JPS5986305A - 伝送線路切換装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、伝送線路切換装置、特に伝送線路を切換えて
も特性インピーダンスが一定に維持される篩周波の伝送
線路切換装置に関するものである。

ＤＯからＳＨＦ帯までの広帯域における伝送線路の切換
えについては米国特許第３５００２６３号に述べられて
お９％分布回路抵抗薄膜形減衰器については米国特許第
３２２７９７５号に述べられている。

この伝送線路の切換方式と分布回路抵抗薄膜形減衰器と
を用いた可変減衰器は、Ｉ）ＣからＳ　ＨＦ帯の広帯域
の周波数ではソ一定の減衰ム１．をもつことになる。

従来の可変減衰器は、第１図ないし第３Ｎに示された構
造のものが用いられていた。−りなわち、アース導体ｌ
の図示されていない一端から延びているストリップ中心
導体２の先端部は、絶縁相のガイド部材３でその両側が
挾１れており、該ガイド部４１’　３を摺動装ｆ？２４
で左右に移動させる仁とにより、前記ストリップ中心者
・体２を撓曲させ、ストリップ中心導体２の先端部（Ｉ
Ｊに設けられているスルー導体５側、または分布回路抵
抗薄膜６側に上記ストリップ中心導体２の最先端部を接
触させ、特性インピーダンスを一定に維持しつつ伝送線
路の切換えを行っていた。なお符号７．８は誘電体であ
る。

この可変減衰器に用いられている伝送線路の切換えは、
次の原理によっている。第４図において、ス）　＋７ツ
ゾ中心導体９は平行なアース導体１０゜１１の間に等間
隔に配置されており１　しかも前記ストリップ中心導体
９の断面の長袖がアース導体１０．１１＆Ｃ対し垂直と
なっている。このような場合、電磁界はアース導体１０
．１１と、ストリップ中心導体９のアース導体１０．１
１に対向している部分、すなわちエツジ部分に集中する
。今、′アース７Ｊ体１０とｌｌとの間隔をｈ１ストリ
ップ中中心体９の断面の長袖の長さ、すなわち幅をＷと
すると、第４１￥已シ１示の特１′トインピーダンスは
！への比によって定まり、ストリップ中心導体９を左右
に平行移動さゼ−てもストリップ中心導体９のエツジｎ
Ｂ分の電磁界分布ははソ同様であり、その特性インピー
ダンス１、変化（−ない。

ところで、前記第１図１ないし第３し１に示されでいる
ＦｔＪ変減衰器の伝送線路のルυ換えにおいて、上記説
明の如く、特性インピーダンスはストリップ中心導体２
の幅とアース導体間距離、すなわちアース導体１の轟該
ストリップ中心導体２の断面の長軸方向の距離の比によ
って定まることになり、例えば可変減衰器を小型化にす
るためには、ストリップ中心導体２０幅やアース導体１
間距離を小さくする必要性が存在する。このためストリ
ップ中心導体２とアース導体１との間隔は、特性インピ
ーダンスを例えば５０Ωに保つための一例としてストリ
ップ中心導体２の幅ｗ　＝　２．３．、＝ｗｍｍ　、ア
ース導体間距離ｈ＝２．７５ｍｍのとき（２，７５−２
，３）／２””　０．２．２５　ｍａｒｔの如く非常に
狭くなり、その加工精度やπ１１豆鞘度の精密さが厳し
い値を要求されるとともに、これらの誤差が高周波にお
いて特性ＶＣヵえる影響をＪ：＋、＋：、視できなくな
る欠点がめった。、またストリップ中心導体２の厚みに
変化をもたせたいとき、アース導体間距離を変えなけれ
ばならないので、アース７ｈ、体ＩＶＣ凹凸をもたせな
りればならず、その力１１工が４’、１４めて囚４１１
となる欠点があった。

第５１７４において、ストリップ中心導体１２は平行な
アース導体１３．１４の間ＶＣ等間’に６Ｖｃ配置され
ており、しかも前記ストリップ中心導体１２の断面の短
軸がアース導体１３．１４に対し垂１ｐとなつヤいる。

