JPS5961151A - 絶縁型半導体装置 - Google Patents
絶縁型半導体装置Info
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- JPS5961151A JPS5961151A JP57171653A JP17165382A JPS5961151A JP S5961151 A JPS5961151 A JP S5961151A JP 57171653 A JP57171653 A JP 57171653A JP 17165382 A JP17165382 A JP 17165382A JP S5961151 A JPS5961151 A JP S5961151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- radiating substrate
- resin
- heat dissipation
- fitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は放熱板裏面に外装樹脂Ｈによる絶縁層を＋＋１
成１した半導体装置に関する。
成１した半導体装置に関する。
背最技術
第１図及び第２図は樹脂モールド型半導体装置の一例を
示すもので、１は半導体ペレット２を固定した放熱基板
で、数例用の穴１ａを穿設している。３は図示例では３
本１組のリードで、中央のり一部３ａを基板１に固定し
、両側のリード３ｂ。
示すもので、１は半導体ペレット２を固定した放熱基板
で、数例用の穴１ａを穿設している。３は図示例では３
本１組のリードで、中央のり一部３ａを基板１に固定し
、両側のリード３ｂ。
３Ｃの一端をベレット２の近傍に配置している。
４はベレット２とリード３ｂ 、３ｃとを電気的に接続
した金属細線、５はベレット２を含む主要部分を樹脂材
にて被覆し外装した樹脂外装部を示す。
した金属細線、５はベレット２を含む主要部分を樹脂材
にて被覆し外装した樹脂外装部を示す。
この半導体装置はベレット２の発生熱を効率よく放出す
るために外部の放熱器に取付穴１ａを利用して固定され
る。この場合、放熱基板ｌはベレット２の裏面電偽と電
気的に接続されているなめ、第３図に示すように放熱基
板ｌと放熱器６の間にマイカ板−等の絶縁ンート７を挾
み、取付穴１ａに絶縁ブツシュ８を介してネジ９て固定
し、放熱器６と放熱基板ｌの絶縁を保っている。ざらに
熱抵抗を低下きせるために放熱器６と絶縁シート７及ヒ
絶縁シート７と放熱基板１の間にシリコーングリス等を
充填している。
るために外部の放熱器に取付穴１ａを利用して固定され
る。この場合、放熱基板ｌはベレット２の裏面電偽と電
気的に接続されているなめ、第３図に示すように放熱基
板ｌと放熱器６の間にマイカ板−等の絶縁ンート７を挾
み、取付穴１ａに絶縁ブツシュ８を介してネジ９て固定
し、放熱器６と放熱基板ｌの絶縁を保っている。ざらに
熱抵抗を低下きせるために放熱器６と絶縁シート７及ヒ
絶縁シート７と放熱基板１の間にシリコーングリス等を
充填している。
これにより半導体ベレット２は放熱性の良好な放熱器６
に固定濫れるが、取付作業が煩届な上、絶縁シート７や
絶縁ブツシュ８が必要であるという欠点があった。
に固定濫れるが、取付作業が煩届な上、絶縁シート７や
絶縁ブツシュ８が必要であるという欠点があった。
そのため第１図半導体装１−の樹脂外装部５を放熱基板
ｌの裏面及び数例穴りａ内周まてＩｇ長影形成、直接放
熱器に取付可能とし、絶縁シート７や絶縁ブツシュ８を
省き作業を良好にしたものがある。
ｌの裏面及び数例穴りａ内周まてＩｇ長影形成、直接放
熱器に取付可能とし、絶縁シート７や絶縁ブツシュ８を
省き作業を良好にしたものがある。
この半導体装置は例えば第４図に示す樹脂モールド金型
を用い製造される。図において１０は下金型で、放熱基
板１を収容する凹部１０ａより数例穴１ａを貫通する突
起１１を突設し、凹部１０ａの底面１０ｂと放熱基板ｌ
の裏面とが一定間隔を保つようにリード３を支持してい
る。１２は」二金型で、下面に下金型１０の四部１０ａ
と対応する四部１２ａを形成、し、突起１１の先端を収
納する凹孔１３を穿設している。また上下金７１ｉＱ’
ＩＯ，１２は密着しり一部３を挾持固定している。凹部
１０ａ。
