JPS5963775A - 電極組立体及びこれを備えた光起電力デバイスの製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般的に交流プラズマ・システムに関し、特
に、そのようなシステムに使用される電極組立体に関し
、該ば極組立体は、その電極に結合される交流電力に対
して実質的に減少された容量（キャパシタンス）を示す
。本発明の電極組立体は、特に、大面積の基板上にアモ
ルファス半導体光起電力デバイスを製造する高周波プラ
ズマ・システムに使用するように適合される。

本発明は、交流プラズマ・システムに関し、特に、複数
のデポジション・チャンバノ各々において、基板上にア
モルファス・シリコン・アロイ半導体層を連続的にデポ
ジットすることによって、光起電力デバイスを連続的に
生産するために１．高周波プラズマ・タイプのシステム
に使用される電極組立体に関する。各アモルファス層の
組成は、各デポジション・チャンバに導入される特定の
処理ガスに依存する。デポジション・チャンバに導入さ
れるガスは、注意深く制御され、隣接するデポジション
・チャンバに導入されるガスから分離される。特に、デ
ポジション・チャンバは比較的狭いガス・ゲート通路に
よって接続され、基板材料ウェブはこの通路を通過し、
筐たこの通路は、隣接するデポジション・チャンバに導
入される処理ガスを分離するように適合される。

基板上へのアモルファス・シリコン・アロイ材料のデポ
ジションを容易にするために、各チャンを受けるガス入
口と、を有する電極組立体を含む。

高周波電力の形態での交流電力は、電極に結合され、基
板上へのアモルファス・シリコン・アロイ材料のデポジ
ションを容易にするために処理ガスから形成されるプラ
ズマを発生させる。高周波電源と電極とを接続するため
に、同調回路網が電源と電極との間に設けられる。同調
回路網は、電源の出力インピーダンスを電極の入力イン
ピーダンスに整合させる。

電極と基板との間にプラズマ領域を制限し、電極の基板
と反対の側にプラズマが形成されるのを防止するために
、導電材料から形成されるシールスペース寸法に等しい
か或いはそれ以下の距離だけそこかられずかに離隔され
、シールドと電極との間にプラズマが形成されるのを防
止している。

不都合１ドも、電極とシールドとの間の近接したスペー
ス、電極及びシールドの大きな表面積と同様に、接地Δ
れているシールドにより、シールドと電極との間には大
きな容量が生ずる。この大容量は、高周波電力を電極に
効率的に結合する妨げとなる。

電極の入力インピーダンスは大きな容量リアクタンス成
分を含むので、必要な補償又は同調を与えるために大き
な同調回路網が必要である。筐た、このような高い容量
は、数百アンペアのオーダーの高い循環電流を生じさせ
、同調回路網内で極端なＰＲ損失とそれに付随する力ロ
熱の問題を生じさせる。このような程度の加熱の問題は
、従来水冷の必要性があることを思い起こさせる。筐た
、高い循環電流により、同調コンポーネントに、それら
の寸法と価格に加えて、高い電流定格のものが要求され
る。本発明は正に、この電極組立体の容儀を減少させる
目的に向けられている。

最近、各アロイが比較的大きな面積を覆い、動作におい
て結晶質の相対物にほぼ等価なｐ−１−ｎ形デバイスの
製造のためにｐ形及びｎ形材料を形成するようにドープ
処理できるアモルファス半導体アロイをデポジットする
システムを開発するのに、かなりの努力が払われてきた
。

ダロー放電技法によって、エネルギー・ギャップ内の局
在化状態の許容可能な濃度を有するアモルファス・シリ
コン・アロイを調製し、高質の電子特性を与えることが
今や可能である。この技法は、５ｔａｎｆｏｒｄ　Ｒ８
０ｖｓｈｉｎｓｋｙ及びＡｒ１１．ｎ　Ａ（ａ＄ｎの「
結晶質半導体に等価なアモルファス半導体」と題された
、１９８０年１０月７日発行の米国特許第４，２２６，
８９８最明、！ＩＢ書に十分記述されている。蒸着によ
って調製される同様のアロイは、同じ名称て、５ｔｃｂ
ｎｆｏｒｄ　Ｒ，Ｑｖｓｈｉｎｓｋ’ｌ及びＭａｓａｔ
ｓｕｇｕ　Ｉｚｕの、１９８０年８月１２日に発行され
た米国特許第４，２１７，８７４奇問にＩＢ書に十分に
記述されている。これらの特許で開示きれたように、ア
モルファス・シリコン半導体に導入されたフッ素は、そ
の中の局在化状態の密度を実質的に減少させ、ゲルマニ
ウムのような他のアロイ材料の添加を容易にするように
作用する。

