JPS5965853A - 光導電性薄膜の製造方法 - Google Patents
光導電性薄膜の製造方法Info
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- JPS5965853A JPS5965853A JP57177334A JP17733482A JPS5965853A JP S5965853 A JPS5965853 A JP S5965853A JP 57177334 A JP57177334 A JP 57177334A JP 17733482 A JP17733482 A JP 17733482A JP S5965853 A JPS5965853 A JP S5965853A
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は硫化カドミウム−セレン化カドミウム固溶体を
主体とする光導電性Ｒ膜の製造方法に関するものである
。
主体とする光導電性Ｒ膜の製造方法に関するものである
。
従来例の構成とその問題点
硫化カドミウムや硫化カドミウム−セレン化カドミウム
固溶体を高温度で加熱して粒子成長させることにより光
導電体を作ることは既に知られている。又、先導１α体
を活性化させるために銅、銀やハロゲン特に塩素等の活
性化剤を少量だけ添加して５００℃以上の高温度に加熱
して作るのが普通である。このような製法で得られる光
導電体は、硫化カドミウムを主体とするものでは０．４
〜０．８μｍ１セレン化カドミウムを加えた固溶体を主
体とするものでは更に長波長の光Ｌ’＞ｉ＝Ｌ ＜感応
しその光導電性を増す。又、セレン化カドミウムの比率
が増すと光に感応する時間が短くなるＣとも良く知られ
ている。上記光導電体を作る方法として、従来より硫化
カドミウムの化学的析出法を応用した方法が最も有効な
方法として知られている。即ち、基板上に化学的に析出
さ菰た硫化カドミウム薄膜をそのままか、或いは更にそ
の上にセレン化カドミウム薄膜を真空蒸着法で積層して
後、５００〜６５０℃で塩化カドミウムの雰囲気中にて
加熱して焼結、結晶成長させ、セレン化カドミウムを積
層した場合には固溶体化も同時に行ない、増感中心を形
成して光導電体を作製することができる。普通は分光感
度の改良等のために硫化カドミウム析出の際、同時に微
量の銅も含有析出するようにする。しかしながらこのよ
うな製法によると、析出する膜の厚さや含有銅量の再現
性に難点があり、しかも更にセレン化カドミウムを蒸着
、積層するに及んではセレン化カドミウム膜厚の再現性
不足及び不均一性のため、硫化カドミウムーセレシ化カ
ドミウム固溶体の固溶比のコントロールが難しくなり、
その結果光電流値２分光スペクトルの再現性、均一性の
コントロールが困難になるという欠点かある。
固溶体を高温度で加熱して粒子成長させることにより光
導電体を作ることは既に知られている。又、先導１α体
を活性化させるために銅、銀やハロゲン特に塩素等の活
性化剤を少量だけ添加して５００℃以上の高温度に加熱
して作るのが普通である。このような製法で得られる光
導電体は、硫化カドミウムを主体とするものでは０．４
〜０．８μｍ１セレン化カドミウムを加えた固溶体を主
体とするものでは更に長波長の光Ｌ’＞ｉ＝Ｌ ＜感応
しその光導電性を増す。又、セレン化カドミウムの比率
が増すと光に感応する時間が短くなるＣとも良く知られ
ている。上記光導電体を作る方法として、従来より硫化
カドミウムの化学的析出法を応用した方法が最も有効な
方法として知られている。即ち、基板上に化学的に析出
さ菰た硫化カドミウム薄膜をそのままか、或いは更にそ
の上にセレン化カドミウム薄膜を真空蒸着法で積層して
後、５００〜６５０℃で塩化カドミウムの雰囲気中にて
加熱して焼結、結晶成長させ、セレン化カドミウムを積
層した場合には固溶体化も同時に行ない、増感中心を形
成して光導電体を作製することができる。普通は分光感
度の改良等のために硫化カドミウム析出の際、同時に微
量の銅も含有析出するようにする。しかしながらこのよ
うな製法によると、析出する膜の厚さや含有銅量の再現
性に難点があり、しかも更にセレン化カドミウムを蒸着
、積層するに及んではセレン化カドミウム膜厚の再現性
