JPS5977697A - デコ−ダ回路 - Google Patents

デコ−ダ回路

Info

Publication number
JPS5977697A
JPS5977697A JP57187702A JP18770282A JPS5977697A JP S5977697 A JPS5977697 A JP S5977697A JP 57187702 A JP57187702 A JP 57187702A JP 18770282 A JP18770282 A JP 18770282A JP S5977697 A JPS5977697 A JP S5977697A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
level
transistor
decoder
node
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57187702A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0215954B2 (ja
Inventor
Hiroaki Ikeda
博明 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP57187702A priority Critical patent/JPS5977697A/ja
Publication of JPS5977697A publication Critical patent/JPS5977697A/ja
Publication of JPH0215954B2 publication Critical patent/JPH0215954B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はデコーダ、特にシフト機能を有するいわゆるニ
ブルモード(Nibble Mode)動作を行うデコ
ーダ回路に関する。
ニブルモードデコーダ回路(以下ニブルモード回路とい
う0)は、行アドレスストローブ(RAS)クロック及
び列アドレスストローブ(CAS)/ロックによる2相
りロックマルチアドレス方式のMO8型ランダムアクセ
スメモリ(以下RAMという。)の高速化を狙いとして
最近強力に開発が進められているものである。このニブ
ルモード回路は、従来の高速アクセスを特長とする6ペ
ージモードに代シ通常のRA8/CA8サイクルにおい
て、供給されたアドレス情報をもとに、引ト1.き供給
されるCA8クロックのみによシ列デコーダに付加した
7フトレジスタによシ内部で列アドレスを発生し外部ア
ドレスの供!@ヲ必髪としないため1ベージモードより
もアクセス時間が数分の−に短縮されるなど一層の高速
化を図ったものである。
このニブルモードデコーダ回路は、従来の2相クロツク
によるマルチアドレス方式のM行×N列のマトリックス
状に配置されたメそリセルと、M個の行を選択する行デ
コーダとN個の列を選択する列デコータ゛により構成さ
れるランダムアクセスメモリにおいて、特に列デコーダ
にシフトレジスタを組み込み、これを介して隣接する列
デコーダを次々に連結し、N番目の列デコーダはN番目
のシフトレジスタを介して、最初の列デコーダへと接続
される閉回路1[成することによ)得られる。
これによるデコーダ回路は、R,As/CASサイクル
時、最初任意の行及び列アドレス情報音それぞれ取シ入
れ、メモリセルがアクセスされ、さらにアドレス情報に
よる列デコーダの選択、非選択情報がシフトレジスタに
取り込まれる。その稜RASクロックを活性化状態に維
持したまま、CA8クロックののみのサイクルに移行す
ると、該クロックのみに同期して発生するクロックによ
りRAS/mサイクルで取シ込まれた列アドレス情報の
転送を開始する。このシフトレジスタ付デコーダによる
アドレス情報の保持、転送はそれぞれCA8クロックの
活性期間中に発生する保持用クロック及びリセット期間
中に発生する転送用クロックとにより1ビツト毎になさ
れる。この結果、この連続アクセスモードでのメモリセ
ルのアクセスは、従来の列アドレスバッファに取シ込ま
れることで得られる列アドレス情報を必要とせず、必ず
連続したアドレスをアクセスする。又CASクロックの
リセット期間中に転送りロックを発生する方式は、次の
サイクルで、必ず次の番地をアクセスすることが既にわ
かっているため、巨クロックによるCASの隣接デコー
ダへの列情報の転送及び隣接デコーダの決定が可能とな
り連続アクセスモードのサイクルをも著しく短縮できる
という他の効用も発生する。さらに、通常の几AS/C
ASサイクルでは保持用クロックのみが発生し、転送り
ロックは発生しないよう設定されるため、列アドレス情
