設計がなされているが、部品のラン
ク分は等コストアップの要因が多く、かつチップ実装を
行なってもある程ハぢ以下の容積にならず、器、g l
li込みのとき器具の大きさに制約があるという欠点を
・有していた。
本発明はかかる点にNみてなされたもので、その目的と
するLころは、温度IFヶ性を改善し、1チツ″jIC
化できるようにして小型高密度実装を可能にし、大+1
3なコストダウン全はかることにあり、他の目的とする
七ころは、鋭俊な切換特性を得ることにあり、丈に他の
目的とするところは、lチップIC化を一層容易にする
ことにある。以下実施例により本発明の詳細な説明する
。
するLころは、温度IFヶ性を改善し、1チツ″jIC
化できるようにして小型高密度実装を可能にし、大+1
3なコストダウン全はかることにあり、他の目的とする
七ころは、鋭俊な切換特性を得ることにあり、丈に他の
目的とするところは、lチップIC化を一層容易にする
ことにある。以下実施例により本発明の詳細な説明する
。
第8図において、(1)は差動増巾器で、トランジスタ
Q1、Q2、抵抗R1、R2、R3により形成されるも
のである。f2) /rJ: システリシス回路で、ト
ランジスタQ、I抵抗R,,1<6で形成され、(3)
は出方回路で、トランジスタQ4%抵抗R2、R8で形
成する。
Q1、Q2、抵抗R1、R2、R3により形成されるも
のである。f2) /rJ: システリシス回路で、ト
ランジスタQ、I抵抗R,,1<6で形成され、(3)
は出方回路で、トランジスタQ4%抵抗R2、R8で形
成する。
今、差動増巾器+1)の一方のトランジスタ。2のベー
スに基準電圧VRefを印加し、他方のトランジスタQ
1のベース(ては比較すべき電圧VINを抵抗R,、■
<6で分圧されブこ電圧が印加される。もし、トランジ
スタQ1のベース荀、位がQ2のベース〜5位より低い
ときは、Q2がオンするため1〜ランジスタ(4がオシ
し、抵抗R7、R8に′川流が流れる。よって抵抗R8
に1L圧が発生し、トう、7ジスタ暗が1ンし、抵抗R
。
スに基準電圧VRefを印加し、他方のトランジスタQ
1のベース(ては比較すべき電圧VINを抵抗R,、■
<6で分圧されブこ電圧が印加される。もし、トランジ
スタQ1のベース荀、位がQ2のベース〜5位より低い
ときは、Q2がオンするため1〜ランジスタ(4がオシ
し、抵抗R7、R8に′川流が流れる。よって抵抗R8
に1L圧が発生し、トう、7ジスタ暗が1ンし、抵抗R
。
が抵抗R6と並列に入ることになり、合成抵抗はI(6
単体より下がる。よってトランジスタリ、のベースに加
わる電圧はIく。単体のときより士がることになる0そ
こで・ トランジスタQIのベース11.、圧がQ2の
ペース′電圧より上昇し、差」−ψ」シー7 +lj器
+1)が反転すると、l−ランジスタQ、がオフし、(
43のベースが接地されるためオフとなり、抵抗R,が
I<6より切り離されてトランジスタQ1のベース↑)
]、圧は同じ入力電圧VINに対して抵抗P、が入って
いたときより」−昇する。しかして、入力電圧VINが
下降してくると入力11i、LfVxNが上昇のときよ
りも低い…7圧にならな・)と走動増1↑J器(+)が
反転しない。これをクラフ化すると第4図のようになり
、第4図において、低い方の電圧を表示素子オン電圧(
5,2v)、高い方のtlf If を表示素子オフ電
圧(9,6■)とすれば、II′i、圧監視回路がtj
4成できる。
単体より下がる。よってトランジスタリ、のベースに加
わる電圧はIく。単体のときより士がることになる0そ
こで・ トランジスタQIのベース11.、圧がQ2の
ペース′電圧より上昇し、差」−ψ」シー7 +lj器
+1)が反転すると、l−ランジスタQ、がオフし、(
43のベースが接地されるためオフとなり、抵抗R,が
I<6より切り離されてトランジスタQ1のベース↑)
]、圧は同じ入力電圧VINに対して抵抗P、が入って
いたときより」−昇する。しかして、入力電圧VINが
下降してくると入力11i、LfVxNが上昇のときよ
りも低い…7圧にならな・)と走動増1↑J器(+)が
反転しない。これをクラフ化すると第4図のようになり
、第4図において、低い方の電圧を表示素子オン電圧(
5,2v)、高い方のtlf If を表示素子オフ電
圧(9,6■)とすれば、II′i、圧監視回路がtj
4成できる。
磐58図の回路で以下の定数でシ三ニレ−ジョンを行な
った。
った。
R+ ” R,−二 2K Ω 、 Rs ”
I K Ω 、 R,=8K Ω 、 I<5
−10K Ω 、 R,:3K Ω 、 R,=+
<、=5K Ω 、 (J+ ” CJ2 ”
