JPS598342A - はんだ接続されている半導体素子を除去する方法及び装置 - Google Patents
はんだ接続されている半導体素子を除去する方法及び装置Info
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- JPS598342A JPS598342A JP58068518A JP6851883A JPS598342A JP S598342 A JPS598342 A JP S598342A JP 58068518 A JP58068518 A JP 58068518A JP 6851883 A JP6851883 A JP 6851883A JP S598342 A JPS598342 A JP S598342A
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- Die Bonding (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、基板の端子パッドにはんだ慟絖されている素
子を除去するための方法醍び装置べに降る。
子を除去するための方法醍び装置べに降る。
〔１疋米４支術〕
今日の超小型′成子技術に於けるＬＳＩ化の１唄回は、
代数の半導体素子を相互接６−ｉＣＬ目、つ支持する半
導体パッケージの使用化必“堤としている。七の様なパ
ッケージは、例えは、−多数の半導体素子が幕板に於け
る相互接続導体にはんだ１妾続されている多層セラミッ
ク基板より成り得る。その様なパッケージは、米国特♂
Ｆ第４！１０２６２５号の明＾（１判にＡ己戦されてい
る。
代数の半導体素子を相互接６−ｉＣＬ目、つ支持する半
導体パッケージの使用化必“堤としている。七の様なパ
ッケージは、例えは、−多数の半導体素子が幕板に於け
る相互接続導体にはんだ１妾続されている多層セラミッ
ク基板より成り得る。その様なパッケージは、米国特♂
Ｆ第４！１０２６２５号の明＾（１判にＡ己戦されてい
る。
多数の半導体素子を有するこの棟のモジュールが、特に
旨性能のコンピュータのための大量生陀に於て用いられ
るとき、欠陥火有すること力律ずつた１つ又はそれ以北
の素子を父侯する必要が生じ得る。その必要性の確率は
、モジュールに含まれている素子の昼が増加するに従っ
て、増加する。
旨性能のコンピュータのための大量生陀に於て用いられ
るとき、欠陥火有すること力律ずつた１つ又はそれ以北
の素子を父侯する必要が生じ得る。その必要性の確率は
、モジュールに含まれている素子の昼が増加するに従っ
て、増加する。
１１島ぎずれは、成る所与の位置から欠陥素子火除去し
、噛しい素子のための位置を督えてから、その１Ｔｉｒ
Ｉ、い素子を１〆続するための方法を得ることが必嗜
とされる。素子の熱的方法による除去に関する背景技術
の例が、Ｉ Ｂ Ｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌ
ｏｓｕｒｅＢｕｌｌｅｔｉｎ、 第２０巻、第２号、
１９７８年２月、 ”ｇ３７２５頁に於けるＵｓ
ｅ ｏｆ ａ Ｈｅａｔｅｄ、Ｊｅｔ ｔｏ Ｒｅｍｏ
ｖｅ ａ ５ｉｌｉｃｏｎ Ｃｈｉｐ ５ｏｌｄｅｒｅ
ｄｔｏ ａ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ” と題する圓文、及
びその第２１巻、第９号、１９７９年２月、第６５９２
日に於ける“Ｉｎｖｅｒｔｅｄ Ｈｏｔ Ｇａｓ ５ｅ
ｌｅｃｔｅｄＣｈｉｐ Ｒｅｍｏｖａｌ ” と題す
るｉａｉ文に’ｒｅ ｎ＆されている。しかしながら、
最も困難な間１４゛口（ｒｉ、素子が除去された彼に基
板上の（はんだバットを元の状態に戻すことである。１
ｔ（ｌ常、これは、パッドに於けるはんだを、全部でな
（部分的に、除去することによる。その様な方法は、迅
速、ｌｉ’ｉ単、且つ低コストであることがｍましい。
、噛しい素子のための位置を督えてから、その１Ｔｉｒ
Ｉ、い素子を１〆続するための方法を得ることが必嗜
とされる。素子の熱的方法による除去に関する背景技術
の例が、Ｉ Ｂ Ｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌ
ｏｓｕｒｅＢｕｌｌｅｔｉｎ、 第２０巻、第２号、
１９７８年２月、 ”ｇ３７２５頁に於けるＵｓ
ｅ ｏｆ ａ Ｈｅａｔｅｄ、Ｊｅｔ ｔｏ Ｒｅｍｏ
ｖｅ ａ ５ｉｌｉｃｏｎ Ｃｈｉｐ ５ｏｌｄｅｒｅ
