JPS5972776A - 非晶質光電変換素子の製造方法および製造装置 - Google Patents
非晶質光電変換素子の製造方法および製造装置Info
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- JPS5972776A JPS5972776A JP57182978A JP18297882A JPS5972776A JP S5972776 A JPS5972776 A JP S5972776A JP 57182978 A JP57182978 A JP 57182978A JP 18297882 A JP18297882 A JP 18297882A JP S5972776 A JPS5972776 A JP S5972776A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高効率の非晶質光電変換素子の製造方法に関す
る。
る。
非晶質半導体装置、特に非晶質シリコン（ａ−ｆｆｌｉ
と略称する）を用いる光電変換素子は、ａ−８ｉ太陽電
池に応用され最近注目されている。
と略称する）を用いる光電変換素子は、ａ−８ｉ太陽電
池に応用され最近注目されている。
最近では、その光電変換効率において５〜１０チの値が
発表されているが、その効率は安定して得られないのが
実情である。たとえば、非晶質半導体の形成条件がわず
かに変化しても、最高値から散開の大きさで低下するの
が現状である。従来技術の開示は実質的には、この効率
の向上方法についての開示のみであり、該効率の安定化
、すなわち高効率の安定維持については何ら顧みられて
いなかった。
発表されているが、その効率は安定して得られないのが
実情である。たとえば、非晶質半導体の形成条件がわず
かに変化しても、最高値から散開の大きさで低下するの
が現状である。従来技術の開示は実質的には、この効率
の向上方法についての開示のみであり、該効率の安定化
、すなわち高効率の安定維持については何ら顧みられて
いなかった。
シリコンの水素化物やハロゲン化物のＣＶＤ（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａ’ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によ
って形成されたａ−８ｉを水素プラズマ中でアニールす
ることにより、該ａ−８ｉの光導電性はグロー放電で得
られるａ−８ｉの光導電性に近づくことが知られている
。本発明者らは、グロー放電で得られるａｓｉは水素プ
ラズマ中において光導電性はもはや増加しないが、光導
電性以外の特性が改善されることを見出した。すなわち
、グロー放電で得られる丸。−６ 導電率か１０ω・儂）以上であるところのａＳ＋膜で整
流接合を形成する際に、整流接合の形成に先立って水素
含有雰囲気のグロー放電（以下水素放電と略称する）を
行なうことによって、高光電変換効率の安定維持がなさ
れる、従来技術からは予見されなかった大きな改善をな
し得ることを見出して本発明に到達した。
ｉｃａｌ Ｖａ’ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によ
って形成されたａ−８ｉを水素プラズマ中でアニールす
ることにより、該ａ−８ｉの光導電性はグロー放電で得
られるａ−８ｉの光導電性に近づくことが知られている
。本発明者らは、グロー放電で得られるａｓｉは水素プ
ラズマ中において光導電性はもはや増加しないが、光導
電性以外の特性が改善されることを見出した。すなわち
、グロー放電で得られる丸。−６ 導電率か１０ω・儂）以上であるところのａＳ＋膜で整
流接合を形成する際に、整流接合の形成に先立って水素
含有雰囲気のグロー放電（以下水素放電と略称する）を
行なうことによって、高光電変換効率の安定維持がなさ
れる、従来技術からは予見されなかった大きな改善をな
し得ることを見出して本発明に到達した。
即ち、本発明は、第１の電極を有する基板上に第１の導
電型を有する非晶質半導体層を形成する工程Ｉ、水素放
電に曝す工程■、高比抵抗の非晶質半導体層を形成する
工程■、第１の導電型とは逆の導電型を有する第２の非
晶質半導体層を形成する工程■及び第２の電極を形成す
る工程Ｖよりなる処理工程により処理されることを特徴