不足及び不均一性のため、硫化カドミウムーセレシ化カ
ドミウム固溶体の固溶比のコントロールが難しくなり、
その結果光電流値２分光スペクトルの再現性、均一性の
コントロールが困難になるという欠点かある。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解’ｔｌＪするもので、製法
が容易である上に寿現性が確実に得られ、しかも得られ
る固溶体の固溶比や銅含有風の均一性に優れ、均一な光
導電特性が得られる光導電性薄膜の製造方法を提供せん
とするものである。
が容易である上に寿現性が確実に得られ、しかも得られ
る固溶体の固溶比や銅含有風の均一性に優れ、均一な光
導電特性が得られる光導電性薄膜の製造方法を提供せん
とするものである。
発明の構成
上記目的を達成するため、本発明の光導電性薄膜の製造
方法は、セレン化カドミウムの量が全量中で１０〜９０
毛ル％、銅塩の量が全量中でｏ、ｏｉ〜２ミル２モルる
よ覧硫化カドミウムとセレン化カドミウムと銅塩とを混
合して混合物とし、この混合物を中性雰囲気中又は空気
中で７００〜１０００°Ｃで固溶化焼結し、これを蒸発
源として真空中にて基板上に蒸着して薄膜を形成し、こ
の薄膜を５００〜６００°Ｃにて１０〜６０分間塩化カ
ドミウムの蒸気に暴露することにより活性化させるもの
である。
方法は、セレン化カドミウムの量が全量中で１０〜９０
毛ル％、銅塩の量が全量中でｏ、ｏｉ〜２ミル２モルる
よ覧硫化カドミウムとセレン化カドミウムと銅塩とを混
合して混合物とし、この混合物を中性雰囲気中又は空気
中で７００〜１０００°Ｃで固溶化焼結し、これを蒸発
源として真空中にて基板上に蒸着して薄膜を形成し、こ
の薄膜を５００〜６００°Ｃにて１０〜６０分間塩化カ
ドミウムの蒸気に暴露することにより活性化させるもの
である。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について説明する。本発明は、硫
化カドミウムとセレン化カドミウム及び少量の銅塩を混
合し、セレン化カドミウムの量を全量中１０〜９０モル
％、銅塩の量を０．；０：１＋〜２モル・％とじ、その
混合粉末を中性雰囲気中又は空気中りで７００〜１００
０°Ｃの温度で加熱することにより固溶焼結体を作り、
この焼結体をそのままか又は粉砕したものを蒸発源とし
て、場合によっては更に粉砕粉末を適当な形に加圧成型
し或いは成李農中性雰囲気中で８００〜９００°Ｃで加
熱焼結したものを蒸発源として、真空中で適当な基板例
えばガラス板上に蒸着して薄膜を形成後この薄膜を５０
０勺００℃で１０〜６０分間着化カドミウムの蒸気に暴
露して活性化することにより高光感度の先導１Ｅ性薄膜
を製造するものである。硫化カドミウムにセレン化カド
ミウムを加えて固俗体とすると、可視域における光感度
が増し、且つ応答特性も改善される。セレン化カドミウ
ムの爪が１０モル％以下だと長波長（赤い光）に対する
光感度が不充分となり、又９０モル％以上だと逆に短波
長（青い光）に対する光感度が不充分となる。′活性化
剤としての銅やＪＭ素の導入は、共添加による濃度の増
大に伴う感度の増大。
化カドミウムとセレン化カドミウム及び少量の銅塩を混
合し、セレン化カドミウムの量を全量中１０〜９０モル
％、銅塩の量を０．；０：１＋〜２モル・％とじ、その
混合粉末を中性雰囲気中又は空気中りで７００〜１００
０°Ｃの温度で加熱することにより固溶焼結体を作り、
この焼結体をそのままか又は粉砕したものを蒸発源とし
て、場合によっては更に粉砕粉末を適当な形に加圧成型
し或いは成李農中性雰囲気中で８００〜９００°Ｃで加
熱焼結したものを蒸発源として、真空中で適当な基板例
えばガラス板上に蒸着して薄膜を形成後この薄膜を５０
０勺００℃で１０〜６０分間着化カドミウムの蒸気に暴
露して活性化することにより高光感度の先導１Ｅ性薄膜
を製造するものである。硫化カドミウムにセレン化カド
ミウムを加えて固俗体とすると、可視域における光感度
が増し、且つ応答特性も改善される。セレン化カドミウ
ムの爪が１０モル％以下だと長波長（赤い光）に対する
光感度が不充分となり、又９０モル％以上だと逆に短波
