JPS5962608A - 薄膜状ポリジアセチレンの製造方法 - Google Patents
薄膜状ポリジアセチレンの製造方法Info
- Publication number
- JPS5962608A JPS5962608A JP17366782A JP17366782A JPS5962608A JP S5962608 A JPS5962608 A JP S5962608A JP 17366782 A JP17366782 A JP 17366782A JP 17366782 A JP17366782 A JP 17366782A JP S5962608 A JPS5962608 A JP S5962608A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- diacetylene
- polydiacetylene
- monomer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 title claims abstract description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- -1 diacetylene compound Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002932 luster Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- QUUABGJYIWANBH-UHFFFAOYSA-N ethyl n,n-diphenylcarbamate;hexa-2,4-diyne-1,1-diol Chemical compound CC#CC#CC(O)O.C=1C=CC=CC=1N(C(=O)OCC)C1=CC=CC=C1 QUUABGJYIWANBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 abstract 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RKHQHYOEEVBMSE-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5-tetramethylfluoren-1-one Chemical compound C1=CC(C)=C2C3=C(C)C(C)=C(C)C(=O)C3=CC2=C1 RKHQHYOEEVBMSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trinitrofluoren-1-one Chemical compound C1=CC=C2C3=C([N+](=O)[O-])C([N+]([O-])=O)=C([N+]([O-])=O)C(=O)C3=CC2=C1 FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBWNDBNSJFCLBZ-UHFFFAOYSA-N 7-methyl-5,6,7,8-tetrahydro-3h-[1]benzothiolo[2,3-d]pyrimidine-4-thione Chemical compound N1=CNC(=S)C2=C1SC1=C2CCC(C)C1 RBWNDBNSJFCLBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021630 Antimony pentafluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I antimony pentafluoride Chemical compound F[Sb](F)(F)(F)F VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N arsenic pentafluoride Chemical compound F[As](F)(F)(F)F YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- DWYMPOCYEZONEA-UHFFFAOYSA-L fluoridophosphate Chemical compound [O-]P([O-])(F)=O DWYMPOCYEZONEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- PCTCNWZFDASPLA-UHFFFAOYSA-N hexa-2,4-diyne Chemical compound CC#CC#CC PCTCNWZFDASPLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 150000002826 nitrites Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- DKFFITSUIIXFPL-UHFFFAOYSA-N penta-2,4-diynoic acid Chemical compound OC(=O)C#CC#C DKFFITSUIIXFPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N sulfur trioxide Inorganic materials O=S(=O)=O AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜状ポリジアセチレンの製造方法に関する
