JPS5986204A - 磁性体 - Google Patents
磁性体Info
- Publication number
- JPS5986204A JPS5986204A JP57196553A JP19655382A JPS5986204A JP S5986204 A JPS5986204 A JP S5986204A JP 57196553 A JP57196553 A JP 57196553A JP 19655382 A JP19655382 A JP 19655382A JP S5986204 A JPS5986204 A JP S5986204A
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- JP
- Japan
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- temperature
- ferromagnetism
- antiferromagnetism
- magnetic
- magnetization
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/16—Layers for recording by changing the magnetic properties, e.g. for Curie-point-writing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、殊に光磁気記録材料や感温素子材料等に好適
力金机磁性体に関し、新たな原理に基づく独自の温度−
磁気特性を持つ金属磁性体に関する。
力金机磁性体に関し、新たな原理に基づく独自の温度−
磁気特性を持つ金属磁性体に関する。
従来から良く用いられている光磁気記録材料としては、
ＭｎＢ１ ＋ ＭｎＡＬＧｅ 、 ＭｎＧｃＬＧｇ 、
ＭｎＢ１Ｃｕ ＊磁性ガーネット、希土類・遷移金属
合金の非晶質膜およびこれらの複合膜、等があり、光磁
気記録は第１図示のようにしてなすのが一般的である。
ＭｎＢ１ ＋ ＭｎＡＬＧｅ 、 ＭｎＧｃＬＧｇ 、
ＭｎＢ１Ｃｕ ＊磁性ガーネット、希土類・遷移金属
合金の非晶質膜およびこれらの複合膜、等があり、光磁
気記録は第１図示のようにしてなすのが一般的である。
第１Ａ図中に矢印ｆで示すように、磁化の方向が磁性膜
面に垂直に同方向一様である磁性膜（垂直磁化膜）ｌに
、補助コイルコ等によシ、逆方向の磁界（矢印ｈ）を与
えておいて、第１Ｂ図示のように、局所的にレーザビー
ムＬＢを照射して局部加熱すると、当該部分に、第１Ｃ
図示のように磁化の方向が矢印ｊで示すように反転した
反転磁化領域３が形成される。
面に垂直に同方向一様である磁性膜（垂直磁化膜）ｌに
、補助コイルコ等によシ、逆方向の磁界（矢印ｈ）を与
えておいて、第１Ｂ図示のように、局所的にレーザビー
ムＬＢを照射して局部加熱すると、当該部分に、第１Ｃ
図示のように磁化の方向が矢印ｊで示すように反転した
反転磁化領域３が形成される。
このようにして、成る領域を占有して反転磁化という形
で記録された情報の読み出しは、磁気カー効果、又はフ
ァラデー効果等の光と磁気との相互作用を利用して行な
われる。
で記録された情報の読み出しは、磁気カー効果、又はフ
ァラデー効果等の光と磁気との相互作用を利用して行な
われる。
而して、上記した記録のメカニズムは、従来、大別して
キュリ一点記録と磁気補償点記録の二連りに分けること
ができる。
キュリ一点記録と磁気補償点記録の二連りに分けること
ができる。
第２Ａ図は、キュリ一点記録方式を説明するだめの温度
Ｔに対する磁化Ｂの変化曲線Ｂ■を示しており、キュリ
一点カを挾んだ二温度点ＴＩ。
Ｔに対する磁化Ｂの変化曲線Ｂ■を示しており、キュリ
一点カを挾んだ二温度点ＴＩ。
Ｔｔでの特性差を利用するものである。例えば、ＴＩを
室温とし、レーザ照射部温度Ｔ！がキュリ一点１以上と
なるように選ぶとして、垂直磁化膜のある微小部分にレ
ーザ光をあて、当該部分をキュリ一温度（以上の温度Ｔ
、にまで加熱し、その後、室温Ｔ、ｔで冷却すると、レ
ーザ光照射部分が膜全体の反磁界およびコイルによる逆
磁界により、その磁化を反転する。
室温とし、レーザ照射部温度Ｔ！がキュリ一点１以上と
なるように選ぶとして、垂直磁化膜のある微小部分にレ
ーザ光をあて、当該部分をキュリ一温度（以上の温度Ｔ
、にまで加熱し、その後、室温Ｔ、ｔで冷却すると、レ
ーザ光照射部分が膜全体の反磁界およびコイルによる逆
磁界により、その磁化を反転する。
尚、第２Ａ図中には、温度に対する保磁力Ｈの変化曲線
）Ｉ■も併示している。
）Ｉ■も併示している。
これに対して、補償点を持つフェリ磁性体は、第２Ｂ図
示のように、補償温度Ｔ、で非常に大きな保磁力を持つ
が、その温度から数度離れると急激に保磁力は減少する
。補償点記録方式は、室温Ｔ、付近に補償点Ｔｃを持つ
磁性膜にレーザ光を照射して、記録部分を保磁力の小さ
な温度領域Ｔ、に移（７、この点で逆磁界を印加し磁化