Q、=E11、Q、=E28A その結果は第5図のようになり、切換りのときの変化が
鈍い。即ち、2つのスレシホールド電圧での回路の反応
が遅いため、例えは、入力電圧VINが徐々に下がり、
5.8■より5.OVにかけて回路が徐々に反転してい
る。このような状態では、電圧が5.4V程度では回路
の状態が不安定となり、好祉しくない。よって、この切
換りをシセーづにする工夫が必要である。この切換りの
悪い現象は、トランジスタCJ3がオフよりオン′\の
切換りの悪さより起り、その原因は、抵抗R,,R2が
小さく、トランジスタQ4のオン、オフ特性の悪化、ふ
・よひトランジスタ92.のベース電流が小さく、コレ
クタ電流が充分流れないため、オン、オフ特性の悪化等
が挙けられる。
I K Ω 、 R,=8K Ω 、 I<5
−10K Ω 、 R,:3K Ω 、 R,=+
<、=5K Ω 、 (J+ ” CJ2 ”
Q、=E11、Q、=E28A その結果は第5図のようになり、切換りのときの変化が
鈍い。即ち、2つのスレシホールド電圧での回路の反応
が遅いため、例えは、入力電圧VINが徐々に下がり、
5.8■より5.OVにかけて回路が徐々に反転してい
る。このような状態では、電圧が5.4V程度では回路
の状態が不安定となり、好祉しくない。よって、この切
換りをシセーづにする工夫が必要である。この切換りの
悪い現象は、トランジスタCJ3がオフよりオン′\の
切換りの悪さより起り、その原因は、抵抗R,,R2が
小さく、トランジスタQ4のオン、オフ特性の悪化、ふ
・よひトランジスタ92.のベース電流が小さく、コレ
クタ電流が充分流れないため、オン、オフ特性の悪化等
が挙けられる。
第6図は本発1ル」の他の実施例で、第3図の実施例に
おける上述のような問題点を力・を決するものであり、
トランジスタQ5、Q6で能動負荷を構成して差!lI
b増巾器(1)の負荷とし、しステリシス回路(2)を
トランジスタ嗜と抵抗1<、の並列回路で構成している
。したがって、トランジスタQ、のオンにより抵抗に4
全短絡したとき、トランジスタQ1のペース電比VBは lく。
おける上述のような問題点を力・を決するものであり、
トランジスタQ5、Q6で能動負荷を構成して差!lI
b増巾器(1)の負荷とし、しステリシス回路(2)を
トランジスタ嗜と抵抗1<、の並列回路で構成している
。したがって、トランジスタQ、のオンにより抵抗に4
全短絡したとき、トランジスタQ1のペース電比VBは lく。
Vn ξ−−−□ ・ VIN
Rs +r<。
となり、トランジスタQ3がオフで抵抗1<、が挿入さ
れたときは、 R4+ R5+RR となる。−力、このトランジスタ轄のオン、オフを1l
il]御できる信号は、出力回路(3)であり差動増r
9器(1)において、トランジスタQ2がオン、即ち、
VRef)V Bのとき、トランジスタQ4がオンし、
トランジスタQ7がオンすることによってトランジスタ
(、J3がオシとなる。1〜ランジスタQ7を抵抗にし
ないのは、トランジスタQ3のVBEの温反特性全考慮
したためで、このように構成することによりトランジス
タQ3のVBEの温度係数を打ち消すことができる。
れたときは、 R4+ R5+RR となる。−力、このトランジスタ轄のオン、オフを1l
il]御できる信号は、出力回路(3)であり差動増r
9器(1)において、トランジスタQ2がオン、即ち、
VRef)V Bのとき、トランジスタQ4がオンし、
トランジスタQ7がオンすることによってトランジスタ
(、J3がオシとなる。1〜ランジスタQ7を抵抗にし
ないのは、トランジスタQ3のVBEの温反特性全考慮
したためで、このように構成することによりトランジス
タQ3のVBEの温度係数を打ち消すことができる。
しステリシス特性は、l・ランジスタQ、が1ンのとき
の1−ランジスタCI!+のベース市、圧がトランジス
タQ3がオフのときより低いため、入力電圧VINが上
昇するときのトランジスタQIのベース電圧が入力電圧
VINが下降するときより高くなるように抵抗1〈4、
R5、R6をJx択することによって得られる。
の1−ランジスタCI!+のベース市、圧がトランジス
タQ3がオフのときより低いため、入力電圧VINが上
昇するときのトランジスタQIのベース電圧が入力電圧
VINが下降するときより高くなるように抵抗1〈4、
R5、R6をJx択することによって得られる。
第6図の回路で以下の定数でシ三ニレ−ジョンを行なっ
た。
た。
R* = I K Ω 、 R1= 8にΩ、
Ra ” 18 K Ω 、 R,= 2.4にΩ
、R,=5にΩ、QI” Qz = (J7 = E
11、QI = Qs = Q6=E28A、Q3=E
