JPS5984585A - 薄膜太陽電池の連続製造装置 - Google Patents
薄膜太陽電池の連続製造装置Info
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- JPS5984585A JPS5984585A JP57194756A JP19475682A JPS5984585A JP S5984585 A JPS5984585 A JP S5984585A JP 57194756 A JP57194756 A JP 57194756A JP 19475682 A JP19475682 A JP 19475682A JP S5984585 A JPS5984585 A JP S5984585A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film solar
- thin film
- film
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/137—Batch treatment of the devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜太陽１電池の多量生産に好適な薄膜太陽電
池の連続製造装置に関するものである。
池の連続製造装置に関するものである。
一般に簿膜太陽電池は、半導体薄膜を利用した光電変換
素子で構成され、例えば電卓、腕時計。
素子で構成され、例えば電卓、腕時計。
電子ゲーム等の電源として広く用いられている。
そして、この手心体膜としては通常非晶質シリコン（以
下ａ−８１という）が使用され、代表的な素子構造は第
１図に要部断面図で示すような構成を有している。同図
において、１は基板、２は下部電極、３はｐ型ａ−８ｉ
、４はｉ型ａ−８ｉ、５はｎ！ａ−ｓｉ、６は上部電極
である。なお、ｐ型ａ−８ｉ３とｎ型ａ−８ｉ６との位
置は逆であっても良い。
下ａ−８１という）が使用され、代表的な素子構造は第
１図に要部断面図で示すような構成を有している。同図
において、１は基板、２は下部電極、３はｐ型ａ−８ｉ
、４はｉ型ａ−８ｉ、５はｎ！ａ−ｓｉ、６は上部電極
である。なお、ｐ型ａ−８ｉ３とｎ型ａ−８ｉ６との位
置は逆であっても良い。
このように構成される薄膜太陽電池は、通常基板１には
例えば透光性ガラス板等の透光性絶縁体基板が用いられ
、下部電極２には例えばスパッタリング、真空蒸着法等
によシ形成された酸化インジウム、酸化すず等の透明導
電Ｍが用いられる。
例えば透光性ガラス板等の透光性絶縁体基板が用いられ
、下部電極２には例えばスパッタリング、真空蒸着法等
によシ形成された酸化インジウム、酸化すず等の透明導
電Ｍが用いられる。
寸た、ｐ型ａＳｉ３．ｉ型ａ−８１４，ｎ型ａ−８ｉ５
は、通常シラン（ｓｉＨ４）と適量のアルゴン（Ａｒ）
または水素（Ｂ２）とを含む減圧雰囲気中でプラズマＣ
ＶＤ法によシ形成され、ｐ型ａｓｉ３の形成時にはシボ
ラン（Ｂ２ Ｈ６）、ｎ 型ａ−８ｉ ６の形成時には
ホスフィン（ＰＨａ）がドーピングガスとして少量添加
される。さらに上部電極６には例えばスパッタリング、
真空蒸着法などによシ形成されたアルミニヴム、クロム
、ステンレス等の金属膜が用いられる。
は、通常シラン（ｓｉＨ４）と適量のアルゴン（Ａｒ）
または水素（Ｂ２）とを含む減圧雰囲気中でプラズマＣ
ＶＤ法によシ形成され、ｐ型ａｓｉ３の形成時にはシボ
ラン（Ｂ２ Ｈ６）、ｎ 型ａ−８ｉ ６の形成時には
ホスフィン（ＰＨａ）がドーピングガスとして少量添加
される。さらに上部電極６には例えばスパッタリング、
真空蒸着法などによシ形成されたアルミニヴム、クロム
、ステンレス等の金属膜が用いられる。
また、このように構成される薄膜太陽電池を製作するに
は、例えばスパッタリング装置を用いて、基板１上に下
