JPS5966090A - 電気装置 - Google Patents
電気装置Info
- Publication number
- JPS5966090A JPS5966090A JP17688882A JP17688882A JPS5966090A JP S5966090 A JPS5966090 A JP S5966090A JP 17688882 A JP17688882 A JP 17688882A JP 17688882 A JP17688882 A JP 17688882A JP S5966090 A JPS5966090 A JP S5966090A
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- Japan
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- current
- insulating
- melting point
- low melting
- point metal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は通電体に過大な電流が流れたとき、その温度
上昇による周辺への悪影響を防止するようにしたシイ気
装置に関する。
上昇による周辺への悪影響を防止するようにしたシイ気
装置に関する。
一般に、サイリスタを使用した高電圧の電力変換装置に
おいては、通常の動作電圧を考慮して素子の直列個数が
決定される。そして、散発的に印加される宙インパルス
や開閉サージ等はアレスタでt9r定の電圧に制限して
いる。
おいては、通常の動作電圧を考慮して素子の直列個数が
決定される。そして、散発的に印加される宙インパルス
や開閉サージ等はアレスタでt9r定の電圧に制限して
いる。
従来のものは第1図に示すように、各サイリスク素子(
r+)(TxX1’s) fc 71/ スタ(AI)
(A2)(A3)及びスナバ回路(Sθ(SgXSs)
が並列に接続されている。この場合、各サイリスタ素子
(TユX1’zXTa)には外部から雷インパルス等の
過電圧が印加された場合も、並列に接続されたアレスタ
ー(AtXA、)(Ax)及びスナバ回路(Sl)(S
aXSa)により、制限された電圧VML/か印加しな
いため、各サイリスタ素子ぐrlKr、X′rs)は保
護される。
r+)(TxX1’s) fc 71/ スタ(AI)
(A2)(A3)及びスナバ回路(Sθ(SgXSs)
が並列に接続されている。この場合、各サイリスタ素子
(TユX1’zXTa)には外部から雷インパルス等の
過電圧が印加された場合も、並列に接続されたアレスタ
ー(AtXA、)(Ax)及びスナバ回路(Sl)(S
aXSa)により、制限された電圧VML/か印加しな
いため、各サイリスタ素子ぐrlKr、X′rs)は保
護される。
しかし、各サイリスタ(T+ XT2X1’Jに導゛I
匡指令が出たとき、点弧回路の故障fこよって、サイリ
スタ水子(1)のみが導通しなかったとすると、サイリ
スク素子(r+)を残して他のサイリスタが導通し、サ
イリスタ素子(T1)と並列に接続されたアレスター(
A1)には外部回路条件で決る負荷it流が強制的に流
れ、その端子電圧はアレスター(A1)のrJl圧〜電
光特性によって決る値となる。
匡指令が出たとき、点弧回路の故障fこよって、サイリ
スタ水子(1)のみが導通しなかったとすると、サイリ
スク素子(r+)を残して他のサイリスタが導通し、サ
イリスタ素子(T1)と並列に接続されたアレスター(
A1)には外部回路条件で決る負荷it流が強制的に流
れ、その端子電圧はアレスター(A1)のrJl圧〜電
光特性によって決る値となる。
通常、アレスタは負荷電流のような過大な電流を長時間
流す能力をもっていないので、過熱して周辺に熱的な悪
影響を及ぼすことになる。さらに、過熱して機械的な破
壊を起こすと、飛散した破片で周辺をJjAtJkする
ことがあるので、第2図に示すように、アレスタに過大
な電流が流れたら、アレスタの両端を電気的に接続する
ように構成されたものが提案されている。
流す能力をもっていないので、過熱して周辺に熱的な悪
影響を及ぼすことになる。さらに、過熱して機械的な破
壊を起こすと、飛散した破片で周辺をJjAtJkする
ことがあるので、第2図に示すように、アレスタに過大
な電流が流れたら、アレスタの両端を電気的に接続する
ように構成されたものが提案されている。
すなわち、第2図では、酸化亜鉛形アレスタなどの過電