ものである。
ものである。
ジアセチレン化合物は、熱、光、あるいはγ線などによ
り結晶状態で重合して、結晶性ポリマーを生成する極め
て特異な物質として知られ、導電は、特殊な置換基を導
入して累積膜を形成しうるようにしたもの（Ｄ Ｂｌｏ
ｏｒ、 Ｏ，Ｌ、 ＨｕｂｂｌＯ＆Ｄ、 Ｊ、Ａｎｄｏ
。
り結晶状態で重合して、結晶性ポリマーを生成する極め
て特異な物質として知られ、導電は、特殊な置換基を導
入して累積膜を形成しうるようにしたもの（Ｄ Ｂｌｏ
ｏｒ、 Ｏ，Ｌ、 ＨｕｂｂｌＯ＆Ｄ、 Ｊ、Ａｎｄｏ
。
Ｐｒｅｐｒｊｎ’ｔｓ Ｊａｐａｎ ３］、 （４）
７０８ （１９Ｂ２） ）等数例を除いて、不溶不融
であり重合時に得られるオ・）末としてそのままの形態
で取扱わねばならず、そのための機能材料としての応／
Ｉ’Ｊが困録であった。
７０８ （１９Ｂ２） ）等数例を除いて、不溶不融
であり重合時に得られるオ・）末としてそのままの形態
で取扱わねばならず、そのための機能材料としての応／
Ｉ’Ｊが困録であった。
本発明者らは、ポリジアセチレンの加工方法について鋭
意研究を行った結果、容易に素子として利用可能な薄膜
状ポリジアセチレンを製造する方法を見出し、本発明を
完結するに至った。すなわち、本発明はジアセチレン化
合物の溶液又は、懸濁液より基板へのスプレー法又は、
スピンナー法により作成したジアセチレンモノマーＮｆ
Ｎを重合させることを特徴とする薄膜状ポリジアセチレ
ンの製造方法、及びジアセチレン化合物を基板上に真空
蒸着することにより作成したジアセチレンモノマー薄膜
を重合させることを特徴とする薄膜状ポリジアセチレン
の製造方法に関するものである。
意研究を行った結果、容易に素子として利用可能な薄膜
状ポリジアセチレンを製造する方法を見出し、本発明を
完結するに至った。すなわち、本発明はジアセチレン化
合物の溶液又は、懸濁液より基板へのスプレー法又は、
スピンナー法により作成したジアセチレンモノマーＮｆ
Ｎを重合させることを特徴とする薄膜状ポリジアセチレ
ンの製造方法、及びジアセチレン化合物を基板上に真空
蒸着することにより作成したジアセチレンモノマー薄膜
を重合させることを特徴とする薄膜状ポリジアセチレン
の製造方法に関するものである。
本発明において用いられるジアセチレン化合物とは、共
役ジアセチレン結合を有する化合物の総称であって、そ
の各種誘導体が含まれる。代表的なものとしては、２，
４−へキサジインのごとき炭化水素類、２，４−ヘキサ
ジイン−１，６−シオー１．４−ジピリジル−１，３−
ブタジインのごとき複素環化合物類、１，３−ブタジイ
ン−カルボン酸のごとき酸類及びこれらのエステル、ア
ミド、並びに塩類などを挙げることができる。これらの
ジアセチレン化合物は、必要に応じて２種以上併用する
こともできる。
役ジアセチレン結合を有する化合物の総称であって、そ
の各種誘導体が含まれる。代表的なものとしては、２，
４−へキサジインのごとき炭化水素類、２，４−ヘキサ
ジイン−１，６−シオー１．４−ジピリジル−１，３−
ブタジインのごとき複素環化合物類、１，３−ブタジイ
ン−カルボン酸のごとき酸類及びこれらのエステル、ア
ミド、並びに塩類などを挙げることができる。これらの
ジアセチレン化合物は、必要に応じて２種以上併用する
こともできる。
本発明の第一の方法においては、前記ジアセチレン化合
物の溶液又は、懸濁液からスプレー法又は、スピンナー
法により基板へ作成したジアセチレンモノマー薄膜を重
合するところに特徴がある。
物の溶液又は、懸濁液からスプレー法又は、スピンナー
法により基板へ作成したジアセチレンモノマー薄膜を重
合するところに特徴がある。
スプレー法、又はスピンナー法においてジアセチレン化
合物は溶液又は懸濁液として使用するが、この除用いる
溶媒、溶液の濃度は、特に限定するものではない。薄膜
の均一性を考慮するとジアセチレン化合物モノマーの溶
解度の高い溶媒を用いるのが望ましく、代表的なものと
しては、アセトン、メチルエチルケトンのごときｔトン
類、クロロホルム、塩化メチレンのごときハロゲン化合
物。
合物は溶液又は懸濁液として使用するが、この除用いる
溶媒、溶液の濃度は、特に限定するものではない。薄膜
の均一性を考慮するとジアセチレン化合物モノマーの溶
解度の高い溶媒を用いるのが望ましく、代表的なものと
しては、アセトン、メチルエチルケトンのごときｔトン
類、クロロホルム、塩化メチレンのごときハロゲン化合
物。
酢酸エチルのごときエステル類、ジメチルアセトアミド
、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
のごときアミド類、アセトニトリルのごときニトリル類
が挙げられる。
