JPS5961983A - 半導体レ−ザ− - Google Patents
半導体レ−ザ−Info
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- JPS5961983A JPS5961983A JP17221482A JP17221482A JPS5961983A JP S5961983 A JPS5961983 A JP S5961983A JP 17221482 A JP17221482 A JP 17221482A JP 17221482 A JP17221482 A JP 17221482A JP S5961983 A JPS5961983 A JP S5961983A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- proton
- active layer
- epitaxially grown
- semiconductor laser
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
- H01S5/2063—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by particle bombardment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば光学式ビデオディスク、デジタルオー
ディオディスク等の記録、再生装置において、その記録
、或いは読出しの光源とし゛Ｃ好適な半導体レーザーに
係る。
ディオディスク等の記録、再生装置において、その記録
、或いは読出しの光源とし゛Ｃ好適な半導体レーザーに
係る。
背景技術とその問題点
従来一般の半導体レーザーはそのキャリア及び光の閉し
込機構によって屈折率ガイド（・インテ・ノクスガイド
）型と利得ガイド （ゲインガイド）型に大別される。
込機構によって屈折率ガイド（・インテ・ノクスガイド
）型と利得ガイド （ゲインガイド）型に大別される。
屈折率ガイド型の半導体レーザーの例としては、例えば
第１図或いは第２図に示すように例えはＮ型のＧａＡｓ
基扱（基板が設ＡＪられ、その−主Ｉｆ＋ｉに一方向に
伸びるノ、ドライブ状の凹部（２）、或いは凸部（３）
が予め設げられ、この凹ｆｆＢ （２１、或いは凸部（
３）上を含んで基板（１）上に、例えばＮ型の／ｌｌｘ
Ｇａ１−ｘ Ｉ’ｌｓより成る第１のクラッド層（４
）と、更にこれの、ににＰ架着しくはＮ型の例えばＧａ
Ａｓより成る活性層（５）と、更にこれの上にＰ型の
ＡＩＸ Ｇａ、−ｚ Ａｓより）収る第２のクラッドＪ
−Ｆ＋３１と、更にこれの上に電極のオーミック接続に
（ｊ（するＰ型のキャップ旧（７）が夫々連続エピタキ
シャルによっ゛ζ形成されて成る。第１及び第２のクラ
ッド１硝（４）及び（６）は、゛活性層（５）よりその
禁止帯幅が大に選定されることによっ゛ζ活性ｒ＠（５
）と第１及び第２のクラッド層（４）及び（６）間には
へテロ接合が形成され、且つ基板ｆｌｌの凹部（２）或
いは凸部（３）の存在によって一方向に相対向しζ伸び
るストライプ状の発光領域ｆ８１がその屈曲部間に形成
される。すなわらごの屈曲部によって屈折率差による光
の閉込めがなされる。
第１図或いは第２図に示すように例えはＮ型のＧａＡｓ
基扱（基板が設ＡＪられ、その−主Ｉｆ＋ｉに一方向に
伸びるノ、ドライブ状の凹部（２）、或いは凸部（３）
が予め設げられ、この凹ｆｆＢ （２１、或いは凸部（
３）上を含んで基板（１）上に、例えばＮ型の／ｌｌｘ
Ｇａ１−ｘ Ｉ’ｌｓより成る第１のクラッド層（４
）と、更にこれの、ににＰ架着しくはＮ型の例えばＧａ
Ａｓより成る活性層（５）と、更にこれの上にＰ型の