圧制限要素からなる通fi体(2)に半田などの低融点
金属θQを当接させ、一対の電極(4) (7月用に通
m体(2)と低融点金R01とを電気的に直列接続し。
圧制限要素からなる通fi体(2)に半田などの低融点
金属θQを当接させ、一対の電極(4) (7月用に通
m体(2)と低融点金R01とを電気的に直列接続し。
ばね(8)で一方のtt m (nに押圧し、他方のt
W fi (4)とはシャント(9)で接読し、溶融し
た低融点金m Qlで両通電部(4aX7a)が?a電
気的接続されるように、対向した両通電部(43X?a
)が低融点金属OQの下部に配置しである。
W fi (4)とはシャント(9)で接読し、溶融し
た低融点金m Qlで両通電部(4aX7a)が?a電
気的接続されるように、対向した両通電部(43X?a
)が低融点金属OQの下部に配置しである。
上記構成において、通電体(2)に過大な電流が流れる
場合、電極(7)−→通電体(2)→低融点金属<11
→シヤント(9)→yd極(4)の回路を通る。これに
よって、通?a体(2)の温度が上昇するので、低融点
金属00が溶融して両通屯部(4a X7a )間に落
下し、両1ば極(4)(7)間が電気的に接続される。
場合、電極(7)−→通電体(2)→低融点金属<11
→シヤント(9)→yd極(4)の回路を通る。これに
よって、通?a体(2)の温度が上昇するので、低融点
金属00が溶融して両通屯部(4a X7a )間に落
下し、両1ば極(4)(7)間が電気的に接続される。
したがって、通?W体(20こ流れていた電流は両通電
部(4a87a)間に落下した低融点金1I4(IIを
経由して流れるので、通電体(2)の過熱が抑制できる
。
部(4a87a)間に落下した低融点金1I4(IIを
経由して流れるので、通電体(2)の過熱が抑制できる
。
以下、図について説明する。第8図において、(1)は
絶縁筒、(2)は絶縁筒(1)内に配置された酸化亜鉛
素子などの過電圧制限要素からなる通fi1体、(3)
は通電体(2)、の一端を当接し通゛淑体(2)を絶縁
筒(1)の一端側と仕切った隔壁で、熱伝導性および導
v4性の良好なもので構成されている。(4月は隔壁(
3)と゛心気的に接続され絶縁筒(1)の一端を閉塞し
たg 1の?電極で、隔壁(3)とFMJmJシて隔離
室(5〕を構成している。(6)は通電体(2)の他端
に当接した導体、(7ンは絶縁筒(1ンの他端を閉塞し
た第2のI!a極で、隔離室(5)内に突出し隔壁(3
)と所定の間隔をあけて対向した通fi1部(7a)を
有する。(8)は導体(6)を通電体(2月こ抑圧した
ばね、(9)は導体(6)と第2の端子(7)を’+f
d気的に接続したシャント、OIは隔壁(3)と密着し
た低融点金属である。
絶縁筒、(2)は絶縁筒(1)内に配置された酸化亜鉛
素子などの過電圧制限要素からなる通fi1体、(3)
は通電体(2)、の一端を当接し通゛淑体(2)を絶縁
筒(1)の一端側と仕切った隔壁で、熱伝導性および導
v4性の良好なもので構成されている。(4月は隔壁(
3)と゛心気的に接続され絶縁筒(1)の一端を閉塞し
たg 1の?電極で、隔壁(3)とFMJmJシて隔離
室(5〕を構成している。(6)は通電体(2)の他端
に当接した導体、(7ンは絶縁筒(1ンの他端を閉塞し
た第2のI!a極で、隔離室(5)内に突出し隔壁(3
)と所定の間隔をあけて対向した通fi1部(7a)を
有する。(8)は導体(6)を通電体(2月こ抑圧した
ばね、(9)は導体(6)と第2の端子(7)を’+f
d気的に接続したシャント、OIは隔壁(3)と密着し
た低融点金属である。
次に動作を説明する。第8図において、通電体(2)が
局所的に発熱しても、良伝導性の隔壁(3)を通すこと
により、低融点金属OQは、全体的に均一な加熱を受け
、一度に多植の低融点金属OQが溶融して落下する。こ
のとき、通電体(2)内にアークが発生したとしても、
隔壁(3)があるため低融点金属四にl′i接吹きかか
ることはないので、低融点金属θQが通電部(7a)に
落下する前に飛散することはない、。
局所的に発熱しても、良伝導性の隔壁(3)を通すこと
により、低融点金属OQは、全体的に均一な加熱を受け
、一度に多植の低融点金属OQが溶融して落下する。こ
のとき、通電体(2)内にアークが発生したとしても、
隔壁(3)があるため低融点金属四にl′i接吹きかか
ることはないので、低融点金属θQが通電部(7a)に
落下する前に飛散することはない、。