ｄｔｏ ａ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ” と題する圓文、及
びその第２１巻、第９号、１９７９年２月、第６５９２
日に於ける“Ｉｎｖｅｒｔｅｄ Ｈｏｔ Ｇａｓ ５ｅ
ｌｅｃｔｅｄＣｈｉｐ Ｒｅｍｏｖａｌ ” と題す
るｉａｉ文に’ｒｅ ｎ＆されている。しかしながら、
最も困難な間１４゛口（ｒｉ、素子が除去された彼に基
板上の（はんだバットを元の状態に戻すことである。１
ｔ（ｌ常、これは、パッドに於けるはんだを、全部でな
（部分的に、除去することによる。その様な方法は、迅
速、ｌｉ’ｉ単、且つ低コストであることがｍましい。
その方法（は、隣接する素子に影響を与えたり、基叡衣
面にイず仕する導体網に損傷を与えたり、又は導体粂片
又（はパッド間に債ましくない短絡回路を生じ得るはん
だの流れに生じたりしてはならない。
面にイず仕する導体網に損傷を与えたり、又は導体粂片
又（はパッド間に債ましくない短絡回路を生じ得るはん
だの流れに生じたりしてはならない。
促米の素子除去技術を用いて行われる、はんだ接抗され
ている素子の除去は、県板のパッド上に多１汁のはんだ
を残す。そのｈｊ′は、その除去技術によって異なるが
、通常ははんだ接続体に用いられたはんだの乍貴の６０
乃至８０悌のｄｉｔｊ囲である。
ている素子の除去は、県板のパッド上に多１汁のはんだ
を残す。そのｈｊ′は、その除去技術によって異なるが
、通常ははんだ接続体に用いられたはんだの乍貴の６０
乃至８０悌のｄｉｔｊ囲である。
そのはんだの１ｔｔＪよ、多ずぎるので、父俟される４
ｊ［しい素子が接続されるｎｉＪに除かれねばならない
。
ｊ［しい素子が接続されるｎｉＪに除かれねばならない
。
その新しい素子の接続操作の゛準１１ｉｎに於ては、概
してはんだ￥情の１０乃至１５４だけがパッド上に残さ
れるべきである。
してはんだ￥情の１０乃至１５４だけがパッド上に残さ
れるべきである。
（＃ｊ、んだを除去する操作は、時間を長々と城し、動
（つく。史に、その操作は、隣阪する素子及び素子接続
体に、そして基板の導体自体にも損傷ケ生じ得る。
（つく。史に、その操作は、隣阪する素子及び素子接続
体に、そして基板の導体自体にも損傷ケ生じ得る。
余分７．ｃｆｆよんだが素子とともに簡便に除去されて
、清浄化操作を必゛要とせずにもう１つの素子を受取る
様にＭ ＩＭｆされている端子パッドが残される、素子
除去技術が必要とされている。
、清浄化操作を必゛要とせずにもう１つの素子を受取る
様にＭ ＩＭｆされている端子パッドが残される、素子
除去技術が必要とされている。
本発明は、仄の素子接続操作に心安とされる不ＦｊＪ欠
な世のはんだだけを残し得る、基板からはんだ接続され
ている素子を除去する装置を提供する。
な世のはんだだけを残し得る、基板からはんだ接続され
ている素子を除去する装置を提供する。
この獲１囃は、素子の平１旦な条面に１糸合する様に通
合されたｌ慴都火有するノンウジングの開放端部と、上
６己ハウジングの内部に加熱された不活性カスヶ導人す
るための導入口と、その加熱されたカスのプこめの排出
口とを有している、甲仝のハウジングより成る。上「１
１２ハウ１ンングの内−ｉ弗には、そらせ根が、上記ハ
ウジングの弗肺から引込んだ端部ケ有する様に設けられ
ている。そのそらせ板は、加翠シさ才したガスを上ｉ己
ノ・ウジングの１１φ↑１１Ｓと１系付している上記索
子の部面に同って下方に方向つげてから上記排出口の外
へ方−ｊづける４’ｆｆ＋ ｉ／（−ｉ’４合されてい
る。
合されたｌ慴都火有するノンウジングの開放端部と、上
６己ハウジングの内部に加熱された不活性カスヶ導人す
るための導入口と、その加熱されたカスのプこめの排出
口とを有している、甲仝のハウジングより成る。上「１
１２ハウ１ンングの内−ｉ弗には、そらせ根が、上記ハ
ウジングの弗肺から引込んだ端部ケ有する様に設けられ
ている。そのそらせ板は、加翠シさ才したガスを上ｉ己
ノ・ウジングの１１φ↑１１Ｓと１系付している上記索
子の部面に同って下方に方向つげてから上記排出口の外
へ方−ｊづける４’ｆｆ＋ ｉ／（−ｉ’４合されてい
る。
又、上用シ素子がヒｎ己ハウジングのト≠怖とに１米侍
され得る様に、憎付手股が、上記ハウジングの開放−Ｍ
竹＋ｓＫ近ｍして一ヒｉ己ハウジングヒに設けられてい
る。上記素子を・昧付し又は踏放する４−ｋに、上記姉
付手段を１刈択Ｅｔ’ｌに付置させる牛１役も収けられ
ている。
され得る様に、憎付手股が、上記ハウジングの開放−Ｍ