長（青い光）に対する光感度が不充分となる。′活性化
剤としての銅やＪＭ素の導入は、共添加による濃度の増
大に伴う感度の増大。
スペクトル感度の改良、光電流の明暗比を高める等、一
般に良い結果をもたらす。固溶体中のＬＨ塩の量を０６
０１モル％以上、２モル％以下としたのは、この範囲外
では応答時間が長過ぎたり、暗電流が大き過ぎたりする
等、特性上好ましくない効果が見られるからである。又
銅と共添加して光感度を高めるのに最も効果があるのは
塩素であることが知られており、この塩素は後の塩化カ
ドミウム蒸気暴露で導入することができるが、しばしば
光感度を低めることがある不純物の混入を避けるために
は銅塩として４ｂ’Ｌ化第二銅を用いることが好ましい
。固溶焼結体を作る際の温度を７００°Ｃ以上としたの
は、この温度以下では固溶体を作ることが難しくなり、
１０００℃以下としたのは硫化カドミウム。
般に良い結果をもたらす。固溶体中のＬＨ塩の量を０６
０１モル％以上、２モル％以下としたのは、この範囲外
では応答時間が長過ぎたり、暗電流が大き過ぎたりする
等、特性上好ましくない効果が見られるからである。又
銅と共添加して光感度を高めるのに最も効果があるのは
塩素であることが知られており、この塩素は後の塩化カ
ドミウム蒸気暴露で導入することができるが、しばしば
光感度を低めることがある不純物の混入を避けるために
は銅塩として４ｂ’Ｌ化第二銅を用いることが好ましい
。固溶焼結体を作る際の温度を７００°Ｃ以上としたの
は、この温度以下では固溶体を作ることが難しくなり、
１０００℃以下としたのは硫化カドミウム。
セレン化カドミウムの蒸発を防ぐためである。又、この
ようにして得た固、Ｂ焼結体を粉砕して後適当な形に成
型して用いることは取扱いを容易にし、更に加熱焼結し
固くすれば破損等が起り難くなり好ましい。この場合の
焼結温度を８００°Ｃ以上としたのは、それ以下だと固
さが不足することがあり、９００℃以下としたのは、そ
れ以上だと組成ずれが生じることがあるからである。
ようにして得た固、Ｂ焼結体を粉砕して後適当な形に成
型して用いることは取扱いを容易にし、更に加熱焼結し
固くすれば破損等が起り難くなり好ましい。この場合の
焼結温度を８００°Ｃ以上としたのは、それ以下だと固
さが不足することがあり、９００℃以下としたのは、そ
れ以上だと組成ずれが生じることがあるからである。
上述の蒸発源は別の方法で作ることができる。
即ち硫化カドミウムとセレン化カドミウム及び銅塩の混
合物に更に塩化カドミウムを加え、塩化カドミウムの凪
を前記混合物に対して１〜１０重量％とし、そ（の〜金
泥１合）物を５００〜６００℃で固溶化焼結して後粉砕
し、水洗によって可水溶成分を除いて後乾燥してこの粉
末をそのままか、場合によっては適当な形に成型して、
或いは成型後生性雰囲気中で８００〜９００℃で加熱し
てこれを蒸発源とするものである。この方法では固溶化
焼結が低温でできるためストイキオメトリ−のずれがで
き難い特畏を持っている。固溶化焼結後の粉砕は、後の
水洗による可水溶成分の除去を充分にする為に粉末の粒
径を１０μｍ以下にする方が望ましい。粒径がｌＯμＩ
ｎ以上であると可水溶成分の主成分たる塩ｆ５カドミウ
ムが除去されずにかなり残り、例えば蒸着時にその加熱
ボードである金属板例えばＴａ板等と反応しそれを傷め
その寿命を著しく短かくする等の不都合がある。塩化カ
ドミウムを加えるのは固溶化温度を低めストイキオメト
リ−のずれを小さくするためで・あり、１本屋％以下で
はその効果が薄く、又１０ｆＬ瓜％以上だと容器例えば
石英ボードの壁面を傷める。この場合の固溶焼結化の温
度は５００°Ｃ以下では不完全であり、６００″Ｃ以上
では上記同様石英ボード等を傷めることもあり好ましく
ない。
合物に更に塩化カドミウムを加え、塩化カドミウムの凪
を前記混合物に対して１〜１０重量％とし、そ（の〜金
泥１合）物を５００〜６００℃で固溶化焼結して後粉砕
し、水洗によって可水溶成分を除いて後乾燥してこの粉
末をそのままか、場合によっては適当な形に成型して、
或いは成型後生性雰囲気中で８００〜９００℃で加熱し
てこれを蒸発源とするものである。この方法では固溶化
焼結が低温でできるためストイキオメトリ−のずれがで