光起電力デバイスの効率を増加させるために、多重セル
を使用する概念は、１９６０年８月１６日に発行された
Ｅ、Ｄ、Ｊａ、ｃｋｓｏｎ　　の米国特許第２．９４９
，４９８号によって、少なくとも１９５５年頃には論述
された。ここで論述された多重セル構造はｐ−ｎ接合結
晶質半導体デバイスを利用した。本質的にこの概念は、
太陽ス被りトルの種々の部分を効率的に集め、開回路電
圧ＣＶｏｃ）を増加させるために、種々のバンド・ギャ
ップ・デバイスを利用することに向けられている。タン
デム・セル・デバイスは、各セルを介して直列的に向け
られた光に関する２又はそれ以上のセルを有し、第一の
セル又は層を通過する光を吸収するために比較的小さな
バンド・ギャップ材料を伴う大きなバンド・ギャップ材
料を有している。谷セルからの発生電流を実質的にマツ
チングすることで、全開回路電圧が増加する。

光起電力デバイスが大量生産可能であるということは、
明らかに商業上重要なことである。太陽電池の製造がバ
ッチ処理に制限される結晶シリコンと異すり、アモルフ
ァス・シリコン・アロイは、大面積の基板にわたって多
層にデポジットされ、大容量の連続処理システムで太陽
電池を形成することができる。この種の連続処理システ
ムは、例えば、以下の係属中の米国特許出願に開示され
ている。

「ｐドープ処理シリコン膜の製造方法及びそれから製造
されるデバイス」に関する１９８０年５月１９に出願さ
れた特許出願箱１５１．３　ＣＩ　１号；「アモルファ
ス半導体材料をデポジットするための連続システム」に
関する１９８１年３月１６日に出願された特許出願箱２
４４，８８６号；「連続的なアモルファス太陽電池の製
造システム」に関する１９８１年３月１６日に出願され
た特許出願箱２４０．４９８号； 「多チャンバ・デポジション及び分離システム及び方法
」に関する１９８１年９月２８日に出願された特許出願
箱３０６，１４６号： 「タンデム形光起電力セルを連続的に製造する方法及び
装置」に関する１９８２年３月１９日に出願された特許
出願箱８５９，８２５号、これらの出願に記述されたよ
うに、一連のデポジション・チャンバを介して基板を連
続的に前送させることができ、谷チャンバは、特定の材
料をデポジットするのに使用される。ｐ　−ｉ　−ｎ形
構造の太陽電池を製造する場合に、第一のチャンバは、
ｐ形アモルファス・シリコン・アロイをデポジットする
ために使用され、第二のチャンバは、真性アモルファス
・シリコン・アロイをデポジットするために使用され、
第三のチャンバは、ｎ形アモルファス・シリコン・アロ
イをデポジットするために使用される。それぞれデポジ
ットきれたアロイ、特に真性アロイは、高純度のもので
なければならないので、真性デポジション・チャンバ内
のデポジション環境は、他のチャンバ内のドーピング成
分から分離され、ドーピング成分の真性チャンバへの逆
拡散を防止する。前述の特許出願において、システムは
主に光起電力セルの製造に関連し、チャンバ間の分離は
ガス・ゲートによって達成され、このガス・ゲートを介
して、単一方向のガス流が与えられ、不活性ガスが基板
材料ウェブを掃引する。

前述の特許出願において、大面積の連続状基板上へのア
モルファス・シリコン・アロイ材料のデポジションは、
処理ガスのグロー放電デポジションによって達成される
。この目的のために、各デポジション・チャンバは、グ
ロー放電プラズマを発生させるための電極組立体を備え
ている。プラズマは、例えば、１８．５６　Ｍｌｌｚの
周波数で動作する高周波発生器のような交流電源に接続
された電極によって維持される。この発生器から電極に
高周波を効率的に伝送するために、同調回路網が発生器
と電極との間に配置される。同調回路網は、はとんど抵
抗性の発生器の出力インピーダンスを電極の入力インピ
ーダンスに整合させる。前述のように、従来の電極の入
力インピーダンスは、整合を困難にする大きな容量リア
クタンス成分を含む。本発明は、電極入力インピーダン
スの容量リアクタンス成分が実質的に減少される電極組
立体を提供する。

