JPS5965471A - 一次元固体カラ−撮像装置 - Google Patents
一次元固体カラ−撮像装置Info
- Publication number
- JPS5965471A JPS5965471A JP57176548A JP17654882A JPS5965471A JP S5965471 A JPS5965471 A JP S5965471A JP 57176548 A JP57176548 A JP 57176548A JP 17654882 A JP17654882 A JP 17654882A JP S5965471 A JPS5965471 A JP S5965471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive area
- pixel
- substrate
- insulating film
- longitudinal direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/152—One-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は一次元固体力う−撮像装置の改良に関する。
周知の如く、−次元固体力ラー撮像装置は、ファクシミ
リ、複写機、文字読取装置等の高解像度が要求される製
品に多用されている。従来、例えばデユア・左チャネル
形の一次元固体力う−撮像装置としては、第１図（ａ）
、 （ｂ） ＊ （ｅ）に示すものが知られている。
リ、複写機、文字読取装置等の高解像度が要求される製
品に多用されている。従来、例えばデユア・左チャネル
形の一次元固体力う−撮像装置としては、第１図（ａ）
、 （ｂ） ＊ （ｅ）に示すものが知られている。
なお、第１図（ａ）は上記装置の平面図、同図（ｂ）
、 （ｅ）は夫々同図（ａ）のＡ−Ａ線。
、 （ｅ）は夫々同図（ａ）のＡ−Ａ線。
Ｂ−Ｂ線に担う断面図を示す。
図中の１はＰ型のシリコン基板゛である。この基板１表
面には、光入射によシ生じた信号電荷をフォトダイ引−
ドに蓄積するための感光領域２が設けられている。同基
板１表面には前記感光領域２を複数のｉ型の半導体領域
（画素）３・・・に分割するＰ＋型のチャネル防止領域
４、このチャネル阻止領域４及び他のチャネル阻止領域
に接し、て電荷転送シフトレジスタ５１．５２ｏ一部る
構成すをｎ 型の埋込みチャネル領域６．６が夫々設け
られている。前記シフトレジスタ５＋＋５２は感光領域
２を該感光領域２の長手方向に対し両サイドから狭むよ
うに配置され。
面には、光入射によシ生じた信号電荷をフォトダイ引−
ドに蓄積するための感光領域２が設けられている。同基
板１表面には前記感光領域２を複数のｉ型の半導体領域
（画素）３・・・に分割するＰ＋型のチャネル防止領域
４、このチャネル阻止領域４及び他のチャネル阻止領域
に接し、て電荷転送シフトレジスタ５１．５２ｏ一部る
構成すをｎ 型の埋込みチャネル領域６．６が夫々設け
られている。前記シフトレジスタ５＋＋５２は感光領域
２を該感光領域２の長手方向に対し両サイドから狭むよ
うに配置され。
感光領域２に蓄積された信号電荷を出力部に転送する。
前記基板１上の第１の絶縁１１ｒ２ ｙ ｌ上には、前
記感光領域２の長手方向の両側端の一部上に延在するよ
うに２つの導体電極８１．８□が設けられている。なお
、この導体電極８１ 。
記感光領域２の長手方向の両側端の一部上に延在するよ
うに２つの導体電極８１．８□が設けられている。なお
、この導体電極８１ 。
８２と前記基板１間に導体前＠８１ ＋８２下の基板１
の表面に空乏層を生じるような電圧を印加すると、導体
電極８１＋８２下には前記Ｐ＋型のチャネル阻止領域４
を電位の障壁とする電位の井戸が形成される。そして、
この電位の井戸は、夫々前記電位の障壁により独立して
光信号によ多発生した電荷を蓄積する画素３・・・とじ
て°動作する。また、前記各画素３・・・からの信号電
荷は、笠記制御電極によシ前記シフトレジスタ６１ ＋
５２を経て出力部よ如出力信号として取シ出される。
の表面に空乏層を生じるような電圧を印加すると、導体
電極８１＋８２下には前記Ｐ＋型のチャネル阻止領域４
を電位の障壁とする電位の井戸が形成される。そして、
この電位の井戸は、夫々前記電位の障壁により独立して
光信号によ多発生した電荷を蓄積する画素３・・・とじ
て°動作する。また、前記各画素３・・・からの信号電