部電極２を形成した後、この基板１を大気中に取り出し
、プラズマＣＶＤ装置に搬入して下部電極２上にｐ 型
ａ−８ｉ ３ ｒ ’型ａ−８ｉ４゜ｎ型ａＳｉ５を順
次積層して形成する。次にこの基板１をスパッタリング
装置に搬入して上部電極６を形成して素子を発成する。
は、例えばスパッタリング装置を用いて、基板１上に下
部電極２を形成した後、この基板１を大気中に取り出し
、プラズマＣＶＤ装置に搬入して下部電極２上にｐ 型
ａ−８ｉ ３ ｒ ’型ａ−８ｉ４゜ｎ型ａＳｉ５を順
次積層して形成する。次にこの基板１をスパッタリング
装置に搬入して上部電極６を形成して素子を発成する。
しかしながら、このような製造方法によると、下部電極
２とａ −Ｓ ｉ層との界面およびａ−８ｉ層と上部電
極６との界面が大気にさらされるために素子特性に悪影
響をおよぼすのみならず、スパッタリング装ｆｉｆとプ
ラズマＣＶＤ装置との間の基板１の移し替え、両者の装
置の排気停に多大な時間を要し、量産性に問題があった
。
２とａ −Ｓ ｉ層との界面およびａ−８ｉ層と上部電
極６との界面が大気にさらされるために素子特性に悪影
響をおよぼすのみならず、スパッタリング装ｆｉｆとプ
ラズマＣＶＤ装置との間の基板１の移し替え、両者の装
置の排気停に多大な時間を要し、量産性に問題があった
。
このような問題を改善したものとしては、第２図に要部
断面図で示すような薄膜太陽電池の連続製造装置が近年
発明者らによって提案されている。
断面図で示すような薄膜太陽電池の連続製造装置が近年
発明者らによって提案されている。
すなわち、同図において、１０は例えばステンレス板材
によって形成された真空容器、１１は例えば長尺のステ
ンレス薄板または高分子樹脂フィルムがリール１２にロ
ール巻きされかつ矢印入方向に巻き出される可撓性基板
（以下基板と称する）であシ、この基板１１はステンレ
ス薄板の場合にはａ Ｓｉ層形成面上に例えば高分子
樹脂膜などの電気的絶縁性を有する絶縁膜が予め被着形
成されている。１３は基板１１を収納配置するローディ
ング槽、１４は基板１１上に前記下部電極２を形成する
第１の成膜槽、１５はその蒸発源、１６は独立した排気
系を有する第１の中間槽、１７は基板１１の前記下部電
極２上に前記ｐ型ａ−８ｉ３゜ｉ型ａ−８ｉ４およびｎ
型ａ−８ｉ５からなるａ−８ｉ層を形成する第２の成膜
槽、１８はその成膜用電極、１９は独立した排気系を有
する第２の中間槽、２０は基板１１の前記ａ−８ｉ層上
前記上部電極６を形成する第３の成膜槽、２１はその蒸
発源８．２２は上部電極６が形成された基板１１を巻取
シ用リール２３で矢印Ａ方向に巻き取って格納するアン
ローディング槽、２４は各種１３，１４，１６，１７゜
１９．２０．２２にそれぞれ独立して結合されて所犀の
真空度に減圧させる真空ポンプ、２５は各種１３゜１４
．１６，１７，１９，２０．２２の隈接する各隔壁の所
定位置に設けられて基板１１を連続的に通過させるスリ
ットである。なお、第２の成膜槽１７はｐ型ａ−８ｉ用
、ｉ型ａ−８ｉ用、ｎ型ａ−８ｉ用のそれぞれ専用の成
膜槽として３槽に分割されている場合もある。その場合
、その各々の成膜槽間には１個以上の中間槽が配置され
る。
によって形成された真空容器、１１は例えば長尺のステ
ンレス薄板または高分子樹脂フィルムがリール１２にロ
ール巻きされかつ矢印入方向に巻き出される可撓性基板
（以下基板と称する）であシ、この基板１１はステンレ
ス薄板の場合にはａ Ｓｉ層形成面上に例えば高分子
樹脂膜などの電気的絶縁性を有する絶縁膜が予め被着形
成されている。１３は基板１１を収納配置するローディ
ング槽、１４は基板１１上に前記下部電極２を形成する
第１の成膜槽、１５はその蒸発源、１６は独立した排気
系を有する第１の中間槽、１７は基板１１の前記下部電
極２上に前記ｐ型ａ−８ｉ３゜ｉ型ａ−８ｉ４およびｎ