ＡＩＸ Ｇａ、−ｚ Ａｓより）収る第２のクラッドＪ
−Ｆ＋３１と、更にこれの上に電極のオーミック接続に
（ｊ（するＰ型のキャップ旧（７）が夫々連続エピタキ
シャルによっ゛ζ形成されて成る。第１及び第２のクラ
ッド１硝（４）及び（６）は、゛活性層（５）よりその
禁止帯幅が大に選定されることによっ゛ζ活性ｒ＠（５
）と第１及び第２のクラッド層（４）及び（６）間には
へテロ接合が形成され、且つ基板ｆｌｌの凹部（２）或
いは凸部（３）の存在によって一方向に相対向しζ伸び
るストライプ状の発光領域ｆ８１がその屈曲部間に形成
される。すなわらごの屈曲部によって屈折率差による光
の閉込めがなされる。
一方、利（Ｍガイド型半導体レーザーは、例えば第３図
に示すような平坦面を有する基板ｆｉｌ上に、前述した
と同様の第１のクラッド層（４）、活性層（５）、第２
のクラッド層（６）、キャップ層（７）を順次エビクキ
シャル成長し、キャンプ層（７）の上方より例えばプロ
トンの打込を選択的になして高抵抗化された層（９）を
形成し、この高抵抗層（９）によってストライプ状の電
流通路００）を形成して電流集中を行わしめζごの電流
集中によっ゛Ｃ活性層（５）にストライプ状に限定的に
発光領域が生じるようにするものである。因みに、この
場合の高抵抗層（９）の深さは、活性層との距離１μｍ
以上の間隔とされている。
に示すような平坦面を有する基板ｆｉｌ上に、前述した
と同様の第１のクラッド層（４）、活性層（５）、第２
のクラッド層（６）、キャップ層（７）を順次エビクキ
シャル成長し、キャンプ層（７）の上方より例えばプロ
トンの打込を選択的になして高抵抗化された層（９）を
形成し、この高抵抗層（９）によってストライプ状の電
流通路００）を形成して電流集中を行わしめζごの電流
集中によっ゛Ｃ活性層（５）にストライプ状に限定的に
発光領域が生じるようにするものである。因みに、この
場合の高抵抗層（９）の深さは、活性層との距離１μｍ
以上の間隔とされている。
−上述した屈折率ガイド型の半導体レーザーと利得ガイ
ド型半導体レーザーは、夫々利点を有場る反面、夫々欠
点を有する。ずなわぢ屈折率ガイド型によるものにおい
°ζは、その縦で一ドが単一モードであるためコヒーレ
ント長が長いために戻り光に敏感で例えば光学式ビデオ
ディ°スク等においてのその書込み、或いは読出し用光
源として用Ｇ）だ場合に戻り光によるノイズに弱いとい
う欠点がある。しかしながら反面いわゆるビームウェス
ト位置（ｂｅａｍ ｗａｉｓＬ ｐｏｓｉｔｉｏｎ ）
が発光領域の光端部近傍に存するために実際の使用に当
たってその焦点位置の設定がし易いという利点を有する
。更にまた接合に平行方向に関する断面におりる遠距離
像いわゆるファーフィールドパターン（ｆａｒｆｉｅｌ
ｄ ｐａｔｉｅｒｎ ）が左右対称的であ−、て同様に
例えば実際の使用における書込み光或いは読出し光とし
て歪の小さいスポット形状を得易いという利点がある。
ド型半導体レーザーは、夫々利点を有場る反面、夫々欠
点を有する。ずなわぢ屈折率ガイド型によるものにおい
°ζは、その縦で一ドが単一モードであるためコヒーレ
ント長が長いために戻り光に敏感で例えば光学式ビデオ
ディ°スク等においてのその書込み、或いは読出し用光
源として用Ｇ）だ場合に戻り光によるノイズに弱いとい
う欠点がある。しかしながら反面いわゆるビームウェス
ト位置（ｂｅａｍ ｗａｉｓＬ ｐｏｓｉｔｉｏｎ ）
が発光領域の光端部近傍に存するために実際の使用に当
たってその焦点位置の設定がし易いという利点を有する
。更にまた接合に平行方向に関する断面におりる遠距離
像いわゆるファーフィールドパターン（ｆａｒｆｉｅｌ
ｄ ｐａｔｉｅｒｎ ）が左右対称的であ−、て同様に
例えば実際の使用における書込み光或いは読出し光とし
