JPS598033A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS598033A JPS598033A JP11543782A JP11543782A JPS598033A JP S598033 A JPS598033 A JP S598033A JP 11543782 A JP11543782 A JP 11543782A JP 11543782 A JP11543782 A JP 11543782A JP S598033 A JPS598033 A JP S598033A
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- JP
- Japan
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- voltage
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- circuit device
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- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Liquid Crystal (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、太陽電池で駆動される半導体集積回路装置
に関する。
に関する。
従来より、第１図に示すように、太＠亀池で駆動される
電子式卓上計算機が公知である。この電子式卓上計算機
では、太陽電池Ｅから供給される電圧が、その入射光量
によ。て大きく変動してしまうため、外付発光ダイオー
ドＬ Ｅ Ｄによって電圧オーバーをクリップしている
。したがって、その価格が高（なるとともに、上記電圧
設定が１．ＥＤＯ順方向電圧で一転的に決定されてしま
うという欠点がある。
電子式卓上計算機が公知である。この電子式卓上計算機
では、太陽電池Ｅから供給される電圧が、その入射光量
によ。て大きく変動してしまうため、外付発光ダイオー
ドＬ Ｅ Ｄによって電圧オーバーをクリップしている
。したがって、その価格が高（なるとともに、上記電圧
設定が１．ＥＤＯ順方向電圧で一転的に決定されてしま
うという欠点がある。
この発明の目的は、外付部品な削減するとともに、その
電源電圧の設定が任意にそＩなえろ半導体集積回路装置
な提供することにある。
電源電圧の設定が任意にそＩなえろ半導体集積回路装置
な提供することにある。
この発明の他の目的は、以下の説明及び図面から明らか
になるであろうっ 第２図には、この発明の一実施例の回路図が示されてい
る。
になるであろうっ 第２図には、この発明の一実施例の回路図が示されてい
る。
同図において１点線で囲まれた部分は、半導体集積回路
装置Ｌ Ｓ ｌであり、公知の半導体製造方法によって
、１つの半導体基板上において形成される。
装置Ｌ Ｓ ｌであり、公知の半導体製造方法によって
、１つの半導体基板上において形成される。
記号Ｅで示されているのは、太陽電池であり。
電源インピーダンスな小さくするために、コンデンサＣ
が並列に設けられている。この実施例では。
が並列に設けられている。この実施例では。
上記太陽電池Ｅで形成された電圧が半導体集積回路装置
ＬＳＩに直接供給され、その内部に次に説明するような
電圧クランプ回路が設けられる。
ＬＳＩに直接供給され、その内部に次に説明するような
電圧クランプ回路が設けられる。
上記太陽電池Ｅかも供給される電圧−ＶＦ、は、ＭＯＳ
ＦＥＴ（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）Ｑのドレ
インＤに印加される。そして、電圧比較器ＯＰは、その
反転入力（−）にＭＯ８Ｆ’Ｅ’ｌ’ＱのソースＳの電
圧を受け、その非反転入力（＋）に基準電圧ｖｒｅｆを
受けて、その出力を上記ＭＯ８ＦＥＴＱのゲートＧに伝
えることにより、ＭＯ８ＦＥＴＱのインピーダンスな制
御して、上記ソースＳの亀ＥＩａ”−ＶＤＤを基準電圧
ｖｒｅｆに一致させろ。
ＦＥＴ（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）Ｑのドレ
インＤに印加される。そして、電圧比較器ＯＰは、その
反転入力（−）にＭＯ８Ｆ’Ｅ’ｌ’ＱのソースＳの電
圧を受け、その非反転入力（＋）に基準電圧ｖｒｅｆを
受けて、その出力を上記ＭＯ８ＦＥＴＱのゲートＧに伝
えることにより、ＭＯ８ＦＥＴＱのインピーダンスな制
御して、上記ソースＳの亀ＥＩａ”−ＶＤＤを基準電圧
ｖｒｅｆに一致させろ。
記号ＬＯＧで示されているブラックボックスは。
特に制限されないが、電子式重上計算機を構成するディ
ジタル制御回路であり、上記ＭＯ８ＦＥＴＱを通した電
圧−ｖＤＤによって、電源供給がなされ動作するもので
ある。このＬＱＵの表示出力は、特に制限されないがブ
ラックボックスで示された液晶表示語［ＬＣＤに伝えら
れ、所定の表示が行なわれる。
ジタル制御回路であり、上記ＭＯ８ＦＥＴＱを通した電
圧−ｖＤＤによって、電源供給がなされ動作するもので
ある。このＬＱＵの表示出力は、特に制限されないがブ
ラックボックスで示された液晶表示語［ＬＣＤに伝えら
れ、所定の表示が行なわれる。
この実施例では、太陽ｍ池Ｅからの電圧−■。が大きく
なって、内部電源電圧−Ｖｌ）Ｄが上記基準電圧Ｖｒｅ
ｆより大きくなろうとすると、ｗＬ圧比較器ＯＰは、Ｍ
Ｏ８ＦＥＴＱのイ／ピータ゛／スを大きくして内部電源
電圧−ＶＤＤを一定に電圧クランプする。この実施例に
おいでは、電圧クランプ手段が半導体集積回路装置ＬＳ
Ｉに内蔵されているため、外付部品点数の削減が図られ
、その価格ケ低くすることができる。
なって、内部電源電圧−Ｖｌ）Ｄが上記基準電圧Ｖｒｅ
ｆより大きくなろうとすると、ｗＬ圧比較器ＯＰは、Ｍ
Ｏ８ＦＥＴＱのイ／ピータ゛／スを大きくして内部電源
電圧−ＶＤＤを一定に電圧クランプする。この実施例に
おいでは、電圧クランプ手段が半導体集積回路装置ＬＳ
Ｉに内蔵されているため、外付部品点数の削減が図られ
、その価格ケ低くすることができる。
また、電圧クランプを開始する電圧は、基準電圧ｖｒｅ
ｆにより任意に設定することができる。
ｆにより任意に設定することができる。
なお、この実施例のように１表示装置としてＬＣｌ）を
用いるものにおいては、半導体集積回路装置ＬＳＩの内
部亀＃亀田の上昇により、明るさが変動して表示品質？
悪くさせることの他、非選択出力レベルが上昇して誤表
示させる等の問題がある。したがって、ＬＣＤ駆動回路
を有する半導体集積回路装置では、上記内部電源電圧−
ｖＤＤの定電圧化を図る必要がある。
用いるものにおいては、半導体集積回路装置ＬＳＩの内
部亀＃亀田の上昇により、明るさが変動して表示品質？
