JPS5962206A - 利得調整回路 - Google Patents
利得調整回路Info
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- JPS5962206A JPS5962206A JP17260482A JP17260482A JPS5962206A JP S5962206 A JPS5962206 A JP S5962206A JP 17260482 A JP17260482 A JP 17260482A JP 17260482 A JP17260482 A JP 17260482A JP S5962206 A JPS5962206 A JP S5962206A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0088—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using discontinuously variable devices, e.g. switch-operated
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、利得調整回路に関する。
アナログ集積回路においては、回路の利q<+ ′ff
−精密に調整するために利得調整回路が用いられる。
−精密に調整するために利得調整回路が用いられる。
この利得調整回路としては、例えば両端をポリシリコン
・ヒユーズで煙路したポリシリコン41へ抗体を1ト」
列弁二糾した可変近接と、固定抵抗によっ又抵抗分割し
た抵抗回路網と、−個の演わ増幅H::とから4・1・
構成された利イ4ト調整回路が一般的に用いらitてい
る。しかしこの回路では、ヒユーズ(JJ ttlli
に、しυ用変抵抗部の抵抗値を増加させ利用に甲ハ(シ
た後の抵抗1偵が75T望の値より大きくなり過ぎでも
、それ以上の調整ができないので、回路の利11〕が大
きくなり過ぎ、その集積回路は不良となV外°冒を低下
させてしまうという問題点がある。
・ヒユーズで煙路したポリシリコン41へ抗体を1ト」
列弁二糾した可変近接と、固定抵抗によっ又抵抗分割し
た抵抗回路網と、−個の演わ増幅H::とから4・1・
構成された利イ4ト調整回路が一般的に用いらitてい
る。しかしこの回路では、ヒユーズ(JJ ttlli
に、しυ用変抵抗部の抵抗値を増加させ利用に甲ハ(シ
た後の抵抗1偵が75T望の値より大きくなり過ぎでも
、それ以上の調整ができないので、回路の利11〕が大
きくなり過ぎ、その集積回路は不良となV外°冒を低下
させてしまうという問題点がある。
更に、ヒユーズ切断により所望の利fdに微調整したい
場合、ポリシリコン抵抗の両端に短絡されたポリシリコ
ン・フェーズの抵抗に影響を受は易すくなり所望の利得
に精度よく微調整することが困Llljであるという問
題点がある。
場合、ポリシリコン抵抗の両端に短絡されたポリシリコ
ン・フェーズの抵抗に影響を受は易すくなり所望の利得
に精度よく微調整することが困Llljであるという問
題点がある。
以下にこれらの問題点を具体的な回路(+11について
詳しく説明する。
詳しく説明する。
第1図はシリコンゲートM OSテバイスを用いて形成
された従来例の利得調整回路の回路図を示す。
された従来例の利得調整回路の回路図を示す。
この回路構成は、全体として負帰還増1q+’を器を形
成してお9、演p増幅器1の帰還ループにポリシリコン
・ヒユーズFo〜F13と、抵f、n’、 Rt1〜■
尤13よりなる直列接続型可変11(抗網2と、固定1
1(抗Iζ1゜を持ち、可変抵抗網2の抵抗値を変えて
シi+) At: inを変えることにより利得を変え
ることができる。
成してお9、演p増幅器1の帰還ループにポリシリコン
・ヒユーズFo〜F13と、抵f、n’、 Rt1〜■
尤13よりなる直列接続型可変11(抗網2と、固定1
