JPS5968028A - 信号変換器及び電子回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 用途の分野 本発明は、広く言えば、半導体集積回路に適し□”た信
号変換器に関するものであシ、一層特定して言えば、所
定の電圧レベルの入力電圧を異なる電圧レベルの出力電
圧に変換するような変換器であって、第１のバイポーラ
トランジスタがエミッタと、入力信号を受は取るための
ベースと、第１の゛電圧源に結合されたコレクタとを有
し、同じ極性の第２のバイポーラトランジスタがエミッ
タと、ベースと、出力信号を出力するコレクタとを有し
、第１のインピーダンス要素が第１のトランジスタのエ
ミッタと第２のトランジスタのコレクタとの・□間を結
ぶ変換器に関するものである。

背景技術 いくつかの従来の信号変換器では、第１の電圧源と、値
が一層低い第２の電圧源との間に２個以上のバイポーラ
トランジスタを互いに直列に接続したものを有する要素
スタックを用いて電圧の変換を行なっている。エスプラ
ツ）　（ｓ、ｐｌａｔｔ　）　他の米国特許第８７７８
６４０号（シグナル　ボルテイン　レベル　トランスレ
イテインク　サーキットＪ’□′（Ｓｉｇｎａｌ　Ｖｏ
ｌｔａｇｅ　Ｌｅｖｅｌ　Ｔｒａｎｓｌａｔｉｎｇ　０
ｉｒｏｕｉｔ）はこのような変換器を開示している。而
してこの変換器では、−次スタック内の第１のＮＰＮト
ランジスタのベースに加えられた入力電圧がこの一次ス
タック内の第２のＮＰＮ　）ランジスタのコレクタ１か
ら取シ出される一層電圧レベルが低い出力電圧に変換さ
れる。そして第１のトランジスタのエイツタと第２のト
ランジスタのコレクタとの間に第１の抵抗を接続する。

第１のトランジスタのコレクタを第１の電圧源に結び、
第２のトランジスタ・のエミッタを第２の電圧源に結ぶ
。

基準電流源が第１の基準電圧を第２のトランジスタのベ
ースに与え、電圧変換で下げる量を制御ｆる。こｏｘ’
を流源は第３のＮＰＮ　）ランジスタと、第２の抵抗と
、第４のＮＰＮ　）ランジスタとを、夫々第１のトラン
ジスタと、第１の抵抗と、第２のトランジスタと同じ態
様で互に接続した鏡像スタックを具える。そして第２の
基準電圧を第８のトランジスタのベースに与える。第４
のトランジスタのコレクタをそのベースに戻すように接
続し、□こｎからＷｌの基準電圧を得る。各抵抗はほぼ
同じ抵抗値を有する。

動作時には、全部のトランジスタが導通する。

入力電圧が第２の基準電圧と等しい時、出力電圧は入力
電圧よシ低い選択さｎた公称値となる。第□２のトラン
ジスタのベースと第４のトランジスタのベースとは一つ
に接続さｎており、これらのトランジスタの工ばツタは
第２の電圧源に直結さｎているから、第２のトランジス
タを流ｎる′電流は第４のトランジスタを流ｒＬる電流
と等しい。従つ□゛て、入力電圧が第２の基準電圧より
上又は下に変゛化すると、出力電圧に同じ変化が生ずる
。

この変換器は線形の電圧変換を与える。しかし、第１の
基準電圧は第１の電源電圧と一緒には変化しない。蓋し
、こｎＦｉ第４のトランジスタのべ一スーエεツタ電圧
に影響しないからである。結果として、出力電圧は第１
の電源電圧が変化する時変化する。しかし、これは用途
によっては好ましくない。

発明の開示 本発明に係る信号変換器は第２のトランジスタのエミッ
タと第２の電圧源との間に結合された第２のインピーダ
ンス要素と、第２のトランジスタのベースに第１の電源
電圧の変化に対して出力信１号を補正するように変化す
る値の基準電圧を与える基準手段とを有することわ特徴
とする。本発明によれば、入力電圧を異なる電圧レベル
の出力電圧信号に変換し且つ変化する可能性のある第１
の電源電圧源と、通常はほぼ一定である第２の電源−“
電圧源との間に結合される信号変換器が、第１の□電源
電圧の変化に対して出力信号を補正する。

