JPS5982777A - アモルフアス薄膜太陽電池 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 基板の表面粗さと薄膜太陽電池の関係をＬｔ、し、その
最適の表面粗さを提供するものである。

従来例の構成とその問題点 従来、この種の非晶質薄膜形成の基板は薄膜が剥離しな
い程度の表面粗さでよいということで、表面粗さを５０
０Å以下に押えていた。そしてその表面処理は、■基板
の水洗、■有機溶剤処理、■水洗、■乾燥の工程を経て
行われていた。この工程を経たガラス基板の表面は微視
的にみて極めてなめらかであシ、この上に形成した酸化
インジウムや酸化錫等は電子顕微鏡観察では５００人以
２Ａ°−ジ 下である。従来、この基板の表面粗さと光電変換率につ
いて言及された例はない。

発明の目的 基板表面の粗さを特定し光電変換率の向上をはかる。

発明の構成 基板上に透明電極、非晶質薄膜材料を形成するに際し、
基板の表面粗さを５００〜３０００人の凹凸にする。

実施例の説明 ガラス基板を第１図に示すプロセスによ多処理する。ま
ず水洗し、ＨＦ溶液やＮａＯＨ溶液等の酸やアルカリ溶
液でエツチングする。そして水洗、乾燥させる。この基
板処理プロセスによシガラス基板表面に５００人〜３０
００人程度の凹凸を設ける０この凹凸を設けたガラス基
板上に酸化インジウムや酸化錫等の透明電極を５００λ
〜１０００λ程度形成すると、基板表面の凹凸を反映し
て透明電極表面もやはシロ００人〜３０００人程度の凹
凸が生じる。

３１− なお、ガラス基板表面に凹凸を設ける方法は研磨剤によ
る機械的研磨によっても可能である。

第２図は従来の基板を用いてＰ、Ｉ、Ｎ層等を形成した
アモルファス太陽電池イと、上記実施例の基板を用いて
作成したアモルファス太陽電池口の開放電圧ＶＯＣと短
絡電流’Ｔｓｃの関係を示す図である。この出力特性は
白色螢光灯下１５０ルック７腐の条件で測定した。従来
例より本発明の一実施例の太陽電池の方が短絡電流Ｊｓ
ｃ、開放電圧ＶＯＣともに高く、したがって最大変換効
率点−ｓｘ　　点も高い。なお、３０００Å以上の凹凸
の場合はＰＩＮ層を形成すると接合が悪くなり、このた
めに変換効率が低下する。

第３図は基板表面の粗さと、それを用いたアモルファス
薄膜太陽電池の変換効率の関係を示すものであり、６０
０〜３０００　Ａの間で変換効率のよいことがわかる。

なお３０００Å以上の凹凸ではＰＩＮ層の接合状態が悪
くなる。

発明の効果 アモルファスシリコン層が形成される基板表面の粗さを
特定し光電変換効率を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のアモルファス簿膜太陽電池
に用いる基板の処理過程を示す図、第２図は従来例と本
発明の一実施例のアモルファス薄膜太陽電池の出力特性
を示す図、第３図は基板の表面の凹凸の程度とそれを用
いたアモルファス薄膜太陽電池の変換効率の関係を示す
図である。 イ・・・・・・従来例、口・・・・・・本発明の一実施
例。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 表面が５００〜３０００人の凹凸である基板上に電極お
   よびアモルファス薄膜層を設けたアモルファス薄膜太陽
   電池。