報がレジスタに取フ込まれるのみで、通常の列デコーダ
としての機能はなんら損なわれない。
さらにこの保持機能によシ通常のRAS/CA8サイク
ル毎にアドレス情報に対応した保持情報を更新できるの
で、連続アクセスサイクルへの移行に対し、円滑に列ア
ドレス情報を転送し得るという効用も期待できるなど多
くの効用を有している。
しかし、このニブルモード回路には、当然の事ながら、
従来の列デコーダに対し、行デコーダ間を連結し列アド
レス情報の保持・転送を行うシフトレジスタの付加が必
須である。これに伴い回路構成素子の増加による集積度
、消費電力及び回路の安定性晦の問題が付随する。この
なかでも特に消費電力の増加及び回路の不安元性を増加
さすことは、メモリ全体の特性を損うことになるので重
要であり、本発明はこの問題点の改良に関するものであ
る。
第1図は同一出願人によって提案されたデコーダ回路の
一例を示す回路図である。この図は8ビツトシフト段の
うちの一つの段を表わしている。
このデコーダ回路は、アドレス2進信号を受ける0几結
合された3個のトランジスタQ1〜Q3とクロッフグ′
2の制御を受ける負荷トランジスターとから形成される
デコーダと、デコード1191の保持、転送を担うトラ
ンジスタQ、〜Q l ?とから形成されるシフトレジ
スタ部とからなっている。NOR出力節点に現われるデ
コード情報NOR,oはトランジスタQs 、Qa ’
r:、介し、クロック52’t、によりトランス7アゲ
ートトランジスタQ、7.Qsに伝達され、これを受け
て選択されたI10バス、 l10oI10゜の情報が
データバスD Ilo 、 D Iloへと伝達される
。
次にこの回路の動作概要を、RA8/CASサイクルで
、デコーダ八が選択され、引はき連続アクセスサイクル
へ移行する場合について説明する。
デコーダの決定彼遇択デコータ゛Doの出力節点NO鳥
は1Hルベルに他はすべて1Lルベルになる。その後発
生するクロッフグ、が印加されると、節点■はトランジ
スタq及びQ+oとのレシオで定まるILルベルとなフ
、これを受けてトランジスタQ1.はオンするOYE、
はクロック5ZIL を受はデフーダ出力節点情報によ
勺トランス7アゲートトランジスタ対(Q? 、Qs 
)を駆動するデータバス信号であシ同時にトランジスタ
Qstのゲートに印加される0トランジスタQ、は節点
■のレベルを受けてオンしているため、節点■はトラン
ジスタQll k介L、VDn−Vr(VDnitt源
電圧、VTはトランジスタのしきい値電圧)レベルに充
電され、データ選択情報をこの節点■に蓄積する。クロ
ック52’Lによりデコード情報のラッチ動作が完了す
ると、CA8クロックのリセットを受は転送りロック9
BTが発生し転送動作を開始する。トランジスタQ14
及びQ1□は節点■の電位を受はオン状態となっている
。クロック96Tがこれらのトランジスタに印加される
と節点[F]及びクロックPSYoは上昇を開始する。
クロックPSY0の電位上昇時には、トランジスタQ1
4及びQoのゲート−ドレイン間容量がクロック0Tに
よる節点■のブートストラップ用コンデンサとして寄与
するため、節点■U VDD −VTレベルよシ速やか
にVDDレベル以上へと上昇するので、節点[F]及び
クロックP8Y、はVDDレベルとなフ次段デコーダの
入力トランジスタQxaにテコード情報金伝達するとと
もにトランジスタQtseオンさせることによシ、前段
デコーダの選択情報である用ルベルを“Lルベルへと移
行させ選択デコーダを非選択状態とする。なおトランジ
スタQssは多重選択防止用、トランジスタQ16は節
点[F]の用ルベル′f、”L”レベルへの復帰用であ
る。
以上説明したように第1図に示す回路は、回路も簡単化
され確実に動作するよう良く考えられている。しかしな
お次の問題点が考えられる。まず、jlslの問題点は
、デコード情報の保持回路としてトランジスタQ9 +
 u、toからなるレシオ回路を用いているので、その
デコード情報1■4ルベルをラッチして節点■を’L“
レベルにする動作において、トランジスタも及びQto
が共にオン状態となり消費電力を発生する。この消費電
力は各デコーダ毎に発生するのでメモリ全体としては無
視できない大きさとなることである。
次に、第2の問題点はこの回路においてクロックPSY
oとなるトドンジスタQ1テのンースとトランジスタQ
xsのゲートによる節点は、転送りロック戸アが印加さ
れなけれはそのレベルが固定されないハイインピーダン
スで低レベルのいワユるローフロート(Low 11’
logt )状態であるために雑音の影舎を受は易いこ
とである。
第2図に従来のニブルモード回路の他の一例の回路図を
示す。(ニス、シーフィールドイートンエトアル1ア 
100ns  64K ダイナミック・ラム ユージン