荷は、笠記制御電極によシ前記シフトレジスタ６１ ＋
５２を経て出力部よ如出力信号として取シ出される。
前記第１の絶縁膜７１上には、各画素３・・・からの信
号電荷を前記シフトレジスタ５Ｉ 、５２へ転送するの
を制御する制御電極９１ ．９２が前記導体電極８１＋
８２に近接して設けられている。壕だ、同絶縁膜７Ｉ上
に前記シフトレジスｐ５１ ＊５ｚの一部を構成する転
送電極１０％１θ２が設けられている。前記導体前に？
ｉ、８１＋８□等を含む前記第１の絶縁膜ｚＩ上には第
２の絶縁膜７２が形成され、該第２の絶縁膜７１上には
前記感光領域２の大部分に対応する部分にのみ間隙部１
１を有するＡＩからなる光シールド膜１２里 、１２２
が形成されている。との光シールド膜１２１，１２２を
含む前記第２の絶縁膜７２上にはリンガラスからなる表
面保護膜１３が形成され、該表面保護膜１３上には前記
各画素３・・・に対応してカラーフィルター１４が形成
されている。なお、このカラーフィルター１４は前記感
光領域２め長手方向に緑、赤、青色のフィルター１５１
ｍ１５２ ．１５Ｂを１ユニツトとして順次並べた
ものである。々お、前記カラーフィルター１４は、一般
に写真製版の応用によシストライプ状あるいはモＶイク
状のパターンを前記表面保護膜１３上に形成し、それを
染色等の処理によシ所定の分光特性をもつ着色／？ター
ンを得ることにより行う。即ち、前記録、赤、青色の各
フィルタ−１５ｔ、１５２１５３間には該フィルター１
５１〜７５３を保護する例えばニトロセルロースからな
る申開層（図示せず）を形成し、かつ前ｎＣ）フィルタ
＝２５、〜１５３の母体としては例えば重クロム酸塩を
添加したゼラチンを使用し、かかるゼラチンを酸性染料
等により染色し、これにより緑赤、宵色の各フィルター
１５１〜１５３を形成する。゛前記カラーフィルター１
４を含む前記表面保護膜１３上には該カラーフィルター
１４を保護する光透過性の良好な例えばニトロセル口。
号電荷を前記シフトレジスタ５Ｉ 、５２へ転送するの
を制御する制御電極９１ ．９２が前記導体電極８１＋
８２に近接して設けられている。壕だ、同絶縁膜７Ｉ上
に前記シフトレジスｐ５１ ＊５ｚの一部を構成する転
送電極１０％１θ２が設けられている。前記導体前に？
ｉ、８１＋８□等を含む前記第１の絶縁膜ｚＩ上には第
２の絶縁膜７２が形成され、該第２の絶縁膜７１上には
前記感光領域２の大部分に対応する部分にのみ間隙部１
１を有するＡＩからなる光シールド膜１２里 、１２２
が形成されている。との光シールド膜１２１，１２２を
含む前記第２の絶縁膜７２上にはリンガラスからなる表
面保護膜１３が形成され、該表面保護膜１３上には前記
各画素３・・・に対応してカラーフィルター１４が形成
されている。なお、このカラーフィルター１４は前記感
光領域２め長手方向に緑、赤、青色のフィルター１５１
ｍ１５２ ．１５Ｂを１ユニツトとして順次並べた
ものである。々お、前記カラーフィルター１４は、一般
に写真製版の応用によシストライプ状あるいはモＶイク
状のパターンを前記表面保護膜１３上に形成し、それを
染色等の処理によシ所定の分光特性をもつ着色／？ター
ンを得ることにより行う。即ち、前記録、赤、青色の各
フィルタ−１５ｔ、１５２１５３間には該フィルター１
５１〜７５３を保護する例えばニトロセルロースからな
る申開層（図示せず）を形成し、かつ前ｎＣ）フィルタ
＝２５、〜１５３の母体としては例えば重クロム酸塩を
添加したゼラチンを使用し、かかるゼラチンを酸性染料
等により染色し、これにより緑赤、宵色の各フィルター
１５１〜１５３を形成する。゛前記カラーフィルター１
４を含む前記表面保護膜１３上には該カラーフィルター
１４を保護する光透過性の良好な例えばニトロセル口。
−スからなるオーバーコート層１６が形成されている。
次に、上記構造の一次元固体力う−撮像装置の動作につ
いて説明する。まず、光シールド膜’２１’＊１２Ｈの
間隙部１１から各画素３・・・に光Ａ；入射すると、各
画素３・・・で電荷が発生する。
いて説明する。まず、光シールド膜’２１’＊１２Ｈの
間隙部１１から各画素３・・・に光Ａ；入射すると、各
画素３・・・で電荷が発生する。
ここで制御電極９２をＯＮすることによシ、チャネル阻
止領域４で夫々仕切られた各面子３・・・に蓄積された
信号電荷は導体正、極９２によりその量を調整されて電
荷転送シフトレジスタ１２□に転送され、順次出力部（
図示せず）よ！１１ 読み出される。