、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
のごときアミド類、アセトニトリルのごときニトリル類
が挙げられる。
本発明の第２の方法では、前記ジアセチレン化合物を基
板上に真空蒸着することにより作成したポリジアセチレ
ン薄膜を重合するところに特徴がある。蒸着は１ｔｏｒ
ｒ以下、好ましくは１０ ｔｏｒｒ以下の圧力でボート
中のジアセチレンモノマーを加熱することにより行われ
る。温度はジアセチレンモノマーのＮ＋ ｙ’Ａにより
選定されるが、〜・般的に融点以上に加熱するのが適当
である。１，６−ジ（Ｎ−カルバゾイル）−２，４−へ
キサジイン、２，４−ヘキサジインのごとき昇華性を府
するものは、融−５００００Ａ／ｍｉｎ、 ｇ厚１００
Ａ−１０μ程度が一般的である。
板上に真空蒸着することにより作成したポリジアセチレ
ン薄膜を重合するところに特徴がある。蒸着は１ｔｏｒ
ｒ以下、好ましくは１０ ｔｏｒｒ以下の圧力でボート
中のジアセチレンモノマーを加熱することにより行われ
る。温度はジアセチレンモノマーのＮ＋ ｙ’Ａにより
選定されるが、〜・般的に融点以上に加熱するのが適当
である。１，６−ジ（Ｎ−カルバゾイル）−２，４−へ
キサジイン、２，４−ヘキサジインのごとき昇華性を府
するものは、融−５００００Ａ／ｍｉｎ、 ｇ厚１００
Ａ−１０μ程度が一般的である。
本発明では、ポリジアセチレン薄膜を製造する際、必要
に応じて第３成分をドーピングすることも可能である。
に応じて第３成分をドーピングすることも可能である。
ドーピングの方法は、特に限定するものではないが、ジ
アセチレンモノマー博膜作成時又は後にドーピング剤を
固相、液相又は気相で混入する方法、ジアセチレンモノ
マー薄膜をドーピング剤零囲気又はドーピング剤溶液の
中で重合する方法を用いた場合に、特に良好な結果を与
える。代表的なドーピング剤としては、ヨウ素。
アセチレンモノマー博膜作成時又は後にドーピング剤を
固相、液相又は気相で混入する方法、ジアセチレンモノ
マー薄膜をドーピング剤零囲気又はドーピング剤溶液の
中で重合する方法を用いた場合に、特に良好な結果を与
える。代表的なドーピング剤としては、ヨウ素。
臭素のごときハロゲン化合物、五フッ化アンチモン、五
７ツ化ヒ素、無水硫酸、トＩＪ７四ロ酢酸。
７ツ化ヒ素、無水硫酸、トＩＪ７四ロ酢酸。
過塩素酸、塩化第二鉄、塩化アンモニウムのごとき酸類
、過塩素酸銀、テトラアルキリルアンモニウムフロロボ
レート、テトラアルキルアンモニウムフロロホスフェー
ト等のＪ、ｌｆ、トリニトロフルオレノン、テトラメチ
ルフルオレノン、７エナジン、シアニン色素類等が挙げ
られる。
、過塩素酸銀、テトラアルキリルアンモニウムフロロボ
レート、テトラアルキルアンモニウムフロロホスフェー
ト等のＪ、ｌｆ、トリニトロフルオレノン、テトラメチ
ルフルオレノン、７エナジン、シアニン色素類等が挙げ
られる。
本発明によって得られた薄膜状ポリジアセチレンは空気
中の酸素に対して非常に安定であり、適当に蕪機、有機
導電体又は、半導体を接合することにより整流特性光導
電性、光起電力、電気伝導度の温度、湿度等による可逆
的変化等の特性を示す。これを利用して、各種電子部品
、Ｎ１極、セ珂す−ラＣ電変換素ｌ智子写真感光材料な
どに利用−、Ｉ・□ることができ、その他広い分野にわ
たって用途開発され、応用されることが期待できる。
中の酸素に対して非常に安定であり、適当に蕪機、有機
導電体又は、半導体を接合することにより整流特性光導
電性、光起電力、電気伝導度の温度、湿度等による可逆
的変化等の特性を示す。これを利用して、各種電子部品
、Ｎ１極、セ珂す−ラＣ電変換素ｌ智子写真感光材料な
どに利用−、Ｉ・□ることができ、その他広い分野にわ
たって用途開発され、応用されることが期待できる。
次に実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１
２．４−へキサジインジオールのｐ−）ルエンスル７オ
ン酸エステル８３．６ｍ９及び過ＬＭ ；＃ ＋ｎ銀２
０，５ｎ１９をアセトン３．□ ｆｎｌに溶解し、３ｍ
×３画 の酸化インジュウムを蒸着したガラス板の酸化
インジュウム側にスピンナー法により、厚さ１．０ミク
ロンの薄膜を作成した。これを６０℃に７２時間保つと
金第４光沢のポリジアセチレン薄膜が得られた。
ン酸エステル８３．６ｍ９及び過ＬＭ ；＃ ＋ｎ銀２
０，５ｎ１９をアセトン３．□ ｆｎｌに溶解し、３ｍ
×３画 の酸化インジュウムを蒸着したガラス板の酸化
インジュウム側にスピンナー法により、厚さ１．０ミク
ロンの薄膜を作成した。これを６０℃に７２時間保つと
金第４光沢のポリジアセチレン薄膜が得られた。
この薄膜の表面に金電極を蒸着し素子を作成した。
であった。
実施例２
付し、素子を作成した。、この素子の電気伝導度はＮ度
により可逆的に変花し、２５“Ｑ、湿度４０％で３．６
Ｘ １０ΩＧ１８０％で１．４×１０Ｑｃｍであった
。
により可逆的に変花し、２５“Ｑ、湿度４０％で３．６
Ｘ １０ΩＧ１８０％で１．４×１０Ｑｃｍであった
。
実施例３
１．６−ジ（Ｎ−カルバゾイル）−２，４−へキサジイ
ン８１．７Ｔｎ９を１０ ｔｏｒｒの減圧下３０．０−