12 その結果は第7図のように、シ12−プな遷移特性(±
0.1v以内)を示す結果が得られた。又、スレシホー
ル+f:電圧も52■(下限)、9.6V(上限)が得
られている。しかるに、この第6図の実施例に心っても
着士の問題点があることが判った。
Ra ” 18 K Ω 、 R,= 2.4にΩ
、R,=5にΩ、QI” Qz = (J7 = E
11、QI = Qs = Q6=E28A、Q3=E
12 その結果は第7図のように、シ12−プな遷移特性(±
0.1v以内)を示す結果が得られた。又、スレシホー
ル+f:電圧も52■(下限)、9.6V(上限)が得
られている。しかるに、この第6図の実施例に心っても
着士の問題点があることが判った。
それは、抵抗l<4をバイパスするl・ランジスタQ3
の鋤きは、トランジスタQ3とQIがバレントミラーを
形成していることにより、1〜ラシジスタQ7に流れ込
んだ電6【1分だけトランジスタQ1のコレクタに電流
を引き込むことにより、抵抗R5,1く。に流れてきた
電流全トランジスタQ3の力へ引き込んで、抵抗R4を
バイパスさぜるという思想に基づいている。
の鋤きは、トランジスタQ3とQIがバレントミラーを
形成していることにより、1〜ラシジスタQ7に流れ込
んだ電6【1分だけトランジスタQ1のコレクタに電流
を引き込むことにより、抵抗R5,1く。に流れてきた
電流全トランジスタQ3の力へ引き込んで、抵抗R4を
バイパスさぜるという思想に基づいている。
しかし、この回路をIC化した場合、つぎのような問題
点がある。即ち、PNPトランジスタQ4は、通常のI
Cプ01!スにおいてはラテラルPNPトランジスタで
あり、コレクタ1()7流に対するhFE特性は、コレ
クタ電流の増加とともに急激にhpaが減少するという
問題がある。もちろん、パーティカルP N P l−
ランジスタをL目いることができるプロセスもあるが、
処理回数が増加するためプロ七スが複頼、になりコスト
高となる。又、ラテラルP N P I−ランジスタを
複数個用いてIAEすことのできる〕レクタ亀流を増加
させるという考え方もあるが、もともとPNPI−ラン
ジスタよりIIFEが小さいため、ベース電流が増加し
、ひいては能動負荷Q6に員担をかけることになり、回
路動作上不安定となる。又、P N P l−ランジス
タ開積を大きくすることは、ひいてはチップ面積の増大
にもつながり、好ましくない。
点がある。即ち、PNPトランジスタQ4は、通常のI
Cプ01!スにおいてはラテラルPNPトランジスタで
あり、コレクタ1()7流に対するhFE特性は、コレ
クタ電流の増加とともに急激にhpaが減少するという
問題がある。もちろん、パーティカルP N P l−
ランジスタをL目いることができるプロセスもあるが、
処理回数が増加するためプロ七スが複頼、になりコスト
高となる。又、ラテラルP N P I−ランジスタを
複数個用いてIAEすことのできる〕レクタ亀流を増加
させるという考え方もあるが、もともとPNPI−ラン
ジスタよりIIFEが小さいため、ベース電流が増加し
、ひいては能動負荷Q6に員担をかけることになり、回
路動作上不安定となる。又、P N P l−ランジス
タ開積を大きくすることは、ひいてはチップ面積の増大
にもつながり、好ましくない。
り58図は本発明の丈に他の実施例で、第6図に示す実
施例の」―述の問題点を解消するもので、PNP)ラン
ジスタQs、Q、lで能動負荷を構成し、差動増巾器(
3)の負荷とする。トランジスタQ、のベースには、入
力電圧VINを抵抗夏り1、R,、R6で分圧し、抵抗
R6とR,の叉点の電圧を供給する。トランジスタQ2
のベースにに、基準電圧Vii6fを入力する。トラン
ジスタQ2とQ6のコレクタ同志の接続点よりトランジ
スタQ4により出力をとり出し、トランジスタQ8の1
三ツタフォロワにて出力をとり出す。トランジスタロ3
ハしステリシス回路(2)を形成するトランジスタで、
出力がI]レベルのとき抵抗R,を短絡する。トランジ
スタQ2はトランジスタQ3のベース、1三ツタ間の温
度係数を相殺するだめのものである。−ここで、基準電
圧■Refには安定化電源金利用する。温度、入力電圧
に安定な安定化電源回路が数多く公知であるので、これ
を利用する。
施例の」―述の問題点を解消するもので、PNP)ラン
ジスタQs、Q、lで能動負荷を構成し、差動増巾器(
3)の負荷とする。トランジスタQ、のベースには、入
力電圧VINを抵抗夏り1、R,、R6で分圧し、抵抗
R6とR,の叉点の電圧を供給する。トランジスタQ2
のベースにに、基準電圧Vii6fを入力する。トラン