Ｂの反転を行う方式である。
示のように、補償温度Ｔ、で非常に大きな保磁力を持つ
が、その温度から数度離れると急激に保磁力は減少する
。補償点記録方式は、室温Ｔ、付近に補償点Ｔｃを持つ
磁性膜にレーザ光を照射して、記録部分を保磁力の小さ
な温度領域Ｔ、に移（７、この点で逆磁界を印加し磁化
Ｂの反転を行う方式である。
而して、このような従来方式の最大の問題点は、明き込
み感度および読み出しい比が悪いということである。そ
の原因は、室温Ｔ、がキュリ一点Ｔｌ または磁気補償
点Ｔｃ、近くのため室温での磁化Ｂの大きさが比較的小
さいこと、および温度変化による磁化の変化Ｂ■が連続
的であることなどによる。
み感度および読み出しい比が悪いということである。そ
の原因は、室温Ｔ、がキュリ一点Ｔｌ または磁気補償
点Ｔｃ、近くのため室温での磁化Ｂの大きさが比較的小
さいこと、および温度変化による磁化の変化Ｂ■が連続
的であることなどによる。
従って、逆に、第３図示のような特性、即ち、成る臨界
温度Ｔｐを中心にできるだけ狭い温度幅で磁化Ｂが不連
続的に大きく異なるような特性曲線Ｂ■を持つ磁性体が
開発できれば、例えば臨界温度Ｔｐを挾む二温度点Ｔ＋
、 Ｔｔでの大きな磁化の差を利用して、上述のよう
な従来の欠点を伴わない光磁気記録が行える。また、こ
こでは光磁気材料の例を詳述したが、この特性は、磁性
の変化をコイル、ホール素子等で検出するとか、永久磁
石等で吸引力を検出することによりスイッチング動作を
基本動作とする感温素子等の温度センサ材料としても利
用できる。
温度Ｔｐを中心にできるだけ狭い温度幅で磁化Ｂが不連
続的に大きく異なるような特性曲線Ｂ■を持つ磁性体が
開発できれば、例えば臨界温度Ｔｐを挾む二温度点Ｔ＋
、 Ｔｔでの大きな磁化の差を利用して、上述のよう
な従来の欠点を伴わない光磁気記録が行える。また、こ
こでは光磁気材料の例を詳述したが、この特性は、磁性
の変化をコイル、ホール素子等で検出するとか、永久磁
石等で吸引力を検出することによりスイッチング動作を
基本動作とする感温素子等の温度センサ材料としても利
用できる。
本発明は、この点に鑑みてなされたもので、第５図示の
如き所求の特性に極力近い磁性体の開示をその目的とし
たものである。
如き所求の特性に極力近い磁性体の開示をその目的とし
たものである。
本発明者は、この目的に即し、以下の知見に基づいて、
全く新たな物理現象である強磁性、反強磁性間での温度
上昇に伴う磁気相転移を持つ磁性体の提供に成功し、こ
の原理により、既述した第５図示の所求の特性曲線を得
たものである。
全く新たな物理現象である強磁性、反強磁性間での温度
上昇に伴う磁気相転移を持つ磁性体の提供に成功し、こ
の原理により、既述した第５図示の所求の特性曲線を得
たものである。
金属強磁性体（フェリ磁性体を含む）と常磁性体（広義
；狭義の常磁性体及び反強磁性体を含む）との混成磁性
体例えば、金属間化合物ＹＦｇ７． ＺｒＦｅ、、 Ｈ
ｆＦｅ＠、 Ｎ１５Ｂ４などの強磁性体とＮｂＦｅ、
ＭｏＦｇ、、 ＴａＦｅ、 ＷＦｇ、＋ ＴｉＦｅ、
Ｍｎ、ＡＢ４等、狭義の常磁性体または反強磁性体とを
混成状態とすると、適轟な組成領域で、その中に強磁性
と反強磁性の性質が共存した状態がてきる。磁性を和う
電子が遍歴電子であるような金属磁性体においては、反
強磁性秩序発生温度が強磁性秩序発生温度より高い場合
、温度上昇により成る臨界温度を界にして強磁性から反
強磁性への相転移を起こす。従って、臨界温度乃至転移
温度Ｔｐを界にしての磁化は大きく異った不連続的なも
のとなる。
；狭義の常磁性体及び反強磁性体を含む）との混成磁性
体例えば、金属間化合物ＹＦｇ７． ＺｒＦｅ、、 Ｈ
ｆＦｅ＠、 Ｎ１５Ｂ４などの強磁性体とＮｂＦｅ、
ＭｏＦｇ、、 ＴａＦｅ、 ＷＦｇ、＋ ＴｉＦｅ、
Ｍｎ、ＡＢ４等、狭義の常磁性体または反強磁性体とを
混成状態とすると、適轟な組成領域で、その中に強磁性
と反強磁性の性質が共存した状態がてきる。磁性を和う
電子が遍歴電子であるような金属磁性体においては、反
強磁性秩序発生温度が強磁性秩序発生温度より高い場合
、温度上昇により成る臨界温度を界にして強磁性から反
強磁性への相転移を起こす。従って、臨界温度乃至転移
温度Ｔｐを界にしての磁化は大きく異った不連続的なも
のとなる。
このような知見により、金属強磁性体と広義の常磁性体
とを混成して成る磁性体として、本発明が完成したもの
であるが、第４図には、その一実施例として、ＨｆＦｇ
、にＴａＦｇを２ｏチ加えま た物質の磁化の温度変化曲線を示している。約１５０に
の転移温度静で強磁性・反強磁性間での相転移を起こし
、磁化が急激に変化している。
とを混成して成る磁性体として、本発明が完成したもの
であるが、第４図には、その一実施例として、ＨｆＦｇ
、にＴａＦｇを２ｏチ加えま た物質の磁化の温度変化曲線を示している。約１５０に
の転移温度静で強磁性・反強磁性間での相転移を起こし
、磁化が急激に変化している。
この転移温度Ｔｐは、ＴｃＬＦｅ、の濃度および加える