1(抗Iζ1゜を持ち、可変抵抗網2の抵抗値を変えて
シi+) At: inを変えることにより利得を変え
ることができる。
利得の設定にはポリシリコン剪渚H4≠でイ″1られた
ポリシリコン・フユーズF11〜F1gが用いうyする
。
ポリシリコン・フユーズF11〜F1gが用いうyする
。
抵抗R11〜R13は直列J’j;、1t5i:されて
おり、各々の抵抗はポリシリコン・ヒユーズF1t〜F
13によ−)で両端を短絡されている。ポリシリコン・
ヒユーズFil〜F13自身の抵抗イ111は全てQ’
LL、 < Rfであるとすれば、抵抗R11とポリシ
リコン・ヒーーーズF。
おり、各々の抵抗はポリシリコン・ヒユーズF1t〜F
13によ−)で両端を短絡されている。ポリシリコン・
ヒユーズFil〜F13自身の抵抗イ111は全てQ’
LL、 < Rfであるとすれば、抵抗R11とポリシ
リコン・ヒーーーズF。
の並列回路部分の抵抗値は1、ヒユーズ【XI [+前
はlhtとFilの並列抵抗R117Rf(並列をl
で表わす以下同じ。)であるが、ヒユーズLj、l断1
ノ、−はJプ1,1也11のみの抵抗イ偵すなわちRn
となり、ヒユーズ切断によ!、l(R++ −R11/
/Rf )だけ抵抗が増加する同様に、抵抗R12とポ
リシリコン・に=−ズF1゜の並列回路部分では(R1
2−R12// Rf )s和−抗器R+3とポリシリ
コン・ヒユーズF13の並列回路部分では(R13−R
r3// Rf )だけ抵抗が増加する。このとき、こ
れらのIL(抗値の増加は211−化の」み付けがなさ
れるようK (Rn −Rn// lえf)−ΔRと1
flIいたときに(R12−R12// R1’ l
” 2ΔR1(R13−Rt3// Rf ) −4Δ
Rなる関係を長′つように、抵抗Ru−R13の抵抗値
がIi:> ′iJlされている。
はlhtとFilの並列抵抗R117Rf(並列をl
で表わす以下同じ。)であるが、ヒユーズLj、l断1
ノ、−はJプ1,1也11のみの抵抗イ偵すなわちRn
となり、ヒユーズ切断によ!、l(R++ −R11/
/Rf )だけ抵抗が増加する同様に、抵抗R12とポ
リシリコン・に=−ズF1゜の並列回路部分では(R1
2−R12// Rf )s和−抗器R+3とポリシリ
コン・ヒユーズF13の並列回路部分では(R13−R
r3// Rf )だけ抵抗が増加する。このとき、こ
れらのIL(抗値の増加は211−化の」み付けがなさ
れるようK (Rn −Rn// lえf)−ΔRと1
flIいたときに(R12−R12// R1’ l
” 2ΔR1(R13−Rt3// Rf ) −4Δ
Rなる関係を長′つように、抵抗Ru−R13の抵抗値
がIi:> ′iJlされている。
従って、ポリシリコン・ヒユーズFtx〜F13と抵抗
R11〜Rtaからhjl、る可変抵抗網2の抵抗値は
初め(R11/;/ Rf + R12// Rf +
]也t3//Rf)であるが、ヒユーズFilを切1y
丁するとΔR1ヒユーズF12を切断すると2ΔR,ヒ
ユーズF1gを切断すると4ΔR抵抗が増加するので、
ヒユーズ切断の組合せによすΔRの刻みで8値の抵抗値
を選ぶことができる。
R11〜Rtaからhjl、る可変抵抗網2の抵抗値は
初め(R11/;/ Rf + R12// Rf +
]也t3//Rf)であるが、ヒユーズFilを切1y
丁するとΔR1ヒユーズF12を切断すると2ΔR,ヒ
ユーズF1gを切断すると4ΔR抵抗が増加するので、
ヒユーズ切断の組合せによすΔRの刻みで8値の抵抗値
を選ぶことができる。
この時の回路の利得V otrr / V mは、で力
えられ、フユーズ切断によって53@″′t(゛抗2の
抵抗値を変えることによって第1表に示すように、8段
階の利得調整をすることができる。
えられ、フユーズ切断によって53@″′t(゛抗2の
抵抗値を変えることによって第1表に示すように、8段
階の利得調整をすることができる。
第1表
几16”” R□□/ J + n1*7B 、+1.