き難い特畏を持っている。固溶化焼結後の粉砕は、後の
水洗による可水溶成分の除去を充分にする為に粉末の粒
径を１０μｍ以下にする方が望ましい。粒径がｌＯμＩ
ｎ以上であると可水溶成分の主成分たる塩ｆ５カドミウ
ムが除去されずにかなり残り、例えば蒸着時にその加熱
ボードである金属板例えばＴａ板等と反応しそれを傷め
その寿命を著しく短かくする等の不都合がある。塩化カ
ドミウムを加えるのは固溶化温度を低めストイキオメト
リ−のずれを小さくするためで・あり、１本屋％以下で
はその効果が薄く、又１０ｆＬ瓜％以上だと容器例えば
石英ボードの壁面を傷める。この場合の固溶焼結化の温
度は５００°Ｃ以下では不完全であり、６００″Ｃ以上
では上記同様石英ボード等を傷めることもあり好ましく
ない。
薄膜形成後の塩化カドミウム蒸気暴露の温度を５００℃
以上、６００℃以下としたのは、５００℃以下では塩化
カドミウム蒸気圧が不足して結晶粒子の成長が充分でな
く、６００°Ｃ以上では薄膜そのものの蒸発、飛散が起
り易くなるからである。又この暴露時間を１０分以上、
６０分以下としたのは、１０分以下では粒子成長が不足
し、充分な光感度が得られず、６０分以上では粒子成長
の反応が進み過ぎ粒子間に空隙を生じるようになり、こ
のため逆に光感度が不足するに至るからである。
以上、６００℃以下としたのは、５００℃以下では塩化
カドミウム蒸気圧が不足して結晶粒子の成長が充分でな
く、６００°Ｃ以上では薄膜そのものの蒸発、飛散が起
り易くなるからである。又この暴露時間を１０分以上、
６０分以下としたのは、１０分以下では粒子成長が不足
し、充分な光感度が得られず、６０分以上では粒子成長
の反応が進み過ぎ粒子間に空隙を生じるようになり、こ
のため逆に光感度が不足するに至るからである。
上記本発明の方法により得られた光導電性薄膜は極めて
満足すべき光導電特性を有している。従来の硫化カドミ
ウムの化学的析出を出発点とする方法で作製した光導電
性薄膜に比べて、析出工程を必要とせず、工程は簡単に
なっているにもかかわらず、同等以上の光導電特性を有
している。即ち、従来、面倒で形成膜の特性コントロー
ルが困難であった銅含有硫化カドミウムの化学析出の工
程に、更にセレン化カドミウムの蒸着工程を必要として
いたのが、簡単で特性コントロールの容易な銅含有硫化
カドミウム−セレン化カドミウム固溶体の蒸着工程に変
えることができて、しかも最終的に得られる光電流値、
応答時間共にいささかも劣らない上にその分光感度、電
流直の再現性等、特性値コントロールが容易であり、広
い面積に亘って均一な特性が確実に得られる。
満足すべき光導電特性を有している。従来の硫化カドミ
ウムの化学的析出を出発点とする方法で作製した光導電
性薄膜に比べて、析出工程を必要とせず、工程は簡単に
なっているにもかかわらず、同等以上の光導電特性を有
している。即ち、従来、面倒で形成膜の特性コントロー
ルが困難であった銅含有硫化カドミウムの化学析出の工
程に、更にセレン化カドミウムの蒸着工程を必要として
いたのが、簡単で特性コントロールの容易な銅含有硫化
カドミウム−セレン化カドミウム固溶体の蒸着工程に変
えることができて、しかも最終的に得られる光電流値、
応答時間共にいささかも劣らない上にその分光感度、電
流直の再現性等、特性値コントロールが容易であり、広
い面積に亘って均一な特性が確実に得られる。
次に本発明の具体列について説明する。硫化カドミウム
易末０．６モルに対してセレン化カドミウム粉末０．４
モル、塩化第二２１ｏ、ｏｏｔモルを混合し、窒素ガス
雰囲気中７５０’Ｃの高温で８０分間加熱する。
易末０．６モルに対してセレン化カドミウム粉末０．４
モル、塩化第二２１ｏ、ｏｏｔモルを混合し、窒素ガス
雰囲気中７５０’Ｃの高温で８０分間加熱する。
この焼結体を粉砕した粉末を蒸発源としてガラス基板（
５０Ｘ ８００ Ｘ １．２＋ｕ＋ＩＩ、コーニング社
製７０５９ ）上、に、真空蒸着し、０．５μｍ厚の硫
化カドミウム−セレン化カドミウム固溶体を主体とする
薄臆層Ａを形成する。次に硫化カドミウム粉末１モルに
対して塩化カドミウム粉末０．０１モルを混合し、窒素
ちゾ囲気中６００°Ｃの温度で加熱する。この焼結体を
粉砕した粉末５ｇをアルミナ製のボード（上蓋付き、内
