JPS598341A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS598341A JPS598341A JP57116193A JP11619382A JPS598341A JP S598341 A JPS598341 A JP S598341A JP 57116193 A JP57116193 A JP 57116193A JP 11619382 A JP11619382 A JP 11619382A JP S598341 A JPS598341 A JP S598341A
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- nitride film
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/694—Inorganic materials composed of nitrides
- H10P14/6943—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon
- H10P14/69433—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、５００℃以下の低温で形成した窒化シリコ
ン膜を有する半導体装置に関し、更に詳細には半導体装
置の動作特性を安定に保つことのできる信頼性の高い窒
化シリコン膜を有する半導体装＃に関するものである。
ン膜を有する半導体装置に関し、更に詳細には半導体装
置の動作特性を安定に保つことのできる信頼性の高い窒
化シリコン膜を有する半導体装＃に関するものである。
従来、半導体装置の最終保護膜あるいは層間絶縁膜とし
てＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）による低温酸化膜（ＳｉＯ３膜）やＣ
’ＶＤ法による燐添加ガラス膜（以下ＶＣはこれをＰＳ
Ｇ膜と略記する）のほか、プラズマＣ’ＶＤ法によるプ
ラズマ窒化シリコン膜（以下にはこれをＰ −ＳｉＮ
と略記する）が用いられてきた。こ１％らのうち、ｑ！
ｆにＰ−８ｉＮ膜ＵＮａイオンのトリフートに対する阻
止効果、ステ、ブカノ・レッジ（すなわち段部に対する
被稼件）、ピンホール等の膜欠陥密度の阻止効果、非吸
湿性、絶縁耐圧などの点でＳｉＯ□膜やＰＳＧ膜にくら
べて格段に優れている上、膜内部尾、力が用縮応力であ
るため耐亀裂性も高い、というｆ：ｌ’ｉ々の長所をイ
ｊしているので従来、樹脂封止型゛１′導体装置の素子
最終保］俣としてもしくは多層配線間の層間絶縁膜とし
て使用され、該半導体装置の信頼性の向上に寄与してい
る。
てＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）による低温酸化膜（ＳｉＯ３膜）やＣ
’ＶＤ法による燐添加ガラス膜（以下ＶＣはこれをＰＳ
Ｇ膜と略記する）のほか、プラズマＣ’ＶＤ法によるプ
ラズマ窒化シリコン膜（以下にはこれをＰ −ＳｉＮ
と略記する）が用いられてきた。こ１％らのうち、ｑ！
ｆにＰ−８ｉＮ膜ＵＮａイオンのトリフートに対する阻
止効果、ステ、ブカノ・レッジ（すなわち段部に対する
被稼件）、ピンホール等の膜欠陥密度の阻止効果、非吸
湿性、絶縁耐圧などの点でＳｉＯ□膜やＰＳＧ膜にくら
べて格段に優れている上、膜内部尾、力が用縮応力であ
るため耐亀裂性も高い、というｆ：ｌ’ｉ々の長所をイ
ｊしているので従来、樹脂封止型゛１′導体装置の素子
最終保］俣としてもしくは多層配線間の層間絶縁膜とし
て使用され、該半導体装置の信頼性の向上に寄与してい
る。
しかしながら、ｐ−８ｉＮ膜の使用が拡大するにつれて
ｐ−５ｉＮの使用により以下の如き問題の生ずることも
明らかにされており、従ってＰ−８ｉＮの特性Ｖこ関し
ては更に種々の面から研究を行うことが必要となってき
た。
ｐ−５ｉＮの使用により以下の如き問題の生ずることも
明らかにされており、従ってＰ−８ｉＮの特性Ｖこ関し
ては更に種々の面から研究を行うことが必要となってき
た。
現在１でのところ、Ｐ−８ｉＮ膜を有する半導体装置に
於ては次のような現象を生ずることカニ報告さＪしてい
る。
於ては次のような現象を生ずることカニ報告さＪしてい
る。
（ｉ、）ＳｉゲートＮチャンネルＭＯ８型半導体装置ｃ
’ｃおけるしきい値電圧（ｖｔｈ）の変動。
’ｃおけるしきい値電圧（ｖｔｈ）の変動。
（ｉｉ）ＭＯＳダイオードにおけるフィールド反転。
（ｉｊｉ） ＡＩゲートＮチャンネルＭＯ８＋−ランジ
スタＶＣおけるチャンネルｄｅｐｌｅｔｉｏｎ化。
スタＶＣおけるチャンネルｄｅｐｌｅｔｉｏｎ化。
しかしながら、これらの現象に関してなさ１した研究報
告に於ては、その現象とｐ −ｓｉＮの物理化学的組成
との対応関係や境界条件が必ずしも明らかにされていな
いため、どのような物理化学的特性のＰ −ＳｉＮを形
成すれば前記の如き不安定現象全半導体装置に生じさせ
ないか、という問題点は未だ解明されていなかったが、
この問題点の解明ばＰ −ＳｉＮの物理化学的特性及び
組成並びに膜形成条件等における境界条件を明ら力・に
すると同時［Ｐ−８ｉＮの評価方法を確立することにも
つなかるため、極めて重要である。
告に於ては、その現象とｐ −ｓｉＮの物理化学的組成
との対応関係や境界条件が必ずしも明らかにされていな
いため、どのような物理化学的特性のＰ −ＳｉＮを形
成すれば前記の如き不安定現象全半導体装置に生じさせ
ないか、という問題点は未だ解明されていなかったが、
この問題点の解明ばＰ −ＳｉＮの物理化学的特性及び
組成並びに膜形成条件等における境界条件を明ら力・に
すると同時［Ｐ−８ｉＮの評価方法を確立することにも
つなかるため、極めて重要である。
この発明の目的は前記の如き種々の不安定現象
′を生じさせる恐れのない物理化学的性質のＰ−８ｉＮ