1./ n−1上述のように、ポリシリコン・フコース
を(TJ断↓ すれば直列接続型可変抵抗値の抵抗f1rJはJ7勘1
1L、利得が増加するが、利得が増加しすぎた場合Vこ
は、この回路構成では他に手段を有していなし)のでI
II得を小さくすることはできず、素子は不良となり歩
留を低下させることになる。また、微!ll′1整した
い場合、可変抵抗網のフユーズ自身による最小の調整ヌ
テソプΔIt−i−小さくすることで微%1.”;l
IB3−cきるが、ポリシリコン抵抗の抵抗体がポリシ
リコン・フユーズ自身の抵抗値にかなり近づくと、その
両端に短絡されたポリシリコン・フー、−ズの抵抗値に
よる影響が大になる。すなわち、ポリシリコン・フユー
ズの切断前と後での抵抗値変化搦ΔR=(R−R/ R
t )が、一般的にポリシリコン・フユーズは細い形状
のため、ポリシリコン・フコ、−ズの製造による形状け
らつきによってかなりii’ ?)ついてし1い、微:
r、1整が困難となる。
1./ n−1上述のように、ポリシリコン・フコース
を(TJ断↓ すれば直列接続型可変抵抗値の抵抗f1rJはJ7勘1
1L、利得が増加するが、利得が増加しすぎた場合Vこ
は、この回路構成では他に手段を有していなし)のでI
II得を小さくすることはできず、素子は不良となり歩
留を低下させることになる。また、微!ll′1整した
い場合、可変抵抗網のフユーズ自身による最小の調整ヌ
テソプΔIt−i−小さくすることで微%1.”;l
IB3−cきるが、ポリシリコン抵抗の抵抗体がポリシ
リコン・フユーズ自身の抵抗値にかなり近づくと、その
両端に短絡されたポリシリコン・フー、−ズの抵抗値に
よる影響が大になる。すなわち、ポリシリコン・フユー
ズの切断前と後での抵抗値変化搦ΔR=(R−R/ R
t )が、一般的にポリシリコン・フユーズは細い形状
のため、ポリシリコン・フコ、−ズの製造による形状け
らつきによってかなりii’ ?)ついてし1い、微:
r、1整が困難となる。
本発明は従来の上記欠点を解消するためになされたもの
であり、従って本発明の目的は、利イII調整回路にお
いて、利得を増加させるシ」かυでなく減少させること
も可能にし素子の四貿り%・向−トニさせ、また製造条
件に影響されず微調整を11能にするところの利得調整
回路を提供することにある。
であり、従って本発明の目的は、利イII調整回路にお
いて、利得を増加させるシ」かυでなく減少させること
も可能にし素子の四貿り%・向−トニさせ、また製造条
件に影響されず微調整を11能にするところの利得調整
回路を提供することにある。
本発明の回路は、両端を短絡・開放する短絡・開放手段
を有する抵抗が初■個直列]1>:Fjl:さねた抵抗
回路網からなり前記短絡・開放手段を短絡あるいは開放
したときの抵抗f1r1の変化量が2 iH=化1〔み
付けされている直列接続型可変抵抗網と、前?j2短絡
・開放手段と直列接続きれた抵抗が複数個並列接続され
た抵抗回路網からなり前δ[)短絡開放手段を短絡ある
いは開放したときの抵抗体の変化hl′が所定の−重み
伺けされている並列4z: Eノ’+:型↑り変抵抗&
lilと、出力信号を前RIL直列接続型司変可変網と
前音1:並列接続型可変抵抗網によって抵抗分割されて
反転入力端子に入力されている演努、増11(’1’+
器と4− Q−i、+・ことからなっている。
を有する抵抗が初■個直列]1>:Fjl:さねた抵抗
回路網からなり前記短絡・開放手段を短絡あるいは開放
したときの抵抗f1r1の変化量が2 iH=化1〔み
付けされている直列接続型可変抵抗網と、前?j2短絡
・開放手段と直列接続きれた抵抗が複数個並列接続され
た抵抗回路網からなり前δ[)短絡開放手段を短絡ある
いは開放したときの抵抗体の変化hl′が所定の−重み
伺けされている並列4z: Eノ’+:型↑り変抵抗&
lilと、出力信号を前RIL直列接続型司変可変網と
前音1:並列接続型可変抵抗網によって抵抗分割されて
反転入力端子に入力されている演努、増11(’1’+
器と4− Q−i、+・ことからなっている。
以下本発明について1ツI面を参照しバ1°、1111
に最1゛明する。
に最1゛明する。
第2図は本発明の一実施例を示す回路図であり、5個の
ポリシリコン・ヒユーズをfす] 用L s 24
Eu階の利得調整が可能力、回路例であ/、・。
ポリシリコン・ヒユーズをfす] 用L s 24
Eu階の利得調整が可能力、回路例であ/、・。
F21〜F25はポリシリコン・フユーズを各々示し、
R21〜R25はポリシリコン抵抗体により形成された
