JPS5980013A - トランスバ−サル・フイルタ - Google Patents

トランスバ−サル・フイルタ

Info

Publication number
JPS5980013A
JPS5980013A JP58176131A JP17613183A JPS5980013A JP S5980013 A JPS5980013 A JP S5980013A JP 58176131 A JP58176131 A JP 58176131A JP 17613183 A JP17613183 A JP 17613183A JP S5980013 A JPS5980013 A JP S5980013A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
weighting
stage
input
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58176131A
Other languages
English (en)
Inventor
ハンスイエルク・プフライデラ−
カ−ル・クナウエル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Schuckertwerke AG, Siemens Corp filed Critical Siemens Schuckertwerke AG
Publication of JPS5980013A publication Critical patent/JPS5980013A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H15/00—Transversal filters
    • H03H15/02—Transversal filters using analogue shift registers
    • H03H15/023—Transversal filters using analogue shift registers with parallel-input configuration

Landscapes

  • Filters That Use Time-Delay Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、複数個の並列入力端および1つの直列出力端
を有するアナログ・シフトレジスタを有し、1つの入力
信号がすべての並列入力端を経て次々と標本化された信
号値の形態で与えられ、他方P波された出力信号が直列
出力端から取出され、またシフトレジスタのn段の1つ
の群にn個の信号重み付は回路およびn個の並列出力端
が対応づけられているトランスバーサル・フィルタに関
する。
このようなトランスバーサル・フィルタはたとえばドイ
ツ連邦共和国特許出願公告第2643704号公報から
知られている。この場合それぞれ並列入力端に対して直
列に位置する個々のレジスタ段の信号重み付は回路に、
関係式 %式%[11 内でa。ないしanで示されているフィPす係数に相当
する重み付は係数a。ないしa が対応づけられている
。ここに、I−I (z )はP波でれる信号のシステ
ム関数であり、寸だ2は標本化された信号値がシフトレ
ジスタの1つの段を通過する際だ生ずる遅延時間である
。このトランスバーサル・フィルタの欠点は、特定のフ
ィルタ曲線を実現するだめの重み付は係数80ないしa
nが互いに著しく異なる値となり、フィルタ回路の実状
が固溶になることである。
本発明の目的は、冒頭に記載した種類のトランスバーサ
ル・フィルタであって、従来のフィルタ如くらべて信号
重み付は回路を一層簡単に構成することができ、かつ所
望のフィルタ曲線IC一層正確だ一致させることができ
るものを提供することである。この目的は、本発明によ
れば、特許請求の範囲第1項に記載のトランスバーサル
・フィルタにより達成される。
本発明により得られる利点は特に、信号重み付は回路の
重み付は係数す。ないしす。が、同一のフィルタ曲線を
従来のトランスバーサル・フィルタで実現するため如必
要とされる重み付は係数a。
ないしa にくらべて、はるかに小さな差を相互間に有
することである。
木兄明如よるトランスバーサル・フィルタの有利な実施
態様は特許請求の範囲第2項ないし第6項に示されてい
る。
以下、図面により本発明を一層詳細に説明する。
第1図には、第1の木兄明如よるトランスバーサル・フ
ィルタの原理図が示されて因る。このフィルタは3段の
アナログ・シフトレジスタを有し、その段が81ないし
S3で示されている。これらの段にそれぞれ並列入力端
E1ないしE3が対応づけられており、これらはフィル
タ入力端Eと接続されている。Eに与えられたF波すべ
き入力信号はSlないしS3によりもしくはEに直列に