膜を備えた半導体装置を提供することにある。
′を生じさせる恐れのない物理化学的性質のＰ−８ｉＮ
膜を備えた半導体装置を提供することにある。
不発明者らは、ｐ−５ｉＮの光学的重性がＰ −ＳｉＮ
の物理化学的組成を最も的確に表すことに着目し、Ｐ
−ＳｉＮの光学的特性を調査することにより前記不安定
現象を半導体装置に生じさせないＰ−８−ｉＮの物理化
学的特性の境界条件を見出し、その結果、［）１局（２
不安定現象を生じる恐れのないｐ−５ｉＮ膜盆イ」した
゛１′導体装置を得ることができた。すなわち、この発
明による半導体装置は特許請求の範囲第１項及び第４項
に記載された光学的特性のＰ−３ｉＮ膜を有したもので
あり、この光学的特性すな４−）ち物理的性Ｊｊｌを有
するＰ−８ｉＮ膜を形成することにより前記不安定現象
を生じない信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
の物理化学的組成を最も的確に表すことに着目し、Ｐ
−ＳｉＮの光学的特性を調査することにより前記不安定
現象を半導体装置に生じさせないＰ−８−ｉＮの物理化
学的特性の境界条件を見出し、その結果、［）１局（２
不安定現象を生じる恐れのないｐ−５ｉＮ膜盆イ」した
゛１′導体装置を得ることができた。すなわち、この発
明による半導体装置は特許請求の範囲第１項及び第４項
に記載された光学的特性のＰ−３ｉＮ膜を有したもので
あり、この光学的特性すな４−）ち物理的性Ｊｊｌを有
するＰ−８ｉＮ膜を形成することにより前記不安定現象
を生じない信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
この発明の詳細な説明する前ＶＣ第１図乃至第４１￥ｌ
参照してこの発明の基礎となる事実及びそれに関連する
実験結果等について説明しておく。
参照してこの発明の基礎となる事実及びそれに関連する
実験結果等について説明しておく。
第１図はＰ −ＳｉＮ膜を有する半導体装置の電気的特
性を調査するための試料として製作したＭＮＳｔＮ（Ｍ
ｅｔａｌ−Ｎｉｔｒｉｄｅ−８ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒ ）の夕゛イメー−ドの断面図であり、該ダイオード
は以下のようにシテ作らｎ ｆｃ。まず、ＡＭ、Ｔ社Ｐ
ＬＡＳＭＡ−’１１１００平行平板型プラズマＣＶＤ装
置にＰ型半導体基板１を装入し、（Ｓ ＩＨ，ｓ 十Ｎ
Ｈ３＋ Ｎ２ ）を成分とする反応ガスを用いて該基板
１上に約１０００＾厚さのＰ −ＳｉＮ膜２を形成した
。次に、その全面に、ＡＩを蒸着し、更に該Ａｌ ’ｆ
ｆフォトエツチングしてその一部を残すことによりＡＩ
電極６を形成した。しかる後、このダイオ−ドラ４８５
℃のＮ２ガ・ス雰囲気中で３０分間加熱処理して試料と
した。試料は反応ガス組Ｗ、を変えることにより１５ｆ
、！Ｉ！類のものを製作し、各試料に対して以下のよう
にＩ−Ｖ特性とＣ−Ｖ特性とを調査した。
性を調査するための試料として製作したＭＮＳｔＮ（Ｍ
ｅｔａｌ−Ｎｉｔｒｉｄｅ−８ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒ ）の夕゛イメー−ドの断面図であり、該ダイオード
は以下のようにシテ作らｎ ｆｃ。まず、ＡＭ、Ｔ社Ｐ
ＬＡＳＭＡ−’１１１００平行平板型プラズマＣＶＤ装
置にＰ型半導体基板１を装入し、（Ｓ ＩＨ，ｓ 十Ｎ
Ｈ３＋ Ｎ２ ）を成分とする反応ガスを用いて該基板
１上に約１０００＾厚さのＰ −ＳｉＮ膜２を形成した
。次に、その全面に、ＡＩを蒸着し、更に該Ａｌ ’ｆ
ｆフォトエツチングしてその一部を残すことによりＡＩ
電極６を形成した。しかる後、このダイオ−ドラ４８５
℃のＮ２ガ・ス雰囲気中で３０分間加熱処理して試料と
した。試料は反応ガス組Ｗ、を変えることにより１５ｆ
、！Ｉ！類のものを製作し、各試料に対して以下のよう
にＩ−Ｖ特性とＣ−Ｖ特性とを調査した。
第２図は該試料のＩ−Ｖ特性（電流−電圧特性）を示す
図で、同図に於て縦座標は電流■の対数値１０デ■を表
し、横座標は電界強度Ｅの平方根Ｊを表している。、ま
た、同図の各線の添字＃１．ｔｔ２・・・・・・は試料
番号を表している。
図で、同図に於て縦座標は電流■の対数値１０デ■を表
し、横座標は電界強度Ｅの平方根Ｊを表している。、ま
た、同図の各線の添字＃１．ｔｔ２・・・・・・は試料
番号を表している。
６告 第２図から、Ｐ−３ｉＮの高電界下におけるキ
ャリヤの伝導機構がＰｏｏｌ−Ｆｒｅｎｋｅｌ伝導に従
っていることかわかる。また、反応ガスの組成により同
一電界強度に対する電気伝導度が９〜１０桁も異なって
くるのがわかった。従って、この事実から、Ｐ −Ｓｉ
Ｎの絶縁性はＰ−８ｉＮ形成時の反応ガス組□成に犬き
く依存していることが明らかになった。
ャリヤの伝導機構がＰｏｏｌ−Ｆｒｅｎｋｅｌ伝導に従
っていることかわかる。また、反応ガスの組成により同
一電界強度に対する電気伝導度が９〜１０桁も異なって
くるのがわかった。従って、この事実から、Ｐ −Ｓｉ
Ｎの絶縁性はＰ−８ｉＮ形成時の反応ガス組□成に犬き
く依存していることが明らかになった。
第６図は各試料に対する電界強度とＦ、１ａｔ、 Ｂａ
ｎｄ電圧Ｖ の変動量ΔＶＦＢとの関係を示したもので
Ｂ あり、△ＶＦＢは各試料に電界を印加した時のＣ−ｖ特
性から求めたものである。なお、各試料のＣ−ｖ特性の
測定は各試料を室温にて１分間だけ電界を印加した後に
行ったものである。
ｎｄ電圧Ｖ の変動量ΔＶＦＢとの関係を示したもので
Ｂ あり、△ＶＦＢは各試料に電界を印加した時のＣ−ｖ特
性から求めたものである。なお、各試料のＣ−ｖ特性の
測定は各試料を室温にて１分間だけ電界を印加した後に
行ったものである。
第６図を参照すると、各試料の■ＦＢ変動は印加し
電界強度の増大とともに増ン２、かつ注入型となってお
す、捷だ、各試料毎にＶＦＢ変動量が異なっていること