抵抗であり、それらの抵抗Ill′+1各々R21〜R
25であるものとする。3は演q増幅;!:’i ’L
’ある。
R21〜R25はポリシリコン抵抗体により形成された
抵抗であり、それらの抵抗Ill′+1各々R21〜R
25であるものとする。3は演q増幅;!:’i ’L
’ある。
本実施例は、全体として負帰還増幅番を形成しており、
i″fg、¥J、増中・“、′器3と、その帰盛1 /
レープとして抵抗分割を形成する、ポリシリコン・ヒユ
ーズF21〜F23 と抵抗R21〜R23よりなる
直列接続型可変抵抗体4と、ポリシリコン・ヒーーズF
24〜F25とポリシリコン抵抗: R24+ R25
よジなる並列接続型nJ変抵抗網5とからなっている。
i″fg、¥J、増中・“、′器3と、その帰盛1 /
レープとして抵抗分割を形成する、ポリシリコン・ヒユ
ーズF21〜F23 と抵抗R21〜R23よりなる
直列接続型可変抵抗体4と、ポリシリコン・ヒーーズF
24〜F25とポリシリコン抵抗: R24+ R25
よジなる並列接続型nJ変抵抗網5とからなっている。
そして、 oJ変抵抗網4と5により増幅器の利得を増
減することができる。
減することができる。
i:IJ武(((抗網4は、抵抗R21〜lζ23力m
列接続されており、各々の抵抗はポリシリコン・フユー
ズF’21〜F23によって両端を短絡されている。甘
た、可変抵抗網5は、抵抗R241R25に各々ポリシ
リコン抵抗体ズF241F25を一列接続し、これら直
列接V′:fされた抵抗回路が並列接続、されている。
列接続されており、各々の抵抗はポリシリコン・フユー
ズF’21〜F23によって両端を短絡されている。甘
た、可変抵抗網5は、抵抗R241R25に各々ポリシ
リコン抵抗体ズF241F25を一列接続し、これら直
列接V′:fされた抵抗回路が並列接続、されている。
ポリシリコン・フユーズF21”’−F25の抵抗値は
すべて等しく R4であるとすれば、抵抗R21とポリ
シリコン・フーーズF21の並列回路部5)の初抗値は
、ヒー−ズ切り前はR2□とF21 の並列抵抗R2□
/R,であるが、ヒ、−ズ切断後は抵抗■12、のみの
抵抗領すなわちR21となり、ヒ、−−ズ切断により(
R21””21/ Rf)だけt+V抗が1曽加する、
同様に、抵抗R2□とポリシリコン・ヒーーズF2□の
並列回路部分では(R22,1,122Z ROlll
(抗器R23とポリシリコン・フユーズF’23の31
1・列回路部分では(R23−R23//Rρだけ抵抗
fi′11がJ177加する。このとき、これらの抵抗
(+にの」γ1加1.i打、2/)−化の重みが伺けが
なされるよう(R2、−R23//R,)=ΔRと置い
たときに(■ζ2□−R2□7Iも、)=2ΔIも、(
R23−R23//R,) −4ΔRなるl+1g、l
係を44+つように、抵抗R21〜R23の抵抗値が設
斤′されでいる。
すべて等しく R4であるとすれば、抵抗R21とポリ
シリコン・フーーズF21の並列回路部5)の初抗値は
、ヒー−ズ切り前はR2□とF21 の並列抵抗R2□
/R,であるが、ヒ、−ズ切断後は抵抗■12、のみの
抵抗領すなわちR21となり、ヒ、−−ズ切断により(
R21””21/ Rf)だけt+V抗が1曽加する、
同様に、抵抗R2□とポリシリコン・ヒーーズF2□の
並列回路部分では(R22,1,122Z ROlll
(抗器R23とポリシリコン・フユーズF’23の31
1・列回路部分では(R23−R23//Rρだけ抵抗
fi′11がJ177加する。このとき、これらの抵抗
(+にの」γ1加1.i打、2/)−化の重みが伺けが
なされるよう(R2、−R23//R,)=ΔRと置い
たときに(■ζ2□−R2□7Iも、)=2ΔIも、(
R23−R23//R,) −4ΔRなるl+1g、l
係を44+つように、抵抗R21〜R23の抵抗値が設
斤′されでいる。
従って、ポリシリコン・ヒユーズF゛21〜Fお と抵
抗R21〜R23からなる可変抵抗網4の抵抗値は初め
(R2□// R,+R,//R,+I畑/R1)であ
るが、ヒユーズF2□を切断するとΔR1ヒユーズF2
□を切断すると2ΔR1ヒユーズF23を切1t’Ji
すると4ΔR抵抗が増加するので、ヒコーーズ切1t’
liの組合ぜによりΔRの刻みで8値の11(、抗値’
5c 、JMふことができる。
抗R21〜R23からなる可変抵抗網4の抵抗値は初め
(R2□// R,+R,//R,+I畑/R1)であ
るが、ヒユーズF2□を切断するとΔR1ヒユーズF2
□を切断すると2ΔR1ヒユーズF23を切1t’Ji
すると4ΔR抵抗が増加するので、ヒコーーズ切1t’