ずなわちストリップ中心導体面１．２　ａがアース導体
１３に対し平行となっている。この場合、電磁界はアー
ス導体１３．１４と、ストリップ中心導体１２のアース
導体１３．１４に対向しているストリップ中心導体面１
２ａにそれぞれ分布する。今、ストリップ中心導体１２
がアースノア７体１３．１４の中、央に配置されており
、アース導体１３と１４との間隔をｂ、ストリップ中心
導体１２の断面の長袖の長さ、すなわち幅をｗｌその厚
さをｔとすると、第５図図示の特性インピーダンスｔｊ
：　ｗ／ｂ　、　ｔ／ｂの比によって定まる。０性イン
ピーダンスを第４図で説明したときと同一の５０Ωに保
つためには、例えばその−例としてストリップ中心導体
１２０幅ｗ＝　２．３　ｍｍ　、アース導体１３と１４
との距離ｂ＝２ｍＴｒＬ、ストリップ中心Ｎｆ体１２の
厚さｔ＝０．１２５ｍｍでろバストリップ中心導体面１
２ａとアース導体１３との間隔は（２−０，１２５）／
２＝０．９３７５朋となり、第４図図示の０．２２５　
ｍｍより広くなる。従がって加工精度や組立精度の精密
さが緩′Ａ１１され得ることを示唆している。そしてス
トリップ中心導体１２を上下に平行移動させても、例え
ばストリップ中心導体面１２ｍとアース導体１３との電
磁界の分布で／ｉ）性インピーダンスが決定付けられる
限りにおいて、ストリップ中心導体１２とアース導体１
３との距１唯が１１　’Ｎ一定に保たれれば、電磁界の
分布ははｙ同様となり、その特性インピーダンスは変化
しない。すなわち特性インピーダンスは一定となる。

本発明は、伝送線路の切換えにあたって、第４図図示の
平行なアース導体の間に等間隔に配置されたストリップ
中心２淳体のエツジＦｌ１分ＶＣ集中する電磁界が、前
記ストリップ中心得体の平行移動によっでもはｖ回１／
ｉ　＃？：保たれるが故に特性インピーダンスが一定に
維持される伝送イも（路の切換方式から、アース導体か
らストリップ中心導体面１での距１ヴｔを当該ス）ＩＪ
ツブ中心導体の移動にもかかわらすはソ一定に維持する
栴造とすることにより、ストリップ中心導体面と相対向
するアース；＋ｊｊ体との電磁果がはｙ同様に分布し、
特性インピーダンスが一定に維持される伝送線路の切換
方式を用い、前記の欠点をカフ決した伝送線路切換装置
を提供することを目的としている。そしてそのため本発
明の伝送線路切換装置は一端部の間隙が狭く他端部の間
隙が広くなるように傾斜し対向してｌ１１１．！ｉ！方
向に延びている第１．第２の内壁を有する同電位にさハ
た外部導体と、前記軸線に一致して前記一端部の内壁間
にその一端が配置されその他端が前記他端部の内壁間に
わたって往復動可能にされ、かつ、少なくとも該他端が
磁性体でなる中心導体と、前記第１．第２の谷内９に取
り付けられ前し１〕中ノ０導体の該他端に接触可能なＪ
、ψ点部を有する第１のマイクロストリップ線路及び＋
１”、　２（１）マイクロス）リッジ線路と、該外部導
体の外（ｊｌｌｌに配置され前記中心導体の磁性体部分
を磁化さ−μｍる励磁手段と、前記第１のマイクロスト
リップ線路側で１．１：　Ｎ極に、前記第２のマイクロ
ストリップ線路（ｌｕｌｌではＳ極になるように配置さ
れて、該励磁手段によって磁化された前記中心導体の磁
性体［警１（分を反ばつ吸引し、前記第１のマイクロス
トリップ線路または第２のマイクロストリップ線路の接
点に３に接触保持するためのマグネットとを備えたこと
を特徴としている。以下第６１ヌ１以降の図面を参照し
ながら説明する。