て歪の小さいスポット形状を得易いという利点がある。
これに比し利得ガイド型半導体レーザーにおいＣはビー
ムウェスト位置が発光領域の先端面より内側２０μｍ程
度のとごろに存在してしまい、更にまたファーフィール
ドパターンが左右非対称であるために非点収差が人でス
ボ・ノド歪が比鮫的大きくなるという欠点がある。しか
しながらこの利得ガイド型半導体レーザーにおいては、
その縦モードがマルチモードであって前述した戻り光に
よるノイズに強いという利点を有する。
ムウェスト位置が発光領域の先端面より内側２０μｍ程
度のとごろに存在してしまい、更にまたファーフィール
ドパターンが左右非対称であるために非点収差が人でス
ボ・ノド歪が比鮫的大きくなるという欠点がある。しか
しながらこの利得ガイド型半導体レーザーにおいては、
その縦モードがマルチモードであって前述した戻り光に
よるノイズに強いという利点を有する。
上述したように屈折率ガイド型半導体レーザーと利？、
！ＩガイＦ型半導体レーザーはいずれも長短所をイ１す
るものであるが、利得ガイド型半導体レーザーのうぢで
も横モードの安定性のよいいわゆる狭ストライブ型のレ
ーザーは、上述したプし１トン注入型によらない例えば
電極ストライプ型のものにおいても、そのストライプの
幅が５メｔｍ前後のものでビームウェストの差すなわち
収差臣が２０〜３０ｐｍ程度である。ところがこのよう
な非点収差の存在は、情報読取りや記録用の光源として
用いた場合、その光学系に依存するもののビームを小さ
なスボソ］・に絞り込むごとが前述したように困難にな
る。このビームの非点収差は、通電レンスに波面収差が
あることを名産すると１５μｍ以トにすることが装置か
らの要請となる。
！ＩガイＦ型半導体レーザーはいずれも長短所をイ１す
るものであるが、利得ガイド型半導体レーザーのうぢで
も横モードの安定性のよいいわゆる狭ストライブ型のレ
ーザーは、上述したプし１トン注入型によらない例えば
電極ストライプ型のものにおいても、そのストライプの
幅が５メｔｍ前後のものでビームウェストの差すなわち
収差臣が２０〜３０ｐｍ程度である。ところがこのよう
な非点収差の存在は、情報読取りや記録用の光源として
用いた場合、その光学系に依存するもののビームを小さ
なスボソ］・に絞り込むごとが前述したように困難にな
る。このビームの非点収差は、通電レンスに波面収差が
あることを名産すると１５μｍ以トにすることが装置か
らの要請となる。
発明の目的
本発明は上述した利得ガイド型構成の特徴を４計かし、
且つ非点収差量が小さい半導体レーザーを提供せんとす
るものである。
且つ非点収差量が小さい半導体レーザーを提供せんとす
るものである。
発明の概要
本発明においてはプロトン注入型の狭ストライブ構造を
とるも特にそのプロトン注入領域の深さと活性層との関
係を特定するとき、Ｌ−ムラコーストの差すなわち非点
収差量を小さくすることかできることを見出し、これに
基いて構成された半導体レーザーを提供するものである
。
とるも特にそのプロトン注入領域の深さと活性層との関
係を特定するとき、Ｌ−ムラコーストの差すなわち非点
収差量を小さくすることかできることを見出し、これに
基いて構成された半導体レーザーを提供するものである
。
すなわち本発明においＣは、第１のクラッド層内と乱性
層と第２のクラッド層とが積層された構成を採り、プロ
トン注入領域によっＣその両側が挾まれた５μｍ以１〜
の幅を有するス１−ライブ領域を表面側から形成するも
のであるが、このときそのプロトン注入領域の注入先端
面ずなわｌう底面が表面側の第２のクラッド層内に存し
はつこの先端面と活性層からの距離が０．２〜０．５μ
ｍとなるように設定する。
層と第２のクラッド層とが積層された構成を採り、プロ
トン注入領域によっＣその両側が挾まれた５μｍ以１〜