容積５２ Ｘ ８１０ Ｘ ２０−の直方体）の底面中
央部の長さ方向に沿って均一に置き、先に作った蒸着薄
膜Ｊ＆ｉｌＡを有するガラス基板を上向きに蓋とのギャ
ップが約２１１ＩＩ１１であるように置き、窒素ガス雰
囲気中で５５０℃の温度で６０分間加熱する。その後基
板を取り出して得られる光導電性薄膜にＡ／蒸着電極を
設ける（表面型でｒｌＪ２ ｍ 、ギャップ１ ｍｍ
）。
５０Ｘ ８００ Ｘ １．２＋ｕ＋ＩＩ、コーニング社
製７０５９ ）上、に、真空蒸着し、０．５μｍ厚の硫
化カドミウム−セレン化カドミウム固溶体を主体とする
薄臆層Ａを形成する。次に硫化カドミウム粉末１モルに
対して塩化カドミウム粉末０．０１モルを混合し、窒素
ちゾ囲気中６００°Ｃの温度で加熱する。この焼結体を
粉砕した粉末５ｇをアルミナ製のボード（上蓋付き、内
容積５２ Ｘ ８１０ Ｘ ２０−の直方体）の底面中
央部の長さ方向に沿って均一に置き、先に作った蒸着薄
膜Ｊ＆ｉｌＡを有するガラス基板を上向きに蓋とのギャ
ップが約２１１ＩＩ１１であるように置き、窒素ガス雰
囲気中で５５０℃の温度で６０分間加熱する。その後基
板を取り出して得られる光導電性薄膜にＡ／蒸着電極を
設ける（表面型でｒｌＪ２ ｍ 、ギャップ１ ｍｍ
）。
１０Ｖ印加の下、１００ルツクスの光照射で得られる光
電流は約２０μＡ１暗ｆ（ｌ流は約１００ｐＡであり、
光電流の応答時間は立上り、立下がり共に約１２ミリ秒
であった。尚ここでの応答時間は、立上りは電圧連続印
加時光を当て始めて電流値が飽和光電流値の９０％に達
する迄の時間、立下りは電圧連続印加時光を遮断してか
ら電流値が飽和電流値の１０％に下がる迄の時間である
。又光電流値の再現性（作る度の変化）も優れ、２０±
７μＡの範囲に収まり、又全長８００閣に亘る光電流の
ばらつきは±２０％以内であり、極めて好ましい特性を
有している。
電流は約２０μＡ１暗ｆ（ｌ流は約１００ｐＡであり、
光電流の応答時間は立上り、立下がり共に約１２ミリ秒
であった。尚ここでの応答時間は、立上りは電圧連続印
加時光を当て始めて電流値が飽和光電流値の９０％に達
する迄の時間、立下りは電圧連続印加時光を遮断してか
ら電流値が飽和電流値の１０％に下がる迄の時間である
。又光電流値の再現性（作る度の変化）も優れ、２０±
７μＡの範囲に収まり、又全長８００閣に亘る光電流の
ばらつきは±２０％以内であり、極めて好ましい特性を
有している。
比較のため従来の化学析出法を用いた方法でも光導電性
薄膜を作製した。即ち、ｌ規定のチオ尿素水溶液１００
０ ｍｄ １０．２規定の塩化カドミウム水溶液５００
ｍ１４１２．５規定の塩化アンモニウム水溶液１２５
ｍｄ 、 １４％アンモニア水溶液４２５ ｍｌ、
０．１規定塩化第二銅水溶液１ ｍ７に水８５０ｍ１を
加えたｍＷを９０°Ｃに保ち、上で使用したのと同じガ
ラス基板を２５分間浸して後取り出し水洗し乾燥する。
薄膜を作製した。即ち、ｌ規定のチオ尿素水溶液１００
０ ｍｄ １０．２規定の塩化カドミウム水溶液５００
ｍ１４１２．５規定の塩化アンモニウム水溶液１２５
ｍｄ 、 １４％アンモニア水溶液４２５ ｍｌ、
０．１規定塩化第二銅水溶液１ ｍ７に水８５０ｍ１を
加えたｍＷを９０°Ｃに保ち、上で使用したのと同じガ
ラス基板を２５分間浸して後取り出し水洗し乾燥する。
このようにして得た０、８μｍ厚の銅含有硫化カドミウ
ム薄膜層は本発明による実施例に示したと同濃度の１ｉ
１１１１１を含み、更にこの上にセレン化カドミウムを
真空蒸着し０．２μｍ厚だけ積層する。さてこの積層薄
膜を前述と同様に、アルミナボード中で高温の塩化カド
ミウム蒸気に暴露、活性化して得た光導ｐＨ性薄膜にＡ
４蒸着電極を設ける。ＩＯＶ印加の下、１００ルツクス
の光照射で得られる光電流は約２０μＡ１暗電流は約１
００ ｐＡであり、光電流の応答時間は立上り約１５ミ
リ秒、立下り約１２ミリ秒であったが、光電流の再現性
に劣り、平均値で２０±１０μＡであり、更に全長８０
０ ｍｍに亘っての光電流値のばらつきは約±５０％に
も及んだ。
ム薄膜層は本発明による実施例に示したと同濃度の１ｉ
１１１１１を含み、更にこの上にセレン化カドミウムを
真空蒸着し０．２μｍ厚だけ積層する。さてこの積層薄