本発明の一実施例によれば、信号変換器が２　（１！ｉ
の電圧源の間に個別に結合さｎる一対の要素スタックを
具える。こｎらの要素スタックは夫々−次スタック及び
鏡像スタックと呼は九る。−次スタックは複数個の直列
に結合さｎた一次要素を有し、これらの−次要素の各々
がトランジスタ又は抵抗のようなインピーダンス要素で
ある。一つの一次要素は入力信号を受は取る第１のトラ
ンジスタでＩ′□ある。もう一つの一次要素は基準電圧
を受は取シ、出力信号を出す第２のトランジスタである
。鏡像スタックは一次要素に対応し、同じように配列さ
７した一層の鏡像要素を有する。ｔｇ２のトランジスタ
に対応する鏡像トランジスタも基準電圧を受け□取る。

この鏡像トランジスタから与えられるフィードバック信
号に応答するフィードバック回路が第１の電源電圧の変
化を補償する値の基準電圧を与える。

本発明のもう一つの実施例によれば、各トラン−・・ジ
スタをバイポーラ装置とする。入力信号は第１゛のトラ
ンジスタのベースに与えられる。第１のトランジスタの
エミッタは第１の電圧源に結合される。第２のトランジ
スタのコレクタは出力信号を出すが、鏡像スタックの第
１のインピーダンス要素ヲ介して第１のトランジスタの
エミッタに結合される。これらの２個のトランジスタの
極性は同じである。第２のトランジスタの工はツタと第
２の電圧源との間に第２のインピーダンス要素を結合す
る。本発明のこの実施例では信号変換器は基□′□準電
圧を第２のトランジスタのベースに与え、特定された電
圧補償を行なう基準回路を有する。

この第２の実施例の基準回路は鏡像スタックとフィード
バック回路とを具えると好適である０鏡像スタツクはコ
レクタが第１の電圧源に結合され１□た第８のトランジ
スタを具える。鏡像トランジスタは第４のトランジスタ
であって、そのベースが基準電圧を受は取シ、コレクタ
がフィードバック電圧を出力する０鏡１象スタツク内の
トランジスタは一次スタック内のトランジスタと同じ極
性であ一パる。第８のトランジスタのエミッタと第４の
トランジスタのコレクタとの間に第８のインピーダンス
要素を結合する。第４のトランジスタの工ばツタと第２
の電圧源との間に第４のインピーダンス要素を結合する
。フィードバック回路は第１の電源電圧が変化するのと
同一方向に基準電圧を与えるＯ フィードバック回路はオプションとしてフィードバック
信号から内部信号を発生する増幅器を具えることができ
る。殊に、この増幅器を差動増幅パ器とし、フィードバ
ック信号ともう一つの基準電圧との間の差を増幅して内
部信号を発生するようにすると好適である。次にシフト
回路が内部信号の電圧を調整してこの内部信号の電圧を
第１の基準電圧に変換する。

鏡像スタック内の各要素を一次スタック内の対応する要
素と同じにするのが望ましい０このマツチングをフィー
ドバック要素の値の適当な選択と絹み合せて用いること
によシ、所定の入力信号の時の出力信号の正規電圧から
のずれを温度範囲　′□（１１） 一５５℃〜１２５℃に亘って第１の電源電圧の正゛規の
値からのずれの１％より小さくすることができる。

どのトランジスタも正規状態では飽和することはない。

このため及びフィードバックの性質のた゛め本発明に係
る変換器はスイッチング遠足が可成り速い。変換器の特
性も前記温度範囲に亘って安定である０ 代表的な用途では、入力電圧は電流樹論理回路（ｃｕｒ
ｒｅｎｔ　ｔｒｅｅ　ｌｏｇｉｃ　；　ＯＴＬ　）　　
の二進レベルの１１゛一方にある。このＯＴＬはエミッ
タ結合論理回路（）ＣＯＬ　）と類似しているが、異な
る電圧レベルと揺ｎ　（ｓｗｉｎｇ　）とを伴なって進
行する。ＯＴＬは第１の電源電圧と参照さｎる１ｖＢＥ
の揺ｎを用いる０但し、ｖＢＥはバイポーラトランジス
タのベース−１゛工ばツタ接合が導通状態で順方向にバ
イアスさしている時の標準的なベース−エミッタ電圧で
ある。