型ａ−８ｉ５からなるａ−８ｉ層を形成する第２の成膜
槽、１８はその成膜用電極、１９は独立した排気系を有
する第２の中間槽、２０は基板１１の前記ａ−８ｉ層上
前記上部電極６を形成する第３の成膜槽、２１はその蒸
発源８．２２は上部電極６が形成された基板１１を巻取
シ用リール２３で矢印Ａ方向に巻き取って格納するアン
ローディング槽、２４は各種１３，１４，１６，１７゜
１９．２０．２２にそれぞれ独立して結合されて所犀の
真空度に減圧させる真空ポンプ、２５は各種１３゜１４
．１６，１７，１９，２０．２２の隈接する各隔壁の所
定位置に設けられて基板１１を連続的に通過させるスリ
ットである。なお、第２の成膜槽１７はｐ型ａ−８ｉ用
、ｉ型ａ−８ｉ用、ｎ型ａ−８ｉ用のそれぞれ専用の成
膜槽として３槽に分割されている場合もある。その場合
、その各々の成膜槽間には１個以上の中間槽が配置され
る。
このように構成された薄膜太陽電池の連続製造装置にお
いては、長尺の基板１１を、スリット２５を通して第１
の成膜槽１４．第１の中間槽１６゜第２の成膜槽１１．
第２の中間槽１９および第３の成膜槽２０内を矢印入方
向に所定のピッチで連続的に搬送させ、第１．第２．第
３の成膜槽１４゜１７．２０内を所定の真空度に減圧し
て保持させ、さらに第１．第２の中間槽１６．１９内を
第１．第２、第３の成膜槽１４．１７，２０よシも高い
真空度に減圧させて各成膜槽１４，１７，２０で所だの
成膜を行なうことによって、基板１１上に下部電極２゜
ｐ型ａｓｉ３．ｉ型ａ−８ｉ４１ｎ型ａ−８ｉ５および
上部電極６の各薄膜パターンが順次積層配置されて薄膜
太陽電池素子が連続的に形成される。
いては、長尺の基板１１を、スリット２５を通して第１
の成膜槽１４．第１の中間槽１６゜第２の成膜槽１１．
第２の中間槽１９および第３の成膜槽２０内を矢印入方
向に所定のピッチで連続的に搬送させ、第１．第２．第
３の成膜槽１４゜１７．２０内を所定の真空度に減圧し
て保持させ、さらに第１．第２の中間槽１６．１９内を
第１．第２、第３の成膜槽１４．１７，２０よシも高い
真空度に減圧させて各成膜槽１４，１７，２０で所だの
成膜を行なうことによって、基板１１上に下部電極２゜
ｐ型ａｓｉ３．ｉ型ａ−８ｉ４１ｎ型ａ−８ｉ５および
上部電極６の各薄膜パターンが順次積層配置されて薄膜
太陽電池素子が連続的に形成される。
このように可もａ性基板１１を用いる薄膜太陽電池にお
いては、基板１１上に薄膜パターンを形成する際、特に
ａ −Ｓ ｉ層を形成するときに基板１１を約３００℃
程度に加熱する必要があることから、基板１１としては
耐熱性の良好な例えばポリイミド樹脂フィルムなどの高
分子樹脂フィルムまたはポリイミド４；ｉ層脂を表面に
薄くコーティングした例えばステンレス薄板などの金属
薄板がよく用いられる。
いては、基板１１上に薄膜パターンを形成する際、特に
ａ −Ｓ ｉ層を形成するときに基板１１を約３００℃
程度に加熱する必要があることから、基板１１としては
耐熱性の良好な例えばポリイミド樹脂フィルムなどの高
分子樹脂フィルムまたはポリイミド４；ｉ層脂を表面に
薄くコーティングした例えばステンレス薄板などの金属
薄板がよく用いられる。
しかしながら、通常のポリイミド樹脂表面は大気中での
変質、汚染６等によシネ活性となっているため、第１層
目の薄膜、すなわちステンレス、Ｍ笠からなる前記下部
型１ｖｉ、 ２との密着性が悪く、膜が剥離しやすいと
いう問題があった。
変質、汚染６等によシネ活性となっているため、第１層
目の薄膜、すなわちステンレス、Ｍ笠からなる前記下部
型１ｖｉ、 ２との密着性が悪く、膜が剥離しやすいと
いう問題があった。
とのよ・うな問題点を改善するためには基板１１の表面
を酸素またはアルゴン等の不活性ガスイオンで逆スパツ
タして表面を活性化すると密着性が向上することが知ら