とする非晶質光電変換素子の製造方法である。そして工
程■、工程■、工程■、工程■、工程■はこの順序に連
続１−て、第２図に例示したような製造装置を用いて、
それぞれ別個の隔室で処理されるものである。
電型を有する非晶質半導体層を形成する工程Ｉ、水素放
電に曝す工程■、高比抵抗の非晶質半導体層を形成する
工程■、第１の導電型とは逆の導電型を有する第２の非
晶質半導体層を形成する工程■及び第２の電極を形成す
る工程Ｖよりなる処理工程により処理されることを特徴
とする非晶質光電変換素子の製造方法である。そして工
程■、工程■、工程■、工程■、工程■はこの順序に連
続１−て、第２図に例示したような製造装置を用いて、
それぞれ別個の隔室で処理されるものである。
第１図は、基板１上に第１の電極２を有し、第１の導電
型を有する非晶質半導体３、高比抵抗の非晶質半導体４
、第１の導電型とは逆の導電型を有する非晶質半導体５
を形成し、ついで第２の電極６が形成されてなる本発明
の太陽電池の模式図である。第１図および第２図におい
て、本発明の特徴をｐｉｎ接合型のａ−８ｉ太陽電池に
ついて説明する。第２図においては同一機能を有する設
備の符号は一部省略している。反応室７においてｐ層が
形成された後、水素放電室８で水素放電雰囲気に曝され
、ついで反応室９で１層が形成される。
型を有する非晶質半導体３、高比抵抗の非晶質半導体４
、第１の導電型とは逆の導電型を有する非晶質半導体５
を形成し、ついで第２の電極６が形成されてなる本発明
の太陽電池の模式図である。第１図および第２図におい
て、本発明の特徴をｐｉｎ接合型のａ−８ｉ太陽電池に
ついて説明する。第２図においては同一機能を有する設
備の符号は一部省略している。反応室７においてｐ層が
形成された後、水素放電室８で水素放電雰囲気に曝され
、ついで反応室９で１層が形成される。
つぎに水素放電室８′で再び水素放電雰囲気に曝される
。そして反応室１０でｎ層が形成される。次いで常法に
より電極形成室１１で電極が形成される。
。そして反応室１０でｎ層が形成される。次いで常法に
より電極形成室１１で電極が形成される。
ｐ層形成からｎ層形成までは大気中に曝されることなく
連続して行なわれる。他の整流接合を有する半導体装置
の例では、たとえばｎｉｐ接合の場合においてはｎ層形
成、水素放電、１層形成、水素放電、ｐ層形成と工程を
進めればよい。
連続して行なわれる。他の整流接合を有する半導体装置
の例では、たとえばｎｉｐ接合の場合においてはｎ層形
成、水素放電、１層形成、水素放電、ｐ層形成と工程を
進めればよい。
水素放電雰囲気に曝す時間は長くても３０秒で充分であ
る。該雰囲気に長くさらすことは水素放電によるａ −
８ｉ 、ｔ［の損傷を助長することになって好ましくな
い。特にｐ層は損傷をうけやすく、水素放電は５〜２０
秒で行なうことが好ましい。また、長い水素放電はａ−
８ｉ膜中に多量の水素を導入し、膜の電気的あるいは光
学的特性を変化させる。この現象は特性、すなわち変換
効率の安定化の目的とは招入れないものであるから、こ
の点においても長い水素放電は好ましくない。
る。該雰囲気に長くさらすことは水素放電によるａ −
８ｉ 、ｔ［の損傷を助長することになって好ましくな
い。特にｐ層は損傷をうけやすく、水素放電は５〜２０
秒で行なうことが好ましい。また、長い水素放電はａ−
８ｉ膜中に多量の水素を導入し、膜の電気的あるいは光
学的特性を変化させる。この現象は特性、すなわち変換
効率の安定化の目的とは招入れないものであるから、こ
の点においても長い水素放電は好ましくない。
第２図は本発明の目的を達成するのに好ましいａ−８ｉ
太陽電池の製造装置の一例である。表面に第１の電極を
有する基板１２が入口１３から、ガス置換手段及び真空
排気手段が接続されている加熱室１４に送入されて、加
熱手段１５により約２５ト４００°Ｃ５− に加熱される。つぎに輸送手段１６により真空室１７に
移送される。第１の導電型を有する非晶質半導体層を形
成するための反応室７の圧力と真空室１７の圧力が等し
くなった時にシャッターやゲートバルブ等の遮断手段１
８を開き反応室７へ基板１２を移送する。５ＩＩｄ、
Ｇｅ、 Ｃ，Ｎ等の元素の水素化物やハロゲン化物から
なる非晶質半導体形成物質にＰ、Ａｓ 、Ｂ等の元素の
化合物から選ばれる導電型決定物質を混合して、ガス導