止領域４で夫々仕切られた各面子３・・・に蓄積された
信号電荷は導体正、極９２によりその量を調整されて電
荷転送シフトレジスタ１２□に転送され、順次出力部（
図示せず）よ！１１ 読み出される。
しかしながら、前述した構造の一次元固体力う−撮像装
置においては、カラーフィルター１４が緑、赤、青色の
フィルター１５．〜１５３からなるユニットを順次感光
領域２の長手方向に並べた構造となっているため、高解
像度を得ようとすると前記ユニットを多数釜べて多画素
化しなければならない。従って、チップの感光領域２の
長手方向のサイズが極端に大きくなるという欠点をもっ
ていた。このことは、最近−次元固体力ラー撮像装置に
おいて、感光領域２の長手方向のピッチを微細加工技術
によシ最小ピッチに形成してもなお不十分である。
置においては、カラーフィルター１４が緑、赤、青色の
フィルター１５．〜１５３からなるユニットを順次感光
領域２の長手方向に並べた構造となっているため、高解
像度を得ようとすると前記ユニットを多数釜べて多画素
化しなければならない。従って、チップの感光領域２の
長手方向のサイズが極端に大きくなるという欠点をもっ
ていた。このことは、最近−次元固体力ラー撮像装置に
おいて、感光領域２の長手方向のピッチを微細加工技術
によシ最小ピッチに形成してもなお不十分である。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので。
チップの感光領域長手方向のサイズを大きくすることな
く高解像度が得られる一次元固体カラー撮像装置を提供
することを目的とするものである。
く高解像度が得られる一次元固体カラー撮像装置を提供
することを目的とするものである。
本発明は、チャネル阻止領域を半導体基板表面に、該基
板表面に設けた感光領域を該感光領域の長手方向及びこ
れと直交する方向に分割するように設けるとともに、カ
ラーフィルターを前記基板上の絶縁膜に前記チャネル阻
止領域で分割された各画素に対応するように設けること
によって、チップの感光領域長手方向のサイズを大きく
するととｋ〈高解像度化を図ったものである。
板表面に設けた感光領域を該感光領域の長手方向及びこ
れと直交する方向に分割するように設けるとともに、カ
ラーフィルターを前記基板上の絶縁膜に前記チャネル阻
止領域で分割された各画素に対応するように設けること
によって、チップの感光領域長手方向のサイズを大きく
するととｋ〈高解像度化を図ったものである。
本発明の一実施例であるデュアルチャネル形の一次元固
体力う−撮像装置を第２図（ａ） 、 （ｂ）を参照し
て説明する。なお、第１図（ａ） 、 （ｂ）、 （ｃ
）図示の従来の一次元固体力う−払・＠装「イと同部材
のものは同符号を付して貌１明を省略する。
体力う−撮像装置を第２図（ａ） 、 （ｂ）を参照し
て説明する。なお、第１図（ａ） 、 （ｂ）、 （ｃ
）図示の従来の一次元固体力う−払・＠装「イと同部材
のものは同符号を付して貌１明を省略する。
本発明の固体カラー撮像装置は、従来のそれと比べ、シ
リコン基板１表面に従来の感光領域よシ該感光領域の長
手方向と直交する方向の寸法が幾分大きい感光領域２１
を設けた点と Ｐ＋型のチャネル阻止領域２２をシリコ
ン基板１に、前記感光領域２１を該感光伊竣２１の長手
方向及びこれと直交する方向に分割して複数のｉ型の半
導体領域（画素）２３を設けた点と、カラーフィルター
２４を表面保睦膜１３上に前記チャネル阻止領域２２で
分割された各画素２３・・・に対応するように設けた点
とが異なる。前記カラーフィルター２４は、緑（Ｇ）、
赤（８）、青（Ｂ）色のフィルター２５．．２５２ ．
２５３を１ユニツトとした組み合せからなり、その形状
は例えば第３図に示す如く前記各画素２３・・・に対応
して緑色のフィルター２５１を感光領域２１の長手方向
に対し蛇行状に配置し、残シの各画素２３・・・に対応
して赤、青色のフィルター２５２ ＋２５ｇを適宜配
置した構造となっている。
リコン基板１表面に従来の感光領域よシ該感光領域の長
手方向と直交する方向の寸法が幾分大きい感光領域２１
を設けた点と Ｐ＋型のチャネル阻止領域２２をシリコ
ン基板１に、前記感光領域２１を該感光伊竣２１の長手
方向及びこれと直交する方向に分割して複数のｉ型の半
導体領域（画素）２３を設けた点と、カラーフィルター
２４を表面保睦膜１３上に前記チャネル阻止領域２２で
分割された各画素２３・・・に対応するように設けた点