竹＋ｓＫ近ｍして一ヒｉ己ハウジングヒに設けられてい
る。上記素子を・昧付し又は踏放する４−ｋに、上記姉
付手段を１刈択Ｅｔ’ｌに付置させる牛１役も収けられ
ている。
本発明は又、史にパッドに処理ケ施すことを必要とせす
にもう１つの半導体６子馨Ｃ（んだ接枕するに光分７Ｃ
はんだの被ＨＨＨだけがパッド上に残される４飛に、セ
ラミック柄版かもはんだ成就すれている千４体索子を除
去する方法ケ展供する。その方法は、上記のはんだ接枕
されている素子を有する上Ｈ己−ＪＮ＆を、はんだ士外
ｉｌη゛シ１杢のｔまんだの１Ｋｋ点よりも１００℃以
上低い温朋に一′？熱し；上記１弓Ａ７だ接幌体のγ＃
１１１度ケ上記はんだの融点よりも晶（迅速に上昇させ
るために、〃０熱された不粘性ガスの限ボされた流れを
上記素子の裏面に選択的に方向づけ；上ｎ己の加熱され
たガスを上記端板に接触させずに除去し；上記の加熱さ
れたガスにより加えられた熱によって上記基板の上部が
上記予熱源１ψよりもかなり高（加熱される前に、上記
基板から上＾己累士を持上げることを含む。この様に上
記素子の迅速な〃ｌＪ熱と、上記素子を持上げるタイミ
ングとを組合わせることにより、上記はんだと上記パッ
ドとの間の界面に大きな温度差を生ぜしめて、上記はん
だ従１洸俸のはんだの８０乃至９０チを上記素子に選択
「ジに付涜させる。
にもう１つの半導体６子馨Ｃ（んだ接枕するに光分７Ｃ
はんだの被ＨＨＨだけがパッド上に残される４飛に、セ
ラミック柄版かもはんだ成就すれている千４体索子を除
去する方法ケ展供する。その方法は、上記のはんだ接枕
されている素子を有する上Ｈ己−ＪＮ＆を、はんだ士外
ｉｌη゛シ１杢のｔまんだの１Ｋｋ点よりも１００℃以
上低い温朋に一′？熱し；上記１弓Ａ７だ接幌体のγ＃
１１１度ケ上記はんだの融点よりも晶（迅速に上昇させ
るために、〃０熱された不粘性ガスの限ボされた流れを
上記素子の裏面に選択的に方向づけ；上ｎ己の加熱され
たガスを上記端板に接触させずに除去し；上記の加熱さ
れたガスにより加えられた熱によって上記基板の上部が
上記予熱源１ψよりもかなり高（加熱される前に、上記
基板から上＾己累士を持上げることを含む。この様に上
記素子の迅速な〃ｌＪ熱と、上記素子を持上げるタイミ
ングとを組合わせることにより、上記はんだと上記パッ
ドとの間の界面に大きな温度差を生ぜしめて、上記はん
だ従１洸俸のはんだの８０乃至９０チを上記素子に選択
「ジに付涜させる。
〔夾１ｊｊ＋ｉ １９りの；況明〕
來１図に於て、はんだ接続されている素子１２乞基板１
４から除去するための装置１０が示されている。（グん
だ檄続体１６が索子１２を基板に接続させており、それ
らの接続体については米国爵１ｆｌ−第−５４’７’５
１３３号の明４１１１刊に呼ｉｉ＋に記載されている。
４から除去するための装置１０が示されている。（グん
だ檄続体１６が索子１２を基板に接続させており、それ
らの接続体については米国爵１ｆｌ−第−５４’７’５
１３３号の明４１１１刊に呼ｉｉ＋に記載されている。
左置１０は、Ｊ對状の上部２０と、１頃＋ｆｉ・Ｆｌ。
た中間部２２と、すぼんだ下部２４とを何するハウジン
グ１Ｂを有している。下部２４は、素子、１２０県１川
と１糸合するＡ−１２にｊｌＡ ｆｔされたト竪杓Ｂ２
６ケ有する開放端部を有している。ハウジング１８（は
、加熱されたガスを核ハウｉクングの内部に導入させる
小入口２８と、その加熱されたガスケ排出する排出口３
０とヲ・ケしている。該ハウジング１８の内部ｖｃは、
使用されたとぎ、上記の加４・へされたガスを素子１２
の部面に向って下方に方向づけてから排出１」６０の外
へ方向づけるセら＋Ｉ：Ａ反５２が＝摸Ｉｆされている
。そらせ＆６２は、ハウジング１８の内１則衣面即ち上
部２０に１糸合する１頃沿［１７た上部３４、及びハ！
７ジングの座部２６から引込んだ端部ン有する・α状の
′Ｆ都６６を荷し７ている。この配置は、加熱されたガ
スが、矢印３８によりホされているηｕ＜、ｉｎ入口２
８から導入されて、系中１２の果閤乞偵切って方１０１
づげられる４＊にする。素子１２ｉ、ｊ：、ボルト４１
でハウ７クングに１米Ｆｆさ才【ている上端、及び１：
１７畑１き２６化超えて越びている下端ケ自゛する、２
つの同量する根ばね索子即ちむ゛ｔｊ伺十段４０によっ
て、ハウジング１８のｌｌ！１部２６に保愕されている
。はね素子４０は、内方にバイアスされており、素子１
２の端笥）に接）咄している。素子１２は、イキ素子１
