JPS5984358A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、希土類元素と鉄族元素を主成分とする非晶質
磁性薄膜を有し、膜面と垂直方向に磁化按易方向を有す
る光磁気記録媒体に関するものである。

従来から、希土類元素とＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの鉄族元素を
主成分とする一部又は全部が非晶質磁性薄膜は膜面と垂
直な方向に磁化容易軸を有す。Ｓ極あるいはＮ極に全面
磁化さ、＋また膜面に、逆向きの小さな（１μｍ径程度
）スポット（ヒ：、／ｌ・）状の反転磁化を作ることが
出来る。この反転磁区の有無を「１」、「０」に対応す
ることによってデジタル信号とした磁気メモリー媒体と
して用いることができる。このような磁性薄膜のつぢ室
温に近いキューリ一点（Ｔ　ｃ）あるいは補償温度をも
つ化合物・合金は、レーザー光等の光又（ｑ熱的効果に
よって任意の位置に任意の大きさ・形状の反転磁区を作
ることが出来る。こ１Ｌｆｅ利用することによって情報
を記録することが可能であり、ディスク、テープ、ソー
ト状の光磁気メモリー媒体として利用することが可能と
なりつつある。そして読み出す方法として、磁気カー効
果やファラデー効果を利用する方式が用いられている。

従来、公知であるｊ漠面と垂直な方向に磁化容易軸を有
し、かつ光ビームによυ情報全書き込み、読み出せる（
臓性膜合金としては、多結晶としてＭｎＴ３ｉ、ＭｎＣ
ｕＴ３ｉ、Ｐｔ−Ｃｏ、　ｃｏＯｒ、　　単結晶として
Ｇｄ工（）、ＴｂＦｅ０．ＹＧａＩＧ　、ＢｉＳｍＫ　
ｒ　（１ａ　工Ｇ　＋そして非晶）肖としてＧｄ０Ｏ，
ＴｂＦｅ。

ＤｙＦｅ　、　ＧｄＦｏＢｉ　、　ＧｄＴｂＦｅ　、　
ＴｂＤｙＦｅがあるが、この中でも非晶′Ａ磁磁性吸戻
合金良い材料として知られている。

しかし上述した非晶質磁性膜合金は書込み感度が良く、
媒体ノイスが少なく、垂直磁気異方性の大面積が安定に
作製出来る。又、磁気ｔｊを性も適当に良いが、読み出
し性能（Ｓ／Ｎ比）に大きな影響を与えるカー回転角（
θＫ）が小さく、その１ヒめにＳ／Ｎ比が・」・さくな
り、光磁気記録媒体として使用することは困難であると
いう欠点を有している。

本発明ｒ１、上記の従来の欠点を改良し、θＫを太きく
し、Ｓ／Ｎ比が優れた光６ＰＩ気記ｈ、媒体を提供する
ことにある。

本発明の光磁気記録媒体は、膜面に垂直な大部分の方向
が良化容易軸と両気異方性盆有するものてをり、キュー
リ一点（ＴＣ）および補償温度（Ｔ　ｃｏ＋ｎｐｔ　）
が室温に近く′５０℃〜２００℃を有する大部分が非晶
質状態の薄膜である。

ぞして従来から希土類元素（Ｒ）のＧ　（１，、Ｔ　１
１　。

ＤＹ　＋　とＰ′θ、ＣＯの上記非晶鈎合金に光磁気効
果、　Ｔ　Ｏ、Ｔ　ｃｏｍｐｔが比較的良いことから光
（１蝕気Ｆｔｅ録媒体として注目され、研究が進めら〕
１でいる。

しかし、よジ優すした記録媒体と−ｌるには、θにの大
きな優れたものにする必凹がある。θＫを太きくするこ
とにより、読出し性能（ｓ／ＮＪｔ）を良く疫ることが
大切である。そしてθＫが大きく、しかもＴ　ｃ　、　
Ｔ　ｃｏｍｐｔ、磁気特性は従来の媒体と変らないか、
又はより優ｉ１Ｌ媒体か必波である。

今までにもθＫを太きくするために、Ｏｒ、Ｎｉ。

ＢＬ、Ｏｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｎ、ｃｏ　等の添加による
改良が試みらねでいる。

本発明では、θＫが太きくなり、しかもその他の特性で
あるＴ　Ｃ、Ｔ　ＣＯｍｐ’ｔ、　、　磁気特性等はほ
とんど悪くならない添加元素として、Ｔｉ、Ｚｒ。

Ｈｆ０ＩＶＢ族、Ｖ、Ｎｂ、ＴａのＶＢ族、ＭＯ。

ＷのＶｊＢ族、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅの〜ＩＢ族、Ｒｕ。

Ｒｈ、Ｐａ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの■Ｂ族を発明したこと
にある。しかもこれらはＲとしてＧｄ。

Ｔｂ、Ｄｙ以外のＳ　Ｃ＋　Ｙ　＋　Ｌ　ａ　＋　Ｏｅ
　＋　Ｐ　ｒ　ＩＮａ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｆ３
ｒ、Ｔｍ。

Ｙｂ、Ｌｕでも同様に効果があることケ確認できた。

、り下、本発明の詳細な説明する。

Ｒ（、＝　Ｏｄ　、　Ｔ　ｂ　、　］）　ｙ　）とＴ（
＝ＣＯ１Ｆθ）の非晶買会金膜ＲＸＴｔ−１Ｂ、−Ｈ従
来から０，１≦ｘく０．４と広く知られている通シであ
る。（例えば特願昭５５−３０２５１．５５−１７０２
３９　。