グ レダンダンシイ ティクニクス1S、5heffi
eld Eaton etal ”A IQQns  
54KDynarnic几AM Using Redu
ndancy Tecltni−ques” l58C
C81,PP、84/85参照)この回路は4ビツトシ
フト段のうちの一つの段を表わしていて、トランジスタ
Q□〜Q、33から形成されるデコーダと、デコード情
報の保持、転送を担うトランジスタQ□〜Q、8 から
形成されるシフトレジスタ部とそれからの選択信号・非
選折信号を受ける入力用トランジスタQ!9 p Qs
o  とを含んでいる。デコーダ出力節点■に現われる
デコード情報は、トランジスタQ14を介してクロック
93y。
及びクロック5’YIN によりトランスフアゲ−トド
トランジスタQsy r Qs・ に伝達され、これを
受けて選択されたI10バス、Ilo、l10oの情報
がデータバスDI10.DI10へと伝達される。
次にこの回路の動作概要について説明する。最初にこの
デコーダ回路が選択された場合についてを述べる。クロ
ック5zIpRにより負荷トランジスタQs+tl−介
しデコード回路出力節点■はVDD −VTの1Hルベ
ルにある。次いでクロック9!3YOとuy+N(i=
o、1,2.3)全印加すると、節点■がVDDレベル
以上になるとともに節点■が2Hルベルとなりデータ選
択情報が節点■に蓄積される0次いこれに従って節点■
のレベルがVDDレベルとなることによH−ランジスタ
Q8.を介して節点■のレベル’i VDD −VTの
IHルベルとし入力トランジスタQsoのゲートにデコ
ード情報を伝達する。この結果トランジスタQ、。はオ
ンとなりデコーダ出力節点■は1L″レベルとなる。一
方最初にデコーダ出力節点■がIL@の場合は、クロッ
ク5zlYo及び5’y I N−1が印加されること
になりトランジスタq1ヲ介して節点■のレベルがVD
D −VTの1Hルベルとな少、これに伴い節点■のレ
ベルはVDDレベルとなり入力用トランジスタQ、のゲ
ートに与えられる。これによシブコード回路の出力節点
■はVDD−VTの1H″レベルに充電される。すなわ
ちこの回路においては、クロック915yoとクロック
戸ア、Nの組合せにより、このデコード回路が最初に選
択された場合には次にリセットされるよう節点■のレベ
ルi ”H’レベルにし、最初非選択であって次回選択
される場合は充電されるよう節点■のレベルをIH″レ
ベルとすることによシブコードfi′INのシフトが行
われている。
ところで、この回路での問題点は前述の第1図の回路の
第2の問題点として指摘したところの、ローフロート(
Low Float)状態にあるところの節点が幾つも
あるということである。すなわち、クロック96Yoが
上がらないうちは、クロック島、(i=o、1,2.3
>はいずれもILルベルにあるので、トランジスタQ□
* Qts + Qta t Qtaはいずれもオフと
なり節点■及び節点■の電位は不定である。従って、ト
ランジスタQtt + ’1’□のオン、オフも不明で
節点■、■の電位が不安定、更にトランジスタ魁? r
 Q、ta のオン、オフも不明でm点■の電位が不定
である。最悪の場合には、トランジスタQ*t + Q
xs t )ランジスタQzo l Qao p  及
びトランジスタQa+ r Qs。がそれぞれともにオ
ン状耽となり消SIc電力の増大、更には誤動作を引き
起こす原因となる。
以上説明したように、ニブルモード回路は多くの特長を
有しているにもかかわらず、消費電力を大きく増加させ
、史には回路の不安定性を増加させる恐れがあるなどの
欠点を有している。
本発明の目的は、か\る従来技術の欠点を除去し、消費
電力の増加が抑制され、かつ安定性の向上されたニブル
モード動作を行うところのデコーダ回路を提供すること
にある。
本発明の回路は、外部アドレス信号によって選択動作を
行う並置された衿数個のデコーダ回路からなフ、該デコ
ーダ回路が該デコーダ回路の出力信号の逆相出力信号を
ダイナミックな動作によシ発生する逆相出力信号発生回
路と、前記デコード回路の出力信号と前記逆相出力信号
とをラッチするラッチ回路と、該ラッチ回路にラッチさ
れた情報に基づき隣接する一方の側のデコーダ回路を充
電あるいは放電するための選択信号あるいは非選択信号
を発生する選択信号発生回路及び非選択信号発生回路と
、瞬接する他方の側のデコーダ回路からの選択信号及び
非選択信号を入力する入力回路とを備えてなることから
なっている。
以下本発明について図面を参照し詳細に説明する0 第3図は本発明の一実施例を示す回路図である。
この実施例の回路は、4ビツト77ト段のうちの一つの
段を表わしており、実際にはこのデコーダ回路が4個並
置されて一つのニブルモード回路を形成する。この実施