liの組合ぜによりΔRの刻みで8値の11(、抗値’
5c 、JMふことができる。
さらに、可変抵抗網5の抵抗値はフユーズ切断前は(R
24+ R,) // (Rお+Rρであるが、F24
のフユーズ切断後は(R25+R,)となり、ヒ二−ズ
切断により、(R25−jR,) −(R24+R,)
/(I罎十R,)だけ抵抗値が増加する。
24+ R,) // (Rお+Rρであるが、F24
のフユーズ切断後は(R25+R,)となり、ヒ二−ズ
切断により、(R25−jR,) −(R24+R,)
/(I罎十R,)だけ抵抗値が増加する。
同様に、フ=−ズ25の切断後は、抵抗R25とポリシ
リコン・フユーズF25の重列回路部では、(R24十
R,)−(R24+R,)//(R25−1−Iζ、)
だり抵抗値が増加する。
リコン・フユーズF25の重列回路部では、(R24十
R,)−(R24+R,)//(R25−1−Iζ、)
だり抵抗値が増加する。
この実施例の回路の利得V。1.T/v1N&i、で与
えられるので、従来の可変抵抗網40す(抗イ1イ)の
増加による利得の増加に加えて、11J蛮抵抗計15の
抵抗(ケ(の増加による利イ4)の沖、少が図れる。(
2かも可変抵抗網5は並列払fr”;1:型となりでい
るためフユーズの切断による抵抗の増加分れ11、直列
1月41’、 Q’1に比べて細かく月1定できる。従
って町悴抵抗■γ14によって大まかな調整をやり、可
変抵抗網5Vこよりて細かな調整を行うことにより精密
な調整を行うことができる。
えられるので、従来の可変抵抗網40す(抗イ1イ)の
増加による利得の増加に加えて、11J蛮抵抗計15の
抵抗(ケ(の増加による利イ4)の沖、少が図れる。(
2かも可変抵抗網5は並列払fr”;1:型となりでい
るためフユーズの切断による抵抗の増加分れ11、直列
1月41’、 Q’1に比べて細かく月1定できる。従
って町悴抵抗■γ14によって大まかな調整をやり、可
変抵抗網5Vこよりて細かな調整を行うことにより精密
な調整を行うことができる。
この実施例の回路では、2つの可変抵抗網4゜5の抵抗
値を変えることによって第2表に示すように24段階の
利得を調整することができる。
値を変えることによって第2表に示すように24段階の
利得を調整することができる。
R,6=(R,、/R,+R2□/几、 + 11.
、、// R,。
、、// R,。
R2,= (R24十几、 )/(R2,十几t )
Jl、2s=TL、+几、 、 11.2.=I+、、
4−M1. 。
Jl、2s=TL、+几、 、 11.2.=I+、、
4−M1. 。
また、微=Ira*じたい場合にはポリシリ二JンU(
:抗R,□〜R25をポリシリコン・フユーズの抵抗(
1f、+ ntに比して十分大きな値にしてポリシリコ
ン・フユーズの影)IヤをなくすことによV容易に徴が
11’zすることができる。すなわら、直列接線;型「
11変抵I71.網4で利得を大きく増加させ、並列接
続型1すψ[1(抗網5で利?4Iを少量減少させるこ
とが可01シである。
:抗R,□〜R25をポリシリコン・フユーズの抵抗(
1f、+ ntに比して十分大きな値にしてポリシリコ
ン・フユーズの影)IヤをなくすことによV容易に徴が
11’zすることができる。すなわら、直列接線;型「
11変抵I71.網4で利得を大きく増加させ、並列接
続型1すψ[1(抗網5で利?4Iを少量減少させるこ
とが可01シである。
なおこの実施例において、抵抗及びその短絡開放手段と
してのフユーズを共にポリシリコンを用いて形成しであ
るがこれは次の理由によっている。
してのフユーズを共にポリシリコンを用いて形成しであ
るがこれは次の理由によっている。
孕
前述のように回路の利得は二つの抵抗値の比の形(式(
1)2式(3)参照)で与えられるので、抵抗とフユー
ズを同一材料であるポリシリコンで形成すると、たとえ
抵抗の抵抗値およびフユーズ自身の抵抗値に製造あるい
社周囲温度等によVはらつきが生じたとしても、それら
のばらつきt」二同じ一向となるので、抵抗値の比の値
は変らないことによる。
1)2式(3)参照)で与えられるので、抵抗とフユー
ズを同一材料であるポリシリコンで形成すると、たとえ
抵抗の抵抗値およびフユーズ自身の抵抗値に製造あるい
社周囲温度等によVはらつきが生じたとしても、それら
のばらつきt」二同じ一向となるので、抵抗値の比の値
は変らないことによる。
かくして回路の利得を一足に保つことができる。
第3図は本発明の他の実施例を示す回路図であり、5個
のポリシリコン・フユーズを使用し32段階の利得調整
