JPS596544A - プラズマエツチング用半導体基板載置治具 - Google Patents
プラズマエツチング用半導体基板載置治具Info
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- JPS596544A JPS596544A JP11578082A JP11578082A JPS596544A JP S596544 A JPS596544 A JP S596544A JP 11578082 A JP11578082 A JP 11578082A JP 11578082 A JP11578082 A JP 11578082A JP S596544 A JPS596544 A JP S596544A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- jig
- etching
- counter bore
- disk type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、たとえば半導体基板上に被着したＡ、６（Ａ
ｌ−ｓｉ 、Ａｌ−５ｉ−ｃｕ）膜をホトリングラフィ
技術を用いて所定のパタンに現像したフォトレジストの
膜をマスクとして、平行平板型プラズマエラチャでムｌ
膜を微細パタンにエツチングする際に、半導体基板を好
ましく載置し得るプラズマエツチング用載置治具に関す
る。
ｌ−ｓｉ 、Ａｌ−５ｉ−ｃｕ）膜をホトリングラフィ
技術を用いて所定のパタンに現像したフォトレジストの
膜をマスクとして、平行平板型プラズマエラチャでムｌ
膜を微細パタンにエツチングする際に、半導体基板を好
ましく載置し得るプラズマエツチング用載置治具に関す
る。
微細なムｌ膜の電極形成を行なう場合、真空中にエツチ
ングガスを導入しグロー放電により解離した活性なイオ
ン及びラジカルにて前記ム！膜の反応性イオンエツチン
グを行なう平行平板型プラズマエツチング法がしばしば
用いられる。ところがかかるプラズマエツチング法の場
合、この人β膜のエツチング時においてウェハー周辺部
のエツチング速度は中心部のエツチング速度よシ早く、
極端な場合にはウェハー周辺部のＡｌ電極配線が無くな
ることもある。かかる不都合をなくすべく各種の提案が
なされている。−例をあげると、エツチングに石英製又
は被エツチング物と同一の材質で作られたリング状の治
具を用いることが公知である。
ングガスを導入しグロー放電により解離した活性なイオ
ン及びラジカルにて前記ム！膜の反応性イオンエツチン
グを行なう平行平板型プラズマエツチング法がしばしば
用いられる。ところがかかるプラズマエツチング法の場
合、この人β膜のエツチング時においてウェハー周辺部
のエツチング速度は中心部のエツチング速度よシ早く、
極端な場合にはウェハー周辺部のＡｌ電極配線が無くな
ることもある。かかる不都合をなくすべく各種の提案が
なされている。−例をあげると、エツチングに石英製又
は被エツチング物と同一の材質で作られたリング状の治
具を用いることが公知である。
しかしながら、従来の石英製のリングにて種々寸法を変
化させてエツチング速度の均一性との関係を調べる実験
を行なった結果、ウェハ周辺部と中心部のエツチング速
度の均一性は約±１０％であり期待される程のものでは
なかった。又この値はリング状の治具を使用しない場合
の値とも大差はなかった。
化させてエツチング速度の均一性との関係を調べる実験
を行なった結果、ウェハ周辺部と中心部のエツチング速
度の均一性は約±１０％であり期待される程のものでは
なかった。又この値はリング状の治具を使用しない場合
の値とも大差はなかった。
本発明は、半導体基板を収納できる大きさに座ぐシを設
け、前記塵ぐシの周辺表面に反応性エッチングガスに不
活性な絶縁材を貼り付けた構造の導電体製盤状台からな
るプラズマエツチング用半導体基板載置治具を提供せん
とするもので、被加工面を有する前記半導体基板を載置
し、前記治具を平行平板型プラズマエラチャの一電極面
上に設置して均一エツチングを行なわんとするものであ
る０ 以下本発明の実施例を図面を用いて説明する。
け、前記塵ぐシの周辺表面に反応性エッチングガスに不
活性な絶縁材を貼り付けた構造の導電体製盤状台からな
るプラズマエツチング用半導体基板載置治具を提供せん
とするもので、被加工面を有する前記半導体基板を載置
し、前記治具を平行平板型プラズマエラチャの一電極面
上に設置して均一エツチングを行なわんとするものであ
る０ 以下本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の実施例に係るプラズマエツチング用半
導体基板載置治具の断面図を示す。この治具の外形形状
は円板型のステンレス板１でその直径は載置される半導
体基板２より２０〜３０ｍｎ１大きく板厚さは約Ｑ、８
ｍｍである。その中心部に半導体基板２厚さよりや＼深
い座ぐシ３を施し、座ぐり３の周辺部はポリエステルテ
ープ４を貼シ付けである。
導体基板載置治具の断面図を示す。この治具の外形形状
は円板型のステンレス板１でその直径は載置される半導
体基板２より２０〜３０ｍｎ１大きく板厚さは約Ｑ、８
ｍｍである。その中心部に半導体基板２厚さよりや＼深
い座ぐシ３を施し、座ぐり３の周辺部はポリエステルテ
ープ４を貼シ付けである。
本発明に係る治具を用いて半導体基板をプラズマエツチ
ングする状態を第２図に示す。ステンレス製盤状台１か
らなる治具−ヒに所定の半導体基板２の載置し、治具本
体を平行平板型プラズマエラチャの下部電極兼試料台６
に載せ、対向の平行平板電極６との間で、反応室７内に
プラズマを生じさせて実施する。このとき、反応ガスは
流入口８よシ流出口９に至らせる。エツチング条件とし
てエッチャントに四塩化炭素を用い、ＲＦ ハヮー５ｏ
ｏｎ（電力密度０．２２シー）１発振周波数３８ｏＫＨ
ｚで実施した。
ングする状態を第２図に示す。ステンレス製盤状台１か
らなる治具−ヒに所定の半導体基板２の載置し、治具本
体を平行平板型プラズマエラチャの下部電極兼試料台６
に載せ、対向の平行平板電極６との間で、反応室７内に
プラズマを生じさせて実施する。このとき、反応ガスは
流入口８よシ流出口９に至らせる。エツチング条件とし
てエッチャントに四塩化炭素を用い、ＲＦ ハヮー５ｏ