例の回路は、アドレス2通信号Aj、Ajを受けるOR
結−合されたトランジスタQ4!、Q4M  とクロ、
ツク52Ipの制御を受ける負荷トランジスタQ41と
クロック戸□によりOR回路を分離するためのトランジ
スタQ44とからなるデコーダ回路1と、このデコーダ
回路1の出力(節点@のレベル)をトランジスタQ、4
? 、 Q4a ’ft−介してクロックρN1によ逆
入力し前記出力信号l08i(””LLL3)の逆相出
力信号108i全ダイナミックな動作により発生する逆
相出力信号発生回路3と、出力信号l08iとその逆相
出力信号l08iをラッチするラッチ回路5と、このラ
ッチ回路5にラッチされた情報に基づき隣接する一方の
1)1.liのデコード回路を充電あるいは放電するた
込の選択信号5HFT++1(i+1はi = 3のと
きは0となるものとする)あるいは非違択匍号LlIS
t+ti%生する選択信号発生回路4及び非選択信号発
生回路6と、隣接する他方の側のデコーダ回路からの選
択信号8HFTi及び非選択信号DI8ifi:入力す
る入力回路2とからなっている。なおこの図では前述の
第1図及び第2図では示しておいたデコーダ回路1の出
力信号108iを伝達して選択された工ρバスの情報を
データバスに伝達するトランス7アゲートトランジスタ
は図示していない。
逆相出力信号発生回路3は以下のように構成される。ト
ランジスタQ4.のドレインはクロック戸、。
端子にソースがトランジスタQsoのドレインに接続さ
れ出力信号l08iの出力節点となシ、ゲートがトラン
ジスタQsse介してトランジスタQwa ’/)ケー
ト及びトランジスタQI4のソースに接続され、トラン
ジスタQ、。のソースは接地され、そのゲートはトラン
ジスタQsiのゲートに接続されている。
トランジスタQIIl+とトランジスタQseとはゲー
トとドレインがそれぞれ交差接続されてフリップ70ツ
ブを形成しておりそれらのソースは共に接地されておハ
 トランジスタQ++sのドレインLトランジスタQl
+4のソースに接続され、トランジスタQ114のドレ
インは電源(VDD)端子に、ゲートはクロック5’P
N端子に接続されている。そしてトランジスタQseの
ドレインはトランジスタQ4.のソースに接続されこの
逆相出力信号発生回路3の入力節点となるとともにトラ
ンスファゲートトランジスタ(図示して臂ない)へのデ
コーダ出力節点となっている。更にトランジスタQ !
 sのソースは接地され、そのドレインはトランジスタ
g、、vのソースに接続され、トランジスタQ0のドレ
インは節点0に、ゲートはクロック+2’N2端子に接
続されている。
ラッチ回路5は以下のように構成される。トランジスタ
QasとQ64はゲートとドレインがそれぞれ交差接続
されて7リツグフロツプ回路を形成しており、それぞれ
のソースは接地されている0このフリップフロップ回路
の節点[相]は、ドレインがVDD端子にゲートかそれ
ぞれクロック戸、及びデコーダ回路の出力信号l08i
に接緒されるトランジスタQs!及びQ6゜のソース並
びにソースが接地されゲートが逆相出力信号l08iに
接続されたトランジスタQesのドレインに接続されて
いる。7リツグフロツプ回路の他方の節点0は、ドレイ
ンがVDD端子にゲートが逆相出力信号l08jK接続
されるトランジスタQelllのソース並びにソースが
接地されゲートが出力信号l08iに接続されるトラン
ジスタQsaのドレインに接続されている。
選択信号発生回路4は以下のように構成される。
トランジスタQll?はドレインがクロックlpN端子
に、ゲートがトランジスタQIIllを介して前記7リ
ツプ70ツブの節点[相]に接続され、ソースがトラン
ジスタQssのドレインと接続され選択信号8HFT+
+1の出力節点を形成している。トランジスタQsaの
ソースは接地され、ゲートは前記フリップ70ツブの節
点Oに接続されている。
非選択信号発生回路6は以下のように構成されている。
トランジスタ(i’、ssはドレインかクロック外、端
子に、ゲートがトランジスタQayを介して前記7リツ
グフロツプ回路の節点OK接続され、ソースがトランジ
スタQ6゜のドレインと接続され非選択信号DI8++
tの出力節点を形成している。
トランジスタQsoのソースは接地され、ゲートは前記
7リツグフロツプの節点[相]に接続されている。
入力回路2は、ドレインがVDn@子にゲートが選択信
号8HFTiに接続されソースがデコーダ回路1の出力
節点■に接続されたトランジスタQ41と、ドレインが
この出力節点0に、ゲートが非選択信号DISiK接続
され、ソースが接地されているトランジスタQ46とか
ら構成されている。
第4図は第3図の実施例の回路における各クロック信号
のタイ゛ムチャ−11−示し、第5図は各信号及び各節