が可能な回路1f11である。
のポリシリコン・フユーズを使用し32段階の利得調整
が可能な回路1f11である。
F31〜F35はポリシリコン・フユーズを各々示し、
R30” R351R40はポリシリコン抵抗体により
形成された抵抗であり、それらの抵抗(ii7す、各々
1−〜Ras y R40であるものとする。6は抑[
篤1増中1□°ンぶである。
R30” R351R40はポリシリコン抵抗体により
形成された抵抗であり、それらの抵抗(ii7す、各々
1−〜Ras y R40であるものとする。6は抑[
篤1増中1□°ンぶである。
前述の第2図に示した実施例の回路と同様fJ′I←1
路構成をとっているが、並列接続型ム」俊(1豊7シJ
I+’i 8に固定抵抗R40が並列接続されており、
また、(11列接続型可変抵抗網7に固定抵抗It3o
が直列]γ続されている点が昇っている。抵抗I−の挿
入により利得V。UT/VINを32段階にjill’
1j 41B、 uI能となり、抵抗R30の挿入によ
り7ユーズ切断前の利?!1F+!を自由に設定するこ
とが可能となる。
路構成をとっているが、並列接続型ム」俊(1豊7シJ
I+’i 8に固定抵抗R40が並列接続されており、
また、(11列接続型可変抵抗網7に固定抵抗It3o
が直列]γ続されている点が昇っている。抵抗I−の挿
入により利得V。UT/VINを32段階にjill’
1j 41B、 uI能となり、抵抗R30の挿入によ
り7ユーズ切断前の利?!1F+!を自由に設定するこ
とが可能となる。
また、111i′J変抵抗網7のポリシリコン・フユー
ズ切断による抵抗値変化郵がそれぞfl、2,2.2の
重み付けがされており、並列接続型可変411、抗給j
8のポリシリコン・ヒーーズ切断による抵抗(f111
変化h;が抵抗R4oとの組合せにおいてそれぞれ2,
2の重み付けがされておれば、直列接糸)1型可良・抵
抗網7による抵抗値変化骨がΔRの増力1、ステップで
8段階、さらに並列接続型可変抵抗網8と抵抗R40に
よる抵抗値変化骨がΔR/4の減少ステップで4段階の
糾合せて第3表に示すように、合計32股階の利得調整
ができる。
ズ切断による抵抗値変化郵がそれぞfl、2,2.2の
重み付けがされており、並列接続型可変411、抗給j
8のポリシリコン・ヒーーズ切断による抵抗(f111
変化h;が抵抗R4oとの組合せにおいてそれぞれ2,
2の重み付けがされておれば、直列接糸)1型可良・抵
抗網7による抵抗値変化骨がΔRの増力1、ステップで
8段階、さらに並列接続型可変抵抗網8と抵抗R40に
よる抵抗値変化骨がΔR/4の減少ステップで4段階の
糾合せて第3表に示すように、合計32股階の利得調整
ができる。
第3表
第 3 表 (つづき)
R86=(几、□/ R,、+ R,32/R,十凡、
3/Rρ。
3/Rρ。
几、7=几、。//CR,34+几、 )// (R,
35+几、)R38= R40/ (R,3!l+ R
,、) 、 1−=R,/(+13.+n、、 )なお
、これまでの実施例においては、直列接続型可変抵抗網
並びに並列接続型uJ変抵抗網を形成するポリシリコン
抵抗並びにポリシリコン・フユーズの細動をそれぞれ3
個並びVC2個の」!う今に限定したが、一般的には、
直列接に71、型用変抵抗網を形成する抵抗並びにフユ
ーズの個数をM(I’vlt止の整数)個、並列接続型
可変抵抗網のそJlをN(Nけ正の整む)個としたとき
、(M+N)個のポリシリコン・フユーズと、(M+N
個)又d(M+N+1)又は(M+N+2 )個のポリ
シリコン抵抗と一個の演a増幅器とにより、2MX (
2N−])段階(第2図の実施例では2X (2−1)
=24)、。
35+几、)R38= R40/ (R,3!l+ R
,、) 、 1−=R,/(+13.+n、、 )なお
、これまでの実施例においては、直列接続型可変抵抗網
並びに並列接続型uJ変抵抗網を形成するポリシリコン
抵抗並びにポリシリコン・フユーズの細動をそれぞれ3
個並びVC2個の」!う今に限定したが、一般的には、
直列接に71、型用変抵抗網を形成する抵抗並びにフユ
ーズの個数をM(I’vlt止の整数)個、並列接続型
可変抵抗網のそJlをN(Nけ正の整む)個としたとき
、(M+N)個のポリシリコン・フユーズと、(M+N
個)又d(M+N+1)又は(M+N+2 )個のポリ
シリコン抵抗と一個の演a増幅器とにより、2MX (
2N−])段階(第2図の実施例では2X (2−1)
=24)、。
CM+N)
あるいは2 段階(第3図実施例でIc+:2
=32)の利得調整ができる。しかも的列接14j八