を用い製造される。図において１０は下金型で、放熱基
板１を収容する凹部１０ａより数例穴１ａを貫通する突
起１１を突設し、凹部１０ａの底面１０ｂと放熱基板ｌ
の裏面とが一定間隔を保つようにリード３を支持してい
る。１２は」二金型で、下面に下金型１０の四部１０ａ
と対応する四部１２ａを形成、し、突起１１の先端を収
納する凹孔１３を穿設している。また上下金７１ｉＱ’
ＩＯ，１２は密着しり一部３を挾持固定している。凹部
１０ａ。
１２ａ（キャビティ）、突起１１ｔ／ｉ放熱基板１から
−４の間隔、間隙を形成している。このキャビティ内に
図示しないがゲートから樹脂を注入し硬化させることに
より、絶縁型半導体装置がＴ’Ｊられる。
−４の間隔、間隙を形成している。このキャビティ内に
図示しないがゲートから樹脂を注入し硬化させることに
より、絶縁型半導体装置がＴ’Ｊられる。
しかしながら、この半導体装置は放熱基板裏面の樹脂層
の厚みがばらつき易く、この部分の厚みが薄いと、耐電
圧不良となり、厚いと放熱効果が低下するという欠点が
あった。
の厚みがばらつき易く、この部分の厚みが薄いと、耐電
圧不良となり、厚いと放熱効果が低下するという欠点が
あった。
これはキャビティと放熱基板１０間隙を金型によるリー
ド３の締付けたけて規正しているために生しるもので、
完全に除去することができなかった。
ド３の締付けたけて規正しているために生しるもので、
完全に除去することができなかった。
そのためζ第５図に示すようにキャビティの放熱基板１
と対向する面に部分的突起１４を設け、これて間隔を規
正し樹脂層・の厚みを一定にすることもできるが、この
半導体装置は放熱基板１の裏面の一部が露呈し、しかも
樹脂層の厚みが薄いため、放熱器に固定した場合、放熱
基板１の露呈部から放熱器までの樹脂層に沿う沿面距離
が短かく耐電圧が十分得られないという問題があった。
と対向する面に部分的突起１４を設け、これて間隔を規
正し樹脂層・の厚みを一定にすることもできるが、この
半導体装置は放熱基板１の裏面の一部が露呈し、しかも
樹脂層の厚みが薄いため、放熱器に固定した場合、放熱
基板１の露呈部から放熱器までの樹脂層に沿う沿面距離
が短かく耐電圧が十分得られないという問題があった。
発明の開示
本発明は」二記決点に鑑み提案きれたもので、耐電圧や
放熱効果を低下させることなく放熱板裏面に均一な厚み
の絶縁層を形成した半導体装置を挽）供する。
放熱効果を低下させることなく放熱板裏面に均一な厚み
の絶縁層を形成した半導体装置を挽）供する。
本発明は放熱基板上に載滌した半導体ペレ′ントと一端
を半導体ベレットの近傍に配置しｆｃ ’） −）”と
を電気的に接続し、半導体ベレ′ント並びに放ｆｌｐ基
板の裏面を含む主要部分を樹脂相にて外装したものにお
いて、上記放熱基板裏面に異径凹部をほぼ同心的に形成
すると共に、大径の異径凹部にタト装樹脂林をほぼ充実
させたことを特徴とする。
を半導体ベレットの近傍に配置しｆｃ ’） −）”と
を電気的に接続し、半導体ベレ′ント並びに放ｆｌｐ基
板の裏面を含む主要部分を樹脂相にて外装したものにお
いて、上記放熱基板裏面に異径凹部をほぼ同心的に形成
すると共に、大径の異径凹部にタト装樹脂林をほぼ充実
させたことを特徴とする。
本発明は上記構成により次のような効果を有する。
１ 樹脂モールド時に放熱基板の滴径凹部に企画すキャ
ヒテイに設けた突起を仲人するたけでキャビティ内壁と
放熱基板との間隔を一定にてきるため、樹脂層（絶縁層
）の厚みを均一にできる。
ヒテイに設けた突起を仲人するたけでキャビティ内壁と
放熱基板との間隔を一定にてきるため、樹脂層（絶縁層
）の厚みを均一にできる。
２ 大径の異径凹部を外装樹脂相にてほぼプロ実させる
ことにより、放熱基板の裏面側の樹脂が被世／１［ない
部分から樹脂外装表面１てり）沿面距離を長くでき、耐
電圧の低下がなし・。
ことにより、放熱基板の裏面側の樹脂が被世／１［ない
部分から樹脂外装表面１てり）沿面距離を長くでき、耐
電圧の低下がなし・。
発明を実施するための最良の形態
以下に本発明の実施例を第６図乃至第１１図力・ら説明
する。第６図及び第７図にお（／１で１５は半導体ベレ
ット１６を固定した放熱基板で、数例用穴１５ａは裏面
側が大径、表面側力ｉ ／Ｊ’ｌ径のゲ妊径穴（異径凹
部）１５ｂ、１５ｃを同心的に穿設している。１７は図