出力電圧はトランジスタトランジスタ論理回路（ＴＴＬ
　）の二進レベルの一方である０好適な実施例の説明 図面につき本発明の詳細な説明する０ 図面及び説明で同じか非常に類似したものには同一符号
を付しである０ 第１図はＯＴＬ　−ＴＴＬバイポーラ信号トランジスタ
の一実施例を示したもので、これは高電圧源Ｖ　と低電
圧源Ｖゆとの間で働ら〈０高電圧源Ｃ ■　の公称値ｖｃｃｏは５゜Ｏｖであるが、４．５ｖか
らＣ ５，５ｖ迄変わることがあり得る０低電圧源ｖＥＩ、は
°“□大地基準電位（０■）にあシ、重大な程度に変化
することは一切ない０ このトランジスタはベースがＯＴＬ入力入力電圧信号全
１ヲ受る常時ｏｎのＮＰＮ　）ランジスタＱ１と、コレ
クタが異なる電圧レベルでＴＴＬ出力電圧信号□ｖｏを
供給する常時ＯｎのＮＰＮ　）ランジスタＱ２とを具え
る一次要素スタック１０を有する０入力端子ｖ１のスイ
ッチング点はＶｃｃ−０，５Ｖ、、で、ここテｖＢＥハ
ＮＰＮトランジスタの場合室温で約０．８ｖである０電
圧ｖｘの公称論理値［ＩＪ（ｄＶｏｃであ　−゛□゛る
。公称論理値「０」はＶ。ｏ−２ＶＢゆからｖｃｃ−□
ｖＢＦ、ノ範囲に入り、代表的にはＶ、ｃ−１，５ＶＢ
、　テある。出力電圧ｖｏに対する対応するスイッチン
グ点は３ｖＢＦ、である。この出力電圧■。の公称論理
レベル「】」は８．５　Ｖ、、で、公称論理レベル「０
」Ｕ　１．Ｆｉ　ＶＢＦ、から２．５　ＶＢＥの範囲に
入り、代表的には２ｖＢＰ、である。

トランジスタＱｌのコレクタはスタック１０の頂上で高
電圧源ｖｃｃに接続する。このスタック１０はまた抵抗
Ｒ１とＲ２とを具えるが、抵抗　１Ｒ１はトランジスタ
Ｑ１のエミッタと、トランジスタＱ２のコレクタとの間
に接続さ扛、抵抗Ｒ２はトランジスタＱ２のエミッタと
低電圧源ｖＥＦ、との間に接続さ扛る。抵抗Ｒ１とＲ２
の抵抗値は夫夫４０００Ωと５０００とである。

基準電圧回路が基準電圧ｖＲをトランジスタＱ２のベー
スに供給する０基準電圧ｖＲの公称レベルは１．５　Ｖ
ＢＥである０高電圧源Ｖ。Ｃの電圧が変化すると、基準
電圧■□も同じ（正又は負）方向に通商な景だけ変化し
、ｖｃｃの変化を補償し、電圧Ｖ。を　−′□゛相対的
に一定に保つ。出力電圧Ｖ。が公称論理レベ□ルｒｌＪ
にある場合でも、「０」にある場合でも、出力電圧Ｖ。

の基準値からのずれは一５５℃から１２５℃の温度範囲
に亘って高電圧源Ｖ。Ｃの電圧の公称値からのずれの１
チよりも小さい。

基準電圧回路は鏡像要素スタック１２とフィードバック
回路１４とを具えるが、フィードバック回路１４は鏡像
要素スタック１２から供給されるフィードバック電圧ｖ
Ｆに応答して両方のスタック１０及び１２に電圧ｖＲを
供給する。常時Ｏｎの　１゛ＮＰＮ　）ランジスタＱ、
　８及びＱ４並びに抵抗Ｒ８及びＲ４が鏡像要素スタッ
ク１２を構成するが、こｎらの要素はトランジスタＱ１
及びＱ２並びに抵抗Ｒ１及びＲ２が夫々−次要素スタッ
ク１０内で互に接続される態様と同じ態様でＶ。Ｃと■
。８の間□に直列に互に接続さｎる０加えて、鏡像要素
スタック１２内の各要素Ｑ８、Ｑ４、Ｒ８又はＲ４は一
次要素スタック１０内の対応する要素Ｑ１、Ｑ２、Ｒ１
又はＲ２とほぼ同じである。トランジスタＱ８はベース
も高電圧源ｖｃｃに接続さｎ、ダイオ・・−ドとして配
置さｎている。抵抗Ｒ４は抵抗Ｒ２’と組み合わさって
電圧ＶＲを１ｖＢＩ、よシ高いその公称レベルに置く電
圧降下を与える。電圧ｖＦはトランジスタＱ４のコレク
タから取られるが、トランジスタＱ４のベースはトラン
ジスタＱ２のベースに接続さｎておシ、電圧ｖＲを受は
取るようになっている。