すiiJ従来技術に比べて格段に精密な利イ)I調整が
できることになる。したかつで、素子の歩留りを向上さ
せ、また抵抗比による調整にようでいるので製造条件に
影響されずに微調整を可能に、4“る・1−ころの利得
調整回路が得られる。
=32)の利得調整ができる。しかも的列接14j八
すiiJ従来技術に比べて格段に精密な利イ)I調整が
できることになる。したかつで、素子の歩留りを向上さ
せ、また抵抗比による調整にようでいるので製造条件に
影響されずに微調整を可能に、4“る・1−ころの利得
調整回路が得られる。
又、これまでの説明は抵抗としてポリシリコン抵抗、そ
の短絡開放手段としてポリシリコン・ヒユーズを用いた
場合について行なったけれども、本発明の回路構成はこ
れに限定されることはない。
の短絡開放手段としてポリシリコン・ヒユーズを用いた
場合について行なったけれども、本発明の回路構成はこ
れに限定されることはない。
例えば、抵抗として拡散抵抗を用いその短絡・開放手段
としては同一拡散技術で形成されるトランジスタ(バイ
ポーラ型でも絶縁ゲート電界効果型でもよい。)からな
るアナログスイッチを用いても同様に実現できることは
明らかである。なおこの場合には前述のヒユーズの切断
に対してスイッチの開閉で対応できるので、ヒユーズの
ように一度切断するとそこでの再jl旧i”は不可能で
あるが、何回でも調整を繰り返え(2てよυ精?i2な
調和、が可能となる。
としては同一拡散技術で形成されるトランジスタ(バイ
ポーラ型でも絶縁ゲート電界効果型でもよい。)からな
るアナログスイッチを用いても同様に実現できることは
明らかである。なおこの場合には前述のヒユーズの切断
に対してスイッチの開閉で対応できるので、ヒユーズの
ように一度切断するとそこでの再jl旧i”は不可能で
あるが、何回でも調整を繰り返え(2てよυ精?i2な
調和、が可能となる。
以上詳細に説明したとおり、庫発明の回路によれば、前
述のような構成をとっているので、 、t’ll(υの
増加あるいは利得の減少を+1′+It、I ’+T、
に多段1ψrにわたり調整できるので、回路の利得調整
f:Ii跡・iに行うことができ素子の歩留りを向上さ
せるとともに、製造条件に影響されずに微調整が口J能
な利得i’41整回路全回路ことができその効果は犬で
ある。
述のような構成をとっているので、 、t’ll(υの
増加あるいは利得の減少を+1′+It、I ’+T、
に多段1ψrにわたり調整できるので、回路の利得調整
f:Ii跡・iに行うことができ素子の歩留りを向上さ
せるとともに、製造条件に影響されずに微調整が口J能
な利得i’41整回路全回路ことができその効果は犬で
ある。
第1図は一従来例の、第2図は本発明の一実jili例
の、第3図は本発明の他の実〕114 f911Iの回
路図である。 1.3.6・・・・・・演q、増幅器、2,4.7・・
・・・・内列接続型可変抵抗網、5,8・・・・・・並
列接続型iiJ’?抵抗網、R101Rl、〜”131
rt2.〜”Z’l 1R30〜”351R40・・
・・・・ポリシリコン抵抗、F□1〜F13.F2、〜
F25.F3□〜F35・・・・・・ポリシリコン・1
−ユーズ。
の、第3図は本発明の他の実〕114 f911Iの回
路図である。 1.3.6・・・・・・演q、増幅器、2,4.7・・
・・・・内列接続型可変抵抗網、5,8・・・・・・並
列接続型iiJ’?抵抗網、R101Rl、〜”131
rt2.〜”Z’l 1R30〜”351R40・・
・・・・ポリシリコン抵抗、F□1〜F13.F2、〜
F25.F3□〜F35・・・・・・ポリシリコン・1
−ユーズ。
Claims (5)
- (1)両端を短絡・開放する短絡・開放手段を有する抵
抗が複数側直列接続された抵抗回路網からなり前記短絡
・[4f9放手段を短絡あるいは開放したときの抵抗値
の変化h1が2進化重み付けされている直列ル続型n]
変抵抗11・1と、前出−″、短絡・開放手段と直列接
続された抵抗が復数個並列接続された抵抗回路網からな
り前記短絡・開放手段を短絡あるいは開放したときの抵
抗1(1fの変化h+がHT定の重み伺けされている並
列接続型可変抵抗網と、出力信号を前記直夕1月汐紐〃
司変抵1))9網と前記並列接続型可変抵抗羅1によっ
て抵抗分割されて反転入力端子に入力されている演If
増1i:f器とを含むことをq’!j Ti!lとする
利q++飢整回路。 - (2)前記直列接続型可変抵抗線1が両端を短絡t))
略する短絡・開放手段をイ1しないjl(杭を1へむこ
とを特徴とする特許請求の範囲第(1)珀にAI :