２とはね素子４００幅都８．の間の暉俳によって然るべ
きＳＬ直に保付されている。
グ１Ｂを有している。下部２４は、素子、１２０県１川
と１糸合するＡ−１２にｊｌＡ ｆｔされたト竪杓Ｂ２
６ケ有する開放端部を有している。ハウジング１８（は
、加熱されたガスを核ハウｉクングの内部に導入させる
小入口２８と、その加熱されたガスケ排出する排出口３
０とヲ・ケしている。該ハウジング１８の内部ｖｃは、
使用されたとぎ、上記の加４・へされたガスを素子１２
の部面に向って下方に方向づけてから排出１」６０の外
へ方向づけるセら＋Ｉ：Ａ反５２が＝摸Ｉｆされている
。そらせ＆６２は、ハウジング１８の内１則衣面即ち上
部２０に１糸合する１頃沿［１７た上部３４、及びハ！
７ジングの座部２６から引込んだ端部ン有する・α状の
′Ｆ都６６を荷し７ている。この配置は、加熱されたガ
スが、矢印３８によりホされているηｕ＜、ｉｎ入口２
８から導入されて、系中１２の果閤乞偵切って方１０１
づげられる４＊にする。素子１２ｉ、ｊ：、ボルト４１
でハウ７クングに１米Ｆｆさ才【ている上端、及び１：
１７畑１き２６化超えて越びている下端ケ自゛する、２
つの同量する根ばね索子即ちむ゛ｔｊ伺十段４０によっ
て、ハウジング１８のｌｌ！１部２６に保愕されている
。はね素子４０は、内方にバイアスされており、素子１
２の端笥）に接）咄している。素子１２は、イキ素子１
２とはね素子４００幅都８．の間の暉俳によって然るべ
きＳＬ直に保付されている。
＋１ｒＴｌ付手段４０火離れた位置から付勢する生膜が
設けられている。補性手段の制胡１は、はね素子４０と
ハウジング１８との１μｊに旧１１＆ｅ’丁１１目にＩ
Ｌ己１Ｈされた、州円形の胡則火何する、２つのカム電
子４２によって達１反される。第２図にボされている如
（、ケーブル４４によるカム索子の回仏は、ばね素子４
０を索子１２のへ部〃）ら外側へ鳴隔させる。素子１２
の？晶１１ト則χピするために、熱゛ｒ元対４６が、１
・に品２６に近世してハウジング１８の下部に装置され
ている。素子１２の温間ン視覚的に表示するために、上
記熱ｉ、Ｍ、対４６からのり一ド脚が沃カフｒ衣下命４
８に播儲されている。更に、熱ｄ１、対４６かもの出力
に、ハウジング１８内に導入される力？を加・４する抵
ｌ冗加Ｊ・へ≠１鉦５０を制〔Ｉするために用いられ得
る。その加熱されたカスは、導入口２８ケ性て）素子１
２０岩開上をｒａｇ、頃されたｆなに、排出（コロ０の
外へ排出される。
設けられている。補性手段の制胡１は、はね素子４０と
ハウジング１８との１μｊに旧１１＆ｅ’丁１１目にＩ
Ｌ己１Ｈされた、州円形の胡則火何する、２つのカム電
子４２によって達１反される。第２図にボされている如
（、ケーブル４４によるカム索子の回仏は、ばね素子４
０を索子１２のへ部〃）ら外側へ鳴隔させる。素子１２
の？晶１１ト則χピするために、熱゛ｒ元対４６が、１
・に品２６に近世してハウジング１８の下部に装置され
ている。素子１２の温間ン視覚的に表示するために、上
記熱ｉ、Ｍ、対４６からのり一ド脚が沃カフｒ衣下命４
８に播儲されている。更に、熱ｄ１、対４６かもの出力
に、ハウジング１８内に導入される力？を加・４する抵
ｌ冗加Ｊ・へ≠１鉦５０を制〔Ｉするために用いられ得
る。その加熱されたカスは、導入口２８ケ性て）素子１
２０岩開上をｒａｇ、頃されたｆなに、排出（コロ０の
外へ排出される。
上記装置６を用いて、セラミック周板η・らばんだ接続
されている半２重体累子な除去する方法欠片いることに
より、−ヒＨＩ２素子を上り己・病、板に接）光してい
る１σんだ接続体火形成している１・よんだの８０乃至
９０＝石が上記素子とともに除去され川る。残された（
ｒ：ｉんだの隼：は、パッド欠酸化から保・隻しそ１７
てパッドの７昇潤１ｆ＋を維ｆ守するために１竹切なｈ
十である。
されている半２重体累子な除去する方法欠片いることに
より、−ヒＨＩ２素子を上り己・病、板に接）光してい
る１σんだ接続体火形成している１・よんだの８０乃至
９０＝石が上記素子とともに除去され川る。残された（
ｒ：ｉんだの隼：は、パッド欠酸化から保・隻しそ１７
てパッドの７昇潤１ｆ＋を維ｆ守するために１竹切なｈ
十である。
この方法によって、ＩＢＭ ＴＤＢ、 シル１８巻、
第５号、１９７５年１０月、第１６８４唾に記載されて
いる如き余分のはんだを除去するだめの従来の操作が不
敗となる。本発明による方法に於ては、除去されるべき
Ｊ：記素子火支付しているＪｋ根が、但ｔして、はんだ