の幅を有するス１−ライブ領域を表面側から形成するも
のであるが、このときそのプロトン注入領域の注入先端
面ずなわｌう底面が表面側の第２のクラッド層内に存し
はつこの先端面と活性層からの距離が０．２〜０．５μ
ｍとなるように設定する。
実施例
第４図を参照し′ζ本発明による半／ｌＩ体レーザーの
一例を説明するに、第１導電型例えばＮ型のＧａＡｓ基
扱（基板）を設り、これの」二にこれと同導電型の例え
ばＮ型の＾ＬＸ Ｇａ１−ＸＡｓよりなるノＮ・ノファ
ｊ餌を兼ねる第１のクラッド層（１２）をエピタキシャ
ル成長し、更にこれの上に第１導電型名しくは第２専電
型のＧａＡｓよりなる７占竹［（１３）をエピタキシャ
ル成長し、更にこれの上に第２導電型例えはＰ型の 八
ＩＸ Ｇａ１．ｘＡｓよりなる第２のクラット１ｔ４（
１４）をエピタキシャル成長し、史にこれの上にこれと
同導電型のＧａＡｓのキ°ヤソブ層（１５）をエピタキ
シャル成長する。そしてこの第２のクラッド層（１４）
を有する側の表面、ずなわらキャップ層（１５）の表面
より選択的にプロトンの注入を行って高低抗領域（１６
）を形成する。このＭＪ批抗領域（１６）は所要の幅Ｗ
をイ１するストライプ部を一方向に延ひ゛ζ形成するよ
うにその両側に形成され、その注入先端面（１６ａ）
（底面）が第２のクラッドｒ＠（１４）中にあり且つ
活性層との距離Δｈが０．２〜０．５μｍとなるように
設定される。このプロトン注入領域（１６）の選択的形
成は、例えば第４図に鎖線ａをもっζ示ずように例えば
Ａｕマスク等をキャンプ層（１５）ｊ−に被着し、これ
を通じ゛Ｃプロ１−ンの注入を行うことによっ”ζ形成
し？！ｌる。こ゛の場合、マスクａは幅Ｗに対応する幅
のストライブ状の肉１１７部とその両側に肉ン１す部と
をイ「しＣなり、肉１シーｆｉ（Ｊにおいてはプロトン
ｌ１人を遮断し、肉ン１す部に才９い゛ζプロＩ・ン江
入がキャンプ層（１５）及び第２のクラットＩｔ’ｆ（
１４）に至る−に連した所要の深さをもっ′Ｃ形成でき
るようになされる。そし゛Ｃ図示しないかごのマスク層
ａはプロトンの？」０人処理後において除去されるか或
いはされることなくこれを電極とし、基板（１１）の裏
面にはまた他方の電極が被着される。
一例を説明するに、第１導電型例えばＮ型のＧａＡｓ基
扱（基板）を設り、これの」二にこれと同導電型の例え
ばＮ型の＾ＬＸ Ｇａ１−ＸＡｓよりなるノＮ・ノファ
ｊ餌を兼ねる第１のクラッド層（１２）をエピタキシャ
ル成長し、更にこれの上に第１導電型名しくは第２専電
型のＧａＡｓよりなる７占竹［（１３）をエピタキシャ
ル成長し、更にこれの上に第２導電型例えはＰ型の 八
ＩＸ Ｇａ１．ｘＡｓよりなる第２のクラット１ｔ４（
１４）をエピタキシャル成長し、史にこれの上にこれと
同導電型のＧａＡｓのキ°ヤソブ層（１５）をエピタキ
シャル成長する。そしてこの第２のクラッド層（１４）
を有する側の表面、ずなわらキャップ層（１５）の表面
より選択的にプロトンの注入を行って高低抗領域（１６
）を形成する。このＭＪ批抗領域（１６）は所要の幅Ｗ
をイ１するストライプ部を一方向に延ひ゛ζ形成するよ
うにその両側に形成され、その注入先端面（１６ａ）
（底面）が第２のクラッドｒ＠（１４）中にあり且つ
活性層との距離Δｈが０．２〜０．５μｍとなるように
設定される。このプロトン注入領域（１６）の選択的形
成は、例えば第４図に鎖線ａをもっζ示ずように例えば
Ａｕマスク等をキャンプ層（１５）ｊ−に被着し、これ
を通じ゛Ｃプロ１−ンの注入を行うことによっ”ζ形成
し？！ｌる。こ゛の場合、マスクａは幅Ｗに対応する幅
のストライブ状の肉１１７部とその両側に肉ン１す部と
をイ「しＣなり、肉１シーｆｉ（Ｊにおいてはプロトン
ｌ１人を遮断し、肉ン１す部に才９い゛ζプロＩ・ン江