点の動作波形を示すものである。次にこれらの図を参照
してこの実施例の回路の動作をR,AS/CA8サイク
ルで、このデコーダ回路が、最゛初に非選択であって次
回選択される場合と、最初に選択され次回非選択となる
場合に分けて以下に説明する。
(a)最初に非選択であって次回選択される場合。
(第5図(al参照) この場合は、このデコーダ回路が最初非選択であるので
、アドレス信号Ai、Ajの両方ともにlH″レベルに
ある。デコーダ回路1の出力節点■はクロック5Z’p
によってトランジスタQ+1に通してプリチャージされ
てVDD−VT ()ランジスタのしきい値電圧)の1
Hルベルにあるが、クロック521Aの印加によりトラ
ンジスタQ44がオンするので節点■のレベルはILル
ベルに移行する。すなわちデコータ゛が非選択であると
決定される。これニ伴いトランジスタQ+vのドレイン
とトランジスタQ48のゲートによる節点@のレベルも
1HルベルからILルベルへと移行する。一方この状態
においては逆相出力信号発生回路3及びラッチ回路5の
7リツプフロツプ回路の一方の節点■及び[有]のレベ
ルはそれぞれVDD −VTの1H”レベルに1、これ
に伴いトランジスタQ□のドレインとトランジスタQ4
Gのゲートによる節点◎及びトランジスタQseのドレ
インとトランジスタQ、γのゲートによる節点[相]の
レベルはそれぞれVDD−VTよシはや\低いレベルの
1Hルベルにある。又トランジスタQgaがオンとなり
出力信号l08iはILルベルに保たれる。
次に、クロックへ1引き続いて少し遅れクロック5z+
、、 f ’L”レベルからVDDレベルの1Hルベル
に立ち上げる。かくすると節点◎のレベルはトランジス
タQ4.のゲート−ドレイン間容量によるブートスト2
ツブ効果により ’VDD以上のレベルに上昇し、逆相
出力信号l08iの出力節点であるトランジスタQso
のドレイン電位1Vnoレベルとたし、結果としてVD
Dレベルの1H@レベルにある逆相出力信号IO8iが
出力されることになる。
これに従い、トランジスタQ61及びQ、6.がオンと
なり、節点[相]のレベルはILルベルに節点0のレベ
ルId VDD −VTレベルの′Hルベルに移?T 
L、それに伴い節点[相]のレベルはILルベル、節点
[相]レヘルハVDD −VT ヨりや\低いレベルの
1H″レベルに移行する。かくしてデコーダ回路1の出
力信号l08iFi節点[相]に、逆相出力信号IO8
iは節点0にそれぞれラッチされたことになる。
デコード情報のラッチングが終るとクロックρ□に引き
続いてり四ツク戸N1及びA2を順次に1Lルベルに移
行する0かくするとトランジスタQ44はオフとなりO
R回路を構成するトランジスタq。
及びQ4.はたとえアドレス情報が印加されても動作し
なくなシ多重アドレスなどの誤動作を完全に防止するこ
とになる。又節点◎のレベルはVDD以上のレベルから
もとのVDD −VTよりもや\低い1Hlレベルに移
行する。
次に、転送りロッククPNを1LルベルがらVDDレベ
ルの”H″に立ち上げると、節点[相]のレベルはトラ
ンジスタQ68のゲート−ドレイン間容預°にょるブー
トストラップ効果によfi VDD以上のレベルに上昇
し、非選択信号D I 81+1の出力節点であるトラ
ンジスタQ6.のドレイン電位がVDDレベルの1Hル
ベルとなル非選択信号DI8I+sが次段のデコーダ回
路の入力回路へ向けて送出され之。なおこの場合トラン
ジスタQssはオンとなシ選択信号5HFT I+1 
/d ”L”  レベルとなる。
(b)最初に選択された場合。(第5図(b)参照)こ
の場合は、このデコーダ回路が最初に選択されるのでア
ドレス信号Ai、Ajの両方とも”L’レベルにある。
クロックρ□の印加によシトランジスタQ44がオンす
ることにより、このアドレス情報が確定されデコーダ出
力として節点0のレベルが1Hルベルに保持される。次
にクロックρN1引き続いて少し遅れてクロックaN2
を1L″レベルから■DDレベルの1H″レベルに立ち
上ける。かくすると、節点0はトランジスタQ+11の
ゲート−ドレイン間容量によるブートストラップ効果に
よj5 VDD以上のレベルに上昇し、デコーダ回路出
力信号の出力節点であるトランジスタQsaのドレイン
電位がVDDレベルとなシ、結果としてVDDレベルに
ある出力信号l08iが送出される。これに従い、トラ
ンジスタQ□及びQ、。がオンとなるので節点0及び0
のレベルはfLルベルに移行するとともにトランジスタ
Q、。のドレイン電位[”L”レベルとなり結果として
tHwレベルにある出力信号IO8iの逆相信号として
1Lルベルにある逆相出力信号I08 iが出力される
ことになる。
一方、トランジスタQ6゜及びQ66がオンとなり、節
点[相]のレベルid ’H’レベル、節a’i’?)