接続されている(図示はれていない)標本化回路により
周期的に標本化され、個々の標本値にわけられる。Sl
に直列に信号重み付は回路SBIが設けられており、こ
れが81を通過した各信号値て重み付は係数b3で重み
付けを行なう。同様にして、S2およびS3に直列に設
けられている信号重み付は回路SB2およびSB3が8
2およびS3を通過したすべての信号値Kb2まだはb
lで重み角けを行なう。883の後にはす、で重み付け
を行なう信号重み付は回路S B aが接続されており
、その出力端は同時にトランスバーサル・フィルタの出
力端Aでもある。S3と88aとの間にも、入力信号の
標本値が直接に与えられる並列入力端E4が接続されて
いる。
Aに現われるP波された出力信号は下記のように入力信
号の個々の標本値から合成されている。
ある所与の時点で、boで重み付けされた入力信号の標
本値が出力端AOから取出され得るものとする。この時
点で先ず、特定の時間間隔2だけ早く眞標本化され並列
入力端E3を経て与えられ信号重みイ」け回路SB3お
よび段S3を経て伝達された入力信号標本値が加算され
る。この標本値は段S3の通過の際に遅延時間Zの遅延
を受けている。さら(K、2倍の時間間隔すなわち2Z
たけ所与の時点の前に標本化され並列入力端E2を経て
与えられゾこ入力信号標本値の加算が行なわれる。
この標本値は信号重み付は回路SB2およびSB3の通
過の際に1〕2およびす、て重み付けされ、かつS2お
よりS3の通過の際にそれぞれ遅延時間2だけ遅らされ
ている。最後如、3倍の時間間隔すなわち3Zたけ所与
の時点の前に標本化され並列入力端E1を経て与えられ
た標本値が加算されrcければならない。この標本値は
SBlないしSB3の通過の際に次々とb3.b2およ
びblで重み付けされ、かつ段S1ないしS3の各々で
遅延時間Zだけ遅らされている。上記の標本値のすべて
は、重み付は係数す。を有する信号重み付は回路SBo
、を通過している。所与の時点で出力端Aに現われる標
本値を合成すれば、和信号に対して次式が成り立つ。
FI(z)−bo・(1+bl−Z(1+b2・Z(1
+b3・z)))   (2)ここで、P彼すべき入力
信゛号の関数値は3つの時間間隔すなわち3Zの間に実
質的に変化せず、それぞれ正規化されだ値IK相当する
ものと仮定されている。
第1図如示した段S1ないしS3を有するシフトレジス
タを、1段S1ない′LSnの群を有しそれに重み付は
係数b ないしblを有するn個の信号重み付は回路S
BIないしSBnとn個の並列入力端E1ないしEnと
が対応づけられているシフトレジスタに拡張すれば、式
(2)は次式のように一般化される。
H(z)=bo@ (i+b、  −Z(1+b2−z
(−(1+bn−z))))  t31式(3)を式(
1)と数学的如比較すれば、両式のンステム関数H(Z
 )は、重み付は係数す、(i=1・・・n)を次式の
ようにフィルタ係数a1(i=1・・・n)  kこ基
ついて定めること妃より、互いに東金に一致することが
わかる。
このことは、冒頭に記載しだ種顛の各トランスパーチル
・フィルタが、0段S1ないしSnK拡張され信号重み
付は回路SB1ないしS B nの重みイて1け係数が
式(1)の2つのフィルタ係数の比a/al−1として
それぞれ定められている第1図のフィルタだより置換さ
れ得ることを童味する。特定のフィルタ曲線(Ic対す
る値a が互いに著しく異なっているとしても、それぞ
れ隣接する値a およびal 、(叶互いにそれはと著
しく +、−1異なっていないので、本発明((よるト
ランスバーサル・フィルタ(F:、用いられる信号重み
付は回路SBIないしSBnの重み付は係数b1は同様
だ互いに比較的わずかしか相違しない値となる。それに
よって、信号重み伺は回路SBIないしSBnを比較的
簡ルに実状することができる。本発明によるトランスバ
ーサル・フィルタの特徴は、n段の1つの群を有するシ
フトレジスタを用いる際にこれらの段匠対応づけられて
いるすべてのn個の信号重み付は回路が第1の段の入力
端からすべてのn段を経て延びる1つの信号路内(で位
置していることである。第1図ではたとえば3つの段S
lないしB3においてこれらに対応づけられている信号
重み付は回路SBIないし5133が、ElからSBt
 。
Sl 、SB2,82.Sn3およびB3を経て第3の
段S3の出力り++41で延びる1つの信号路内に配置
されている。さらに、第1ないし第n段S1ないし5n
lC対応つけられている信号重み付は回路がそれぞれ重
み付は係数b ないしす、に従って、すなわち逆の順序
で重み付けを行なう。こうして第1図中のSB1はB3
で、SB2ば1〕2で、寸だ5133はす、で重み゛付
けを行なう。回路部分81゜SB1およびElは第1の
フィルタ段FS1に、回路部分82.SB2およびE+
2”は第2のフィルタ段FS2に、また回路部分83.