入がキャンプ層（１５）及び第２のクラットＩｔ’ｆ（
１４）に至る−に連した所要の深さをもっ′Ｃ形成でき
るようになされる。そし゛Ｃ図示しないかごのマスク層
ａはプロトンの？」０人処理後において除去されるか或
いはされることなくこれを電極とし、基板（１１）の裏
面にはまた他方の電極が被着される。
−に連の本発明構成による平導体レーザーによる場合、
通常のプロトン注入型のストライブ型半導体レーザーに
おけると同様にそのプ）」１〜ンｌ）大領域すなわち１
（１１抵抗領域（１６）によって規定された中央のスト
ライプ部に電流集中がなされることによってこのストラ
イプ部Ｆにおりる活性層（１３）に電流の集中がなされ
“ζいわゆる利（＋−Ｉガイド型構成が採られるもので
あるが、このような構成によるとき同時に非点収差♀を
小さくすることができることが確かめられた。第５図は
活性層（１３）とプロトン？−に大領域（１６）の先端
面との’、（１！１ｔｌｌｔΔｈに対する非点収差９ず
なわちビームウェスト差Ｚ（μｍ）との関係を測定した
結果を示したものでこれに示されるように距離Δｈを０
．２〜０．５μｍに選定するときは、その非点収差量を
１５μｍ程度以下になし得ることが確かめられた。因み
にこの場合、ストライプの幅Ｗは５μｍに選定した。
通常のプロトン注入型のストライブ型半導体レーザーに
おけると同様にそのプ）」１〜ンｌ）大領域すなわち１
（１１抵抗領域（１６）によって規定された中央のスト
ライプ部に電流集中がなされることによってこのストラ
イプ部Ｆにおりる活性層（１３）に電流の集中がなされ
“ζいわゆる利（＋−Ｉガイド型構成が採られるもので
あるが、このような構成によるとき同時に非点収差♀を
小さくすることができることが確かめられた。第５図は
活性層（１３）とプロトン？−に大領域（１６）の先端
面との’、（１！１ｔｌｌｔΔｈに対する非点収差９ず
なわちビームウェスト差Ｚ（μｍ）との関係を測定した
結果を示したものでこれに示されるように距離Δｈを０
．２〜０．５μｍに選定するときは、その非点収差量を
１５μｍ程度以下になし得ることが確かめられた。因み
にこの場合、ストライプの幅Ｗは５μｍに選定した。
尚、通常のプロトン注入型のストライプ構造による半導
体レーザーは第３図で説明したように周知のものである
が、この場合プロトン注入領域と活性層（Ｉ３）との距
離Δｈば、実際上一般にΔｈ＞１μｍに選定されている
。この場合においては、非点収差量は１５μｍ以）に留
めｔ４Ｖなかったことば前述した通りである。そし°ζ
、こごにΔｈが（）、２μｍ未満であったり、活性層（
１３）中に入り込んだり横切ったりする場合は、このプ
ロトン注入によって活性層（１３）にダメージが与えら
れて特性劣化を来すことが確かめられた。
体レーザーは第３図で説明したように周知のものである
が、この場合プロトン注入領域と活性層（Ｉ３）との距
離Δｈば、実際上一般にΔｈ＞１μｍに選定されている
。この場合においては、非点収差量は１５μｍ以）に留
めｔ４Ｖなかったことば前述した通りである。そし°ζ
、こごにΔｈが（）、２μｍ未満であったり、活性層（
１３）中に入り込んだり横切ったりする場合は、このプ
ロトン注入によって活性層（１３）にダメージが与えら
れて特性劣化を来すことが確かめられた。
」二連したように本発明に４６いてそのプロトン注入領
域（１６）が活性ＩＮ（１３）に達することなく且つそ
の間隔Δｈを０．２〜０．５１１ｍに選定するものであ
り、このようにして非点収差量の低減化を図り得ること
を確認したものであるが、これはこのプロ［・ン注入領
域の存在によって結果的に屈折率ガイドの光導波が実効
的に生じるものと思われる。
域（１６）が活性ＩＮ（１３）に達することなく且つそ
の間隔Δｈを０．２〜０．５１１ｍに選定するものであ