がわかる。このようなＭＮＳダイオードの■ＦＢ変動ハ
Ｓｌ基板もし９＜ハ電極からキャリヤがＰ−８ｉＮ中の
トラップに注入捕獲されて空間電荷を形成するために生
じると考えられるので、■ＦＢ変動の少ない試料はど、
そのＰ −ＳｉＮ膜中のトラップも少なく且つ膜欠陥密
度も低いと結論できる。
す、捷だ、各試料毎にＶＦＢ変動量が異なっていること
がわかる。このようなＭＮＳダイオードの■ＦＢ変動ハ
Ｓｌ基板もし９＜ハ電極からキャリヤがＰ−８ｉＮ中の
トラップに注入捕獲されて空間電荷を形成するために生
じると考えられるので、■ＦＢ変動の少ない試料はど、
そのＰ −ＳｉＮ膜中のトラップも少なく且つ膜欠陥密
度も低いと結論できる。
更に第２図及び第６図を参照すると、試別番号が増加す
るに従って電気伝導度と膜欠陥密度が共に減少する一方
、電気絶縁性は試料番号の増加に伴って増大し、試料番
号が大きいものほど電界に対し安定したＰ −ＳｉＮ膜
を有していることがわかる。
るに従って電気伝導度と膜欠陥密度が共に減少する一方
、電気絶縁性は試料番号の増加に伴って増大し、試料番
号が大きいものほど電界に対し安定したＰ −ＳｉＮ膜
を有していることがわかる。
以上のように、反応ガス組成の相異により、得られるＰ
−８ｉＮ膜の電気的性質が変化することが明らかになり
１．また反応ガス組成とｐ−５ｉＮの電気的特性との対
応関係を得ることができたが、Ｐ−８ｉＮの物理化学的
構造と電気的特性及び反応ガス組成との対応関係が得ら
れていないため、どのよう々物理化学的組成のｐ−５ｉ
Ｎを形成すれば所望の電気的特性が実現されるかという
問題は第１図及び第２図のデータのみでは解決すること
ができない。
−８ｉＮ膜の電気的性質が変化することが明らかになり
１．また反応ガス組成とｐ−５ｉＮの電気的特性との対
応関係を得ることができたが、Ｐ−８ｉＮの物理化学的
構造と電気的特性及び反応ガス組成との対応関係が得ら
れていないため、どのよう々物理化学的組成のｐ−５ｉ
Ｎを形成すれば所望の電気的特性が実現されるかという
問題は第１図及び第２図のデータのみでは解決すること
ができない。
そこで本発明者らＵＰ−８ｉＮの物理化学的構造と電気
的特性及び反応ガス組成との対応関係を把握するために
以下の如き実験によりＰ−３ｉＮの光学的特性を測定し
、これによりｐ−５ｉＮの化学的もしくは物理的構造と
その電気的特性との対応関係、及びＰ−８ｉＮの化学的
及び物理的構造と膜形成条件との対応関係を得ることが
できた。その結果、所望の電気的特性を備えるためのＰ
−ＳｉＮの物理化学的構造の境界条件が得られ、また
、不安定現象を生じない半導体装置が得られた。
的特性及び反応ガス組成との対応関係を把握するために
以下の如き実験によりＰ−３ｉＮの光学的特性を測定し
、これによりｐ−５ｉＮの化学的もしくは物理的構造と
その電気的特性との対応関係、及びＰ−８ｉＮの化学的
及び物理的構造と膜形成条件との対応関係を得ることが
できた。その結果、所望の電気的特性を備えるためのＰ
−ＳｉＮの物理化学的構造の境界条件が得られ、また
、不安定現象を生じない半導体装置が得られた。
試別となるＰ−８ｉＮ膜は厚さ１Ｍの透明石英板の上に
前記と同じ平行平板型プラズマＣＶＤ装置を使用して形
成した。作製した試料の種類は１１種類であり、各試別
の番号はＭＮＳダイオードの試料番号に対応している。
前記と同じ平行平板型プラズマＣＶＤ装置を使用して形
成した。作製した試料の種類は１１種類であり、各試別
の番号はＭＮＳダイオードの試料番号に対応している。
各試料のＰ−８ｉＮ膜は前記と同じ組成の反応ガス（す
なわち、ＳｉＨ４＋ＮＨ３，Ｎ２の各成分ガスを含み、
各成分ガスの含有比率を各試料毎に変えたもの）を用い
て前記ＭＮＳダイオードの試料作製と同じ条件で形成さ
れた。各試料のＰ −ＳｉＮ膜の膜厚は前記ＭＮＳダイ
オードの場合の１０倍の１００００Ｘとした。
なわち、ＳｉＨ４＋ＮＨ３，Ｎ２の各成分ガスを含み、
各成分ガスの含有比率を各試料毎に変えたもの）を用い
て前記ＭＮＳダイオードの試料作製と同じ条件で形成さ
れた。各試料のＰ −ＳｉＮ膜の膜厚は前記ＭＮＳダイ
オードの場合の１０倍の１００００Ｘとした。
このようにして作製した試料に対して光を照射して透過
光を測定した。
光を測定した。
第４図は各試料の透過光スペクトルを示したもので、同
図に於て縦座標は透過率（％）、横座標は波長（ｎｍ）
を示す。
図に於て縦座標は透過率（％）、横座標は波長（ｎｍ）
を示す。
ここで透過光の強度を工、入射光の強度ｋＩ。。
Ｐ−８ｉＮ膜の膜厚ヲｔ、αを光学吸収係数とすると、
Ｂｅｅｒ −Ｌａｍ１ｅｒｔの法則により前記諸変数間
にはＩ＝Ｉ。Ｃ−ａｔなる関係式が成立する。
Ｂｅｅｒ −Ｌａｍ１ｅｒｔの法則により前記諸変数間
にはＩ＝Ｉ。Ｃ−ａｔなる関係式が成立する。
そこで第４図に於てα＝１０ ／ｌｏｇ ｅにとり、Ｉ
−０，１１ｏとなる波長を光学吸収端と定義して読み取
ると、試料＃２から試料＃１１にかけて光学吸収端は３
５４７ｉ！７７２から２２７．５ ｎｎｌ ’′！！で
変化しており、絶縁性にすぐれ且つ膜欠陥密度の少ない
試別はど、光学吸収端が紫外部まで伸びていることがわ
かった。Ｍ −Ｊ 、 Ｒａｎｄ等の報告によると、化
学量論的な組成を有する５１３Ｎ４膜の光学吸収端は２
２５１１ｍであるとされているから、試料＃１１はほぼ
化学量論的組成のＳｉ３Ｎ、に近い組成を有しているこ
とになる。
−０，１１ｏとなる波長を光学吸収端と定義して読み取
ると、試料＃２から試料＃１１にかけて光学吸収端は３
５４７ｉ！７７２から２２７．５ ｎｎｌ ’′！！で
変化しており、絶縁性にすぐれ且つ膜欠陥密度の少ない
試別はど、光学吸収端が紫外部まで伸びていることがわ
かった。Ｍ −Ｊ 、 Ｒａｎｄ等の報告によると、化
学量論的な組成を有する５１３Ｎ４膜の光学吸収端は２
２５１１ｍであるとされているから、試料＃１１はほぼ
化学量論的組成のＳｉ３Ｎ、に近い組成を有しているこ