硬＋ｆ体のけんだの融点から１００℃以上低い温１＋（
にゴ・熱される。この予熱温度は、はんだ吸１凭体に用
いられているはんだのシリ１頌及び七配索子ケ除去する
だめの他の条種によって異なり得る。概して、その予熱
温ｒｌｆＪ：、１００乃至２２０℃の範囲、より好まし
くは１８０乃至２００℃の範囲である。それから、はん
だ接続体の温度を極めて迅速にはんだの融点よりも扁く
上昇させるために、加熱された不活性ガスの流れが除去
されるべき上記素子の異面に方向付けられる。この操作
は、前述の械囃を用いて達成されることが好ましい。こ
の加熱工程に於けるはんだ接続体の温度の増加の平均は
、好ましくは毎秒１７乃至２０℃の範囲内である。加熱
された不活性ガスの流れは、その必要な温度の上昇を達
成するために、典型１−ＩＪには４５０乃至５００℃の
任意の４白１項温度に１ル１熱され得る。上記素子の温
度乞悼めて迅速に上昇させるために、加熱されたガスの
流れを限鷺するために用いられている装置が、上記素子
の裏門に保合する様に配置される前に予熱される。その
予熱が達成された後、上記の加熱されたガスにより加え
られた熱によって上記基板の上部が上記↑Ｓ冒晶度より
もかなり高（加熱される前ＶＣ１上記基板から七記票子
が迅速に持上けられる。はんだ接続体のはんだと上弓己
支付基板との間の大きな温１隼差が、上記はんだの…１
０乃至９０雀を上６己基板上のパッドＶこではなく−ｈ
記素子上のはんだパッドに偏択Ｆｌ”ｌに付滑させる粂
Ｙ＋：を生じることが坤嗣）ｔ’Ｊに云える。似して、
はんだ接続体の（１んだの温ＩＷは、その融点よりも４
ｏ乃全６０’Ｃだけ高く加熱される。基板反び該−法板
一ヒのＴｈａｔ、んだパッドは、初めの予熱温度からが
なり嘔い温度に（づ：加熱されない。本発明の方法を実
施するための条妊は、上記素子が基板から持上げられる
とぎに（はんだ＃：伏部のｄんだの８０乃全９Ｄ幅が咳
素子とともに持りげられる様に、上記はんだと基板」二
の１、んだパッドとの間に大きな温度差を生ぜし７める
ために、を土怠を朶く測シピ及び市１ｊ１叩されねばな
らんぐい。
第５号、１９７５年１０月、第１６８４唾に記載されて
いる如き余分のはんだを除去するだめの従来の操作が不
敗となる。本発明による方法に於ては、除去されるべき
Ｊ：記素子火支付しているＪｋ根が、但ｔして、はんだ
硬＋ｆ体のけんだの融点から１００℃以上低い温１＋（
にゴ・熱される。この予熱温度は、はんだ吸１凭体に用
いられているはんだのシリ１頌及び七配索子ケ除去する
だめの他の条種によって異なり得る。概して、その予熱
温ｒｌｆＪ：、１００乃至２２０℃の範囲、より好まし
くは１８０乃至２００℃の範囲である。それから、はん
だ接続体の温度を極めて迅速にはんだの融点よりも扁く
上昇させるために、加熱された不活性ガスの流れが除去
されるべき上記素子の異面に方向付けられる。この操作
は、前述の械囃を用いて達成されることが好ましい。こ
の加熱工程に於けるはんだ接続体の温度の増加の平均は
、好ましくは毎秒１７乃至２０℃の範囲内である。加熱
された不活性ガスの流れは、その必要な温度の上昇を達
成するために、典型１−ＩＪには４５０乃至５００℃の
任意の４白１項温度に１ル１熱され得る。上記素子の温
度乞悼めて迅速に上昇させるために、加熱されたガスの
流れを限鷺するために用いられている装置が、上記素子
の裏門に保合する様に配置される前に予熱される。その
予熱が達成された後、上記の加熱されたガスにより加え
られた熱によって上記基板の上部が上記↑Ｓ冒晶度より
もかなり高（加熱される前ＶＣ１上記基板から七記票子
が迅速に持上けられる。はんだ接続体のはんだと上弓己
支付基板との間の大きな温１隼差が、上記はんだの…１
０乃至９０雀を上６己基板上のパッドＶこではなく−ｈ
記素子上のはんだパッドに偏択Ｆｌ”ｌに付滑させる粂
Ｙ＋：を生じることが坤嗣）ｔ’Ｊに云える。似して、
はんだ接続体の（１んだの温ＩＷは、その融点よりも４
ｏ乃全６０’Ｃだけ高く加熱される。基板反び該−法板
一ヒのＴｈａｔ、んだパッドは、初めの予熱温度からが
なり嘔い温度に（づ：加熱されない。本発明の方法を実
施するための条妊は、上記素子が基板から持上げられる
とぎに（はんだ＃：伏部のｄんだの８０乃全９Ｄ幅が咳
素子とともに持りげられる様に、上記はんだと基板」二
の１、んだパッドとの間に大きな温度差を生ぜし７める
ために、を土怠を朶く測シピ及び市１ｊ１叩されねばな
らんぐい。
次に下す実施１り（１は率に本発明の１りＪ・実施例を