り、このようにして非点収差量の低減化を図り得ること
を確認したものであるが、これはこのプロ［・ン注入領
域の存在によって結果的に屈折率ガイドの光導波が実効
的に生じるものと思われる。
この屈折率差の発生の成因はプロトン注入損傷による極
小的ストレスによって実質的に屈折率差が誘致されるこ
とによるか、或いはプロ１−ン注入によるクラッド層中
のへｌ原子をいわゆるノックオンして活性層（１３）の
両側に八１組成比の＋ｌ’Ｊｉいすなわら屈折率の低い
領域を形成するものによるか、或いはプロトン注入によ
る欠陥が活性）響の両側に入ることで非発光中心の分布
が発生し、この損失による誘電率の変化が実効的屈折率
の差を生しさせるためによるものであるなどと考えられ
る。
小的ストレスによって実質的に屈折率差が誘致されるこ
とによるか、或いはプロ１−ン注入によるクラッド層中
のへｌ原子をいわゆるノックオンして活性層（１３）の
両側に八１組成比の＋ｌ’Ｊｉいすなわら屈折率の低い
領域を形成するものによるか、或いはプロトン注入によ
る欠陥が活性）響の両側に入ることで非発光中心の分布
が発生し、この損失による誘電率の変化が実効的屈折率
の差を生しさせるためによるものであるなどと考えられ
る。
また、第６図はプロトン注入領域（１６）と活性ＩＮ（
１３）との距離Δｈを（１，４メｚｍとしたときのスト
ライプ幅と収差量との関係を測定した結果を示す。
１３）との距離Δｈを（１，４メｚｍとしたときのスト
ライプ幅と収差量との関係を測定した結果を示す。
発明の効果
本発明においては、プしｚトン注入による狭ストライプ
型構造による利ｉｑガイ１′型構成を採−７たごとに、
上ってマルナ′ｅ−ト”化されるごとによ、っ°（自己
の戻り光による光源ノイズの縮減化を図ることができる
と共に、屈折率型におけると同様に非点収差が小さく従
っ゛ζ各種装置の情報読取り、或いは記録用光卸としζ
用いた場合等におい゛（そのヒームスポットの絞り込め
のため光学的機構が簡易化され、ビームスボッ１−歪の
小さいスポットが得られるなどの多（の利点を有する。
型構造による利ｉｑガイ１′型構成を採−７たごとに、
上ってマルナ′ｅ−ト”化されるごとによ、っ°（自己
の戻り光による光源ノイズの縮減化を図ることができる
と共に、屈折率型におけると同様に非点収差が小さく従
っ゛ζ各種装置の情報読取り、或いは記録用光卸としζ
用いた場合等におい゛（そのヒームスポットの絞り込め
のため光学的機構が簡易化され、ビームスボッ１−歪の
小さいスポットが得られるなどの多（の利点を有する。
第１図ないし第３図は従来の半導体レーザーの各側の拡
大路線的断面図、第４図は本発明による半導体レーザー
の一例の拡大１ｌｌａ線的断面図、第５図はそのブＩＩ
Ｉ ＋・ンメＬ人領域と活性層とのｔ？ｌｊ Ｍｌｔと
非点収差量との関係の測定結果を示す図、第６し１はス
１ライプ幅と非点収差量との関係の測定結果を示す図で
ある。 （ＩＩ）は基板、（１２）は第１のクラッド１て→、（
１３）は活性層、（１４）は第２の°クラッド層、（１
５）はキャップ層、（１６）、はプロトン２１ｇ人領域
である。 第１図 φ 第２図 第４図。 ＤＩＳＴＡＮＣＥ 、６ｈ （ｐｍ）手続補正書 １．事件の表示 昭和５７年特許願第１７２２１４ 号２、発明の名称
半導体レーザー ３、補正をする者 事件との関係 ・ 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２＋
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 特許請求の範囲 第１のクラッド層と活性層と第２のクラッド層とが７１
１ｆｆ１次積層され、５μｍ ｂＪ下の幅とされるスト
ライプ領域を除いて表面側からプロトンが注入され、該