とになる。
従って、光学吸収端が短波長側にある試料はど組成的に
は化学量論的組成に近く、また、光学吸収端が長波長側
にある試料はど化学量論的組成から離れた化学的構造を
有していることになる。
は化学量論的組成に近く、また、光学吸収端が長波長側
にある試料はど化学量論的組成から離れた化学的構造を
有していることになる。
それ故、このように化学量論的組成から外れた構造なイ
」した窒化ノリコン膜には５ｉ−Ｎ結合以外に５ｉ−８
Ｉ結合の形で存在する過剰Ｓｉが含まｉｔていると考え
らノＬ、また、この過剰ＳｉＫ局在するＳｉの不飽和結
合すなわちダングリングボンドの不安′ｉＪ二挙動によ
りそこに電荷が捕獲されて前記（ｉｉ）の如きフィール
ド反転現象や絶縁性の劣化などが生ずるものと考えらＪ
する。
」した窒化ノリコン膜には５ｉ−Ｎ結合以外に５ｉ−８
Ｉ結合の形で存在する過剰Ｓｉが含まｉｔていると考え
らノＬ、また、この過剰ＳｉＫ局在するＳｉの不飽和結
合すなわちダングリングボンドの不安′ｉＪ二挙動によ
りそこに電荷が捕獲されて前記（ｉｉ）の如きフィール
ド反転現象や絶縁性の劣化などが生ずるものと考えらＪ
する。
第４図に示した実験結果は、Ｐ−８ＩＮ中の過剰Ｓ１ダ
ングリングボンドの影響を推定させるものであり、前記
フィールド反転現象とＰ −ＳｉＮ膜の物理化学的構造
との対応関係を確立するための資１１とじで好適である
が、前記（１）の現象とｐ−５ｉＮの物理化学的構造と
の対応は更に別の観点から明らかＶこする必委がある。
ングリングボンドの影響を推定させるものであり、前記
フィールド反転現象とＰ −ＳｉＮ膜の物理化学的構造
との対応関係を確立するための資１１とじで好適である
が、前記（１）の現象とｐ−５ｉＮの物理化学的構造と
の対応は更に別の観点から明らかＶこする必委がある。
Ｒ、Ｂ Ｆａｉｒ 的の研究によれば、ｐ−５ｒＮ中に
は焼結や高温Ｃ廿り等の方法で形成された窒化シリコン
）模と異なり、その組成中に２０〜３０ ａｔｏｒｎｉ
ｃ係の水素”ｆｓｉ−Ｈ及びＮ−Ｈの結合形態で含有し
ており、ＭＯ８半導体装置のチャンネル中で発生した熱
電子がＰ −ＳｉＮ膜中に侵入した時に前記水素原子と
結合してＰ−８ｉＮの物理化学的構造及び絶縁性を不安
定化し、その結果、該半導体装置の■。
は焼結や高温Ｃ廿り等の方法で形成された窒化シリコン
）模と異なり、その組成中に２０〜３０ ａｔｏｒｎｉ
ｃ係の水素”ｆｓｉ−Ｈ及びＮ−Ｈの結合形態で含有し
ており、ＭＯ８半導体装置のチャンネル中で発生した熱
電子がＰ −ＳｉＮ膜中に侵入した時に前記水素原子と
結合してＰ−８ｉＮの物理化学的構造及び絶縁性を不安
定化し、その結果、該半導体装置の■。
の変動が生ずるのであろうと菖われている。これを更に
ふえんすれば次のようになる。
ふえんすれば次のようになる。
一般にＰ −ＳｉＮ中の水素は５ｉ−ＨやＮ −Ｈの結
合形で“ 態−ＬＰｉ−８ｉやＮの不対電子を補償しているのでＰ
−８ｉＮがその化学量論的組成からかけ離れた組成を有
していても初期Ｃ−■特性におけるトラ、プ密度は１×
１０／ｃｄ以下となって比較的小さい値として現れる。
合形で“ 態−ＬＰｉ−８ｉやＮの不対電子を補償しているのでＰ
−８ｉＮがその化学量論的組成からかけ離れた組成を有
していても初期Ｃ−■特性におけるトラ、プ密度は１×
１０／ｃｄ以下となって比較的小さい値として現れる。
しかしながら、高電界を印加すると低温酸化膜や湿式酸
化膜におけると同様に次式の如＜５ｌ−ｎ結合の解離が
起こり、Ｓｌの不対電子がトラップサイトとして作用す
ると考えられる。
化膜におけると同様に次式の如＜５ｌ−ｎ結合の解離が
起こり、Ｓｌの不対電子がトラップサイトとして作用す
ると考えられる。
”Ｉ Ｓ １− Ｈ””’％ ＥＥ Ｓ’ｉ ＋Ｈｉこ
こにＥＳｉはＮ又は８１と結合したＳ１原子であり、ま
た、Ｉ（１は格子間の水素原子、・は不対電子を示す。
こにＥＳｉはＮ又は８１と結合したＳ１原子であり、ま
た、Ｉ（１は格子間の水素原子、・は不対電子を示す。
促って前記（］）の現象とＰ−８−ｉＮの物理化学的構
造及び組ｌ戎とのχ；Ｊ応関係を明確にするためには、
Ｐ−８ｉＮ中の５Ｉ−ｎ結合の数を推定できる実験を必
要とする。
造及び組ｌ戎とのχ；Ｊ応関係を明確にするためには、
Ｐ−８ｉＮ中の５Ｉ−ｎ結合の数を推定できる実験を必
要とする。
そｉｔ故、本発明者ラバ、Ｐ−８ｉＮ中ノ５ｉ−Ｉ（結
合の看在数を観測するために以下の如き実験を行った、
この実験Ｖこ用いた試料は第４図の実験に用いた試別と
［１・］じであり、次のような条件で製作された。
合の看在数を観測するために以下の如き実験を行った、
この実験Ｖこ用いた試料は第４図の実験に用いた試別と
［１・］じであり、次のような条件で製作された。
すなわち、ＳＩＩ■４とＮ１１３及びＮ２ヲ含む反応ガ
スを用いてＡＩＶｉＴ社ＰＬＡＳＭＡ −ｉＩ平行平板
型プラズマＣｖＤ装置中で厚さ１Ｍの透明石英板上に厚
さ１００００ÅのＰ−８ｉＮ膜を形成したものを試料と
した。他の条件＆Ｕ１、成長温度３６０〜３７０℃。
スを用いてＡＩＶｉＴ社ＰＬＡＳＭＡ −ｉＩ平行平板
型プラズマＣｖＤ装置中で厚さ１Ｍの透明石英板上に厚
さ１００００ÅのＰ−８ｉＮ膜を形成したものを試料と
した。他の条件＆Ｕ１、成長温度３６０〜３７０℃。
ｔｊ ］” 、”ｙＯｋ１１７．５００Ｗ 、テボジン
ヨン圧力Ｑ２ｔｏｒｒ。
ヨン圧力Ｑ２ｔｏｒｒ。
Ｓｉ ＩＩ １５０ ｒｅ／ｍｉ ｎである。試料の種
類Ｕｌｌｆｌ類であり、各試ｆ１のｐ−８ｉＮ膜の形成
に用いた反応ガスの組１戎は前記ＭＮＳダイオード及び
前記第４図の実験ＶＣ用いた試ｔ１のｆ′［製に使った
反応ガス組成と同じであり、また、１１！４形成条件も
同一である。
類Ｕｌｌｆｌ類であり、各試ｆ１のｐ−８ｉＮ膜の形成
に用いた反応ガスの組１戎は前記ＭＮＳダイオード及び
前記第４図の実験ＶＣ用いた試ｔ１のｆ′［製に使った