のレベルは1Lルベルを保持する。すなわち、デコーダ
回路lの出力信号IO8iは節点[相]に、逆相出力信
号IO8iは節点0にラッチされたことになる〇デコー
ド情報のラッチングが終ると、クロックダ□に引き続い
てクロック信号9jN1及びρN2を順次に1Lルベル
に移行する。この結果ト2ンジスに、節点■及び節点[
相]はlLルベルに移行する。
次に、転送りロックy3PNI II、ルベルからIH
ルベルに立ち上げると、節点[相]のレベルはトランジ
スタQl+?のゲート−ドレイン間容量によるプートス
トラップ効果によ、9VnDレベル以上に上昇し、選択
信号5HFT++tの出力節点であるトランジスタQl
18のドレイン電位がVDDレベルの1Hルベルとなフ
、選択信号5HFT++1が次段のデコーダ回路の入力
回路へ向けて送出される。なおこの場合トランジスタQ
6qはオンとなり非選択信号DISl+1はIL″レベ
ルとなる。
1H″レベルの選択信号5HFT++t 5受けた次段
のデコーダ回路はその出力節点が1H″レベルに充電さ
れる。この第3図の回路においてはlH6レベルにある
選択信号aI(FTiを受けてトランジスタQ41がオ
ンすることにより節点■が充電される。
一方、′Hルベルの非選択信号DI8t+x2受けた次
段のデコーダ回路はその出力節点がlLルベルへと放電
される。この第3図の回路においては、1Hルベルにあ
る非選択信号D I S s+tを受けてトランジスタ
Q48がオンすることにより節点■が放電してILルベ
ルとなる0 なお以上の説明において、トランジスタQ6.。
Qssの動作を省略したが、これは節点0.@がローフ
ロート−状態になるのを防止するために挿入されたもの
である。すなわち、トランジスタQ5.。
Qssがない場合、節点0.@はクロッフグ□+ 5’
 P Nが共に1Lルベルで選択信号5HFTi 、非
選択信号DISiか共に@Lルベルの場合はトランジス
タQ44 + Q411 + Q46が共にオフとなジ
ローフロート状態となり得るが、トランジスタQ!! 
+ Qis があるとトランジスタQgsは節点@が°
H“レヘルノタメA−7L、ておシ、トランジスタQ、
!はクロック5’N2を1Hルベルに上げることによp
オンとなるので節点■、@はIL’レベルに固定される
0なおこの回路においてもクロックφ8、とクロック5
2IPNとが全く交差しなけれは、クロック5’PNが
l I、lレベルとなりクロックlHzが上るまではや
はシ節点■。
@はローフロート状態となシ得るが、これもクロックy
5PNとクロックρN1をトランジスタめしきい値電圧
VT付近で交差させてやることにより防止することがで
きる。
次に以上の動作におけるアドレス入力と各出力信号の組
合せを第1表に示す。
菌1表 以上説明したとおシこの実施例の回路においては、アド
レス情報によりデコーダ回路1の出力が決まると、その
出力信号I08と逆相の出力信号l08Q逆相出力信号
発生回路3によシ発生し、この逆相出力信号IO8と出
力信号IO8とをラッチ回路5でラッチし、転送りロッ
ク(クロック%N )によ5、’H’レベルにある選択
信号8HFTあるいは非f択信号DISをそれらの発生
回路4あるいは6により発生させ、これを次シフト段の
デコーダ回路の入力回路に入力することによシ次段のデ
コーダ回路の充電あるいは放電を行わせしめ、これが次
から次へと閉回路を形成しているデコーダ回路へ転送さ
れ確実な77ト動作が行われる0 次に、この実施例の回路においては前述の従来技術で問
題とされている消9!電力及び回路の不安定性の増加の
問題が解消されていること全説明する。
まず、逆相信号発生回路3についてみると、まず逆相出
力信号IO8iがIHルベルにある場合には、クロック
5’N1及びρN2が1H″レベル、出力信号l08i
及びクロックOPNはwLaレベルにあル(1)で、ト
ランジスタQ41はプート状態、トランジスタQso 
r Qsa + Q□はオフ、トランジスタQ□、Q、
6はオンになっている。次に反対に、逆相出力信号IO
8iがIl、ルベルにある場合には、トランジスタQ4
゜、Ql14.Q、6がオフ、トランジスタQl10.