プロトン注入領域の先端面が上記第２のクラッド層内に
あり、該プロトン注入領域の先端面の上記活性層からの
距離が０．２〜０５μｍとされ、光導波が実効的に利得
ガイド型に屈折率ガイド型の効果を示す半導体レーザー
。
大路線的断面図、第４図は本発明による半導体レーザー
の一例の拡大１ｌｌａ線的断面図、第５図はそのブＩＩ
Ｉ ＋・ンメＬ人領域と活性層とのｔ？ｌｊ Ｍｌｔと
非点収差量との関係の測定結果を示す図、第６し１はス
１ライプ幅と非点収差量との関係の測定結果を示す図で
ある。 （ＩＩ）は基板、（１２）は第１のクラッド１て→、（
１３）は活性層、（１４）は第２の°クラッド層、（１
５）はキャップ層、（１６）、はプロトン２１ｇ人領域
である。 第１図 φ 第２図 第４図。 ＤＩＳＴＡＮＣＥ 、６ｈ （ｐｍ）手続補正書 １．事件の表示 昭和５７年特許願第１７２２１４ 号２、発明の名称
半導体レーザー ３、補正をする者 事件との関係 ・ 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２＋
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 特許請求の範囲 第１のクラッド層と活性層と第２のクラッド層とが７１
１ｆｆ１次積層され、５μｍ ｂＪ下の幅とされるスト
ライプ領域を除いて表面側からプロトンが注入され、該
プロトン注入領域の先端面が上記第２のクラッド層内に
あり、該プロトン注入領域の先端面の上記活性層からの
距離が０．２〜０５μｍとされ、光導波が実効的に利得
ガイド型に屈折率ガイド型の効果を示す半導体レーザー
。
Claims (1)
- 第１のクラッド層と活性層と第２のクラ・７Ｆ層とが順
次積１＠され、５μｍμｍトートとされるストライブ領
域を除い゛ζ表面側からプロトンが注入され、該プロト
ン？−ＩＥ人領域の先端面が」二記第２のクラット層内
にあり、該プロトン注入領域の先端面の註記活性１Ｍか
らの！Ｉｉ離が０．２〜０．５μｍとされ、光導波が実
効的に屈折率ガイド型とされる半導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17221482A JPS5961983A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体レ−ザ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17221482A JPS5961983A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体レ−ザ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961983A true JPS5961983A (ja) | 1984-04-09 |
Family
ID=15937705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17221482A Pending JPS5961983A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体レ−ザ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961983A (ja) |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17221482A patent/JPS5961983A/ja active Pending
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