反応ガス組成と同じであり、また、１１！４形成条件も
同一である。
従ってこの実験の試料及び第４図の実験の試料並びに前
記ＭＮＳダイオードはすべて同一試料番号のものは対応
しており、同−滅相番号のものは同一実験条件で論する
ことができる。
記ＭＮＳダイオードはすべて同一試料番号のものは対応
しており、同−滅相番号のものは同一実験条件で論する
ことができる。
」二記のようにして作製した１１神類の試享１に対して
光ｉｔ投射し、各試料の赤外吸収スペクトルにおける２
、 １５０ ｃｍ 付近の５ｉ−Ｈ結合に基く吸収ピ
ークを求めた。
光ｉｔ投射し、各試料の赤外吸収スペクトルにおける２
、 １５０ ｃｍ 付近の５ｉ−Ｈ結合に基く吸収ピ
ークを求めた。
ここで、■を吸収ピークの透過光強度、■ｏを入射光の
強度、ｔを膜厚、αを赤夕）吸収係数とすると、こｎら
の変数間にはＢｅｅｒ−１，ａｍｈｅｒｔの法則によっ
て■二■ｏｃ なる関係式が成立する。
強度、ｔを膜厚、αを赤夕）吸収係数とすると、こｎら
の変数間にはＢｅｅｒ−１，ａｍｈｅｒｔの法則によっ
て■二■ｏｃ なる関係式が成立する。
観測した吸収ピーク■の値によって各吸収ピークに対応
する赤外吸収係数αを求めたところ、第１表の如き結果
が得られた。
する赤外吸収係数αを求めたところ、第１表の如き結果
が得られた。
第１表
第１表において、赤外吸収係数αの値ばＰ −ＳｉＮ中
の５ｌ−Ｈ結合の数に比例することから、試料番号が大
きいものほど、５１−Ｈ結合の数が少ないことを意味し
ており、、 Ｐ−８ｉＮ形成時の反応ガスの組成がＰ’
−３ｉＮの物理化学的構造に大きく影響していることが
わかる。ま／ヒ、第２図、第６図、第４図の実験結果と
併せて検削すると、Ｐ−８ｉＮ中の５ｉ−Ｈ結合の数が
少ないほど、Ｐ−８ｉＮの絶縁性もよく、半導体装置に
安定した動作特性を与える事がわかった。
の５ｌ−Ｈ結合の数に比例することから、試料番号が大
きいものほど、５１−Ｈ結合の数が少ないことを意味し
ており、、 Ｐ−８ｉＮ形成時の反応ガスの組成がＰ’
−３ｉＮの物理化学的構造に大きく影響していることが
わかる。ま／ヒ、第２図、第６図、第４図の実験結果と
併せて検削すると、Ｐ−８ｉＮ中の５ｉ−Ｈ結合の数が
少ないほど、Ｐ−８ｉＮの絶縁性もよく、半導体装置に
安定した動作特性を与える事がわかった。
本発明者らは、前記と同様な実験を層間絶縁膜に対して
も実施し、その結果全検詐・１したところ、加した後の
ＶＦＢ変動量が±ＩＶ以下の場合にば、半導体装置の動
作特性に不安定性を生じないことがわ刀・った。
も実施し、その結果全検詐・１したところ、加した後の
ＶＦＢ変動量が±ＩＶ以下の場合にば、半導体装置の動
作特性に不安定性を生じないことがわ刀・った。
また、最終保護膜は、上記の条件に於′τ十分に安定し
た動作特性を示した。
た動作特性を示した。
以上の如き実験結果のうち、第２図及び第３図の結果及
び第４図と第１表の結果とを併せて検討すると、試料７
と試ｆ４９との間に臨界点が存在しその臨界点以上のＰ
−ＳｉＮならば、半導体装置に前記の如き不安定性を
生じさせぬことがわかった。
び第４図と第１表の結果とを併せて検討すると、試料７
と試ｆ４９との間に臨界点が存在しその臨界点以上のＰ
−ＳｉＮならば、半導体装置に前記の如き不安定性を
生じさせぬことがわかった。
そこで、この臨界点に対応する光学吸収端と赤外吸収係
数を求めたところ、臨界光学吸収端は光学吸収係数ｋｉ
ｏ’／ｌｏｇｅとした場合は２３５７２７７２ テあり
、また、臨界赤外吸収係数は４５０ ｃノｎ−１であっ
た。
数を求めたところ、臨界光学吸収端は光学吸収係数ｋｉ
ｏ’／ｌｏｇｅとした場合は２３５７２７７２ テあり
、また、臨界赤外吸収係数は４５０ ｃノｎ−１であっ
た。
以上の試料作製に用いた平行平板型プラズマＣＶＤ装置
は前記り、ｆｃヨうにＡＭＴ社ＰＬＡＳＭＡ−１１であ
るが、他の装置例えばＩ）ＷＳ社ＧＬ−４５０を用いた
場合にも、臨界光学吸収端が２３５ ｎｍであり、臨界
赤外吸収係数が４５ Ｑ ｏ〃−１であることは変りが
なかった。例えばＧＬ−４５０を用い成長温度３８０℃
。
は前記り、ｆｃヨうにＡＭＴ社ＰＬＡＳＭＡ−１１であ
るが、他の装置例えばＩ）ＷＳ社ＧＬ−４５０を用いた
場合にも、臨界光学吸収端が２３５ ｎｍであり、臨界
赤外吸収係数が４５ Ｑ ｏ〃−１であることは変りが
なかった。例えばＧＬ−４５０を用い成長温度３８０℃
。
ＲＦ ４４０− ｋＨｚ ２５０ ｊ）７Ａ 、デポジ
ション圧力１．Ｏｔｏｒｒ。
ション圧力１．Ｏｔｏｒｒ。
ガス総量１４００ｃｃ／ｒｎｉｎの条件の下で、光学吸
収端が２３５ツノ２ツノ以下となるのはＮＨ３／５１ｆ
（４比が１１以上の場合であり、赤外吸収係数が４５０
ｃ）ｘ−１以下であるのはＮＨ３／Ｓ ｉ Ｈ４此が
１１〜１２の場合であった。
収端が２３５ツノ２ツノ以下となるのはＮＨ３／５１ｆ
（４比が１１以上の場合であり、赤外吸収係数が４５０
ｃ）ｘ−１以下であるのはＮＨ３／Ｓ ｉ Ｈ４此が
１１〜１２の場合であった。
この発Ｆ！Ａは前記の如きＰ−８ＩＮＫ関する種々の研
究の結果に基いて得られたものであり、この発明は前記
の如き臨界点以上のＰ−８ｉＮを層間絶縁膜もしくは最
終保護膜として備えた半導体装置を提供するものである
。
究の結果に基いて得られたものであり、この発明は前記
の如き臨界点以上のＰ−８ｉＮを層間絶縁膜もしくは最
終保護膜として備えた半導体装置を提供するものである
。
以１にはこの発明によるＰ −ＳｉＮ膜を有する半導体
装置の実施例を示す。
装置の実施例を示す。
実施例１
本発明の半導体装置の動作特性と本発明を適用し、ない
半導体装置とを比較するために二行類の半導体装置を製
作してその動作特性に比較した。実験に供する半導体装
置の母体として従来一般的に製造されているＡ１ゲー）
ＮチャネルＭＯ８のエンハンスメント型トランジスタを
選び、これに光学吸収端λが２３０７２７７２のＰ−３