Sn3およびB3は第3のフィルタ段PS3にまとめら
れてrる。
第2図には、重み付は係数b1.b2およびB3が第1
図による実施例では1よシも大またはOよりも小てなる
場合に有利に用いられるように第1図によるフィルタを
変形した実施例が示されている。
たとえば重み付は係数b3(第1図)が1よりも大また
は0よりも/JSすなわち負であれば、この係数は1よ
りも小さくまたは1に等しくただし0よりも大きい値b
′3(第2図)に正規化される。これ11″1.1〕3
を除数士D1で除算することにより行なわれる。そのた
め如は、一方では、第2の段S2の並列入力端E2に対
して直列に、B2を経て馬を行なうもう1つの信号重み
付は回路S B21が設けられていなければならず、ま
だ他方では、第2の段S2の重み付は係数b2(第1図
)が除数±DIで乗算されなければならない。その際に
生ずる重み付は係数b2が1よりも大寸だは0よりも小
であれば、この係数は除数±D2により除算されるので
、再び正規化された重み付は係数b′2が生ずる。
そのためKは、並列入力端E3に対して直列に、け回路
5B31が追加され、ζら如第3の段S3の重み付は係
数b1が除数士D2で乗算きれる。それによりlよりも
大−または0よりも小の1〕1の値か生ずるので、第3
の段S 3 iで対しても値ト〕′lへの重み付は係数
の正規化が行なわれる。この目的です。
は除数士D3により値b′、に除算され、また並列なう
もう1つの信号重み付は回路5Balか設けられ、かつ
S B aの重み月は係数す。が除数士D3で乗算され
る。
b′3.b′2およびb′1に対するこの正規化方法は
もちろん、nンジスタ段S1ないl、 S n (C拡
張され〆にフィルタにも応用され得る。その際に重ザな
ことは、段S、(i=2・n−1)の重み付は係数bn
−(i−1)の正規化のだめに、段S1+、ノ並列もう
1つの信号重み付は回路が設けられ、かつ段S1+1の
信号重み付は回路が補正ばれた重み付は係数b   −
・(±D、)て重み付けを行なうとn−(i2) とである。
第3図には、ドープされた半導体材料たとえばp伝導シ
リコンから成り参照符号1を付されている基板の上にモ
ノリンツクに集積されている第2図によるトランスバー
サル・フィルタの実施例が示されている。第4図には、
第3図の線IV−IVに沿う半導体基板1の断面が示さ
れており、その境界面1ait気絶縁性拐料プことえば
SO2から成る薄い層2(こより図示のよう(でおおわ
れている。
第3図1では、破線で水平に延びる線3ないし7が記入
されており、これらの線は層2と横方向如境いしている
。これらの破線の外側で境界面1aは厚い電気絶縁性の
層でおおわれており、この層は、もし809から形成さ
れているならば、フィールドオキシド層(Fe1dox
idschicht )と呼ばれる。
第3図に示されているトランスパーサル・フィルタは電
荷移送デバイス(CTD)の形態のシフトレジスタを有
する。このシフトレジスタに属する入力段ESは、半導
体基板lの境界面1aがらその内部てその基本ドーピン
グと逆の伝導形式たとえばn伝導形式にドープされた領
域8を有する。
この領域8には、クロック電圧φEDを与えられる端子
が設けられている。さらに入力段ESは、導電性材料か
ら成り絶縁層2の上如互いに並べて配置された電極9お
よび10を含んでおり、これらの電極のうち第1の電極
か領域8に隣接する半導体範囲をおおっている。電極9
は端子を介して電圧Uref+を与えられ、捷だ電極1
0fd、、フィルタ入力端Eと接続されている並列端子
E1を介して、F波すべき入力信号Ueを与えられる。
入力段BSの後に公知の仕方で移送電極と呼ばれる電極
11ないし23が続いている。図示されている4相デバ
イスの場合、それぞれ4つのイ目いK<移送電極が1つ
のレジスタ段にまとめられており、それらの端子を介し
てそれぞれ4つのクロック電圧φlないしφ4の1つを
与えられる。図面を見やすくするため、φ4を与えられ
る移送電極11が中間電極とみなされており、続く電極
12ないし15は第1のレジスタ段S1に、電極16な
いし19は第2のレジスタ段S2に、まだ電極20ない
し23は第3のレジスタ段S3に属している。
電極23と並んで、半導体基板1の境界面1aからその
内部にその基本ドーピングと逆の伝導形式にドープされ
た半導体領域24を有する同様如公知の出力段Asが設
けられている。この半導体領域24It:電界効果トラ
ンジスタ25のソース・ドレイン間を介して、参照電圧
URを与えられる端子26((接続されている。電界効
果トランジスタ25のゲートは、クロック電圧φRを与
えられる端子27に接続されている。さらVこ領域24