フィードバック回路１４は電圧ｖＦに応答して内部電圧
信号ｖｗを発生する差動増幅器１６と、内部電圧ｖｗを
電圧ｖＲに変えるレベルシフト回路１８　”’とから成
る。差動増幅器１６は一対の常時ｏｎのＮＰＮ　）ラン
ジスタＱ５及びＱ６を具えるが、これらのトランジスタ
Ｑ５とＱ６の工ばツタどうしを互に接続し、そ扛を抵抗
Ｒ５を介して低電圧源Ｖ□に接続する。各トランジスタ
Ｑ５又はＱ６の１電流利得（β）は６０であシ、抵抗Ｒ
５の抵抗値は１５００Ωである。電圧ｖＦはトランジス
タＱ５のベースに供給さｎる。トランジスタＱ５のコレ
クタは高電圧源ｖｃｃに接続する。８．５　ＶＢｌ、の
基準電圧ＶＤ’ｉ　）ランジスタＱ６のベースに供給す
る。トラｂ゛ンジスタＱ６のコレクタを抵抗Ｒ６及びＰ
ＮダイオードＪ１を介して高電圧源ｖｃｃに接続する。

抵抗Ｒ６の抵抗値は２４０００である。ＰＮ　）ランジ
スタＪ１は増幅器１６の利得を所望のレベルに保つよう
にｍら〈。トランジスタＱ６のコレクタＦｉまた抵抗Ｒ
７とショットキーダイオードＳ１とを介して低電圧源Ｖ
ゆに接続する。抵抗Ｒ７の抵抗値は２００００Ωである
。電圧ｖ　は抵抗Ｒ７とショットキーダイオードＳ１と
の共通接続点から取るが、これらの抵抗Ｒ７とショット
キーダイオード８１”□とは一緒になって高周波でフィ
ードバックルーズの利得を制御するのに働らく。

レベルシフト回路１８は常時ｏｎのＮＰＮ　）ランジス
タＱ７及びＱ８を具えるが、こ扛らのトランジスタＱ７
及びＱ８のベース−エミッタ接合は一方１では抵抗Ｒ７
を介してトランジスタＱ６のコレクタト、他方ではトラ
ンジスタＱ２及びＱ４のベースとの間に結合し、約２ｖ
０の電圧ＶＷヲ下方に電圧ｖＲにシフトさせる。トラン
ジスタＱ７とＱ８のコレクタは高電圧源ＶＣＣに接続さ
ｎているが、こ−パｎらのトランジスタＱ７及びＱ８ｉ
基本的にはダ□イオードとして働らく０代シにこｎらの
トランジスタＱ７及びＱ８のコレクタは夫々のベースニ
接続することもできる。

一次要素スタック１０は鏡像要素スタック１２及びフィ
ードバック回路１４と下記のように相互作用する。高電
圧源■ｃｃの電圧の変化によシ惹起された一次要素スタ
ック１０の一切の変化は鏡像要素スタック１２でそつく
ｌ■返される。蓋し、鏡像要素スタック１２は一次要素
スタック１０と１同じであるからである。そして鏡像要
素スタック１２内での変化は電圧■２に現われ、この電
圧ｖＦが出力電圧Ｖ。に対応する。フィードバック回路
１４は電圧ＶＲを適当に調整することによシミ圧Ｖ、の
公称値ＶＤからの変化に応答し、電圧ｖＦを　゛その公
称値ＶＤに戻す。電圧■Ｆをその公称値に保つのに必要
なりＲの値は電圧Ｖ。をその公称レベルｒｌＪ又は「０
」に保つのに必要なりＲの値と同じである。このように
、鏡像要素スタック１２を■ｃｃの変化に対して安定化
させるフィードバックは−：・次要素スタック１０をＶ
。Ｃの変化に対して安定化させるのにも役立つ。