入手段１９から反応室７に導入する。０．１〜５Ｔｏｒ
ｒの圧力で電極２０．２１間にグロー放電を生起せしめ
て、基板上に第１の導電型を有する非晶質半導体を形成
した後でゲートバルブ２２を開き水素放電室８へ導く。
太陽電池の製造装置の一例である。表面に第１の電極を
有する基板１２が入口１３から、ガス置換手段及び真空
排気手段が接続されている加熱室１４に送入されて、加
熱手段１５により約２５ト４００°Ｃ５− に加熱される。つぎに輸送手段１６により真空室１７に
移送される。第１の導電型を有する非晶質半導体層を形
成するための反応室７の圧力と真空室１７の圧力が等し
くなった時にシャッターやゲートバルブ等の遮断手段１
８を開き反応室７へ基板１２を移送する。５ＩＩｄ、
Ｇｅ、 Ｃ，Ｎ等の元素の水素化物やハロゲン化物から
なる非晶質半導体形成物質にＰ、Ａｓ 、Ｂ等の元素の
化合物から選ばれる導電型決定物質を混合して、ガス導
入手段１９から反応室７に導入する。０．１〜５Ｔｏｒ
ｒの圧力で電極２０．２１間にグロー放電を生起せしめ
て、基板上に第１の導電型を有する非晶質半導体を形成
した後でゲートバルブ２２を開き水素放電室８へ導く。
水素放電は電極と該放電室壁面との間に形成される。３
０秒以下、好ましくは５〜２０秒の間水素放電室に滞留
した後、基板はつぎの高比抵抗の非晶質半導体層を形成
する反応室９へと移送される。以下同様にして放電用電
極２３を有する水素放電室８′で水素放電を受けた後、
第２の非晶質半導体層を形成する反応室１０へと移送さ
れ６− る。次に真空室１７、第２の電極形成室１１を経て、出
口２４へと送られる。真空室１７には必要に応じて水素
放電ができるように電極が設備されている。反応室１０
でｎ型半導体を堆積する時には真空室１７′において水
素放電すると、本発明の効果が一層高まる。
０秒以下、好ましくは５〜２０秒の間水素放電室に滞留
した後、基板はつぎの高比抵抗の非晶質半導体層を形成
する反応室９へと移送される。以下同様にして放電用電
極２３を有する水素放電室８′で水素放電を受けた後、
第２の非晶質半導体層を形成する反応室１０へと移送さ
れ６− る。次に真空室１７、第２の電極形成室１１を経て、出
口２４へと送られる。真空室１７には必要に応じて水素
放電ができるように電極が設備されている。反応室１０
でｎ型半導体を堆積する時には真空室１７′において水
素放電すると、本発明の効果が一層高まる。
本発明において、電極は公知の手段、具体的にはグロー
放電、スパッタリング、真空蒸着、イオンブレーティン
グ、スクリーン印刷等により形成される。
放電、スパッタリング、真空蒸着、イオンブレーティン
グ、スクリーン印刷等により形成される。
前述のように本発明においては反応室と反応室の間に水
素放電室が設けられている。これは水素放電室としては
もちろん、異なる反応室間の相互隔離手段としても有効
に作用している。従来技術においては、異なる反応室間
に相互の隔離手段となる隔室は設備されておらず、それ
故異なる反応室は非晶質半導体形成物質や導電型決定物
質で相互に汚染されやすく、これを防ぐことは困難であ
った。本発明の別の目的としては、この問題の克服にも
あって、水素放電室を設けることにより効果的に克服さ
れる。すなわち導電型決定物質や非晶質半導体形成物質
による汚染防止ができるようになった結果、非晶質半導
体中に含有される不純物の微量の制御が極めて容易にな
り、非晶質半導体素子の特性が格段に安定化した。また
反応室相互の隔離が効果的に行なわれるようになったの
で、各反応室における非晶質半導体の形成条件をそれぞ
れ独立に制御できることや、水素放電室が緩衝領域とな
り、基板の移送によって、反応室のグロー放電状態が乱
されないようになったことは本発明の別の利点である。
素放電室が設けられている。これは水素放電室としては
もちろん、異なる反応室間の相互隔離手段としても有効
に作用している。従来技術においては、異なる反応室間
に相互の隔離手段となる隔室は設備されておらず、それ
故異なる反応室は非晶質半導体形成物質や導電型決定物
質で相互に汚染されやすく、これを防ぐことは困難であ
った。本発明の別の目的としては、この問題の克服にも
あって、水素放電室を設けることにより効果的に克服さ
れる。すなわち導電型決定物質や非晶質半導体形成物質