示したものであって、本発明の範囲を何ら限定するもの
ではない。
示したものであって、本発明の範囲を何ら限定するもの
ではない。
実 施 例
米国ｒＦ＝’ｆ７Ｆｒ４ｊ、４６０２６２５号の明＋１
．！ｎ ：４ｊＪ： ＶＣｓピｌＩ＆ ０）ｎｕ＜形成
され、衆面に１００飼の半導体系子が接続されている、
９０Ｘ９０ｍｍの寸法’４（イする、アルミナの′４層
セラミック基板が１ｉＪ４Ｊ＜３れた。各々の半導体系
子Ｖま、３１５°Ｃの融点を有する、９０あの鉛と１０
≠の楊とより成る、１２１１１＋′ｊ（’）はんだ接何
口体に用いて、基板に接続された。各半導体系子は、１
Ｆ）４．６ Ｘ ４．６ ｍｍの寸法を有するシリコン
から形成された。本発明の方法に従ってし−Ｐ去される
ために、接続に欠陥のある又は欠陥を有する１つの基板
が選択された。その基板が、１９０℃の温１￥に抹たれ
ている赤外線による炉中に１０、・げ間装置された。、
前述の装置シが、移動町丁１ヒな支持体上に支持され、
５００’Ｃに加熱された・【素ガスを１由さ才すること
（より予熱され／こ。ノス゛ルの瀧Ｉ緊が３５０℃に達
したときに、上記カスのＩＪ１シれが停止され、上記装
置〈のハウジングが除去されるために１寒択された累子
上に移動されて、上記素子が締付手段により１米狩され
た。加勢された不活性カスの消環が丙び聞がされ、ノズ
ルの温度が媛祭された。１０秒神」こ、ノズルの１品１
現刀１６７５°Ｃに達し、上口（シ索子がりｉ（＆から
狩七げられた。基板が室温迄冷えてから、バッドＦ二に
残され／こｆｄんだの吊：が測シ＝され、それは初めに
上記素子化９＋撃板に成就するために用いられた（はん
だの１１°の…：″ｉ１５％をｉｒｉすことが馬子った
。
．！ｎ ：４ｊＪ： ＶＣｓピｌＩ＆ ０）ｎｕ＜形成
され、衆面に１００飼の半導体系子が接続されている、
９０Ｘ９０ｍｍの寸法’４（イする、アルミナの′４層
セラミック基板が１ｉＪ４Ｊ＜３れた。各々の半導体系
子Ｖま、３１５°Ｃの融点を有する、９０あの鉛と１０
≠の楊とより成る、１２１１１＋′ｊ（’）はんだ接何
口体に用いて、基板に接続された。各半導体系子は、１
Ｆ）４．６ Ｘ ４．６ ｍｍの寸法を有するシリコン
から形成された。本発明の方法に従ってし−Ｐ去される
ために、接続に欠陥のある又は欠陥を有する１つの基板
が選択された。その基板が、１９０℃の温１￥に抹たれ
ている赤外線による炉中に１０、・げ間装置された。、
前述の装置シが、移動町丁１ヒな支持体上に支持され、
５００’Ｃに加熱された・【素ガスを１由さ才すること
（より予熱され／こ。ノス゛ルの瀧Ｉ緊が３５０℃に達
したときに、上記カスのＩＪ１シれが停止され、上記装
置〈のハウジングが除去されるために１寒択された累子
上に移動されて、上記素子が締付手段により１米狩され
た。加勢された不活性カスの消環が丙び聞がされ、ノズ
ルの温度が媛祭された。１０秒神」こ、ノズルの１品１
現刀１６７５°Ｃに達し、上口（シ索子がりｉ（＆から
狩七げられた。基板が室温迄冷えてから、バッドＦ二に
残され／こｆｄんだの吊：が測シ＝され、それは初めに
上記素子化９＋撃板に成就するために用いられた（はん
だの１１°の…：″ｉ１５％をｉｒｉすことが馬子った
。
４図而の田）ｊイ（、な説明
旬も１図は晧板にはんだ＋）ｔ１呪さ寸１ている半導俸
素子上の然るべき位１１イに配ぼされている本弁明によ
る・内直の構７′Ｍを示す琺トυ「開開、第２図は第１
図に示されている・裟ｆＰ（の下方端部を側面から貼て
詳１ｆｌｌｌに示している図である。
素子上の然るべき位１１イに配ぼされている本弁明によ
る・内直の構７′Ｍを示す琺トυ「開開、第２図は第１
図に示されている・裟ｆＰ（の下方端部を側面から貼て
詳１ｆｌｌｌに示している図である。
１０・・・・素子除去装四′、１２・・・（はんだ吸４
・化されている素子、１４・・・・基板、１６・・・・
けんだ接続体、１８・・・・ハウジング、２Ｕ・・・・
ハウジングの上部、２２・・・・ハウジングの中ＩＮ１
部、２４・・・・ハウジングの下ｒｔ１１．２６・・・
・ハウｉクングのｊ半部、２８・・・・導入ＩＪ、３０
・・・・排１」贋−Ｊｌ ６２・・・・そらせ板、６４
・・・・そらせ板の上都、６６・・・・そらせ根のド部
、４０・・・・板はね素子（締付手段）、４１・・・・
ボルト、４２・・・・カム素子、４４・・・・ケーブル
、４６・・・・熟成対、４８・・・・表示器、５ｏ・・
・・抵抗加熱装置−０
・化されている素子、１４・・・・基板、１６・・・・