一層具体的に言うと、トランジスタＱ４を流れる電流が
、電圧ｖｃｃがその公称値Ｖ。Ｃｏから新しい値ｖｃｃ
ｏ＋ΔＶｃｏ（（［３しΔｖｃｃは正でも負でもよい）
に最初に変化する瞬時において、変化しないものと看做
す。この時フィードバック電圧は最初同じ量Δｖｃｃだ
け変化する。これは差動増幅器１６を不平衡にし、電圧
ｖｗを差動増幅器の利得によシ決まるずっと大きな量Δ
Ｖだけ変化させる。而してこｈの差動増幅器の利得は抵
抗比Ｒ６／Ｒ５だけ乗算さｎたトランジスタＱ６を流ｆ
１．る電流の変化の関数である。Δｖｃｃが正の時Δｖ
ｗも正であシ、同じようにΔｖｏｃが負の時ΔｖＷも負
である。この時レベルシフト回路１８は電圧ｖｗを下方
に２ｖＢＥだけずら゛し、電圧■、がΔｖｃｃと同じ方
向に量Δｖｗだけ変化する。

次に電圧ｖＲの３７ｗだけの変化はトランジスタＱ２及
びＱ４を流ｎる電流をΔｖｃｃが正であるか負であるか
に依存して増大又は減少させる０Δｖｃｃ　　・・が正
であｎば、トランジスタＱ４は一層導通性に′なる。而
してトランジスタＱ４のコレクターエミッタ電圧は抵抗
Ｒ４両端間の電圧がトランジスタＱ４を流ｎる電流が多
くなるため増大する量よりも大きな量だけ減小する０こ
れは電圧ｖＦをその公称レベル布下げる。Δｖｃｏが負
の時は逆のことが起こる。即チ、トランジスタＱ４の導
通性が下がシ、電圧ｖＦヲその公称レベル布上げる。は
ぼ同じ変化が一次要素スタック１０で起こシ、電圧Ｖ。

をその公称値「１」又は「０」に安定化する０第２図は
第１図の変換器で代シに採用できるフィードバック回路
１５の一例を示したものであるＯこのフィードバック回
路１５は差動増幅器１７とレベルシフト回路１９とから
成る０差動増幅器１７は要素Ｑ５、Ｑ６、Ｒ５、Ｒ６及
びＪｌを有１するが、これらの要素は全て第１図の差動
増幅器と同じである。フィードバック回路１４と１５の
間の差異は差動増幅器１７では要素Ｒ７及びＳｌがなく
、レベルシフト回路１９でトランジスタＱ８がないこと
である。代シにトランジスタＱ６・・・のコレクタをト
ランジスタＱ７のベースに直結し、トランジスタＱ７の
エミッタを抵抗Ｒ８を介してトランジスタＱ２及びＱ４
のベースに結合し７、こｎらのベースに電圧ｖＲを与え
るようになっている。

抵抗Ｒ８の抵抗値を最適に選んで１ｖＢｏの電圧降下ヲ
得、レベルシフト回路１９が電圧ｖｗヲ約２ｖＢＥＴ方
にずらしてｖＲにするようにする０抵抗Ｒ８は高周波で
フィードバックルーズの利得を制御する働らきをする。

第１図に戻るが、出力電圧Ｖ。はトランジスタの１′□
緩衝回路２０内の常時Ｏｎの緩衝ＮＰＮ　）ランジスタ
Ｑ９に供給される。このトランジスタＱ９のコレクタは
高電圧源ｖｃｃに接続する。緩衝回路２０内では８００
０Ω抵抗Ｒ９とショットキーダイオードＳ２．！＝ｅ）
ランジスタＱ９のエミッタと低電圧源□ｖＥＥとの間に
直列に接続する。トランジスタＱ９のエミッタは電圧Ｖ
。から１ｖＢ０だけ下がった別の変換器ＴＴＬ出力電圧
信号■ｘを与える。