ｉＮ’に最終保護膜として被着した本発明適用の第一の
供試体を製作するとともに、該母体に光学吸収端λ８が
３５４７２７７２０Ｐ−８ｉＮ′ｆ１：最終保護膜とし
て被着した本発明不適用の第二の供試体を製作した。そ
して、これら二種類の供試体に温度１５０℃で１．５
ＭＶ／ｃｍの電界強度を印加して両供試体のしきい値（
＠ｈｒｅ ｓｈｏ ｌｄｌ ｅ ｙｅ Ｌ） Ｖ、ｈの
時間的変化を観測した。
半導体装置とを比較するために二行類の半導体装置を製
作してその動作特性に比較した。実験に供する半導体装
置の母体として従来一般的に製造されているＡ１ゲー）
ＮチャネルＭＯ８のエンハンスメント型トランジスタを
選び、これに光学吸収端λが２３０７２７７２のＰ−３
ｉＮ’に最終保護膜として被着した本発明適用の第一の
供試体を製作するとともに、該母体に光学吸収端λ８が
３５４７２７７２０Ｐ−８ｉＮ′ｆ１：最終保護膜とし
て被着した本発明不適用の第二の供試体を製作した。そ
して、これら二種類の供試体に温度１５０℃で１．５
ＭＶ／ｃｍの電界強度を印加して両供試体のしきい値（
＠ｈｒｅ ｓｈｏ ｌｄｌ ｅ ｙｅ Ｌ） Ｖ、ｈの
時間的変化を観測した。
第５図はその結果を図示したもので、同図に於て縦座標
はしきい値電圧■ｔｈ＋横座標は時間（ｈｏｕｒ ）の
対数である。また、曲線Ｃ７は光学吸収端λ８が３６４
ｎ７ｎのＰ−ＳｉＮ膜を有する本発明不適用の第二の
供試体のｖｔｈ変化を示し、曲線り、は光学吸収端λ８
が２３υ２ｍのＰ−８ｉＮ膜を有する本発明の供試体の
ｖｔｈ変、化全示す。
はしきい値電圧■ｔｈ＋横座標は時間（ｈｏｕｒ ）の
対数である。また、曲線Ｃ７は光学吸収端λ８が３６４
ｎ７ｎのＰ−ＳｉＮ膜を有する本発明不適用の第二の
供試体のｖｔｈ変化を示し、曲線り、は光学吸収端λ８
が２３υ２ｍのＰ−８ｉＮ膜を有する本発明の供試体の
ｖｔｈ変、化全示す。
この図から明らかなように、本発明不適用の第二の供試
体におけるｖｔｈはバイアス印加開始後の比較的短い時
間（４８時間〕内に急激に低下した後、それ以後は徐々
に増加しており、従って該第二の供試体の電気的特性は
明らかに不安定である。
体におけるｖｔｈはバイアス印加開始後の比較的短い時
間（４８時間〕内に急激に低下した後、それ以後は徐々
に増加しており、従って該第二の供試体の電気的特性は
明らかに不安定である。
これに反して本発明適用の第一の供試体におけるｖｔｈ
は一切の変動を示さず、従って本発明によればｖｔｈ変
動のない安定した動作特性の半導体装置を得られること
が判る。
は一切の変動を示さず、従って本発明によればｖｔｈ変
動のない安定した動作特性の半導体装置を得られること
が判る。
実施例２
前記の実施例１で使用したものと同型のＡＩ ゲートＮ
チャンネルＭＯ８のエンハンスメン） 型１−ランジス
タを供試体の母体とし、これに赤外吸収係数αが８２０
ｏｎ−１のＰ−３ｉＮを最終保護膜として被着した本発
明不適用の第一供試体を製作するとともに、該母体に赤
外吸収係数αが２５ｏｃｍ−１ｐ−’ｓｉＮを最終保護
膜と（〜て被着した本発明適用の第二供試体を製作した
。そして、これら二種類の供試体に温度１５０℃で１５
Ｍ’Ｖ／ｃｍの電界を印加して両供試体のしきい値電
圧■ｔｈの時間的変化全観測した。
チャンネルＭＯ８のエンハンスメン） 型１−ランジス
タを供試体の母体とし、これに赤外吸収係数αが８２０
ｏｎ−１のＰ−３ｉＮを最終保護膜として被着した本発
明不適用の第一供試体を製作するとともに、該母体に赤
外吸収係数αが２５ｏｃｍ−１ｐ−’ｓｉＮを最終保護
膜と（〜て被着した本発明適用の第二供試体を製作した
。そして、これら二種類の供試体に温度１５０℃で１５
Ｍ’Ｖ／ｃｍの電界を印加して両供試体のしきい値電
圧■ｔｈの時間的変化全観測した。
第６図はその結果を図示したものである。図に於て、曲
線Ｃは本発明不適用の供試体のｖｔｈの変化を示し、直
線Ｌ２は本発明適用の供試体のＶｔｈの変化を示す。こ
の図刀・ら明らかなように、本発明適用の供試体ではＶ
ｔｈが全く変動しないのに対して、本発明不適用の供試
体ではｖｔｈが著しく変動しており、従って、本発明の
半導体装置では極めて安定した動作特性を得られること
がわかる。
線Ｃは本発明不適用の供試体のｖｔｈの変化を示し、直
線Ｌ２は本発明適用の供試体のＶｔｈの変化を示す。こ
の図刀・ら明らかなように、本発明適用の供試体ではＶ
ｔｈが全く変動しないのに対して、本発明不適用の供試
体ではｖｔｈが著しく変動しており、従って、本発明の
半導体装置では極めて安定した動作特性を得られること
がわかる。
実施例３
」−にＡｌ電祢を形成したＭＮＯ８構造（Ｍｅｔａｌ−
Ｎｉｔｒｉｄｅ−Ｏｘｉｄｅ−８ｅｒｎｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ ） の半導体装置を供試体としてフラットバ
ンド電圧ＶＦＢの変動を調べた。実験に供する供試体と
しで本発明適用のものに於ては光学吸収端λ８が２３０
７２７７２のＰ−３ｉＮを層間絶縁膜として被着し、不
発すＪ不適用の供試体では光学吸収端λ８が３５４１ｉ
ｍのＰ −ＳｉＮを層間絶縁膜として被着した。
Ｎｉｔｒｉｄｅ−Ｏｘｉｄｅ−８ｅｒｎｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ ） の半導体装置を供試体としてフラットバ
ンド電圧ＶＦＢの変動を調べた。実験に供する供試体と
しで本発明適用のものに於ては光学吸収端λ８が２３０
７２７７２のＰ−３ｉＮを層間絶縁膜として被着し、不
発すＪ不適用の供試体では光学吸収端λ８が３５４１ｉ
ｍのＰ −ＳｉＮを層間絶縁膜として被着した。
そして、これら２種類の供試体に対し温度２００℃で１
分間だけ種々の強度の電界を印加してその時のＣ−■特
性からフラットバンド電圧■ＦＢの変動を求めた。第７
図はその結果を図示１、たものであり、縦座標はｖＦＢ
（ｖｏｌｔ）、横座標は印加した電界強度Ｅ （ＭＶ／