による汚染防止ができるようになった結果、非晶質半導
体中に含有される不純物の微量の制御が極めて容易にな
り、非晶質半導体素子の特性が格段に安定化した。また
反応室相互の隔離が効果的に行なわれるようになったの
で、各反応室における非晶質半導体の形成条件をそれぞ
れ独立に制御できることや、水素放電室が緩衝領域とな
り、基板の移送によって、反応室のグロー放電状態が乱
されないようになったことは本発明の別の利点である。
水素放電は、非晶質半導体の形成圧力と同じかや匁高い
圧力範囲、具体的には０．２〜５Ｔｏｒｒにおいて電極
にＲＦ電力を供給することにより行なわれる。供給電力
は電極単位面積当り０．０２〜２ｗ／イでよい。また水
素放電の雰囲気ガス組成は水素単独であること以外に、
Ｔ（ｅ、 Ｎｅ等の軽元素の不活性ガスが存在してもさ
しつかえない。好ましい水素放電の例としては前述の如
く５〜２０秒間水素放電を受けることであり、基板の移
送中又は水素放電室に一時停止した状態で水素放電を受
けることが実用的な面からみて便利゛である。
圧力範囲、具体的には０．２〜５Ｔｏｒｒにおいて電極
にＲＦ電力を供給することにより行なわれる。供給電力
は電極単位面積当り０．０２〜２ｗ／イでよい。また水
素放電の雰囲気ガス組成は水素単独であること以外に、
Ｔ（ｅ、 Ｎｅ等の軽元素の不活性ガスが存在してもさ
しつかえない。好ましい水素放電の例としては前述の如
く５〜２０秒間水素放電を受けることであり、基板の移
送中又は水素放電室に一時停止した状態で水素放電を受
けることが実用的な面からみて便利゛である。
非晶質半導体を形成する物質は、先に述べたようにシリ
コンの水素化物やハロゲン化物、具体的示例としてはＳ
ｉ Ｈ４、Ｓ １２Ｉ（、，５Ｉ３ＨＢ、Ｓ ＋ Ｔ
−ＩＣ＋３、Ｓ ＋ Ｈ３ＣＩ等やこれらの化合物とＱ
ｅ Ｔ−Ｔ４、ＣＪ（、、Ｎ１（１等との混合物が主と
して用いられる。導電型決定物質としては、燐、ヒ素、
硼素等の水素化物やハロゲン化物が採用され、非晶質半
導体形成物質に対してｏＱｏｏｏｔ〜０．１ の範囲で
用いられる。また高比抵抗層は、室温導電率か１０（＾
・ｃＩＩＬ）以下であり、非晶質半導体形成物質のグロ
ー放電で形成される。なは、この形成時にｐ型の導電型
決定物質を微量共存させて高比抵抗化することもできる
。
コンの水素化物やハロゲン化物、具体的示例としてはＳ
ｉ Ｈ４、Ｓ １２Ｉ（、，５Ｉ３ＨＢ、Ｓ ＋ Ｔ
−ＩＣ＋３、Ｓ ＋ Ｈ３ＣＩ等やこれらの化合物とＱ
ｅ Ｔ−Ｔ４、ＣＪ（、、Ｎ１（１等との混合物が主と
して用いられる。導電型決定物質としては、燐、ヒ素、
硼素等の水素化物やハロゲン化物が採用され、非晶質半
導体形成物質に対してｏＱｏｏｏｔ〜０．１ の範囲で
用いられる。また高比抵抗層は、室温導電率か１０（＾
・ｃＩＩＬ）以下であり、非晶質半導体形成物質のグロ
ー放電で形成される。なは、この形成時にｐ型の導電型
決定物質を微量共存させて高比抵抗化することもできる
。
非晶質半導体の形成条件は特に限定されるものではなく
、グロー放電により基板上に形成される。
、グロー放電により基板上に形成される。
グロー放電の条件は各反応室において圧力０．１〜５’
Ｔ’ｏｒｒ、放電電力１〜１００Ｗ１基板温度２５０〜
４００°Ｇである。
Ｔ’ｏｒｒ、放電電力１〜１００Ｗ１基板温度２５０〜
４００°Ｇである。
基板としてはガラス、アルミナ、シリコン、ス９−
テンレススチール、アルミニウム、モリブデン、耐熱性
の高分子等の材料が板状やフィルム状で用いられる。第
１及び第２の電極としては、光入射側に透明な材料を用
いる他は特に制限されない。
の高分子等の材料が板状やフィルム状で用いられる。第
１及び第２の電極としては、光入射側に透明な材料を用
いる他は特に制限されない。
アルミニウム、モリフ゛デン、ニクロム、ＩＴｏ、 ７
１２化錫、ステンレススチール等の薄膜又は薄板あ゛る
いは導電性塗料ペーストにより形成される導電性膜が電
極として有用である。
１２化錫、ステンレススチール等の薄膜又は薄板あ゛る
いは導電性塗料ペーストにより形成される導電性膜が電
極として有用である。
以上説明したように、本発明は非晶質光電変換素子の製
造法として極めて優れているうえに、連続製造法として
好適であり、実用上の価値が高いものである。
造法として極めて優れているうえに、連続製造法として
好適であり、実用上の価値が高いものである。