ジスタQ2とQ6のコレクタ同志の接続点よりトランジ
スタQ4により出力をとり出し、トランジスタQ8の1
三ツタフォロワにて出力をとり出す。トランジスタロ3
ハしステリシス回路(2)を形成するトランジスタで、
出力がI]レベルのとき抵抗R,を短絡する。トランジ
スタQ2はトランジスタQ3のベース、1三ツタ間の温
度係数を相殺するだめのものである。−ここで、基準電
圧■Refには安定化電源金利用する。温度、入力電圧
に安定な安定化電源回路が数多く公知であるので、これ
を利用する。
今、トラ、7ジスタQlのベース電圧かトランジスタQ
2のベース′r:、圧より低いときは、トランジスタQ
+オフ、Q2オシのため、トランジスタQ、がオンし、
トラ、、/ジメタ08がオンで、トランジスタQ3がオ
ンとなり、抵抗1<4はトランジスタ(J3によってバ
イパスされる。したがってトう、1./ジスタ賄が反転
するベース電圧VBHは、トランジスタQ3のVca(
sat)を無視すると、 で示される。−たん反転すると、l・ランジスタQ3が
オフとなり、抵抗1く。が回路に挿入されるため反転電
圧VBt、は、 となる。この実施例によるとトラ、、7ジスタ(、J4
の出力はトランジスタ匂、により1段バ・ンファされ、
出力もトランジスタQ8のエミッタフォロワでトリ川さ
れるため、第6図の実施例による問題点がなく、良好に
動作し得る。動作例として、 R,=3K Ω 、 R,=18にΩ 、 R6=
2゜4にΩ 、 Vuef=1.2V を用いたときのVBH% VBLを実験的に求めたとこ
ろ、 VBH= 9.7 V (計算値10.2V)Vnt、
= 5.2 V (fJ士算 値 5.2V)と
なった。
2のベース′r:、圧より低いときは、トランジスタQ
+オフ、Q2オシのため、トランジスタQ、がオンし、
トラ、、/ジメタ08がオンで、トランジスタQ3がオ
ンとなり、抵抗1<4はトランジスタ(J3によってバ
イパスされる。したがってトう、1./ジスタ賄が反転
するベース電圧VBHは、トランジスタQ3のVca(
sat)を無視すると、 で示される。−たん反転すると、l・ランジスタQ3が
オフとなり、抵抗1く。が回路に挿入されるため反転電
圧VBt、は、 となる。この実施例によるとトラ、、7ジスタ(、J4
の出力はトランジスタ匂、により1段バ・ンファされ、
出力もトランジスタQ8のエミッタフォロワでトリ川さ
れるため、第6図の実施例による問題点がなく、良好に
動作し得る。動作例として、 R,=3K Ω 、 R,=18にΩ 、 R6=
2゜4にΩ 、 Vuef=1.2V を用いたときのVBH% VBLを実験的に求めたとこ
ろ、 VBH= 9.7 V (計算値10.2V)Vnt、
= 5.2 V (fJ士算 値 5.2V)と
なった。
叙上のように本発明は、2個のトランジスタで形成した
差動増[1]器の一方の入力に基1s電圧を印加し、他
方の入力に非常灯の蓄電池より得た比較すべき電圧を抵
抗で分圧して印加し、前記差動増巾器の基準電圧を印加
したトランジスタのコレクタ全出力回路に接続し、前記
差動増巾器の他方の入力回路に接続したしステリシス回
路の入力に1「1記出力回路を接続したから、温度特性
を教官できる上、1チツプIC化が可能で、小型高密度
実装ができて大巾なコストタウンができ、又、差動増r
iJ器に能動負荷を接続し、しステリシス回路をトラン
ジスタにより分圧抵抗を短絡するl111<シたから1
、鋭俊な切ルさ特性を復ることができて安定に動作でき
、丈に又、出力1[4i路に1三・ンタフツロワ回路を
接続しだから、■チップIC化を一層容易にできるとい
う効果全奏するものである0
差動増[1]器の一方の入力に基1s電圧を印加し、他
方の入力に非常灯の蓄電池より得た比較すべき電圧を抵
抗で分圧して印加し、前記差動増巾器の基準電圧を印加
したトランジスタのコレクタ全出力回路に接続し、前記
差動増巾器の他方の入力回路に接続したしステリシス回
路の入力に1「1記出力回路を接続したから、温度特性
を教官できる上、1チツプIC化が可能で、小型高密度
実装ができて大巾なコストタウンができ、又、差動増r
iJ器に能動負荷を接続し、しステリシス回路をトラン
ジスタにより分圧抵抗を短絡するl111<シたから1
、鋭俊な切ルさ特性を復ることができて安定に動作でき
、丈に又、出力1[4i路に1三・ンタフツロワ回路を
接続しだから、■チップIC化を一層容易にできるとい
う効果全奏するものである0
【図面の簡単な説明】
ガ51図Q」非′帛灯に便用する砥111.池の充放電
特性図、第2図は従来の非常幻のNiす御回路の回路図
。 第3図は本発明の一実M11例の回路1ス1、第4図は