次に電圧ｖｘは第１図に部分的に示したＴＴＬ出力段２
２内の分相ＮＰＮ　トランジスタＱＩＯのベースに・・
与えられる。分相（スイッチング）トランジスタ□Ｑ］
、Ｏのエピツクは電圧■Ｙを供給すると共に、ＴＴＬ出
力段２２内の５００Ωの抵抗ＲＩＯとショットキーダイ
オードＳ３とを介して低電圧源ｖＦ、８にｍＲする。ト
ランジスタＱ、１０のコレクタは電圧ｖ２ヲ供給すると
共に、Ｔ’［’Ｌ出力段２２内の２５００Ωの抵抗Ｒ１
１を介して高電圧源■。０に接続する。

トランジスタＱ９のベースとトランジスタＱＩＯのコレ
クタとの間にＴＴＬ出力段内のＰＮダイオードＪ２とシ
ョットキーダイオードＳ４とを直列且１′つ順方向に接
続する。動作時においては出力電圧■ｏが論理「１」の
時ＰＮダイオードＪ２が導通する。

この時ダイオードＪ２の両端間とトランジスタＱ、　９
のベース−エミッタ接合間に１ｖＢｏの電圧降下が生ず
る。トランジスタＱＩＯに関する限シ、こ！右、らの２
個の１ｖＢＦ、の電圧降下は互に相殺されるから、ダイ
オードＳ４は実効的にトランジスタＱ　１．１１のベー
スとコレクタとの間に接続される。即ち、トランジスタ
Ｑ９並びにダイオードＪ２及びＳΦの組合せは実効的に
トランジスタＱ１０ｅシヨ′□ットキークランプし、こ
のトランジスタＱＩＯが　□過飽和にならないようにす
る。こｒ′Ｌはスイッチング速度を高くするから有利で
あるＯＴＴ’Ｌ出力段２２の示されていない残りの部分
は一般に通常の態様で電圧ｖＹ及びｖ２に作用し、通常
のトーテムポール設計に従う。

本変換器の種々の要素の製造方法は半導体技術で周知の
ものである。この変換器は半導体ウエノ・上の活性領域
を分離するために酸化物分離を用いる普通のプレーナ処
理技術に従ってモノリシック□・□集積回路として製造
すると好適である。

以上本発明を特定の実施例につき述べてきたが、この記
述は全く説明用のものにすぎず、本発明の特許請求の範
囲を限定するものと考えてはならない。例えば、上述し
たのと反対の極性の半導体ｇ□累を用いて同じ結果を得
ることができる。但し、ショットキーダイオードの多く
は省かｎるか又は通商なＰＮダイオー−ドで置き換えら
扛る。この場合ｖＢＥは負の値をとる。またトランジス
タのいくつか又は全部を絶縁ゲート電界効果トランジス
タ・・又は接合形電界効果トランジスタのような電界効
゛果トランジスタ（ＦＥ’Ｉ”）とすることもできる。

このように尚業者ならば特許請求の範囲に規定さｎた本
発明の真の精神と範囲から逸脱せずに、種々の修正、変
更及び応用をなし得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る信号変換器の一実施例の回路図、 第２図は第１図の実施例で代りに使用することができる
フィードバック回路の回路図である０　　゛１０・・・
−次要素スタック　１２・・・鏡像要素スタック１４．
１５・・・フィードバック回路 １６．１７・・・差動増幅器 １８．１９・・・レベルシフト回路