次に実施例においてさらに具体的に説明する。
実施例、■
ＩＴＯ，ＳｎＯ，薄膜付のガラス基板を加熱室に送入し
、真空にしたあとＨｅ雰囲気で約３００°Ｃに加熱した
。ついで真空室に移送され水素雰囲気でＩＴＯ−ｒｒま
で減圧にされ、反応室７に移送された。反応室７におい
て、ＢよＨ６／Ｓｒ馬／Ｈよ＝ ０．２／１０／９０の
容量比でガスが導入され、ｌ’ｐｏｒｒで放電が維１０
− 持され、ｐ型ａ−８ｉ層を約１００に形成した。ついで
水素放電室８に導き、ＩＴｏｒｒで１０秒間水素放電雰
囲気に曝した後、反応室９に移送した。
、真空にしたあとＨｅ雰囲気で約３００°Ｃに加熱した
。ついで真空室に移送され水素雰囲気でＩＴＯ−ｒｒま
で減圧にされ、反応室７に移送された。反応室７におい
て、ＢよＨ６／Ｓｒ馬／Ｈよ＝ ０．２／１０／９０の
容量比でガスが導入され、ｌ’ｐｏｒｒで放電が維１０
− 持され、ｐ型ａ−８ｉ層を約１００に形成した。ついで
水素放電室８に導き、ＩＴｏｒｒで１０秒間水素放電雰
囲気に曝した後、反応室９に移送した。
ＢよＨ，／５ｉＨ４Ｌ＝２Ｘ１０ ／１００ を導入し
て高比抵抗のａ−８ｉ層を基板温度２８０〜３００℃で
約４５０ＯＡ形成した。ついで水素放電室８′に導き１
Ｔｏｒｒで２０秒間水素放電をした。反応室１０に移送
し、ｐＨ３／Ｓ ｉ Ｈｅ／Ｈλ＝０．１ ／ １０
／９０のガスを導入してｎ層を２０ＯＡ形成した。つい
で真空蒸着により第２の電極としてアルミニウムを蒸着
してａ−８ｉ太陽電池を得た。同じ操作で得た１０ケの
ａ−８ｉ太陽電池について、ガラス基板側からＡＭＩ
（１００ｍｗ／ｃｍ′）の光をソーラーシュミレータか
ら入射して光電変換効率を測定した。この効率は５．２
〜５．４％であり極めて一定していた。一方、水素放電
をしないで作成したａ−８ｉ太陽電池は効率が４．９チ
から１．５チまで太き（変化した。
て高比抵抗のａ−８ｉ層を基板温度２８０〜３００℃で
約４５０ＯＡ形成した。ついで水素放電室８′に導き１
Ｔｏｒｒで２０秒間水素放電をした。反応室１０に移送
し、ｐＨ３／Ｓ ｉ Ｈｅ／Ｈλ＝０．１ ／ １０
／９０のガスを導入してｎ層を２０ＯＡ形成した。つい
で真空蒸着により第２の電極としてアルミニウムを蒸着
してａ−８ｉ太陽電池を得た。同じ操作で得た１０ケの
ａ−８ｉ太陽電池について、ガラス基板側からＡＭＩ
（１００ｍｗ／ｃｍ′）の光をソーラーシュミレータか
ら入射して光電変換効率を測定した。この効率は５．２
〜５．４％であり極めて一定していた。一方、水素放電
をしないで作成したａ−８ｉ太陽電池は効率が４．９チ
から１．５チまで太き（変化した。
第１図は本発明の非晶質光電変換素子を表わす模式的な
断面図の１例であり、第２図は本発明にである。図中、
１・・・基板、２・・・第１の電極、３．４及び５・・
・非晶質半導体、６・・・第２の電極、７．９．１０・
・・反応室、８および８′・・・水素放電室、１９・・
・ガス導入手段、２３・・・放電用電極、２５・・・真
空排気手段である。 特許出願人 三井東圧化学株式会社
断面図の１例であり、第２図は本発明にである。図中、
１・・・基板、２・・・第１の電極、３．４及び５・・
・非晶質半導体、６・・・第２の電極、７．９．１０・
・・反応室、８および８′・・・水素放電室、１９・・
・ガス導入手段、２３・・・放電用電極、２５・・・真
空排気手段である。 特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）第１の電極を有する基板上に、第１の導電型を有す
る非晶質半導体層を形成する工程■、水素を含むグロー
放電雰囲気に曝す工程■、高比抵抗の非晶質半導体層を
形成する工程■、第１の導電型とは逆の導電型を有する
第２の非晶質半導体層を形成する工程■及び第２の電極
を形成する工程Ｖよりなる処理工程により処理されるこ
とを特徴とする非晶質光電変換素子の製造方法。 ２）工程■、工程■、工程■、工程■および工程■の順
序に連続して、それぞれ別個の隔室で処理される特許請
求の範囲第１項記載の方法。 ３）第１の電極を有する基板上に第１の導電型を有する
非晶質半導体層を形成する工程Ｉ室、水素を含むグロー
放電雰囲気に曝す工程■室、高比抵抗の非晶質半導体層
を形成する工程■室、第１の導電型とは逆の導電型を有
する第２の非晶質半導体層を形成する工程■室及び第２