また、アークによって通電体(2)が破壊してその破片
が飛散し、通電部(7a)を汚染して1′に気抵抗を著
しく高めるようなことも起こり得ない。このため、通゛
〆E部(7a)は常にrn浄に保たれるので安定した通
電部J、Itがイυられる。
が飛散し、通電部(7a)を汚染して1′に気抵抗を著
しく高めるようなことも起こり得ない。このため、通゛
〆E部(7a)は常にrn浄に保たれるので安定した通
電部J、Itがイυられる。
この発明によると、通4体と通’t(1部とを熱伝導性
が良好な隔壁によって区分することにより、隔壁上の低
融点金属は全体的に均一に加熱され、同時に多量の低融
点金属が溶融するとともに、アークによる飛散がない1
.また、区分されていることにより通1g部は常に清浄
に保たれているので、通it体の両端を確実に短絡し安
定した通電容縫が得られる。
が良好な隔壁によって区分することにより、隔壁上の低
融点金属は全体的に均一に加熱され、同時に多量の低融
点金属が溶融するとともに、アークによる飛散がない1
.また、区分されていることにより通1g部は常に清浄
に保たれているので、通it体の両端を確実に短絡し安
定した通電容縫が得られる。
第1図は電力変換装置の構成図、第2図は従来の電気装
置を示すRr面図、第8図はこの発明の一実施例を示す
断面図である。図において、(1)は絶縁筒1.(2)
は通電体、(3)はVfIi壁、(4月、を第lの1転
(7)は第2の電極、Qlは低融点金属である。 なお各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −
置を示すRr面図、第8図はこの発明の一実施例を示す
断面図である。図において、(1)は絶縁筒1.(2)
は通電体、(3)はVfIi壁、(4月、を第lの1転
(7)は第2の電極、Qlは低融点金属である。 なお各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −
Claims (1)
- (す絶縁筒、この絶縁筒内に配置された通tニ可能な通
電体、上記絶縁筒の一端から所定の距離に配置されて上
記通電体の一端と当接し、上記通ra体を上記絶縁筒の
一端側と仕切った導電性の隔壁、上記通電体の他端と電
気的に接続され上記絶縁筒の他端に固着され、上記絶縁
筒の一端側の上記絶縁筒内で上記隔壁と所定の距離をあ
けて対向した通電部を有する第1の電極、上記隔壁と電
気的に接続され上記絶縁筒の一端に固着された第2の1
′d極、この第2の電極と上記隔壁との間に上記隔壁と
密着して配置した低融点金属を備えた電気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17688882A JPS5966090A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 電気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17688882A JPS5966090A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 電気装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5966090A true JPS5966090A (ja) | 1984-04-14 |
| JPH0210562B2 JPH0210562B2 (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16021510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17688882A Granted JPS5966090A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 電気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5966090A (ja) |
-
1982
- 1982-10-07 JP JP17688882A patent/JPS5966090A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0210562B2 (ja) | 1990-03-08 |
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