悪くさせることの他、非選択出力レベルが上昇して誤表
示させる等の問題がある。したがって、ＬＣＤ駆動回路
を有する半導体集積回路装置では、上記内部電源電圧−
ｖＤＤの定電圧化を図る必要がある。
ナオ、 Ｍ ＯＳ Ｆ ＥＴ Ｑ トＬ テ、エンハン
スメント型のものを用いる場合には、電圧比較器ＯＰの
電源電圧として上記太陽電池Ｅからの電圧−■。で動作
させるものとすればよい。あるいは、電圧比較器ＯＰを
内部電源電圧−ｖＤＤで動作させる場合には、内Ｆｇり
電圧−”ＤＤが所定の電圧まで上昇するまでの間オンす
る起動用ＭＱ８ＦＥＴな上記ＭＯ８ＦＥＴＱに並列に設
けるものとすればよい。
スメント型のものを用いる場合には、電圧比較器ＯＰの
電源電圧として上記太陽電池Ｅからの電圧−■。で動作
させるものとすればよい。あるいは、電圧比較器ＯＰを
内部電源電圧−ｖＤＤで動作させる場合には、内Ｆｇり
電圧−”ＤＤが所定の電圧まで上昇するまでの間オンす
る起動用ＭＱ８ＦＥＴな上記ＭＯ８ＦＥＴＱに並列に設
けるものとすればよい。
上記ＭＯ８ＦＥＴＱとして、ディプレッンヨン型のもの
を用いれば、上記起動回路は不用である。
を用いれば、上記起動回路は不用である。
また、電圧比較器ＯＰに、入力オフセラ）ＩＩＩ圧をも
たせて、これを基準電圧Ｖｒｅｆとして利用するもので
あってもよい。この場合には、非反転入力（＋）側が接
地される。
たせて、これを基準電圧Ｖｒｅｆとして利用するもので
あってもよい。この場合には、非反転入力（＋）側が接
地される。
さらに、上記基準電圧ｖｒｅｆを、内部ロジック回路の
下限動作電圧付近に設定しておいて、液晶表示用の駆動
電圧は倍電圧回路を用いて３値ないし４値の電圧を形成
するものとしてもよい。
下限動作電圧付近に設定しておいて、液晶表示用の駆動
電圧は倍電圧回路を用いて３値ないし４値の電圧を形成
するものとしてもよい。
また、ＷＬ圧の極性は、正の極性な用いるものであっで
もよい。
もよい。
この発明は５太陽電池でその電源電圧が形成される半導
体集積回路装置に広く利用することができるものである
。
体集積回路装置に広く利用することができるものである
。
第１図は、従来技術の一例な示すブロック図である。第
２図は、この発明の一実踏例を示す回路図である。 ＯＦ・・電圧比較器、ＬＯＧ・・・ディジタル制御回路
、Ｌ ＣＩ）・・・液晶表示装置、ＬＳＩ・・・半導体
集積回路装置。
２図は、この発明の一実踏例を示す回路図である。 ＯＦ・・電圧比較器、ＬＯＧ・・・ディジタル制御回路
、Ｌ ＣＩ）・・・液晶表示装置、ＬＳＩ・・・半導体
集積回路装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、太陽電池からの電圧をドレインに受けるＭＯＳＦＥ
Ｔと、このＭＯＳＦＥＴのソース電圧と所定の基準電圧
と比較して、その出力電圧を上記ＭＯ８ＦＥＴのゲート
に伝えて上記ソース電圧を定電圧化する電圧比較器と、
上記ＭＯ８ＦＥＴのソースから電圧供給を受けて動作す
る電子回路とを含むことな特徴とする半導体集積回路装
置。 ２、上記電子回路は、液晶表示装置駆動回路を含むもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体集積回路装置。 ３、上記電子回路は、電子式卓上計算機を構成するもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半
導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11543782A JPS598033A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11543782A JPS598033A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598033A true JPS598033A (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=14662532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11543782A Pending JPS598033A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598033A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157616A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-17 | Toshiba Corp | サブミクロン半導体ｌｓｉのチツプ内電源変換回路 |
| JPS62206774A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | 第一電子工業株式会社 | 弛み防止コネクタ |
| US4741706A (en) * | 1986-03-06 | 1988-05-03 | Daiichi Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha | Locked connector |
| JPH0572505A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | 電界吸収型光変調回路 |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP11543782A patent/JPS598033A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157616A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-17 | Toshiba Corp | サブミクロン半導体ｌｓｉのチツプ内電源変換回路 |
| JPS62206774A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | 第一電子工業株式会社 | 弛み防止コネクタ |
| US4741706A (en) * | 1986-03-06 | 1988-05-03 | Daiichi Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha | Locked connector |
| JPH0572505A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | 電界吸収型光変調回路 |
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