本発明は、交流プラズマ・システムに使用される容量減
少形電極組立体を提供する。この組立体は、プラズマ領
域を維持するために交流電力を受けるように適合された
電極と、複数の導電プレートと、を備えている。これら
のプレートは、電極の一方の側にプラズマ領域の形成を
妨げるために、また交流電力に対して実質的に減少され
た容量を示すように複数の直列容量を与えるために、電
極の一方の側に予定の距離より短い距離だけ近接して離
隔される。

本発明はまた、複数のアモルファス半導体材料が対応す
る複数のデポジション・チャンバ中を移動する連続状の
導電基板上にデポジットされる光起電力デバイスを製造
するシステムを提供する。

チャンバの少なくとも１つは、容量減少形の電極組立体
を備え、該組立体は、電極と基板との間にプラズマを与
えるために交流電力を受けるように適合された基板から
離隔した電極と；電極と基板との間にプラズマを制限し
、複数の直列接続の容量を与えて交流電力に対して実質
的に減少された容量を与えるために、電極の基板と反対
の側に近接して離隔された複数の導電プレートと：より
成る。

従って、本発明の第一の目的は、交流電極作動形のプラ
ズマ・システムに使用される容量減少形電極組立体を提
供することである。この組立体は、プラズマ領域を維持
するために交流電力を受けるように適合された電極と；
電極の一方の側に予定の距離より短い距離だけ近接して
離隔され、電極のその側にプラズマ領域の形成を妨げる
複数の導電プレートと；を備えたことを特徴とする。こ
れらのプレートは、電極と共に複数の直列容量を提供し
、交流電力に対して実質的に減少された容量を示す。

本発明の第二の目的は、複数のアモルファス半導体材料
が複数のデポジション・チャンバ内を移動する”連続状
の導電基板上にデポジットされる光起電力デバイスを製
造するシステムにおいて、容量減少形の電極組立体を含
む少なくとも１つの改良チャンバを提供することであり
、基板から離隔され、電極と基板との間にプラズマを与
えるために交流電力を受けるように適合された電極と；
電極と基板との間にプラズマを制限するために電極の基
板と反対の側に近接して離隔された複数の導電プレート
と；を特徴とする。これらのプレートはまた、電極と直
列に複数の直列接続の容量を与え、交流電力に対して実
質的に減少された容量を呈する。

本発明を図示実施例に従って以下詳細に説明する。

■、光起電力セル 図面、特に第１図を参照すると、各々がアモルファス半
導体層を含む複数の連続的なｐ−１−ｎ層から形成され
た光起電力セルが参照数字１０によって概略的に示され
ている。本発明の容量減少形の電極組立体が最良に適用
できるのは、このタイプの光起電力デバイスの生産用で
あり、アモルファス・アロイ層は、連続する分離された
デポジション・チャンバ内の移動する基板材料ウェブ上
に連続的にデポジットされる。

特に、第１図は、°個々のｐ−１−ｎ形セル１２（Ｚ、
１２ｂ、１２Ｃから形成される太陽電池のようなｐ−１
−ｎ形光起電力デバイスを示す。最下位セル１２αの下
には、透明で、或いはステンレス鋼、アルミニウム、メ
ンタル、モリブデン又はクロムのような金属材料から形
成される基板がある。ある種の応用ではアモルファス材
料の適用に先立って、薄い酸化物層及び／又は一連のベ
ース、接点を必要とするが、この応用のために、用語゛
基板”は、可撓性フィルムだけでなく、予備処理によっ
てそれに付加された任意の元素をも含む。

セル１２ａ、１２ｂ、１２ｃのそれぞれは、少なくとも
シリコン・アロイを含むアモルファス・アロイ・ボディ
ーと共に形成される。各アロイ・ボディーは、ｐ形伝導
領域又は層１６α、１６ｂ、１６Ｃ；真性領域又は層１
８α、１８　ｂ、　　ｌ　８　ｃ；ｎ形伝導領域又は層
２０α、２０ｂ、２０ｃ；を〈 含む。図示のように、セル１２ｂは中間セルであり、第
１図に示されたように、付加的な中間セルを、本発明の
精神又は範囲から逸脱せずに、図示されたセルの頂部に
スタックすることができる。