膜を前述と同様に、アルミナボード中で高温の塩化カド
ミウム蒸気に暴露、活性化して得た光導ｐＨ性薄膜にＡ
４蒸着電極を設ける。ＩＯＶ印加の下、１００ルツクス
の光照射で得られる光電流は約２０μＡ１暗電流は約１
００ ｐＡであり、光電流の応答時間は立上り約１５ミ
リ秒、立下り約１２ミリ秒であったが、光電流の再現性
に劣り、平均値で２０±１０μＡであり、更に全長８０
０ ｍｍに亘っての光電流値のばらつきは約±５０％に
も及んだ。
発明の効果
以上のように本発明の製造方法で得られた光等ｌａ性薄
膜は、従来の化学析出法に比べてその製法が簡単である
上に、応答特性を含めたその光導電特性が同等以上であ
り、特に光電流社の再現性、全体に亘るばらつきの点で
優れている。
膜は、従来の化学析出法に比べてその製法が簡単である
上に、応答特性を含めたその光導電特性が同等以上であ
り、特に光電流社の再現性、全体に亘るばらつきの点で
優れている。
代理人 青本義弘
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 セレン化カドミウムの量が全量中で１０〜９０モ
ル％、銅塩の爪が全量中で０．０１〜２モル％となるよ
うに硫化カドミウムとセレン化カドミウムと銅塩とを混
合して混合物とし、この混合物を中性雰囲気中又は空気
中で７００〜１０００°Ｃで固溶化焼結し、これを蒸発
源として真空中にて基板上に蒸着して薄膜を形成し、こ
の薄膜を５００〜６００℃にて１０〜６０分間、塩化カ
ドミウムの蒸気にａ露することにより活性化される光導
電性薄膜の製造方法。 ２、 硫化カドミウムとセレン仁カドミウムと銅塩の固
溶化焼結後粉砕した粉末を更に加圧成型し、これをその
ままか或いは中性雰囲気中で更にＳＯＯ〜９００°Ｃで
焼結したものを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光導電性薄膜の製造方法。 ８、硫化カドミウムとセレン化カドミウムと銅塩の混合
物に更に塩化カドミウムを加え、塩化カドミウムの量を
１〜１０重量％とじ、その全混合物を５００〜６００℃
で固溶化焼結して後粉砕し、水洗によって可水溶成分を
除いて後乾燥してこの粉末を特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光導電性薄膜の製造方法。 ４、 可水溶成分を除いて乾燥した粉末を更に適当な形
に加圧成型し、これをそのままか或いは中性雰囲気中で
８００〜９００°Ｃで焼結したものを特徴とする特許請
求の範囲第３項記載の光導電性薄膜の製造方法。 ５、 銅塩が塩化第二銅である特許請求の範囲第１項記
載の光導電性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177334A JPS5965853A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177334A JPS5965853A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965853A true JPS5965853A (ja) | 1984-04-14 |
| JPH0310094B2 JPH0310094B2 (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=16029153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57177334A Granted JPS5965853A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965853A (ja) |
-
1982
- 1982-10-07 JP JP57177334A patent/JPS5965853A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0310094B2 (ja) | 1991-02-12 |
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