QIII、Q□がオンになっている。従って、どこにも
VDD端子から接地端子への電流通路が形成されず、流
れる電流はレベル変化に伴うトランジェントな充放電電
流のみで直流電流が流れることはない。この特性は回路
的には、トランジスタQss * Qsa からなるフ
リップ70ツブの一方の節点を出力信号IO8i節点と
するとともに逆相信号I08 iの出力トランジスタQ
、。のゲート駆動節点として用い、この7リツープ70
ツブがダイナミックに動作するよう負荷回路を設定して
いる午とによっている〇一方、この逆相信号発生回路3
には節点0のノ・イインピーダンス節点が設けられてい
るが、節点0はゲートがVDD端子に接続されたトラン
ジスタQ*tk介して節点■と結はれておシ、節点0の
レベルはトランジスタQ□のオン、オフによ、9 ’L
”レベルかlHルベルに保持されているので不安定なロ
ーフロート状態になることはない。
次に、ラッチ回路5についてみると、まず出力信号I0
8 iがILルベル、逆相出力信号l08iが1Hルベ
ルにある場合には、トランジスタQ6゜。
Qat + Q、64 r Q、aaがオフ、トランジ
スタQat 、 Qas、Q6.がオンになっている。
次に反対に出力信号I08 iが1)4ルベル、逆相出
力信号l08iが1Lルベルにある場合は、トランジス
タQe1+ Qat +Q、as r Qeg がオフ
、トランジスタQeo + Qa4 + Qasがオン
になっている。従って、どこにもVDD端子から接地端
子への電流通路が形成されず、流れる電流はレベル変化
に伴うトランジェントな充放電電流のみで直流電流が流
れることはない。この特性は回路的には前述の逆相信号
発生回路3の場合と同様に、トランジスタQes + 
Qa4 からなるフリラグフロップを用いその両筒点に
それぞれデコーダ回路の出力信号l08iとその逆相出
力信号108iをラッチするようにしそれがダイナミッ
クに動作するよう回路を設定していることによっている
。
一方、このラッチ回路5には、ノ1イインピーダンス節
点がないのでローフロート状態により回路動作が不安定
になることはない。
次に、遠択信号発生回路4及び非選択信号発生回路6に
ついてみると、まず選択信号5f(FT++tカ’H’
 レベルの場合には、トランジスタQlls。
Qesがオフ、トランジスタQsy + Qso t 
Qll? r Qa。
がオンしておシ、反対に、非選択信号D I Si+r
が1Hルベルの場合には、トランジスタQI+7196
gがオフ、トランジスタQ□s Qso r Qa)、
Q68がオンとなっている。従って、こ\でも電流通路
は形成されないので直流電流が流れることはない。
一方、この信号発生回路4,6には、ハイインピーダン
ス節点として節点[相]と節点[相]とが設けられてい
るが、それぞれゲートがVDD端子にiNされているト
ランジスタQgo及びQay′!!−介してラッチ回路
5の7リツプフロツプの節点に接続されておシネ安定な
ローフロート状態になることはない。
最後に入力回路2″であるがこれは選′−信号5HFT
iと非選択信号DISiとは互に逆相の関係にあるので
、トランジスタQ411及びQ4+1が同時にオンする
ことはないので直流電流が流れることはない。
更に、デコーダ回路1の出力となる節点■、0のローフ
0−ト状態の防止対策はすでに説明したとおフである。
以上説明したとおシ、この実施例の回路によると、回路
の動作においては、 VDD端子と接地端子とを結ぶ電
流通路を形成することがなく流れる電流はレベル変換に
伴う僅かなトランジェントな充放電電流のみで直流電流
は流れないので、従来のように直流電流が流れることに
よる消費電力の大きな増加はなく、巣に従来回路のよう
に不安定であるところのローフ0−ド状態にあるハイイ
ンピーダンス節点も夫賛牛有しないので、雑音などの妨
害を受けることもなく安定な動作を行うニブルモード回
路が僅られる。
又、この発明は以上説明した一実施例に限定されないこ
とはいうまでもない0要は、(ロ)路構成を、入出力信
号及びクロックに応じてダイナミックに動作することよ
C,VDD端子と接地端子とを結ぶ直流電流通路を形成
させないと同時にローフロート状態に節点電位がならな
いよう設足すれは良い。
以上詳細に説明したとおシ、本発明の回路は、回路構成
を入出力信号及びクロックに応じてダイナミックに動作
するよう設定されているので、流れる電流はレベル変換
に伴う僅かなトランジェントな充放電電流のみで、従来
のような直流電流による消費電力の大きな増大はなくな
るとともに、従来回路で問題とされた回路動作の不安定
を招集する恐れのある、ローフロートハイインピーダン
ス状態にある節点も笑哄士有していないので安定性が向
上するという効果を有している。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は従来例の第3図は本発明の一芙施例を
示す回路図、第4図及び第5図はそれぞれ第3図に示す
一実施例のクロック信号のタイムチャート及び各信号、
各節点レベルの波形図である。 1・・・・・・デコーダ回路、2・・・・・・入力回路
(選択・非選択信号の)、3・・・・・・逆相信号発生
回路、4・・・・・・選択信号発生回路、5・・・・・
・ラッチ回路、6・・・・・・非選択信号発生回路、Q
1〜Qxa + Q*t〜Qss t Q41〜Q6・
・・・・・・Nチミンネル型MO8)ランジスタ、〆P
・戸いダT・Y802戸PR・戸YO・ダYIN・戸Y
IN−1・望P、グALAJ1.ダN21戸PN・・・
・・・クロック、A i 、 A j −9−、−アド
レス入力信号、l08i・・・・・・出力信号、l08
i・・・・・・逆相出力信号、5HFTI+1 ・・・
・・・選択信号、DIS t−Hl・262.非選択信
号、■、■、[F]、■〜■、0〜[相]・・・・・・
節点。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)外部アドレス信号によって選択動作を行う並置さ