は電界効果トランジスタ28のゲートと接続されており
、そのソース・ドレイン間は、一方では供給電圧vDD
を与える端子29と接続され他方では基準電位にある回
路点29aと接続されている電流枝路内に位置している
。この電流枝路の電界効果トランジスタ28のソースと
回路点29aとの間開は・ディプレッション形電界効果
トランジスタとして実現されている負荷素子3oが挿入
されでおり、そのゲートはそのソースと接続されてい 
     −る。電界効果トランジスタ28のソースと
負荷素子30との間の接続点は同時にフィルタ出力端A
をなしている〇 段S1の電極13および14は電極9ないし12よりも
短く構成されており、まだ電極12まで線3および4の
相互間隔により画定されているCTDチャネルのチャネ
ル幅も相応に減ぜられる。この目的で境界面la上の電
気絶縁層2が島31の範囲内で、線3ないし7の外側に
位置する絶縁層の厚さにほぼ相当する厚い層として構成
されている。
絶縁肇島31の第3図で見て上側の長辺がC’I’ D
チャイ・ルを境いする。絶縁層高31の第3図で見て下
側への電極13および14の延長線上には、別の電極3
2および34が薄い絶縁層2の上に位置しており、これ
らの電極のうち前者は電圧Uref+を馬えられており
、丑だ後者は並列入力端E2に相当する端子を介1−5
てP彼すべき入力信号を与えられる。第3図で見て絶縁
層高31の下側で電極12および32VCよりおおわれ
る半導体範囲の間VCは、半導体基板1の境界面1aか
らその内部にその基本ドーピングと逆の伝導形式たとえ
ばn伝導形式1てドープされた半導体領域34が位置し
ている。この領域34は端子を介してクロック電圧φE
Dを与えられている。領域34が絶縁層高31の下側の
長辺から線5寸で達17ていること11:′i、目的だ
かなっている。
入力段ESならび尾電極11および12の範囲内で線3
および4により定められるCTDチャイ・ルの幅は電極
12と13との間の段S1の範囲内で範縁層島31から
線3まての間隔に減ぜられる。
部分32ないし34は第2のCT D入力段であり、そ
のチャ4、ル幅は絶縁層高31から線5捷での間隔とし
て定められている。この入力段は絶縁層高31の右端で
絶縁層高31の上側を減ぜられた幅で延びるCTDチャ
イ、ルて合流しており、その際に電極I5の範囲内では
、線3および5の相互間隔により定められる拡大された
チャ4・ル幅が生じている。
段S2およびS3はSlと同様に構成されている。すな
わち、S2の範囲内に絶縁層高35が設けられている。
その下側への電極17および18の延長線上に別の電極
36および37が配置されており、まだ電極16と36
との間には基板1と逆の伝導形式にドープされた半導体
領域38が設けられている。領域38は端子を介してク
ロック電圧φEDを与えられ、電極36は並列入力端E
3に相当する端子を介して沢波すべき入力信号を与えら
れ、また電極37は端子を介して?L圧Uref−を勾
えられている。段S3は絶縁層高39と、電極21およ
び22の延長線上に配置された別の電極40および41
と、電極20と40との間に基板1と逆の伝導形式にド
ープされた半導体領域42とを含んでいる。領域42は
φEDを与えられ、電極40はUref十を与えられ、
また電極41は並列入力端B4に相当する端子を介して
r彼すべき入力信号を与えられている。部分36ないし
38はシフトレジスタの第3の入力段を、また部分40
ないし42は@4の入力段を形成している。
上記の入力端は構成および作動の仕方の点でそれ自体は
たとえばドイツ連邦共和国特許出願公告第264370
4舟首たけ同第2814053号公報から公知である。
詳細ては、入力段ES、32ないし34および40ない
し42ばP波丁べき入力信号の正の重み付けを行ない、
これは電極9゜32および40尾入力信号の最小電圧値
よりも犬きぐない一定電圧[Jref十が与えられるこ
と尾より達成される。人力段36ないし38はr彼すべ
き入力信号の負の重み付けを行ない、その際に電極37
尾入力信号の最大電圧値よりも小さくない一定電圧Ur
ef−が力えられる。ここで、沢彼すべき入力信号の瞬
時値は各時点で最小電圧値と最大電圧値との間の値まだ
はそれらの一方と一致する値であると仮定されている。
正および負の重み付は特性を得るだめ種々の入力段の設
定を任意に行なうことができ、また必要に応じて変更す
ることができる。
作動の仕方を説明すると、時点11(第5図)でφED
の消滅に伴い電極9,10の下側、電極32.33の下
側、電極36.37の下側および電極40.41の下側
の境界面1aにおける半導体範囲が隣接領域8,34.