ｃｍ）、曲線Ｃ３は不発り」不適用の供試体のｖＦＢ変
化、曲線Ｃ４は本発明適用の供試体のｖＦＢ変化を示す
。
分間だけ種々の強度の電界を印加してその時のＣ−■特
性からフラットバンド電圧■ＦＢの変動を求めた。第７
図はその結果を図示１、たものであり、縦座標はｖＦＢ
（ｖｏｌｔ）、横座標は印加した電界強度Ｅ （ＭＶ／
ｃｍ）、曲線Ｃ３は不発り」不適用の供試体のｖＦＢ変
化、曲線Ｃ４は本発明適用の供試体のｖＦＢ変化を示す
。
同図から判るように、本発明適用の供試体でばＶＦＢの
変動は殆んど生じないのに比して、本発明不適用の供試
体ではｖＦＢが大幅に変動している。
変動は殆んど生じないのに比して、本発明不適用の供試
体ではｖＦＢが大幅に変動している。
従って本発明によればＶＦＲの変動のない半導体装置を
得られることが明らかになった。
得られることが明らかになった。
実施例４
実施例３と同型のＭＮＯ８構造の半導体装置を供試体の
母体として、この半導体装置の層間絶縁膜として赤外吸
収係数αが２５ Ｑ ｃｔｎ のＰ−８ｉＮ’に被着し
たものを本発明適用の供試体とし、１だ、該半導体装置
の層間絶縁膜として赤外吸収係数αが８２０ｎｎ−”の
Ｐ −ＳｉＮを被着したものを本発明不適用の供試体と
した。そして、これら二種類の供試体に温度２００℃に
於て１分間だけ種々の強度の電界を印加してその時のＣ
−■特性７：ｌ）らフラットバンド電圧ＶＩ、Ｉ３の変
動を求めた。
母体として、この半導体装置の層間絶縁膜として赤外吸
収係数αが２５ Ｑ ｃｔｎ のＰ−８ｉＮ’に被着し
たものを本発明適用の供試体とし、１だ、該半導体装置
の層間絶縁膜として赤外吸収係数αが８２０ｎｎ−”の
Ｐ −ＳｉＮを被着したものを本発明不適用の供試体と
した。そして、これら二種類の供試体に温度２００℃に
於て１分間だけ種々の強度の電界を印加してその時のＣ
−■特性７：ｌ）らフラットバンド電圧ＶＩ、Ｉ３の変
動を求めた。
第８図はその結果を図示したものであり、縦座標はｙＦ
Ｂ （Ｖ Ｏ１ｔ ）、横座標は電界強度Ｅ （ＭＶ／
Ｃノリ、曲線Ｃ５は本発明適用の供試体の■ＦＢ変化、
曲線Ｃ６は本発明不適用の供試体のｖＦＢ変化を示して
いる。
Ｂ （Ｖ Ｏ１ｔ ）、横座標は電界強度Ｅ （ＭＶ／
Ｃノリ、曲線Ｃ５は本発明適用の供試体の■ＦＢ変化、
曲線Ｃ６は本発明不適用の供試体のｖＦＢ変化を示して
いる。
同図から判るように、本発明適用の供試体では”、；’
ｎの変！Ｉｌｂが殆んどないのに対して本発明不適用の
供試体では著しくｖＦＢが変動している。従って本発明
によｔＬば安定した動作特性の半導体装置をｍられるこ
とか明らかになった。
ｎの変！Ｉｌｂが殆んどないのに対して本発明不適用の
供試体では著しくｖＦＢが変動している。従って本発明
によｔＬば安定した動作特性の半導体装置をｍられるこ
とか明らかになった。
以上の如く、本発明によれば、安定した動作特性の半導
体装置を得るためのＰ −ＳｉＮに関する物理化学的特
性の境界条件すなわち臨界点が明ら力・にされ、また、
本発明によれば安定した動作特性の半導体装置を提供す
ることができる。
体装置を得るためのＰ −ＳｉＮに関する物理化学的特
性の境界条件すなわち臨界点が明ら力・にされ、また、
本発明によれば安定した動作特性の半導体装置を提供す
ることができる。
なお、前記の実施例では本発明による半導体装置の実施
例としてＭＯＳ型のもののみを示したが、本発明がバイ
ポーラ型の如き他の型式の半導体装置としても実現しう
ろことは明らかである。
例としてＭＯＳ型のもののみを示したが、本発明がバイ
ポーラ型の如き他の型式の半導体装置としても実現しう
ろことは明らかである。
第１図は本発明の基礎となる実験に使用したＭＯＳダイ
オードの断面図、第２図は第１図のダイオードのＩ−Ｖ
特性を示す図、第６図は第１図のダイオードのＣ−■特
性から求めたフラットバンド電圧特性図、第４図は各種
組成のプラズマ窒化ンリコン膜に対する透過光スペクト
ルを示した図、第５図及び第６図は本発明による半導体
装置のしきい値電圧の変化と本発明によらない半導体装
置のしきい値電圧の変化とを比較して示した線図、第７
図及び第８図は本発明の半導体装置のフよ ラットバンド電圧Ｖｌ”Ｈの変化と本発明に命らない半
導体装置のフラットバンド電圧ＶＦＢの変化とを比較し
て示す線図である。 １・・Ｐ型半導体基板、２・・・プラズマ窒化シリコン
膜、６・・・Ａ１電極。 第１図。 第２図 ｆ （ｘ ｔｏんＷ谷） 第３図 萎 塑嘴登 ｌぐイアス印力ロ時間 （ｈｒｓ） （へ′イアｘｅｕ丁１度 １５０°Ｃ）第６図 ０ １０ １０’ ｔｏ５１０４
オードの断面図、第２図は第１図のダイオードのＩ−Ｖ
特性を示す図、第６図は第１図のダイオードのＣ−■特
性から求めたフラットバンド電圧特性図、第４図は各種
組成のプラズマ窒化ンリコン膜に対する透過光スペクト
ルを示した図、第５図及び第６図は本発明による半導体
装置のしきい値電圧の変化と本発明によらない半導体装
置のしきい値電圧の変化とを比較して示した線図、第７
図及び第８図は本発明の半導体装置のフよ ラットバンド電圧Ｖｌ”Ｈの変化と本発明に命らない半
導体装置のフラットバンド電圧ＶＦＢの変化とを比較し
て示す線図である。 １・・Ｐ型半導体基板、２・・・プラズマ窒化シリコン
膜、６・・・Ａ１電極。 第１図。 第２図 ｆ （ｘ ｔｏんＷ谷） 第３図 萎 塑嘴登 ｌぐイアス印力ロ時間 （ｈｒｓ） （へ′イアｘｅｕ丁１度 １５０°Ｃ）第６図 ０ １０ １０’ ｔｏ５１０４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １５００℃以下の温度で形成された窒化ソリコン膜を有
する半導体装置であって、該窒化シリコン膜は、その透
過光の光学吸収係数が下となる物理的性質を備えている
ことを特徴とする半導体装置。 ２ 窒化シリコン膜を最終保護膜として有している特許