    れた複数個のデコーダ回路からなシ、該データ回路が該
    デコーダ回路の出力信号の逆相信号をダイナミックな動
    作によ多発生する逆相出力信−号発生回路と、前記デコ
    ーダ”回路の出力信号と前記逆相出力信号と金ラッチす
    るラッチ回路と、該ラッチ回路にラッチされた情報に基
    づき隣接する一方の側のデコーダ回路を充電あるいは放
    電するための選択信号あるいは非選択信号を発生する選
    択信号発生回路及び非選択信号発生回路と、隣接する他
    方の側のデコーダ回路からの選択信号及び非選択信号を
    入力する入力回路とを備えてなることを特徴とするデコ
    ーダ回路。
JP57187702A 1982-10-26 1982-10-26 デコ−ダ回路 Granted JPS5977697A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57187702A JPS5977697A (ja) 1982-10-26 1982-10-26 デコ−ダ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57187702A JPS5977697A (ja) 1982-10-26 1982-10-26 デコ−ダ回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5977697A true JPS5977697A (ja) 1984-05-04
JPH0215954B2 JPH0215954B2 (ja) 1990-04-13

Family

ID=16210659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57187702A Granted JPS5977697A (ja) 1982-10-26 1982-10-26 デコ−ダ回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5977697A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6366790A (ja) * 1986-09-09 1988-03-25 Nec Corp シリアルセレクト回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6366790A (ja) * 1986-09-09 1988-03-25 Nec Corp シリアルセレクト回路

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0215954B2 (ja) 1990-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6333895B1 (en) Clock synchronous semiconductor device having a reduced clock access time
US4330852A (en) Semiconductor read/write memory array having serial access
EP0056240B1 (en) Memory device
JP3754593B2 (ja) データビットを記憶するメモリーセルを有する集積回路および集積回路において書き込みデータビットをメモリーセルに書き込む方法
JPS6118837B2 (ja)
US12074598B2 (en) Level shifter enable
KR100278901B1 (ko) 반도체 기억 장치
US4390797A (en) Semiconductor circuit
US20010043506A1 (en) Random access memory having independent read port and write port and process for writing to and reading from the same
US4281401A (en) Semiconductor read/write memory array having high speed serial shift register access
KR100328594B1 (ko) 늦은 라이트 타입 반도체 메모리 장치에서의 바이패스 동작 에러방지 및 사이클 타임구간 개선방법과 그에 따른 멀티플렉서 회로
US5598375A (en) Static random access memory dynamic address decoder with non-overlap word-line enable
KR0155986B1 (ko) 반도체 기억장치
US4563598A (en) Low power consuming decoder circuit for a semiconductor memory device
JPH07319764A (ja) シーケンシャルアクセスメモリ
JPH028399B2 (ja)
US20050275430A1 (en) Voltage level shifting circuit and method
US6154394A (en) Data input-output circuit and semiconductor data storage device provided therewith
JPH0745067A (ja) 半導体記憶装置
JPS6059592A (ja) ダイナミツクランダムアクセスメモリ
JPH10255459A (ja) ラインメモリ
JP3090104B2 (ja) 半導体メモリ装置
JPH05266652A (ja) パイプライン動作型メモリシステム
JP3102754B2 (ja) 情報利用回路
CN101178931A (zh) 一种可实现高速写和窗口写的低功耗sram电路结构设计