とが異なる。前記カラーフィルター２４は、緑（Ｇ）、
赤（８）、青（Ｂ）色のフィルター２５．．２５２ ．
２５３を１ユニツトとした組み合せからなり、その形状
は例えば第３図に示す如く前記各画素２３・・・に対応
して緑色のフィルター２５１を感光領域２１の長手方向
に対し蛇行状に配置し、残シの各画素２３・・・に対応
して赤、青色のフィルター２５２ ＋２５ｇを適宜配
置した構造となっている。
しかして、前述した構造の一次元固体力う−撮像装置に
よれば、Ｐ＋型のチャネル阻止領域２２が、感光領域２
１を該感光拡域２１の長手方向及びこれと直交する方向
に分割するようにＰ型のシリコン基板１表面に設けられ
ているとともに、緑、赤、青色のフィルター２５１〜２
５３がチャネル阻止領域２２によって分割された各画素
２３・・・に対応して表面保護膜１３上に設けられた構
造となっている。従って、従来と本発明の固体−撮像装
置において、同じチップの長手方向の一定の長さについ
て注目すれば、本発明の場合従来と比べ画素数を２倍に
することができる。これによシ本発明の装置によれば、
感光領域の長手方向と直交する方向の寸法を従来よシ幾
分大きくしかつ感光領域の長手方向の寸法を変えない状
態で従来の装置と比べ約２倍の解像度を得ることができ
る。
よれば、Ｐ＋型のチャネル阻止領域２２が、感光領域２
１を該感光拡域２１の長手方向及びこれと直交する方向
に分割するようにＰ型のシリコン基板１表面に設けられ
ているとともに、緑、赤、青色のフィルター２５１〜２
５３がチャネル阻止領域２２によって分割された各画素
２３・・・に対応して表面保護膜１３上に設けられた構
造となっている。従って、従来と本発明の固体−撮像装
置において、同じチップの長手方向の一定の長さについ
て注目すれば、本発明の場合従来と比べ画素数を２倍に
することができる。これによシ本発明の装置によれば、
感光領域の長手方向と直交する方向の寸法を従来よシ幾
分大きくしかつ感光領域の長手方向の寸法を変えない状
態で従来の装置と比べ約２倍の解像度を得ることができ
る。
゛また。上記実施例の如く、カラーフィルター２４を構
成する緑（Ｇ）′色のフィルター２５１・・・を前記各
画素２３・・・に対応して感光領域２１の長手方向に対
し蛇行状に配置し、かつ残りの各画素２３・・・に対応
して赤（Ｒ）、青ω）色のフィルター２５２・・・、２
５３・・・を適宜配置すれば、緑（Ｇ）色のフィルター
２ｐｌ・・・に対応した緑信号の感光領域２１の長手方
向に対し垂直方向の解像度が良好と々る。
成する緑（Ｇ）′色のフィルター２５１・・・を前記各
画素２３・・・に対応して感光領域２１の長手方向に対
し蛇行状に配置し、かつ残りの各画素２３・・・に対応
して赤（Ｒ）、青ω）色のフィルター２５２・・・、２
５３・・・を適宜配置すれば、緑（Ｇ）色のフィルター
２ｐｌ・・・に対応した緑信号の感光領域２１の長手方
向に対し垂直方向の解像度が良好と々る。
なお、上記実施例ではカラーフィルターとして緑、赤、
青色の原色型を用いたが、これに限定されない。例えば
黄色とシアン色を用いた補色型を適用し、黄色、シアン
色、黄色とシアン色の重なシ部分よシなる緑色及び無色
を適宜組み合わせてもよい。また、前記録（Ｇ）、赤（
臣、宵Φ）色のフィルターの組み合わせは、上記実施例
の如く第３図の場合に限らず、第４図（ａ） 、 （ｂ
） 。
青色の原色型を用いたが、これに限定されない。例えば
黄色とシアン色を用いた補色型を適用し、黄色、シアン
色、黄色とシアン色の重なシ部分よシなる緑色及び無色
を適宜組み合わせてもよい。また、前記録（Ｇ）、赤（
臣、宵Φ）色のフィルターの組み合わせは、上記実施例
の如く第３図の場合に限らず、第４図（ａ） 、 （ｂ
） 。
（ｅ）に示すように配置してもよい。
以上詳述した如く本発明によれば、従来と比ベチップの
感光領域長手方向のサイズを大きくすることなく高解像
度を達成できる信頼性の高い一次元固体力う−撮像装置
を提供できるものである。
感光領域長手方向のサイズを大きくすることなく高解像
度を達成できる信頼性の高い一次元固体力う−撮像装置
を提供できるものである。
第１図（、）は、従来のデュアルチャネル形の一次元固
体カラー撮像装置の平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−ｈｉｍに沿う断面図、同図（Ｃ）は同図（ａ）のＢ
−Ｂ線に沿う断面図、第２図（ａ）は本発明の一実施例
であるデュアルチャネル形の一次元固体力う−撮像装置