示例では３本１組のＩＪ −ドて、ｌコ央のり一部１’
７ａの一端をＬ字状に屈曲し、端音すを基板１５に固定
し、両側の１ノー）”１７ｂ、１７ｃをリード１７ａと
平行配列して一端部をペレ・ント１６の近傍に配置して
いる。１８はベレ゛ント１６とリード１７ｂ 、１７ｃ
とをそれそね電気０勺に接続した金属細線、１９けペレ
゛ント１６、ＩＪ −）−１７の基部、金属細線１８を
被覆すると共に放熱基板１５の外周面及び数例７ｉ：ｌ
５ ａの内１間面全被ＩＩした樹脂外装部（絶縁層）
を示す。この樹月旨外装により取イ」用の穴２０は、放
熱基板１５の数例穴１５ａと同軸的に形成、きれる。
する。第６図及び第７図にお（／１で１５は半導体ベレ
ット１６を固定した放熱基板で、数例用穴１５ａは裏面
側が大径、表面側力ｉ ／Ｊ’ｌ径のゲ妊径穴（異径凹
部）１５ｂ、１５ｃを同心的に穿設している。１７は図
示例では３本１組のＩＪ −ドて、ｌコ央のり一部１’
７ａの一端をＬ字状に屈曲し、端音すを基板１５に固定
し、両側の１ノー）”１７ｂ、１７ｃをリード１７ａと
平行配列して一端部をペレ・ント１６の近傍に配置して
いる。１８はベレ゛ント１６とリード１７ｂ 、１７ｃ
とをそれそね電気０勺に接続した金属細線、１９けペレ
゛ント１６、ＩＪ −）−１７の基部、金属細線１８を
被覆すると共に放熱基板１５の外周面及び数例７ｉ：ｌ
５ ａの内１間面全被ＩＩした樹脂外装部（絶縁層）
を示す。この樹月旨外装により取イ」用の穴２０は、放
熱基板１５の数例穴１５ａと同軸的に形成、きれる。
この半導体装置は第４図に示す樹脂モールド置が用いら
れるが、取（ｑ穴１５ａＫ挿入する突起１１’を、第８
［７１ｉＣ示スヨうに異径穴］、５ｂ、１５ｃの段部
で係合し、各穴１５ｂ、１５ｃより小径にしたことのＶ
、相異する。この突起１１′により放熱基板１５の裏面
とキャビティの間隔ｌは一定に設定される。
れるが、取（ｑ穴１５ａＫ挿入する突起１１’を、第８
［７１ｉＣ示スヨうに異径穴］、５ｂ、１５ｃの段部
で係合し、各穴１５ｂ、１５ｃより小径にしたことのＶ
、相異する。この突起１１′により放熱基板１５の裏面
とキャビティの間隔ｌは一定に設定される。
また数例穴り５ａ内周面の樹脂の厚みｔ１＋ ｔ２は放
熱基板１５裏面の絶縁層の厚みｅより十分大きく設定さ
れる。
熱基板１５裏面の絶縁層の厚みｅより十分大きく設定さ
れる。
これにより放熱基板１５裏面の樹脂層（絶縁層）の厚み
を均一にでき、耐電圧を保ち放熱性を均一にできる。
を均一にでき、耐電圧を保ち放熱性を均一にできる。
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されることなく、例
えば異径凹部は１通孔たけでなく、第９図に示すように
有底てもよい。この場合、放熱器への取付用穴は別設さ
れる。特に異径凹部は同心的に形成することが好ましい
が、若干偏心させることもてきる。また第１０図及び第
１１図に示すように異径凹部１５ｂ、１５ｃの連結部を
テーパ状にしてもよい。芒らには第１２図に示すように
キャビティ内に突設する突起１１″の大径部１１’ａと
小径部］１′ｂ との間の段部から大径部１１′ａの
周面に切欠部１１’ｃを設けるこ々によって、半導体装
置の異径凹部１５ｂ、１５ｃ 内周面の樹脂層を連通
し放熱基板１５に対する接着力を向上させ、捷た樹脂層
から露呈する放熱基板の面積を小さくすることもてきる
。
えば異径凹部は１通孔たけでなく、第９図に示すように
有底てもよい。この場合、放熱器への取付用穴は別設さ
れる。特に異径凹部は同心的に形成することが好ましい
が、若干偏心させることもてきる。また第１０図及び第
１１図に示すように異径凹部１５ｂ、１５ｃの連結部を
テーパ状にしてもよい。芒らには第１２図に示すように
キャビティ内に突設する突起１１″の大径部１１’ａと
小径部］１′ｂ との間の段部から大径部１１′ａの
周面に切欠部１１’ｃを設けるこ々によって、半導体装
置の異径凹部１５ｂ、１５ｃ 内周面の樹脂層を連通
し放熱基板１５に対する接着力を向上させ、捷た樹脂層
から露呈する放熱基板の面積を小さくすることもてきる
。
第１図は半導体装置の一例を示す一部透視平面図、第２
図は第１図Ａ−Ａ面図、第３図は第１図半導体装置の取
イ」例を示す側断面図、第４図は絶縁型半導体装置の製
造方法を示す樹脂モールド装置の側断面図、第５図は第