の電極を形成する工程ｖ室を連続して設置して成る非晶
質光電変換素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182978A JPH0620155B2 (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 非晶質光電変換素子の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182978A JPH0620155B2 (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 非晶質光電変換素子の製造方法および製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972776A true JPS5972776A (ja) | 1984-04-24 |
| JPH0620155B2 JPH0620155B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=16127624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57182978A Expired - Lifetime JPH0620155B2 (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 非晶質光電変換素子の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620155B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0582456A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質シリコン薄膜の形成方法およびこれを用いた光起電力装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983390A (ja) * | 1972-11-18 | 1974-08-10 | ||
| JPS529860A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Ei Uuru Ruuisu | Electric circuit in electromagnetic actuator |
| JPS5512719A (en) * | 1978-07-12 | 1980-01-29 | Tokyo Shibaura Electric Co | Circuit for setting resistance value |
-
1982
- 1982-10-20 JP JP57182978A patent/JPH0620155B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983390A (ja) * | 1972-11-18 | 1974-08-10 | ||
| JPS529860A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Ei Uuru Ruuisu | Electric circuit in electromagnetic actuator |
| JPS5512719A (en) * | 1978-07-12 | 1980-01-29 | Tokyo Shibaura Electric Co | Circuit for setting resistance value |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0582456A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質シリコン薄膜の形成方法およびこれを用いた光起電力装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0620155B2 (ja) | 1994-03-16 |
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