（：に加熱し、３σ×３ｃｒＬの金の透明電極を付した
ガラス板の金側に蒸着し、厚さ０．９ ミクロンの薄膜
を作成した。この薄膜を１５０℃、３時間加熱重合させ
ると青色の光沢を有するポリジアセチレンの薄膜が得ら
れた。この薄膜の表面に１−の金の透＃Ｊ電極をつくり
、素子を作成した。この素子に２７ｍｗ７’ｓ’の白色
光をＪ］α射すると２ｖの電圧下ＬＯμＡの光電流が発
生した。
ン８１．７Ｔｎ９を１０ ｔｏｒｒの減圧下３０．０−
（：に加熱し、３σ×３ｃｒＬの金の透明電極を付した
ガラス板の金側に蒸着し、厚さ０．９ ミクロンの薄膜
を作成した。この薄膜を１５０℃、３時間加熱重合させ
ると青色の光沢を有するポリジアセチレンの薄膜が得ら
れた。この薄膜の表面に１−の金の透＃Ｊ電極をつくり
、素子を作成した。この素子に２７ｍｗ７’ｓ’の白色
光をＪ］α射すると２ｖの電圧下ＬＯμＡの光電流が発
生した。
実施例４
１．６−ジ（Ｎ−カルバゾイル） −２，４−へキサジ
イン８１．７二を１０ ｔｏｒｒの減圧下３ｏｏｃに加
熱し・３ｃｍ×３儂のアルミニウム透明電極を付したガ
ラス板のアルミニウム側に族７ｎシ、厚さ０．９ミヂレ
ンの薄膜が得られた。このｉｉｊ、ｉ膜の表面に１ｄの
金の透りＪ電極をつくり、素子を作成した。この素子は
良好な整流特性を示し、白色光２７．２ｍｗのＪ！＜ｆ
針下で光起電力を生じた。ｇＩＪ放電圧は０．５ Ｖ
、短終電流は０１μＡであった。
イン８１．７二を１０ ｔｏｒｒの減圧下３ｏｏｃに加
熱し・３ｃｍ×３儂のアルミニウム透明電極を付したガ
ラス板のアルミニウム側に族７ｎシ、厚さ０．９ミヂレ
ンの薄膜が得られた。このｉｉｊ、ｉ膜の表面に１ｄの
金の透りＪ電極をつくり、素子を作成した。この素子は
良好な整流特性を示し、白色光２７．２ｍｗのＪ！＜ｆ
針下で光起電力を生じた。ｇＩＪ放電圧は０．５ Ｖ
、短終電流は０１μＡであった。
実施例
１．６−ジ（Ｎ−カルバゾイル）−２，４−ヘギヅジイ
ン８１７〜とテトラニトロフルメレノン３．２ｍ９をジ
メチルアセトアミド１０ｍ１に溶かしアルミ。
ン８１７〜とテトラニトロフルメレノン３．２ｍ９をジ
メチルアセトアミド１０ｍ１に溶かしアルミ。
ニウムを蒸着した１ ０ｃ＋ｎ Ｘ １０ｃｍのポリエ
チレンテレフタシーヘトフィルム上にスピンナー法によ
り厚光減、１．．↓特性が観測された。半減露光足はＳ
ＯＯルックス分・であった。
チレンテレフタシーヘトフィルム上にスピンナー法によ
り厚光減、１．．↓特性が観測された。半減露光足はＳ
ＯＯルックス分・であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〕、 ジアセチレン化合物の溶液又は懸濁液からＭＷ上
へのスプレー法又は、スピンナー法により作成したジア
セチレンモノマー薄膜を重合させることを特徴とする薄
膜状ポリジアセチレンの製造方法。 ２ ジアセチレン化合物を基板上に真空蒸着することに
より作成したジアセチレンモノマー薄膜を重合させるこ
とを特徴とする薄膜状ポリジアセチレンの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17366782A JPS5962608A (ja) | 1982-10-02 | 1982-10-02 | 薄膜状ポリジアセチレンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17366782A JPS5962608A (ja) | 1982-10-02 | 1982-10-02 | 薄膜状ポリジアセチレンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5962608A true JPS5962608A (ja) | 1984-04-10 |
Family
ID=15964859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17366782A Pending JPS5962608A (ja) | 1982-10-02 | 1982-10-02 | 薄膜状ポリジアセチレンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5962608A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0391529A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-17 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 高剛性成形体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4258079A (en) * | 1979-12-13 | 1981-03-24 | International Business Machines Corporation | Preparation of continuous films of diacetylenic polymers |