請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ６ 窒化シリコン膜を層間絶縁膜として有している特許
請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ４５００℃以下の温度で形成された窒化シリコン膜を有
する半導体装置であって該窒化シリコン膜は、２，１５
０ＣＩｌ＋−” ＠近の赤外吸収スペクトルに於て５ｊ
−Ｈ結合に基〈赤外吸収係数が４５Ｑｎｎ−’以下とな
る物理的性質を備えていることを特徴とする半導体装置
。 ５ 窒化シリコン膜を最終保護膜として有している特許
請求の範囲第４項記載の半導ｆ４・装ｆｉｊｔ。 ６ 窒化シリコン膜を層間絶縁膜として有している特許
請求の範囲第４項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116193A JPS598341A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116193A JPS598341A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598341A true JPS598341A (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=14681133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57116193A Pending JPS598341A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598341A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215857A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| US5592004A (en) * | 1994-09-30 | 1997-01-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Silicon nitride film having a short absorption wavelength and surrounding crystal-like grain boundaries |
| JP2001514448A (ja) * | 1997-08-25 | 2001-09-11 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Ｐｅｃｖｄ窒化／酸窒化膜へのリン注入による不揮発性メモリセルの電荷損失の低減 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52115785A (en) * | 1976-01-22 | 1977-09-28 | Western Electric Co | Process for coating substrate |
| JPS5519832A (en) * | 1978-07-28 | 1980-02-12 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Forming method of semiconductor device protective film |
-
1982
- 1982-07-06 JP JP57116193A patent/JPS598341A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52115785A (en) * | 1976-01-22 | 1977-09-28 | Western Electric Co | Process for coating substrate |
| JPS5519832A (en) * | 1978-07-28 | 1980-02-12 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Forming method of semiconductor device protective film |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215857A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| US5592004A (en) * | 1994-09-30 | 1997-01-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Silicon nitride film having a short absorption wavelength and surrounding crystal-like grain boundaries |
| US5877095A (en) * | 1994-09-30 | 1999-03-02 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device having a silicon nitride film made of silane, ammonia and nitrogen |
| JP2001514448A (ja) * | 1997-08-25 | 2001-09-11 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Ｐｅｃｖｄ窒化／酸窒化膜へのリン注入による不揮発性メモリセルの電荷損失の低減 |
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