の平面図、同図（ｂ）Ｆｉ同図（ａ）のＡ−Ａ線に沿う
断面図、第３図は第２図（ａ） 、 （ｂ）図示の撮像
装置に用いられるカラーフィルターの平面図、第４図（
ａ） 、 （ｂ）＃ （ｅ）は夫々第３図図示のカラー
フィルターを構成する緑（Ｇ）、赤（６）、青ω）色の
フィルターの他の配置例を示す平面図である。 １・・・Ｐ型のシリコン基板、５１ｅ５２・・・電荷転
送シフトレジスタ、６・・・計則の埋込みチャネル領域
、７□ 、７２・・・絶縁膜ｓ８１ ＋８２・・・導体
電極−９１ｅ９２・・・制御電極、ｉｏｌ、ｚｏ２・・
・転送電極、１１・・・間隙部、１２１，１２２・・・
Ａｌ ２＞・らなる光シールド膜、１３・・・表面保訛
膜、１６・・・メーパーコート層、２１・・・感光領域
、２２・・・Ｐ＋型のチャネル阻止領域、２３・・・ｎ
＋型の半導体領域（画素）、２４・・・カラーフィルタ
ー。 ２５１・・・緑色のフィルター、２５２・・・赤色のフ
ィルター、２５３・・・青色のフィルター。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 ３Ｅ１１ ンｂ３ 一３６二−
体カラー撮像装置の平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−ｈｉｍに沿う断面図、同図（Ｃ）は同図（ａ）のＢ
−Ｂ線に沿う断面図、第２図（ａ）は本発明の一実施例
であるデュアルチャネル形の一次元固体力う−撮像装置
の平面図、同図（ｂ）Ｆｉ同図（ａ）のＡ−Ａ線に沿う
断面図、第３図は第２図（ａ） 、 （ｂ）図示の撮像
装置に用いられるカラーフィルターの平面図、第４図（
ａ） 、 （ｂ）＃ （ｅ）は夫々第３図図示のカラー
フィルターを構成する緑（Ｇ）、赤（６）、青ω）色の
フィルターの他の配置例を示す平面図である。 １・・・Ｐ型のシリコン基板、５１ｅ５２・・・電荷転
送シフトレジスタ、６・・・計則の埋込みチャネル領域
、７□ 、７２・・・絶縁膜ｓ８１ ＋８２・・・導体
電極−９１ｅ９２・・・制御電極、ｉｏｌ、ｚｏ２・・
・転送電極、１１・・・間隙部、１２１，１２２・・・
Ａｌ ２＞・らなる光シールド膜、１３・・・表面保訛
膜、１６・・・メーパーコート層、２１・・・感光領域
、２２・・・Ｐ＋型のチャネル阻止領域、２３・・・ｎ
＋型の半導体領域（画素）、２４・・・カラーフィルタ
ー。 ２５１・・・緑色のフィルター、２５２・・・赤色のフ
ィルター、２５３・・・青色のフィルター。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 ３Ｅ１１ ンｂ３ 一３６二−
Claims (2)
- （１）半導体基板と、この基板表面に設けられ複数の画
素を構成する感光領域と、前記基板表面に設けられ、前
記感光領域の長手方向及びとれと直交する方向に分割し
て複数の画素を形成するチャネル阻止領域と、同基板表
面に設けられ前記各画素に蓄積される信号電荷を転送す
る電荷転送シフトレジスタと、前記基板上の第１の絶縁
膜上に設けられ、前記各画素からの信号電荷を前記電荷
転送シフトレジスタへ転送するのを制御する制御電極と
、前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜上に設けられ前記
感光領域に対応した部分に間隙部を有する光シールド膜
と、前記第２の絶縁膜上の表面保護膜上に前記チャネル
阻止領域で分割された各画素に対応するように設けられ
たカラーフィルターとを具備することを特徴とする一次
元固体力う−撮像装置。 - （２）各画素に対応して緑色のフィルターを感光領域の
長手方向に対し蛇行状に設け、残シの各画素に対応して
青と赤色のフィルターを設けたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の一次元固体力う−撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57176548A JPS5965471A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 一次元固体カラ−撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57176548A JPS5965471A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 一次元固体カラ−撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965471A true JPS5965471A (ja) | 1984-04-13 |