| JPS5642229A (en) * | 1979-06-25 | 1981-04-20 | University Patents Inc | New photooresist composition |
-
1982
- 1982-10-02 JP JP17366782A patent/JPS5962608A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642229A (en) * | 1979-06-25 | 1981-04-20 | University Patents Inc | New photooresist composition |
| US4258079A (en) * | 1979-12-13 | 1981-03-24 | International Business Machines Corporation | Preparation of continuous films of diacetylenic polymers |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0391529A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-17 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 高剛性成形体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0686662B2 (de) | Leitfähige Beschichtungen | |
| JPH09120709A (ja) | 自己ドーピング機能を有する高分子導電体及びその製造方法 | |
| CN112635679A (zh) | 一种提高有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池开路电压的方法 | |
| Chien et al. | Electronic transport and paramagnetic properties of acetylene–carbon monoxide copolymers | |
| JPH07506127A (ja) | 導電性ポリマーの製法 | |
| JPH02100210A (ja) | 有機超電導材料及びその製造方法 | |
| US2997409A (en) | Method of production of lead selenide photodetector cells | |
| CN109786565B (zh) | 一种无空穴传输层的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| JPS61266435A (ja) | 導電性有機重合体薄膜の製造方法 | |
| JPS6189663A (ja) | 高分子半導体素子およびその製造方法 | |
| SU1466650A3 (ru) | Способ получени полимерного пленочного материала | |
| Jen et al. | Low band-gap conjugated polymers: poly (thienylene vinylene) and poly (substituted thienylene vinylenes) | |
| RU2814810C1 (ru) | Способ получения фотоэлектрических преобразователей энергии на основе перовскитов | |
| CN118714860B (zh) | 基于卤化金属配合物凝胶的x射线探测器及其制备方法 | |
| CN110828177B (zh) | 一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法 | |
| JP2909270B2 (ja) | 耐腐食性インピーダンス型センサー及びその製造方法 | |
| JP2613911B2 (ja) | 導電性膜の形成法 | |
| JP2678830B2 (ja) | 有機微粒子を分散させた高分子複合物の製造方法 | |
| Meisel et al. | Large-scale electrochromic devices for smart windows and absorbers | |
| JPS5847009A (ja) | 導電性ポリジアセチレンの製造方法 | |
| JPS62222258A (ja) | 積層型電子写真感光体 | |
| Bahri et al. | Photoconductivity in pure and iodine-doped thin polyvinylchloride films | |
| JPS60257007A (ja) | 高感度焦電素子及びその製造方法 | |
| JP4572426B2 (ja) | 光学装置及びその駆動方法並びに撮像装置 | |
| KR940010595B1 (ko) | 전하 이동 착체의 형성에 의한 폴리퀴놀린계 광전 기능 재료의 제조방법 |