また、ｐ−１−ｎセルが示されているが５本発明の容量
減少形の電極組立体はまた、単層又は多層のｎ−１−ｐ
セルを製造するように適合された装置と共に使用できる
。

半導体アロイ層のデポジションに続いて、別のデポジシ
ョン処理が別の環境内で、或いは連続処理の一部として
実行可能であることが理解されるべきである。このステ
ップにおいて、ＴＣＯ（透明導電酸化物）層２２が付加
される。セルが十分に大きな面積のものである場合に、
或いはＴ　’Ｃ０層２２の導電率が不十分な場合に、デ
バイスに電極グリッド２４を付加してもよい。グリッド
２４は、キャリア・パスを短くし、収集効率を増加させ
る。

■、多重グロー放電デポジション・チャンバ第２図を参
照すると、光起電力セルを連続的に製造する多重チャン
バ・グロー放電デポジション装置が参照数字２６によっ
て概略的に示されている。装置２６は、複数の分離され
た専用のデポジション・チャンバ２Ｂ、８０．３２を備
え、各チャンバは、ガス・ゲートによって相互に接続さ
れ、このガス・ゲートを介して掃引ガスが隠やかに流れ
る。

装置２６は、連続的に供給される基板材料１１のデポジ
ション表面に、ｐ−１−ｒｖ溝構造有する大面積のアモ
ルファス光起電力セルを多量に製造するように適合され
る。多層のｐ−１−ｎ形セルを生成するのに必要なアモ
ルファス・アロイ層をデポジットするために、装置２６
は、少などとも１つの３個組デポジション・チャンバを
備えている。各３個組は、基板１１の通過時に、ｐ形伝
導性アモルファス・アロイ層が基板１１のデポジション
表面にデポジットされる第一のデポジション・チャンバ
２８；基板１１の通過時に、真性アモルファス・アロイ
層が基板１１のデポジション表面上のｐ形アロイ層の頂
部にデポジットされる第二のデポジション・チャンバ３
０；基板１１の通過時に、ｎ形伝導性アロイ層が真性層
の頂部にデポジットされる第三のデポジション・チャン
バ３２；より成る。唯一の３個組のデポジション・チャ
ンバが示されているが、付加的な３個組又は付加的な個
々のチャンバを装置に付設して機械に任意の数のアモル
ファスｐ−１−ｎ形層を有する光起電力セルを製造する
能力を提供することができることは明らかであり、また
基板供給コア１１α及び基板巻取りコア１１ｂが説明の
便宜のｆめだけでデポジション・チャンバ内に図示され
ているということは明らかである。実際には、これらの
コアは、デポジション・チャンバに接続された個々のチ
ャンバ内に収容してもよい。

３個組の各デポジション・チャンバ２８，３０．８２は
、導電基板１１上にグロー放電デポジションによって、
単一のアモルファス・シリコン・アロイをデポジットす
るように適合される。この目的のために、各デポジショ
ン・チャンバ２８．３０．３２は、電極組立体３４、ガ
ス供給導管８５、排気導管３６、高周波発生器３８、同
調回路網３９、複数の輻射加熱素子４０、真性デポジシ
ョン・チャンバ３０をｐ及びｎデポジション−チャンバ
２８及び３２に接□続するガス・ゲート４２、を備えて
いる。供給導管３５は、それぞれの電極組立体３４に関
連し、各デポジション・チャンバ内に形成されるプラズ
マ領域に処理ガス混合物を与える。

高周波発生器３８は、電極組立体３４、輻射ヒーター４
０、接地された基板１１、と関連動作し、デポジション
・チャンバに入る元素状反応ガスをデポジション種に解
離することによってプラズマ領域を形成する。次いで、
デポジション種は、アモルファス半導体層として基板１
１の表面にデポジットさイする。

同調回路網３９は、発生器３８の出力インピーダンスを
電極組立体３４の入力インピーダンスに整合させる。こ
れは、発生−８８と電極組立体３４との間に効率的な電
力伝送を与える。以下で明らかになるように、本発明の
新規で且つ改良された電極組立体は、回路網８９が整合
しなければならない実質的に減少された入力容量を呈す
る。