４図装置の変形例を示す部分側断面図、第６図は本発明
の一実施例を示す一部透視平面図、第７図は第６図Ｅ−
Ｂ面図、第８図は第６図装置の製造方法を示す樹脂モー
ルド装置の要部側断面図、第９図乃至第１１図は本発明
の変形例を示す要部側断面図、第１２図は本発明の他の
実施例を説明するために用いられるモールド袋物、の突
起を示す斜視図である。 １５・・・・ 放熱基板、 １５ａ、１５ｂ、１５ｃ 異径凹部、１６・・・・
半導体ベレット、 １７・・・リード、 １９・・ 樹脂外装部。 ２ 第４図 ］３ 第５図 第 ６ 図
図は第１図Ａ−Ａ面図、第３図は第１図半導体装置の取
イ」例を示す側断面図、第４図は絶縁型半導体装置の製
造方法を示す樹脂モールド装置の側断面図、第５図は第
４図装置の変形例を示す部分側断面図、第６図は本発明
の一実施例を示す一部透視平面図、第７図は第６図Ｅ−
Ｂ面図、第８図は第６図装置の製造方法を示す樹脂モー
ルド装置の要部側断面図、第９図乃至第１１図は本発明
の変形例を示す要部側断面図、第１２図は本発明の他の
実施例を説明するために用いられるモールド袋物、の突
起を示す斜視図である。 １５・・・・ 放熱基板、 １５ａ、１５ｂ、１５ｃ 異径凹部、１６・・・・
半導体ベレット、 １７・・・リード、 １９・・ 樹脂外装部。 ２ 第４図 ］３ 第５図 第 ６ 図
Claims (1)
- 放熱基板」二に載置した半導体ベレットと一端を半導体
ペレットの近傍に配置したリードとを電気的に接続し、
２１を導体ベレット並びに放熱基板の裏面を含む主要部
分を樹脂脂相にて外装したものにおいて、］・記放熱基
板裏ｍＩＫ異径門部をほぼ同心的に月ヅ成すると共に、
大径の異径凹部に外装樹脂相をほぼ充実させたことをｑ
！Ｊ徴とする絶縁型半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171653A JPS5961151A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 絶縁型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171653A JPS5961151A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 絶縁型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961151A true JPS5961151A (ja) | 1984-04-07 |
| JPS638615B2 JPS638615B2 (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=15927197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57171653A Granted JPS5961151A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 絶縁型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961151A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016047083A1 (ja) * | 2014-09-22 | 2016-03-31 | 株式会社デンソー | 電子装置の製造方法、及び電子装置 |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57171653A patent/JPS5961151A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016047083A1 (ja) * | 2014-09-22 | 2016-03-31 | 株式会社デンソー | 電子装置の製造方法、及び電子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS638615B2 (ja) | 1988-02-23 |
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