れているが、逝スパッタを行なう場合、通常は減圧酸素
または不活性ガス写囲気中で基板１１に負の高電圧を印
加してグロー放電を起し、発生した陽イオンを基板１１
に衝突させて行なう。
を酸素またはアルゴン等の不活性ガスイオンで逆スパツ
タして表面を活性化すると密着性が向上することが知ら
れているが、逝スパッタを行なう場合、通常は減圧酸素
または不活性ガス写囲気中で基板１１に負の高電圧を印
加してグロー放電を起し、発生した陽イオンを基板１１
に衝突させて行なう。
しかしながら、連続製造装置の場合には、逆スパツタを
行なうために基板１１に負電圧を印加すると、成膜中の
基板１１も同′ｆｆｔ、位となってしまい、所要の特性
を有する膜が得られなくなるので、通常の逆スパツタを
行なうことが不可能であった。
行なうために基板１１に負電圧を印加すると、成膜中の
基板１１も同′ｆｆｔ、位となってしまい、所要の特性
を有する膜が得られなくなるので、通常の逆スパツタを
行なうことが不可能であった。
したがって本発明は前述した問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、下部電極の基板上
への密着性を向上させ、膜剥離のない高品質の薄膜太陽
電池が生産性良く得られる簿膜太陽電池の連続製造装置
を提供することにある。
のであり、その目的とするところは、下部電極の基板上
への密着性を向上させ、膜剥離のない高品質の薄膜太陽
電池が生産性良く得られる簿膜太陽電池の連続製造装置
を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、第１層目の
薄膜パターンが形成される前の基板の表面に酸素または
不活性ガスのイオンを照射するイオン源を設けたもので
ある。
薄膜パターンが形成される前の基板の表面に酸素または
不活性ガスのイオンを照射するイオン源を設けたもので
ある。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。第
３図は本発明による薄膜太陽電池の連続製造装置の一例
を示す要部断面構成図であり、第２図と同記号は同一要
素となるのでその説明は省略する。同図において、基板
１１のローディング槽１３と第１の成膜槽１４との間に
は、基板１１の表面にイオンビームを照射させるイオン
源２６を収納したイオン形成槽２７と、イオン形成槽２
７および第１の成膜槽１４よシも高い真空度に減圧させ
る第３の中間槽２８とが連結して設けられている。なお
、これらの６槽２７，２Ｂには該槽２７゜２８内を所定
の真空度に減圧させる真空ポンプ２４および基板１１を
通過させるスリット２５がそれぞれ設けられておシ、基
板１１はイオン源２６のイオン放射口と対向して配置さ
れている。第４図は前述したイオン源２６の要部拡大断
面図である。
３図は本発明による薄膜太陽電池の連続製造装置の一例
を示す要部断面構成図であり、第２図と同記号は同一要
素となるのでその説明は省略する。同図において、基板
１１のローディング槽１３と第１の成膜槽１４との間に
は、基板１１の表面にイオンビームを照射させるイオン
源２６を収納したイオン形成槽２７と、イオン形成槽２
７および第１の成膜槽１４よシも高い真空度に減圧させ
る第３の中間槽２８とが連結して設けられている。なお
、これらの６槽２７，２Ｂには該槽２７゜２８内を所定
の真空度に減圧させる真空ポンプ２４および基板１１を
通過させるスリット２５がそれぞれ設けられておシ、基
板１１はイオン源２６のイオン放射口と対向して配置さ
れている。第４図は前述したイオン源２６の要部拡大断
面図である。
同図において、２９は電気絶縁性部材からなるイオン化
室、３０はイオン化室２９内に０２またはＡｒガスを注
入するバルブ、３１はイオン化室２９内に配設された陽
極、３２は陽極３１に対向配置された陰極、３３は陰極