前述の様に、これは、回路網の物理的寸法を減少させる
だけでなく、回路網内の循環電流も減少させる。

第１図に示された光起電力セル１０を形成するために、
ｐ形アモルファス・シリコン層は、デポジション・チャ
ンバ２８内で基板１１上ニテポジツトされ、真性アモル
ファス・シリコン・アロイ層は、デポジション・チャン
バ３０内でｐ形層上にデポジットされ、ｎ形アモルファ
ス・シリコン・アロイ層は、デポジション・チャンバ３
２内で真性層上にデポジットされる。その結果、装装置
２６は、基板上に少なくとも３つのアモルファス・シリ
コン・アロイ層をデポジットし、デポジション・チャン
バ３０内でデポジットされた真性層は、ドーパント又は
ドーピング種として引用される少なくとも１つの元素の
存在によって、デポジション・チャンバ２８及び３２内
でデポジットされた層とは組成において相違する。

基板１１の表面にデポジットされた各アロイ層（特に、
真性層）は、高効率の光起電力デバイス１０を製造する
ために、高純度のものである。ガス・ゲート４２は、ド
ーパント・チャンバ２８及び３２から真性デポジション
・チャンバ３０への処理ガスの逆拡散を実質的に防止す
る。

ＩＩｌ、容量減少形のカソード組立体 第３図を参照すると、アモルファス半導体材料がデポジ
ットされる基板１１に関連して示された本発明を実施す
る電極組立体３４が示されている。

組立体３４は一般的に、シールド５０、外側・・ウジン
グ部５２、ガス供給マニホルド５４、電極５６、複数の
導電プレート５８、を備えている。

基板１１は、組立体３４の上方に配置され、シールド５
０及び外側ハウジング部５２のそれぞれの一対の水平延
長部６０及び６２かられずかに離隔している。基板は、
これらの延長部とわずかにオーバラップし、電極５６と
基板１１との間の領域６４内に形成されるプラズマを制
限する。

電極５６は、ここでは“暗ス波−ス距離”又は”暗ス硬
−ス寸法”として参照される予定の距離より長い距離だ
け基板１１の下方に配置され、領域６４内にプラズマの
発生を許す。プラズマを維持するために５供給ガスは、
供給導管３５を介して供給ガスが供給されるガス供給マ
ニホルド５４を介して領域６４に導入される。１だ、電
極５６は、シールド５０の一方の側壁内に配置された高
電流供給部６８を介して、高周波電源の形態が好せしい
交流電源に接続される。電極は、同調回路網３９（第２
図に図示）によって、第２図の発生器３８のような高周
波発生器に接続されるのが好ましい。供給部６８は、電
極５６と交流電源とをシールド５０から絶縁する。

導電プレート５８は、わずかに離隔され、電極５６の基
板１１と反対の側でシールド５０の底壁から支持される
。プレート５８は、例えばセラミック材料から形成でき
る複数の絶縁ス４−サ７゜によって支持される。最上位
のプレート５８と電極５６との間のスペースは、暗ス檀
−ス距離又は寸法より短く、電極５６の基板１１と反対
の側のプラズマの形成を妨げる。これは、領域６４への
発生プラズマの制限を保証する。第３図に示されたよう
に、プレートは等間隔であるのが好筐しいが、そうする
必要はない。

シールド５０の側壁及び底壁は、電極５６とプレート５
８とをほぼ包囲する。供給部６８に対向するシールド５
０の側壁は、外側ハウジング部５２と共に通路７２を形
成し、不使用の反応ガスはこの通路を介して排気導管３
６を通る。

理解できるように、基板１１、シールド５０、外側ハウ
ジング５２は接地される。電極５６、プレート５８、シ
ールド５０の底壁は全てほぼ平坦であり、はぼ平行面に
ある。その結果、プレートは結局電極５６と接地電位と
の間で複数の直列接続のコンデンサを形成する。従って
、電極の基板と反対の側のプラズマの形成を防止するた
めに電極かられずかに離隔したシールドを利用していた
に過ぎない従来の構造に比較して、電極５６から接地電
位までの容量は実質的に減少する。

本発明の電極組立体３４が、平行な電極とシールドとに
関して、交流電源又は同調回路網に対してどの程度減少
した容量を示すかを示す例として、電極から接地壕での
容量は、次式によって与えられる。

ＫＣｌ Ｃ＝、！　　− ここで、Ｃは容量ＣＦ〕 Ｋはシールドと電極との中間の誘電定数Ａは表面積 ｄは電極とシールドとの間の距離 ε０　は８．８５　ｘ　１０−１２ＣＦ／ｍ〕に等しい
定数 電極とシールドの表面積が０．８５［ｍ２１、電極から
シールド１での間隔は５〔龍〕、１に等しい誘電定数を
与える約０．５［）ル〕の圧力のもとてデポジションが
実行される場合の従来の電極組立体に関して、電極から
接地電位壕での容量は、約６２０　〔ｐＦ’Ｊである。