物質の種類を変えることにより変化させることができる
。
物質の種類を変えることにより変化させることができる
。
この組み合せに特定せずとも、第４図示と相似乃至同様
な結果が得られることは上記メカニズムからして顕らか
であり、組成比及び転移温度の設定は各組み合せにおけ
る設計的事項である。
な結果が得られることは上記メカニズムからして顕らか
であり、組成比及び転移温度の設定は各組み合せにおけ
る設計的事項である。
ともかくも、このような独自の特性を持つ本発明の磁性
体によれば、すぐれた温度センサのみならず、これまで
に使用されてきた記録の原理および読み出し法を利用し
て、省き込み感度および読み出しＳ／Ｎ比の非常に優れ
た光磁気記録および再生を行うことができる。
体によれば、すぐれた温度センサのみならず、これまで
に使用されてきた記録の原理および読み出し法を利用し
て、省き込み感度および読み出しＳ／Ｎ比の非常に優れ
た光磁気記録および再生を行うことができる。
第１図は光磁気記録の記録方式の説明図、第２図は各記
録方式に用いる従来の磁性体の特性図、第５図は望まし
い特性図、第４図は本発明一実施例の磁性体の特性図、
である。 図中、ｌは磁性体、コはコイル、３は磁化反転領域、で
ある。 第１目（Ａ） 第１門（Ｃ） ｆ 第２図（Ａ） 関（Ｂ） ；［ 日、− ン翫／ｉ （Ｔ） −Ａ °ビ 講
録方式に用いる従来の磁性体の特性図、第５図は望まし
い特性図、第４図は本発明一実施例の磁性体の特性図、
である。 図中、ｌは磁性体、コはコイル、３は磁化反転領域、で
ある。 第１目（Ａ） 第１門（Ｃ） ｆ 第２図（Ａ） 関（Ｂ） ；［ 日、− ン翫／ｉ （Ｔ） −Ａ °ビ 講
Claims (1)
- 金属強磁性体と広義の常磁性体とを混成して成り、臨界
温度を界に強磁性と反強磁性との間で磁気相転移を起こ
すことを特徴とする磁性体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196553A JPS5986204A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 磁性体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196553A JPS5986204A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 磁性体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986204A true JPS5986204A (ja) | 1984-05-18 |
| JPS635883B2 JPS635883B2 (ja) | 1988-02-05 |
Family
ID=16359646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57196553A Granted JPS5986204A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 磁性体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986204A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0226624A (ja) * | 1988-05-27 | 1990-01-29 | Zenon Environmental Inc | 管状膜モジュール |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4899698A (ja) * | 1972-03-31 | 1973-12-17 | ||
| JPS5018378A (ja) * | 1973-06-22 | 1975-02-26 |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP57196553A patent/JPS5986204A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4899698A (ja) * | 1972-03-31 | 1973-12-17 | ||
| JPS5018378A (ja) * | 1973-06-22 | 1975-02-26 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0226624A (ja) * | 1988-05-27 | 1990-01-29 | Zenon Environmental Inc | 管状膜モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS635883B2 (ja) | 1988-02-05 |
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