ｏｎ（電力密度０．２２シー）１発振周波数３８ｏＫＨ
ｚで実施した。
本発明に係る治具を用いてプラズマエツチングした半導
体基板表面のエツチング速度を表面荒さ計を用いて測定
したエツチング深さから求めた。
体基板表面のエツチング速度を表面荒さ計を用いて測定
したエツチング深さから求めた。
その結果、たとえば、３吋ウェハの場合、中心部とウェ
ハー周辺部よシ内側へ１０ｍｍ間隔で表面荒さ計でエツ
チング深さを測定したところウェハ周辺部よシ内側へ４
１１１ｍ点と更に内側へ２ｏｍｍ点でのエツチング速度
はそれぞれ１４００人／ｍｉｎ 中心部と中心部よシ
外側へ１０ｍｍ点ではそれぞれ１３００ Ａ／ｍｉｎ
であり、ウェハ内の最大変動率で約７．４％であった
。これは従来のものが約２０％であったのに比して著し
く向上しており、均一性のよい特性を得た。これは、本
治具上に置かれた半導体基板全体の温度分布及び放熱効
果がレジストに良好なる結果を与えているからと思われ
る。
ハー周辺部よシ内側へ１０ｍｍ間隔で表面荒さ計でエツ
チング深さを測定したところウェハ周辺部よシ内側へ４
１１１ｍ点と更に内側へ２ｏｍｍ点でのエツチング速度
はそれぞれ１４００人／ｍｉｎ 中心部と中心部よシ
外側へ１０ｍｍ点ではそれぞれ１３００ Ａ／ｍｉｎ
であり、ウェハ内の最大変動率で約７．４％であった
。これは従来のものが約２０％であったのに比して著し
く向上しており、均一性のよい特性を得た。これは、本
治具上に置かれた半導体基板全体の温度分布及び放熱効
果がレジストに良好なる結果を与えているからと思われ
る。
又、治具材料の汚染による特性変化を本装置によりＡｌ
電極配線をした高周波トランジスタを用いて種々特性を
調べたがその特性結果は良好なる事を得、したがって、
治具からの汚染はない事を示した。
電極配線をした高周波トランジスタを用いて種々特性を
調べたがその特性結果は良好なる事を得、したがって、
治具からの汚染はない事を示した。
以上に詳述したように、本発明によればＡ／膜厚さ１．
２μｍでＡ７Ｊ線幅１．ｏｌｌｍ のエツチングが均
一性よく得られる。
２μｍでＡ７Ｊ線幅１．ｏｌｌｍ のエツチングが均
一性よく得られる。
第１図は本発明に係るプラズマエツチング用半導体基板
載置治具の構造断面図、第２図は第１図に示す治具を平
行平板型プラズマエラチャに載置した状態を示す概略断
面図である。 １・・・・・・ステンレス台座、３・・印・座ぐり、４
・・・・・・ポリエステルテープ、５・・・・・・下部
電極兼試料台、６・・・・・・対向電極、７・・・・・
・反応室、８・・・・・・反応ガス流入口、９・・・・
・・反応ガス流出口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
載置治具の構造断面図、第２図は第１図に示す治具を平
行平板型プラズマエラチャに載置した状態を示す概略断
面図である。 １・・・・・・ステンレス台座、３・・印・座ぐり、４
・・・・・・ポリエステルテープ、５・・・・・・下部
電極兼試料台、６・・・・・・対向電極、７・・・・・
・反応室、８・・・・・・反応ガス流入口、９・・・・
・・反応ガス流出口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (1)
- 半導体基板を収納できる大きさに座ぐシを設け、前記塵
ぐ勺の周辺表面に反応性エツチングガスに対して不活性
な絶縁材が形成された導電体製盤状台からなることを特
徴とするプラズマエツチング用半導体基板載置治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11578082A JPS596544A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | プラズマエツチング用半導体基板載置治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11578082A JPS596544A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | プラズマエツチング用半導体基板載置治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596544A true JPS596544A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14670870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11578082A Pending JPS596544A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | プラズマエツチング用半導体基板載置治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596544A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198821A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Anelva Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS6276725A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | 反応性プラズマエツチング装置 |
-
1982
- 1982-07-02 JP JP11578082A patent/JPS596544A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198821A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Anelva Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS6276725A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | 反応性プラズマエツチング装置 |
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