しかし、本発明を実施して、電極の表面績に等しい表面
積を有し且つ約５　Ｃｍ、ｒｎ３離隔したわずか３個の
プレートを使用することによって、電極から接地１での
容量は、約７５係減少して約１５５　ＣｐＦ〕にするこ
とができる。これは、３個のプレートが４個の直列接続
のコンデンサを電極と接地電位との間に形成する結果で
あり、谷コンテンザは約６２’ＯＣｐＦ］の容量を有す
る。

実際には、前述の全ての理由のために、１５５〔ｐＦ〕
の容量を有する電極は、６２０　［ｐＦ］の容量を有す
るものよりはるかに容易に同調させることができる。

勿論、各プレートを等間隔にし、それ故プレートによっ
て形成される個々の容量を等しい値にすることは必要で
はない。更に、プレートは、図示のように平坦である必
要はなく、本発明から逸脱せずに、ここで開示されたも
のとは数を変えることができる。

従って、本発明の容量減少形の電極組立体３４は、同調
回路網３９に対して、従来の電極組立体に比して実質的
に減少した容量リアクタンスを有する入力インピーダン
スを呈する。その結果、同調回路網３９は補償用の容量
をほとんど必要としないので、それをかなり小さいもの
とすることができる。また１回１賂網内の循環電流は、
実質的に減少され、回路網の配線に使用される電線の直
径を小きくできる。ｌた、電極５６と接地電位との間の
電圧は、電極５６と組立体８４の接地コンポーネントと
の間のアークを防止するためにかなり均等に配分される
。