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　入力端子信号を異なる電圧レベルの出力電圧信号に
   変換する友めに、第１のバイポーラトランジスタがエミ
   ッタと、入力信号を受は取るためのベースと、第１の電
   源電圧源に結合され念コレクタとを有し；類似の極性の
   第２のバイポーラトランジスタがエミッタと、ベースと
   、出力信号を出すコレクタとを有し”ｒ第１のトランジ
   スタの二ピックと第２のトランジスタのコレクタとの間
   に第１のインピーダンス要素を結合した信号変換器にお
   いて、第２のトランジスタの工はツタと第２の電源電圧
   源との間に結合さｎた第２のインピーダンス要素と；第
   ２のトランジスタのベースに、第１の電源電圧の変化に
   対して出力信号を補償するように変化する値で基準電圧
   を寿える基準手段とを設けたことを特徴とする信号変換
   器。 区　第１の電源電圧源と、第２の電源電圧源と□の間に
   結合された一次要素スタックが第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、第１及び第２のインピーダンス
   要素を含む複数個の直列に結合さｎた一次要素を有し；
   基準手段が２個の電源電圧源間に結合された鏡像要素ス
   タックを具え、この鏡像要素スタックが１対１の原理で
   一次要素に対応し、−次要素と同じに配列さｎ＋同じよ
   うに複数個の鏡像要素を有し；−次要素スタックの第２
   のト１”ランジスタに対応する鏡像要素スタックの鏡像
   トランジスタが基準電圧を受は取る特許請求の範囲第１
   項記載の信号変換器において、鏡像トランジスタから得
   られたフィードバック信号に応答して第１の電源電圧が
   変化する□可能性のある場合この第１の電源電圧の変化
   に対して出力信号を補償するような値で基準電圧を供給
   するフィードバック手段を設けたことを特徴とする信号
   変換器。 ＆　鏡像要素スタックの電気的パラメータを−次要素ス
   タックの電気的パラメータとほぼ同゛−にしたことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の信号変換器。 ４、　基準電圧手段が：エミツタと、ベースと、第１の
   電源電圧源に結合された同じような極性の第８のバイポ
   ーラトランジスタと；エミッタと、基準電圧を受は取る
   ベースと、フィードバック信号を出すコレ？りとを有す
   る同じような極性の（鏡像）トランジスタと；第８のト
   ランジスタのエミッタと第４のトラン１′□ジスタのコ
   レクタとの間に結合さｔ′した第３のインピーダンス要
   素と；第４のトランジスタの工εツタと第２の電源電圧
   源との間に結合さ２１．た第４のインピーダンス要素と
   を呈する鏡像要素スタックと；フィードバック信号に１
   応答し、編１の電源電圧が変化するのと同じ方向に変化
   する基準電圧を供給するフィードバック手段とを具えた
   ことを特徴とする特許請求の範囲第２項又は第３項記載
   の信号変換器。 ５　第２の電源電圧がほぼ一定であることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項、第２項、第８項又は第４項に記
   載の信号変換器。 ６　フィードバック手段が、フィードバック信号に応答
   して内部信号を発生する増幅器と；この内部信号の電圧
   レベルを調整してこｎを基準電圧に変換するシフト手段
   とを具えることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載
   の信号変換器０ ７、　前記増幅器を、フィードバック信号と第２′”の
   基準電圧との間の差を増幅し、内部信号を発生する差動
   増幅器としたことを特徴とする特許請求の範囲第６項記
   載の信号変換器。 ８、　出力信号のその公称電圧からのずれが、所定の入
   力信号の値に対し、温度範囲一５５℃□〜１２５　’Ｏ
   に亘って、第１の電源電圧のその公称値からのすｎの１
   ％よシ小さいことを特徴とする特許請求の範囲第７項記
   載の信号変換器０ ９、トランジスタｉ　ＮＰＮ　）ランジスタとしたこ□
   ゛とを特徴とする特許請求の範囲第８項記載の□信号変
   換器。 １０、各インピーダンス要素を抵抗としたことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項、第２項、第８項又は第４項
   に記載の信号変換器０１１　　第８のトランジスタをダ
   イオード接続したことを特徴とする特許請求の範囲第１
   ０項記載の信号変換器。 １区　　別の出力信号を与えるエミッタと、出力信号を
   受は取るベースと、第１の電源電圧源に”□゛結合ｎた
   コレクタとを有する同じような極性の緩衝バイポーラト
   ランジスタを設けたことを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の信号変換器。 １＆　特許請求の範囲第１２項記載の信号変換器゛と：
   同じような極性の分相バイポーラトランジスタが第２の
   電源電圧源に結合さｎた工ずツタと、別の出力信号を受
   は取るベースと、第１の電源電圧源に結合さｎたコレク
   タとを有し；一方がＰＮダイオードで、他方がショク“
   □トキーダイオードである一対のダイオードが緩衝トラ
   ンジスタのベースと分相トランジスタのコレクタとの間
   に直列に接続され、これをクランプして深い飽和を避け
   るようにする出力段と：を具えることを特徴とする電子
   回路０