５５−３７３４７　　　５Ｌｌ−１（１７１０７５１−
２５５３４，５１−２５５３，１牙）そしてこオ］らば
、Ｔ　ｃ　、　Ｔ　ｃｏｒｎｐｔが５０℃−２００℃で
あり、適当な磁気特性（Ｍｓ　、Ｈｃ　、Ｋｕ）を有し
、垂１ばな磁化容易１１ＩｌＩＩを持つ媒体である。そ
してこれらはスパッター装置、真空＆着装置、イオンプ
レーディング装置、その他の多くの無電解メッキ法によ
って作製される。一般にターゲットは溶ｙｆ（法。

粉末凝固法、あるいはＲとＴの面積比による法等で作製
さ′ｔする。そして基機に７リコンウエノ・−。

ガラス、ＰＭＭＡ材等上に５０Ａ−数ｌｌ程ｊ現の膜が
形成さね、る。我々も同様にして膜を作製した。

そしてθＫをカー回転角？Ｉｌす定暑：（によって測定
し７た結果を、２Ａ１図、第２図に示したものである。

第１図においてはＲ＝ＧｃＬ　、　Ｔｂ　、　Ｔ　＝Ｃ
ｏ　、　Ｆｅの場合で、Ｘ（は０．１≦Ｘ≦０．４の範
囲ではいずれもほぼ左点の、ｙ＝ｏでのθにの値である
。

そしてＭ”Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｗ、Ｍｎ、ＲｅでＹが０．
０１＜Ｙ＜０．４の間でｉ♀１加し７でいる。そ］１以
上では、あ″！、９効果が良くないようである１、この
結果は、本発明の他のＲ、’ｒ　、　Ｍｒ、）元素につ
いてもいずハ、も同様である。しかも従来の媒体に比べ
他の特性はほとんど変化が無いが、むしろ（ｉＢ気時特
性ｆｌ　ｃ等にｔ良くなっていた。

第２図においてもＭ＝Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｒｈ。

Ｏｅ、Ｐｔの例を示し１ζが、第１図の場合と１ＦＩ＋
様であった。そして特にＺｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ等の効
果は太きいようである。こ第１．らの図ばいずわ。

も代表的な結果であるが、本発明ＯＲ，Ｔ、Ｍの多くの
組合せにおいても同様の結果が得らねでいる。更に本分
、明のＭは、多結晶膜、単結晶ｊ摸にも有効である。

以上説明した本発明の光碌気記録媒体は、カー効果又は
）゛アラデー効果を利用して読出しを行なう。ただし書
込みは、レザー光等の元ビームを用いてその光熱磁気効
果を利用するものである。このように、ビーム・アドレ
ッサブルメモリとして利用できる宵き換え可能なメモリ
ーとなる。そしてθに太のためＳ／Ｎが優れ、ファイル
、コンピュータ、オーディオ、ビデオ用の書き換え可能
メモリーとして広く応用することが可能である。そして
７１き込み、読出し、消去等がＡｒ、Ｈｅ−Ｎｅそして
半導体レーザー（例えばＧａ−Ａμ・Ａｓ等）によって
可能とイーることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は（Ｒｘ　’Ｉ’１−Ｘ）１−Ｙ　Ｍｙ　　にお
いて、Ｒ−Ｃ）ｄ、Ｔｂ、Ｔ＝Ｏｏ、Ｆｅ、０．１≦Ｘ
≦３．４の組成にＭ　＝Ｚ　ｒ　！　Ｈｆ　ｒ　Ｖ　＋
　Ｗ−Ｍ　ｎ　＋　Ｒｅ　ｆ加えた［Ｐｌのカー回転角
θにと原子比Ｙの関係紫示ずグラフである。 第２図は（Ｒｘ　Ｔ１−Ｘ）１−Ｙ　Ｍｙ　　において
、Ｒ：Ｇ　ｃｌ　、　Ｄ　ｙ　、　Ｕ　ｂ　、　Ｔ　＝
　Ｏｏ　Ｆｅ、１１．１ニＸ［，１，４の組成にＭ＝Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｒｌｔ、Ｏｅ、Ｐｔｉ加えた１１すい
カー回転角θにと原子比Ｙの１．ジ４係を示すグラフで
ある。 」ユノ、１− 出願人　株式会社　巣二＃４ｔ　、−１１舎□Ｙ−一一
十 第２図 ０　　　　’０１　　　０．２　　０３　　　θ４　０
５　　θ６　　θ７□Ｙ−〉

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合
   金において、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ。 Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｅ
   。 工ｒ、Ｐｔ　　の１　ｆｉ！以上を含有することを特徴
   とした薄膜光磁気記録媒体。
2. （２）合金の一般式（ＲＸＴＩ−ｘバーｘＭｘ　　（Ｒ
   はＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙが１種以上である。址たＴは、Ｃｏ
   ；Ｆｅが１押以上である。Ｍは％ｆ′ｆ請求の範囲第１
   項記載の１種以上の元素である。そしてＸは、０．１≦
   Ｘ≦０．４．Ｙは０．０１（Ｙ／Ｑ、４である。）で示
   される組成を有する特許Ｇ１７求の範囲第１項記載の薄
   膜光磁気記録媒体。
3. （３）　　Ｒ，はＧｃｌ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ
   、Ｏｅ。 Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、　Ｓｍ、ｍｕ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、
   Ｙ′ｂ。 Ｌｕが１種以上である特許請求の範囲第２項記載の薄膜
   磁気記録媒体。