38および42からの電荷担体により充満される。時点
t2の後にfd、電極10.ミ3,37および41の下
側l/(形成された電位凹みのみが電荷担体で充満され
た状態+Lcとと捷り、能力過剰な電荷担体は再び」−
記領域内だ復流する。電位凹み内眞形成される電荷担体
パケットは時点12における入力信号の値に関係してい
る。その際て電極10.33および41の下側に形成さ
れる電荷担体パケットは入力信号の瞬時値て比例してお
り(正の重み伺け)、他方電極37の下側に形成される
電荷担体パケットは入力信号の瞬時値に反比例している
(負の重み付け)。
時点t3すなわちクロック電圧φ4の印加の時点で、電
極1 ]、 、 15 、19および23の下側の電゛
0荷担体パケットは移送される。時点t5すなわち次回
クロック周期内のクロック電圧φ4の印加の時点で、電
極11の下側に位置する電荷担体パケット部分曲尾電極
15の下側に移送されており、寸だそこで時点t6で電
極33の下側に新たに形成きれる電荷担体パケットに加
え合わでれる。同様にして、その後に他の入力段で新た
に形成される電荷担体パケットはそれぞれ、■レジスタ
段たけ左にずれている入力段で先如走査されかつルジス
タ段を経て移送された電荷担体パケットに加え合わされ
る。この加え合わせ過程はそれぞれφ4の個々のクロッ
クパルスの生起の際て繰り返される。
電極12の下側から移送される各電荷担体パケットは第
3図に記入されているセグメントX1おは電荷移送デバ
イス内で後段定移送されず眞、時点t2で生ずるクロッ
クφEDKより領域34を経て導き出されるので、BS
から入力された電荷担体パケットは係数−佳一で減少す
る。この係X1十X2 数がb′3(第2図)と一致していれば、信号−爪み付
は回路SBIの機能が実現される。他方、入力段32な
いし34を経て入力される各電荷担体パケットの重み付
けd:、当該のCTDチャイ・ルの幅すなわち絶縁層高
31からの線5の間隔を相応に選択することにより行な
われ得る。この幅が腺3および4の相互間隔に一致して
いれば、重み(=Jけ係数は1となる。それ如対1.で
、線5と絶縁層高31との間隔が線3および4の相互間
隔よゆも特定の係数だけ小さければ、入力段32ないし
34を経て入力される電荷担体パケットはBSを経て入
力されるパケットよりもこの係数たけ小さい。
こうして減少係数を±17D、に選定すれば、部分32
ないし34により別の信号重み付は回路5B21の機能
が完全に実現される。同様にして、信号重みf=jけ回
路SB2およびSBaは回路部分16.35.38また
は20,39.42により実覗きれ、別の信号重み付は
回路5B31および5Balは部分36ないし38寸だ
は40ないし42により実現づ牙する。第3図に示され
ているような並列入力端E2ないしE4とそれぞれ前段
のレジスタ□段S1ないしS3との接続は第2図では破
線で記入されている接続線43ないし45より示をれて
いる。
個々のクロックパルスφ4のrji+に電界効果トラン
ジスタ25はパルスφRVCより導通状態に切換えられ
、それてより領域24は固定基準電圧URにリセッ)−
Jれる。領域24内の加え合わされプこ電荷担体パケッ
トの周期的移送如より出力端Aに、P波きれfc出力信
号が現われる。本発明だよるトランスパー11ル・フィ
ルタを実現する際、信号重み伺は回路5Batd省略し
得る。なぜならば、この回路はP波すべき入力信号の増
幅または減衰の役割のみをし、この役割はフィルタの外
部でも行なわれ得るからである。このことは第1図のフ
ィルタ回路にも第2図のフィルタ回路にもあてはまる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例のブロック回路図、第2
図は本発明の第2の実施例のブロック回路図、第3図は
集積回路技術で実現された第2図のフィルタ回路のレイ
アウト図、第4図は第3図の腺IV−IVK沿う断面図
、第5図は第3図および第4図を説明する丸めの電圧一
時間ダイアダラムである。 A フィルタ出力端、 As・・・出力段、 b。 〜1)′3・信号重み付は係数、 E フィルタ入力端
、 E1〜E3 並列入力端、 ES・・入力段、Ps
i〜FS3  フィルタ段、 S1〜S3・ンフトレジ
スタ段、  SBa 、5Bai 、5131−8B3
1・・信号重み付は回路、 1・・半導体基板、 8・
・半導体領域、 9〜23・・・電極、 24・半導体
領域、 25,28.30・・電界効果トランジスタ、
 31,35.39・・絶縁層高、 34゜38.42
・・半導体領域0

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)複数個の並列入力端および1つの直列出力端を有す
    るアナログ・シフトレジスタを有し、1つの入力信号が
    すべての並列入力端を経て次々と標本化された信号値の
    形態て与えられ、他方r波された出力信号が直列出力端
    から取出され、またソフトレジスタの0段の1つの群に
    n個の信号重み付は回路およびn個の並列出力端が対応
    つけられているトランスバーサル・フィルタにおいて、
    n個の信号重みf=J゛け回路(S B1.、、)がこ
    の群の第1の段(Sl)の入力端(El)からこの群の
    すべての段(Slないし83)を経て延びる1つの信号
    路内に配置されており、まだこの群の第1ないし第11
    段の信号重み付は回路がそれぞれ、r波された信号がシ
    ステム関数 ■ギ(z)=b。−(1+b、−Z(1+b2−Z(・
    (1+b  −Z))))ことに、2は標本化された信
    号値のシフトの際にそれぞれシフトレジスタの1つの段
    で生ずる遅延 を満足するように定められている重み付は係数bnない