３２と基板１１との間に相互に配設された加速電極、３
４は陽極３１と陰極３２との間に所定の電圧を与える第
１の電源、３５ｔよ陰極３２と加速電極３３との間に所
定の高電圧を与える第２の電源である。この場合、基板
１１および加速電極３．３はアースに接地されている。
室、３０はイオン化室２９内に０２またはＡｒガスを注
入するバルブ、３１はイオン化室２９内に配設された陽
極、３２は陽極３１に対向配置された陰極、３３は陰極
３２と基板１１との間に相互に配設された加速電極、３
４は陽極３１と陰極３２との間に所定の電圧を与える第
１の電源、３５ｔよ陰極３２と加速電極３３との間に所
定の高電圧を与える第２の電源である。この場合、基板
１１および加速電極３．３はアースに接地されている。
このようなＩｊｉ′を成において、イオン化室２９内に
バルブ３０を介して注入式れた減圧ガスは、このイオン
化室２９内の陽極３１と陰極３２との間でグロー放１ｋ
Ｌを起してイオン化され、加速電極３３によシ加速され
てイオンビームとして取シ出され、基板」１の表面に照
射されることになる。
バルブ３０を介して注入式れた減圧ガスは、このイオン
化室２９内の陽極３１と陰極３２との間でグロー放１ｋ
Ｌを起してイオン化され、加速電極３３によシ加速され
てイオンビームとして取シ出され、基板」１の表面に照
射されることになる。
このように（１４成された薄膜太陽電池の連続製造装置
において、ローディング槽１３から巻き出された基板１
１は、アース電位の状態でイオン形成槽２７でイオン源
２６からイオンビームが照射され、高分子樹脂膜表面が
活性化されて表面処理される。そして、引き続き第１の
成膜槽１４内に搬送されてこの表面処理された篩分子樹
脂膜上に前述した下部電極２が成膜される。以後前述と
同様の工程を経て薄膜太陽電池が連続的に形成される。
において、ローディング槽１３から巻き出された基板１
１は、アース電位の状態でイオン形成槽２７でイオン源
２６からイオンビームが照射され、高分子樹脂膜表面が
活性化されて表面処理される。そして、引き続き第１の
成膜槽１４内に搬送されてこの表面処理された篩分子樹
脂膜上に前述した下部電極２が成膜される。以後前述と
同様の工程を経て薄膜太陽電池が連続的に形成される。
乙のような構成によれば、基板１１がアース電位の状態
で、他の成膜に影響を与えることなく、基板１１の表面
を連続的に活性化することができる０ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、基板がアース電位
の状態で逆スパツタと同等の効果の基板表面処理が可能
となるので、下部電極の基板への密着性が大幅に向上で
き、膜剥離のない高品質の薄膜太陽電池が生産性良く得
られるという極めて優れた効果を有する。
で、他の成膜に影響を与えることなく、基板１１の表面
を連続的に活性化することができる０ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、基板がアース電位
の状態で逆スパツタと同等の効果の基板表面処理が可能
となるので、下部電極の基板への密着性が大幅に向上で
き、膜剥離のない高品質の薄膜太陽電池が生産性良く得
られるという極めて優れた効果を有する。
第１図、は薄膜太陽電池の一例を示す要部断面構成図、
第２図は近年発明者らにより提案されている薄膜太陽電
池の連続製造装置の一例を示す要部断面構成図、第３図
は本発明による薄膜太陽電池の連続製造装はの一例を示
す要部断面４，７；成図、第４図は第３図のイオン汀を
示す要部拡大断面図である。 １０・・・・真空容器、１１・・・・ｑ掃性基板（基板
）、１２・・・・リール、１３・・・・ローディング十
り、１４・・・・第１の成月哀（傅、１５・・・・蒸５
Ａ源、１６・・・・第１の中間槽、１７・・・・第２の
成ｊ換僧、１８・・・・成膜用電極、１９・・・・第２