けんだ接続体、１８・・・・ハウジング、２Ｕ・・・・
ハウジングの上部、２２・・・・ハウジングの中ＩＮ１
部、２４・・・・ハウジングの下ｒｔ１１．２６・・・
・ハウｉクングのｊ半部、２８・・・・導入ＩＪ、３０
・・・・排１」贋−Ｊｌ ６２・・・・そらせ板、６４
・・・・そらせ板の上都、６６・・・・そらせ根のド部
、４０・・・・板はね素子（締付手段）、４１・・・・
ボルト、４２・・・・カム素子、４４・・・・ケーブル
、４６・・・・熟成対、４８・・・・表示器、５ｏ・・
・・抵抗加熱装置−０
Claims (2)
- （１）更にパッドに処理を施すことを必要とせずにもう
１つの半導体素子化はんだ接続するに光分なはんだの被
膜だけがパッド上に残される峰に、セラミック基板から
にｔんだ接続されている半導体素子を除去する方法であ
って、 上記のはんだ従続されている素子ケ有する上記基板を、
はんだ接続体のはんだの融点よりも１００℃以上低い温
度に予熱し、 上記はんだ接続体の温度を上記はんだの鯉点よりも尚く
迅速に上昇させるために、除去されるべき上記素子の裏
面に加熱された不活性ガスの限ポされた流れを選択的に
方間づげ、 」＝１１己の〃口熱されたカスを一ヒ目己所４投に接４
虫させすに除去し、 上記の加熱されたカスにより加えられた熱によって上、
Ｉ鋼ｉ＆の上部が上記予熱温度よりもかなり商く加熱さ
れるｎｉＩに、上記基板から上記系子を持上げ、 上記素子の迅速な加熱と上記素子？：持持上るタイミン
グとの組合せにより、上記（はんだと上記パッドとの間
の屈面に太ぎな温ＩＷ差を生せしめて′、上記はんだ接
続体のはんだの９０パーセント迄乞−上記素子に選択「
１′シに付着させることを含む、はんだ接続されている
半導体素子を除去する方法。 - （２）基板からはんだ接続されている素＋欠除去する装
置であって、 上記のはんだ接繊；されている素子の乎…、な裏向に係
合する様に１１４合された座部を有するハウジングの開
放端部、上記ハウジングの内部に加熱されたカスケ導入
するための導入口、及び上記の加熱されたガスのための
排出口化有している、中空のハウジングと、 上記ハウジングの座部かも引込んだ端部な有する峠に上
記ハウジングの内部に設けられており、使用され７ヒと
ぎ、上記の加熱されたガスケ上記ハウジングの座部と係
合している上記素子の畳面に回って下方に方間づけてか
ら上ｉ己排出口の外、へ方間づける様に］１０合されて
いるそらせ根と、Ｊ：記素子が上記ハウジングの部郡上
に保持され得る様に、上記ハウジングの開放端部に近接
してヒ式己ハウジング北に設けられている市１むイ寸：
←段と、上記素子？保持し又は呵放１−る悸に、上記締
付手段を選択的に付勢させる」二段とを有している、は
んだ阪絖されている素子を除去する装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/392,905 US4444559A (en) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | Process and apparatus for unsoldering solder bonded semiconductor devices |
| US392905 | 1982-06-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598342A true JPS598342A (ja) | 1984-01-17 |
| JPH0144017B2 JPH0144017B2 (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=23552495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58068518A Granted JPS598342A (ja) | 1982-06-28 | 1983-04-20 | はんだ接続されている半導体素子を除去する方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4444559A (ja) |
| EP (1) | EP0097796B1 (ja) |
| JP (1) | JPS598342A (ja) |
| DE (1) | DE3377685D1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60231391A (ja) * | 1984-04-29 | 1985-11-16 | 横田機械株式会社 | 電子部品の半田溶解装置 |