| JPS6159538B2 JPS6159538B2 (ja) | 1986-12-17 |
Family
ID=16015505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57176548A Granted JPS5965471A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 一次元固体カラ−撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965471A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5525218A (en) * | 1978-08-11 | 1980-02-22 | Toshiba Corp | Solid state pickup device |
-
1982
- 1982-10-07 JP JP57176548A patent/JPS5965471A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5525218A (en) * | 1978-08-11 | 1980-02-22 | Toshiba Corp | Solid state pickup device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6159538B2 (ja) | 1986-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5121192A (en) | Solid-state color imaging device | |
| JPS60123059A (ja) | 密着型カラ−イメ−ジセンサ | |
| NL8004768A (nl) | Halfgeleider kleurenbeeldopnemer. | |
| JPS5966277A (ja) | 固体イメ−ジセンサ | |
| JP3308778B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS61218167A (ja) | ラインセンサ | |
| JPS6159538B2 (ja) | ||
| JP3108475B2 (ja) | マイクロレンズの製造方法 | |
| JPS5972164A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH023352B2 (ja) | ||
| JPH0794694A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS5970388A (ja) | カラ−フイルタ−およびカラ−固体撮像素子 | |
| JPS5957563A (ja) | 固体リニアイメ−ジセンサ | |
| JPS6057711B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2751376B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2792863B2 (ja) | 撮像素子装置 | |
| JPH026273B2 (ja) | ||
| JPH0437166A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0237746B2 (ja) | ||
| JPS60113573A (ja) | 密着型カラ−イメ−ジセンサ | |
| JPS61194772A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH03194970A (ja) | Ｃｃｄ撮像素子 | |
| JPH0488781A (ja) | 撮像素子 | |
| JPS60245166A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS60100104A (ja) | 固体カラー撮像素子 |