同」−の特4を図、第5図は同上の去1、倹結果による
特性図、第(1図は不発す」の他の去於1例の回路図、
第7図は同」−の実験結果による!tT性図、第8図は
不発り]の丈に他の実施例の回路図である。 fl+−差励増+lJ器、(2)・しステリシス回路、
(3)・・・出力回路、Q3、Q2、Q、・・・トラン
ジスタ、R6、r<、・・・分圧抵抗、Vnef・・・
基準電圧、VIN・・・入力′!J、圧、す5、Q6・
・・能虫υi’L ’mとしてのトランジスタs Qs
・・・エミッタフォロワを形成するトランジスタ。 代理人 弁理士 石 LIJ 長 七ll 図 t!に3図 慎4図 Q3オフ Q3オン雄5[4 第6図 @57図 5.2V 9.6V V
IN手続補正書(自宅) 昭和58年4 月411 特許庁長官殿 1、事件の表示 +1U和57 ?4ffrl’dffi 171941
Q2、発 リj の名称 非常灯の利御回路 3、補i、lEをする者 事件との関係 特許出願人 住 所 人販府門真市大字門真1048番地名 M
i (583)松下電工株式会社代表者小 林 郁 4、代理人 郵便番号 530 5、補正命令の日付 自 発 7、補正の対象 別紙の通り 訂 IE 書 願身番号 特願昭57−171941す1、末頼1
.l’]細市第凸貝2行目の「期定」を1規定」と削I
E致します。 2、同上第7頁7行目の全文を削除し、以下の丈を挿入
致します。 「Qs(小イnり用NPN)5−/、;ス5)、Q4(
小(ffi ”J用PNPh57/、;ス51 )J3
゜ 同上第9貢15行目乃至10行目の全文を11す除
し、以Fの文全挿入致します。
特性図、第2図は従来の非常幻のNiす御回路の回路図
。 第3図は本発明の一実M11例の回路1ス1、第4図は
同」−の特4を図、第5図は同上の去1、倹結果による
特性図、第(1図は不発す」の他の去於1例の回路図、
第7図は同」−の実験結果による!tT性図、第8図は
不発り]の丈に他の実施例の回路図である。 fl+−差励増+lJ器、(2)・しステリシス回路、
(3)・・・出力回路、Q3、Q2、Q、・・・トラン
ジスタ、R6、r<、・・・分圧抵抗、Vnef・・・
基準電圧、VIN・・・入力′!J、圧、す5、Q6・
・・能虫υi’L ’mとしてのトランジスタs Qs
・・・エミッタフォロワを形成するトランジスタ。 代理人 弁理士 石 LIJ 長 七ll 図 t!に3図 慎4図 Q3オフ Q3オン雄5[4 第6図 @57図 5.2V 9.6V V
IN手続補正書(自宅) 昭和58年4 月411 特許庁長官殿 1、事件の表示 +1U和57 ?4ffrl’dffi 171941
Q2、発 リj の名称 非常灯の利御回路 3、補i、lEをする者 事件との関係 特許出願人 住 所 人販府門真市大字門真1048番地名 M
i (583)松下電工株式会社代表者小 林 郁 4、代理人 郵便番号 530 5、補正命令の日付 自 発 7、補正の対象 別紙の通り 訂 IE 書 願身番号 特願昭57−171941す1、末頼1
.l’]細市第凸貝2行目の「期定」を1規定」と削I
E致します。 2、同上第7頁7行目の全文を削除し、以下の丈を挿入
致します。 「Qs(小イnり用NPN)5−/、;ス5)、Q4(
小(ffi ”J用PNPh57/、;ス51 )J3
゜ 同上第9貢15行目乃至10行目の全文を11す除
し、以Fの文全挿入致します。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)2個のトランジスタで形成した差動増巾器の一方
の入力に基準電圧を印加し、他方の入力に非常灯の蓄電
池電圧より得た比較すべき電圧を抵抗で分圧して印加し
、前記差動増巾器の基準電圧を印加したトランジスタの
コレクタを出力回路に接続し、前記差動増巾器の他方の
入力回路に接続したしステリシス回路の入力に前記出力
回路を接続して成ることを%徴とする非常灯の制御回路
。 (2)差動増巾器に能動負荷を接続し、しステリシス回
路をトランジスタにより分圧抵抗を短絡する如く構成し
て成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の非
常灯の制御回路。 (8)出力回路にl:ツタフオDワ回路を接続して成る
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載
の非常灯の制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171941A JPH0731231B2 (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電圧比較回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171941A JPH0731231B2 (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電圧比較回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960368A true JPS5960368A (ja) | 1984-04-06 |
| JPH0731231B2 JPH0731231B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=15932644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57171941A Expired - Lifetime JPH0731231B2 (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電圧比較回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731231B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10802526B1 (en) | 2019-07-22 | 2020-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Input circuit |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5356531U (ja) * | 1976-10-18 | 1978-05-15 | ||
| JPS53144237A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-15 | Hitachi Ltd | Differential amplifier |
| JPS54151360A (en) * | 1978-04-11 | 1979-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | Schmitt trigger circuit |
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| JPS55152472U (ja) * | 1978-09-20 | 1980-11-04 | ||
| JPS5687919A (en) * | 1979-12-18 | 1981-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Schmitt circuit |
| JPS5745715A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Schmitt trigger circuit |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57171941A patent/JPH0731231B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
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| JPS5687919A (en) * | 1979-12-18 | 1981-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Schmitt circuit |
| JPS5745715A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Schmitt trigger circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10802526B1 (en) | 2019-07-22 | 2020-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Input circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0731231B2 (ja) | 1995-04-10 |
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