| JPS61141197A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | 富士通株式会社 | フラツトリ−ド形電子部品の取外し方法及びその装置 |
| JPS625680U (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-14 | ||
| JPS6223480U (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-13 | ||
| JPS62271496A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-11-25 | デイジタル イクイプメント コ−ポレ−シヨン | 表面マウント技術の修理ステ−ションおよび表面マウント技術の回路ボ−ドの修理方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4626205A (en) * | 1985-08-08 | 1986-12-02 | Pace, Incorporated | Nozzle structure for air flow soldering/desoldering |
| US4767047A (en) * | 1986-02-01 | 1988-08-30 | The General Electric Company, P.L.C. | Desoldering device |
| FR2604372B1 (fr) * | 1986-09-26 | 1989-02-10 | Thomson Csf | Buse de debrasage pour generateur d'air chaud et generateur d'air chaud equipe d'une telle buse |
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| US11310950B2 (en) | 2019-10-22 | 2022-04-19 | International Business Machines Corporation | Liquid metal infiltration rework of electronic assembly |
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-
1982
- 1982-06-28 US US06/392,905 patent/US4444559A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-04-20 JP JP58068518A patent/JPS598342A/ja active Granted
- 1983-05-06 DE DE8383104480T patent/DE3377685D1/de not_active Expired
- 1983-05-06 EP EP83104480A patent/EP0097796B1/en not_active Expired
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| JPS62271496A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-11-25 | デイジタル イクイプメント コ−ポレ−シヨン | 表面マウント技術の修理ステ−ションおよび表面マウント技術の回路ボ−ドの修理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0144017B2 (ja) | 1989-09-25 |
| EP0097796A3 (en) | 1985-09-04 |
| DE3377685D1 (en) | 1988-09-15 |
| EP0097796B1 (en) | 1988-08-10 |
| US4444559A (en) | 1984-04-24 |
| EP0097796A2 (en) | 1984-01-11 |
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