本発明の電極組立体３４はまた、スパタリング・システ
ムのようなここに開示された高周波グロー放電分解シス
テム以外のシステムに有効に利用することができる。事
実、本発明の電極組立体は、交流電源から電極１での効
率的な電力伝送が必要とされ、電極の同調が重要な任意
の交流電力プラズマ・システムに有効に使用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、セルの各層が本発明の原理に従ってアモルフ
ァス半導体アロイから形成される複数のｐ　−ｉ　−ｎ
形セルより成るタンデム形又はカスケード形の光起電力
デバイスの断面図である。 みに２図は、本発明による電極組立体を備えた、第１図
に示された光起電力デバイスの連続製造用に適合された
多重グロー放電チャンバ・デポジション・システムの概
略１図である。 第３図は、第２図のライン３−３に沿って得られる第２
図の電極組立体の部分断面における拡大側面図である。 （符号説明） １０：光起電力セル　　１１：基板 １６ａ−Ｃ１１８ａ−ｃ、　　２０　ｃｔ−ｃ　：アモ
ルファス半導体層　　２６：多重チャンバ・グロー放電
デポジション・チャンバ ２８．３０．３２：デポジション・チャンバ３４：電極
組立体　　　３８：高周波発生器３９：同調回路ａ’４
４　　　５０：導電シールド５６：電極　　　　　　５
８：導電プレート６８：高電流供給部　　７０：絶縁ス
４−サ１７温コ゛２・８１．°シ゛ζ１’；、Ｌ；ごユ
刀なし）ＦＩＧ、　１ ＦＩＧ、　３ 一丁・絖ン山ｔＥ　−’Ｗ 昭和ｂ　８４１１０月ヤｌｌ ３３、抽１［をりる１１′ｉ ”１汀１どの関係　　１“ｆ　ｇ’ｌ出曳出入１人名　
　　　ＩＪ−シー・震ンバーシー１ン・シ゛バイレス・
・　インニ１−ボレーデッド ４、代　理　人　　　東京都「代０］ト人千町二丁目２
Ｍ１月新人下町ピル　２０６号室 ε３．補正の内容　　　ｉ（一式図面を別紙の通り補光
りる。 （内容に変更なし）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）交流電極作動形のプラズマ・システムに使用され
   る容量減少形電極組立体において。 プラズマ領域を維持するために交流電力を受けるように
   適合さ孔た電極（５６）、 複数の導電プレー）　（５８）であって、該プレートは
   、前記電極の一方の側て予定の距離より短い距離だけわ
   ずかに離隔され、前記電極の前記一方の側てプラズマ領
   域の形成を妨げ、そして前記電極と共に層数の直列の容
   量を与えて前記交流電力に対する実質的に減少した容量
   を呈すること、を特徴とする前記電極組立体。 （２）前記複数のプレー）　（５８）は導電シールド（
   ５０）内にほぼ包囲、され、該シールドは前記電極（５
   ６）から最も離れたプレートかられずかに離隔した底壁
   を有し、前記シールドは接地電位にあることを更に特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の電極組立体。 （３）　　前記プレー）　（５８）の間に複数の絶縁ス
   ペーサ（７０）を備え、前記電極（５６）と前記シール
   ドの底壁との間の前記わずかに離隔した関係に前記プレ
   ートを支持し且つ維持することを更に特徴とする特許請
   求の範囲第２項記載の電極組立体。 （４）前記電極（５６）、前記プレー）　（５８）、前
   記シールドの底壁がほぼ平坦であり、はぼ平行な関門に
   配置されることを更に特徴とする特許請求の範囲第２項
   又は第３項記載の電極組立体。 （５）前記スペーサ（７０）はセラミック材料から形成
   されることを更に特徴とする特許請求の範囲第３項又は
   第４項記載の電極組立体。 （６）前記−組立体（３４）は、大面積の導電基板（１
   １）上にアモルファス半導体材料（１５ａ−ｃ、１８α
   〜Ｃ１２０ａ−ｃ）をデポジットするのに使用するよう
   に適合され、前記電極（５６）は、前記基板と前記プレ
   ートとの間にあり、そして前記電極と前記基板との間に
   前記プラズマ領域を形成するように前記基板から離隔し
   ていることを更に特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
   第５項のいずれかに記載の電極組立体。 （７）前記シールド（５０）は接地電位であることを−
   に特徴とする特許請求の範囲第２項乃至第６項のいずれ
   かに記載の電極組立体。 （８）前記シールドの側壁の１つは、前記型（ａ（５６
   ）を前記シールド（５０）から絶縁している間、前記電
   極を前記高周波電力源（３８）に接続する高電流供給部
   （６８）を備えていることを更に特徴とする特許請求の
   範囲第２項乃至第７項のいずれかに記載の電極組立体。 （９）　　腹ｉのアモルファス半導体材料が複数のデポ
   ジション・チャンバを介して移動する連続状の導電基板
   上にデポジットされる光起電力デバイスを製造するシス
   テムにおいて、前記チャンバの少すくとも１つは容量減
   少形゛の電極組立体を備え、該電極組立体は、 電極と前記基板（１１）との間にプラズマを形成するた
   めに交流電力を受けるように適合された、前記基板から
   離隔した電極（５６）、 複数の導電プレー）　（５８）であって、該プレートは
   、電極の前記基板と反対の側にわずかに離隔し、前記プ
   ラズマを前記電極と前記基板との間に制限し、前記電極
   と共に複数の直列接続の容量を与えて前記交流電力に対
   する実質的に減少した容量を呈すること、 より成ることを特徴とする前記システム。 （１０）前記複数のプレート（５８）は導電シールド（
   ５０）にほぼ包囲され、前記シールドは、前記電極から
   最も離れたプレートかられずかに離隔した底壁を有する
   ことを更に特徴とする特許請求の範囲第９項記載のシス
   テム。 ０１）前記電極（５６）、前記プレート（５８）、前記
   シールド底壁は、はぼ平坦であり、はぼ平行な関係に配
   置されることを更に特徴とする特許請求の範囲第１０項
   記載のシステム。 （資）前記プレー）　（５８）を前記シールド（５０）
   内に前記離隔した関係に支持するための複数の絶縁スペ
   ーサ（７０）を更に特徴とする特許請求の範囲第１０項
   又は第１１項記載のシステム。 （１８）前記スペーサ（７０）はセラミック材料から形
   成されることを更に特徴とする特許請求の範囲第１２項
   記載のシステム。 （１４）　　前記シールド（５０）は接地電位であるこ
   とを更に特徴とする特許請求の範囲第１０項乃至第１３
   頃のいずれかに記載のシステム。 （１５）前記シールド（５０）は一対の対向する側壁を
   備え、該側壁の一方は、前記電極（５６）を前記シール
   ドから絶縁している間、前記交流電力（３８）を前記電
   極に与えるために高電流供給部（６８）を備えているこ
   とを更に特徴とする特許請求の範囲第１４項記載のシス
   テム。