1ltl、の利得調整回路。 - (3)前記並列接続型可変抵抗網が前配知絡・開放手段
と1白列接続されていない抵抗を含むことを特徴とする
特約請求の範囲第(1)項べ5るいはA+!、(21項
に記載の利得1iI7.l整回路。 - (4)前記抵抗がポリシリコン抵抗からなり、前記短絡
・開放手段がポリシリコン・ヒコーーズからなることを
特徴とする特許請求の範囲第(1,)↓自あるいは第(
2)項あるいは第(3)JJ!1にPfl: 4iQの
利倒調!!1り回路。 - (5)前記抵抗が拡散抵抗からなり、前記11.j絡・
開放手段がトランジスタで形成さij、 ftニアナロ
グスイッチからなること?特徴とする特;4’l’ H
f1求のれ)間第(1)J−jIアルイl”l:第(2
)項あルイ)−、l’、 ’A’t (31、’jr1
;’i己i1i;4 II)利得調整回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17260482A JPS5962206A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 利得調整回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17260482A JPS5962206A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 利得調整回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5962206A true JPS5962206A (ja) | 1984-04-09 |
| JPH0226803B2 JPH0226803B2 (ja) | 1990-06-13 |
Family
ID=15944938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17260482A Granted JPS5962206A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 利得調整回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5962206A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS511503A (ja) * | 1974-06-27 | 1976-01-08 | Ngk Insulators Ltd | Tasoseramitsukukibanno seizoho |
| JPS5525209A (en) * | 1978-08-11 | 1980-02-22 | Hitachi Ltd | Gain control circuit |
| JPS55100326U (ja) * | 1978-12-31 | 1980-07-12 | ||
| JPS56164609A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-17 | Nec Corp | Gain adjusting circuit |
-
1982
- 1982-10-01 JP JP17260482A patent/JPS5962206A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS511503A (ja) * | 1974-06-27 | 1976-01-08 | Ngk Insulators Ltd | Tasoseramitsukukibanno seizoho |
| JPS5525209A (en) * | 1978-08-11 | 1980-02-22 | Hitachi Ltd | Gain control circuit |
| JPS55100326U (ja) * | 1978-12-31 | 1980-07-12 | ||
| JPS56164609A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-17 | Nec Corp | Gain adjusting circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0226803B2 (ja) | 1990-06-13 |
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