    しblに従って重みイ」けを行なうことを特徴とするト
    ランスバーサル・フィルタ0 2)■よりも太まだはOよりも小の重みイ」は係数1)
    。−7i−1)を有する各第1段(1−1・・・・・n
    −1)の信号重み付は回路が、正規化すなわち除数子D
     により除算された1以下だだし0よりも犬の1つめ重
    み付は係数b′n−(i−1)如従って重み寸けを行な
    い、また第i+1段もう1つの信号重み付は回路が設け
    られており。 寸だ第1+1段の信号重みイ」け回路が1つの補正され
    た重み付は係数bn−(i−2)’G±′D1)K従っ
    て重み付けを行なうことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載のトランスバーサル・フィルタ。 3)アナログ・シフトレジスタが第1の伝導形式のドー
    プされた半導体基板(1)の上に配置された電荷移送デ
    バイス(CTD)として+I+)成されており、信号重
    み付は回路が電荷移送デバイスのCTDチャネル(3,
    4)の分岐(12,,13,32)から成っており、そ
    の分岐するチャイ、ル部分(31,5)には、移送電極
    (12)と並べて配置きれ半導体基板(1)の境界面に
    位置する半導体領域(34)が設けられており、この半
    導体領域(34)は第2の伝導形式に属しかつクロック
    パルス電圧(φDg)を力えられており、並列入力端が
    電荷移送デバイスの段(Sl)に対応づけられているC
    TD入力段(34,32,33)により形成されており
    、また第2およびそれ以降の段に対応づけられているC
    TD入力段(’34 、32 、33 )がそれぞれ電
    荷移送デバイスのCTDチャネル(3,5)内に合流す
    るチャネル(31,5)を有していることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項まだは第2項記載のトランスバー
    サル・フィルタ。 4)分岐するチャネル部分の半導体領域(34ンが同時
    に、電荷移送デバイスの同一の段(81)に対応づけら
    れているCTD入力段(34゜32 、33 ) K属
    しでいることを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の
    トランスバーサル・フィルタ。 5)分岐するチャネル部分(31,5)の幅が分岐前の
    CTDチャイ・ルのチャネル幅(3、。 4)K対して信号重み付は回路(SBI )の重み付は
    係数に相当する比で減ぜられていることを特徴とする特
    許請求の範囲第3項または第4項記載のトランスバーサ
    ル・フィルタ。 6)電荷移送デバイスの第2またはそれ以降の段に対応
    づけられているCTD入カ段(34゜32.33)の1
    つのチャネルの幅(31゜5)が、電荷移送デバイスの
    第1の段(81)に対応づけられているCTD入力段(
    8,9゜10)にくらべて、第2以降の信号重み付は回
    路の1つ(SB21)の重み付は係数に相当する比で減
    ぜられていることを特徴とする特許請求の範囲第3項な
    いし第5項のいずれかr(記載のトランスバーサル・フ
    ィルタ。
JP58176131A 1982-09-27 1983-09-22 トランスバ−サル・フイルタ Pending JPS5980013A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE32357443 1982-09-27
DE19823235744 DE3235744A1 (de) 1982-09-27 1982-09-27 Transversalfilter mit paralleleingaengen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5980013A true JPS5980013A (ja) 1984-05-09

Family

ID=6174281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58176131A Pending JPS5980013A (ja) 1982-09-27 1983-09-22 トランスバ−サル・フイルタ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4539537A (ja)
JP (1) JPS5980013A (ja)
DE (1) DE3235744A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3235678A1 (de) * 1982-09-27 1984-03-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Transversalfilter mit einem analogen schieberegister
US4616334A (en) * 1984-12-07 1986-10-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Pipelined programmable charge domain device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2643704C2 (de) * 1976-09-28 1984-03-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Transversalfilter mit mindestens einem analogen Schieberegister und Verfahren zu dessen Betrieb