の中間槽、２０・・・・第３の成膜槽、２１・・・・蒸
発源、２２・・・・アンローディング（曹、２３・・・
・巻取り用リール、２４・・・・真空ポンプ、２５・―
・・スリット、２６・・・・イオン源、２Ｔ・・・・イ
ソン形成槽、２８・・・・第３の中間イ・旭 ２９・・
・・イオン化−Ｔ、 ３０・・・・バールブ、３１・
・・・陽極、 ３２ ・ ・ ・ ・ 陰イ・（、３
３・ ・ ・ ・ １川；・ｌ１１１尤極、３４・・・
・第１の電源、３５・・・・第２の電源。 代理人 弁理士薄田利幸 第１図 第２図 ｎ 第３図 第４図
第２図は近年発明者らにより提案されている薄膜太陽電
池の連続製造装置の一例を示す要部断面構成図、第３図
は本発明による薄膜太陽電池の連続製造装はの一例を示
す要部断面４，７；成図、第４図は第３図のイオン汀を
示す要部拡大断面図である。 １０・・・・真空容器、１１・・・・ｑ掃性基板（基板
）、１２・・・・リール、１３・・・・ローディング十
り、１４・・・・第１の成月哀（傅、１５・・・・蒸５
Ａ源、１６・・・・第１の中間槽、１７・・・・第２の
成ｊ換僧、１８・・・・成膜用電極、１９・・・・第２
の中間槽、２０・・・・第３の成膜槽、２１・・・・蒸
発源、２２・・・・アンローディング（曹、２３・・・
・巻取り用リール、２４・・・・真空ポンプ、２５・―
・・スリット、２６・・・・イオン源、２Ｔ・・・・イ
ソン形成槽、２８・・・・第３の中間イ・旭 ２９・・
・・イオン化−Ｔ、 ３０・・・・バールブ、３１・
・・・陽極、 ３２ ・ ・ ・ ・ 陰イ・（、３
３・ ・ ・ ・ １川；・ｌ１１１尤極、３４・・・
・第１の電源、３５・・・・第２の電源。 代理人 弁理士薄田利幸 第１図 第２図 ｎ 第３図 第４図
Claims (1)
- 減圧された複数の成膜槽内に可撓性基板を通過させ、該
基板上に複数種の薄膜を順次積層して薄膜太陽電池素子
を形成する薄膜太陽電池の連続製造装置において、前記
薄膜の第１層目が形成される前の基板表面にガスイオン
を照射するイオン源を設けたことを特徴とする薄膜太陽
電池の連続製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194756A JPS5984585A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 薄膜太陽電池の連続製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194756A JPS5984585A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 薄膜太陽電池の連続製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984585A true JPS5984585A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16329708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57194756A Pending JPS5984585A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 薄膜太陽電池の連続製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984585A (ja) |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP57194756A patent/JPS5984585A/ja active Pending
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