US4110835A (en) * 1977-08-31 1978-08-29 International Business Machines Corporation Bucket brigade circuit for signal scaling
DE2814053A1 (de) * 1978-03-31 1979-10-11 Siemens Ag Transversalfilter mit paralleleingaengen
GB2030399B (en) * 1978-08-17 1982-08-25 Tokyo Shibaura Electric Co Input-weighted charge transfer transversal filter
NL7808873A (nl) * 1978-08-29 1980-03-04 Philips Nv Ladinggekoppelde inrichting.
JPS5592016A (en) 1978-12-29 1980-07-12 Fujitsu Ltd Signal processing unit
US4259598A (en) * 1979-12-20 1981-03-31 General Electric Company Charge transfer signal processing apparatus transversal filter

Also Published As

Publication number Publication date
DE3235744A1 (de) 1984-03-29
US4539537A (en) 1985-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3935439A (en) Variable tap weight convolution filter
US3913077A (en) Serial-parallel-serial ccd memory with interlaced storage
US4035628A (en) Analog transversal filtering and correlation with progressive summation of analog signals
US4163957A (en) Transversal filter with at least one analogue shift register, and process for the operation thereof
US4099197A (en) Complementary input structure for charge coupled device
US4071775A (en) Charge coupled differential amplifier for transversal filter
US3931510A (en) Equalization storage in recirculating memories
US4259598A (en) Charge transfer signal processing apparatus transversal filter
US4377760A (en) Device for reading a quantity of electric charge
US4031490A (en) Analog signal processor
US4249145A (en) Input-weighted charge transfer transversal filter
GB1589320A (en) Charge transfer apparatus
US4539537A (en) Transversal filter having parallel inputs
US4243958A (en) Phase-multiplexed CCD transversal filter
GB1596335A (en) Differential charge transfer device
US4233578A (en) Transversal filter
JP2599679B2 (ja) 電荷領域で作動する多象限乗算装置
US4443774A (en) CTD Transversal filter
CA1106455A (en) Semiconductor matrix operation device
EP0031084A2 (en) Charge transfer signal processing apparatus
US4350902A (en) Input stage for a monolithically integrated charge transfer device which generates two complementary charge packets
CA1076700A (en) Complementary input structure for charge coupled device
US4314163A (en) Input stage for a charge transfer device (CTD) arrangement
US4091278A (en) Time-independent circuit for multiplying and adding charge
US4293832A (en) Transversal charge transfer filter