第６図は本発明を説明するための内部概略断面図、第７
図（１）ないし勤は第６し！における各矢視での電磁界
の分布を説明している説明図、第８図は本発明を用いた
一実施例の可変減衰器の断面図、第９図はマイクロスト
リップ分布回路抵抗薄膜形減衰器の斜視図、第１０図は
マイクロストリッツ”スルー素子の斜視図、第１１図は
第８図に示さＪ′１゜た可変減衰）ルの動作を説明する
説す１図、第１２図は本発明を用いた可変減衰器の他の
実施例の断面図、第１３図はス）　ＩＪツゾ中心導体保
持具の余Ｆ視図、第１４図はアース導体の内壁の他の実
施ψりの部分断面図を示している。

第６図の本発明を説明するだめの内部概略断面図におい
ては、本発明に係る伝送線路切換４娼置の概略が励磁手
段を除いて直列に２個接続された可変域】Ｕ′＋として
図示されている。外部導体であるアース導体１５は一端
部の間隙が狭くイ也立嵩部の…１隙が広くなるように傾
斜した第１の内壁１５ａ及び第２の内壁１５ｂを備えて
おＶ、これらの第１゜第２の各内壁１５ａｔ１５ｂは口
重（ｓｔとなっている。゛１−ス導体１５の内部の中心
軸には断面力監短形のス）　＋７ツゾ中心導体１６が設
けられており、該ス）　ＩＪツブ中心導体１６の一端は
アース導体１５の−ｆ’＋４部に支持されている（第８
図参照）円形ストリップ中心導体１７によって固定され
ている。

ストリップ中心導体１６の他端は少なくとも磁性体でな
る導電材の自由端となっている。アース導体１５０間隙
が最も広い内壁の６１．であって前Ｒ己ストリップ中心
導体１５の自由端のＷｄ端面狽ｑには、第１のマイクロ
ストリップ線路であるマイクロストリップ分布回路抵抗
薄瞑形減衰８ｉ＋１８及び第２のマイクロストリップ線
路であるマイクロストリップスルー素子１９がそれぞｉ
ｔ設けられている。

ストリップ中心導体１５は可撓口三を有し、第６図では
図示されていない励磁手段によって、当Ｒ亥ストリップ
中心導体１６の先端の磁性を本部７５還０−Ｃマイクロ
ストリップ分布回路抵抗薄膜形８Ｒ１１Ｇ　１．８側、
またはマイクロストリップスルー素子１９＠１へ曲げら
れ、電気的に接続される。このときストリップ中心導体
１６のストリップｒｐ　Ｉ１７導体面とアース導体１５
の第１．第２の１り８Ｍ１５ａ、１５ｂとの距離は、い
ずれのス）　ＩＪツゾ中ＩＯ導体１６の位置においても
第１．第２の内壁１５ａ、１５ｂに傾斜が施こされてい
るので、４１覧同−となっている。

第７図（Ｉ）ないしωは第６図の矢印Ａ−Ａ、Ｂ−１１
．０−０．Ｔ）−Ｄでの図をそれぞれ示して訃り、同図
（１）では、円形ストリップ中心導体１７がアース導体
１５の中心に固定されているため、電磁界は円形ストリ
ップ中心導体１７の外周と対向するアースシｊｔ体間に
集中する分布をなす。

同図（ＩＩ）ではストリップ中心導体１６はアース導体
１５のはソ中心に位置しているため、電磁界は短形のス
トリップ中心導体１６の長て而、すなわちストリップ中
心導体面と対向するアース導体間をて集中する分布をな
す。

同図（ｌＩＤではストリップ中心導体１６の徨みがあり
アース導体１７の中心からずれてしまうため、電（＋１
界は短形のストリップ中心導体１６と当該ストリップ中
心７！Ｉ体１６が接近したアース導体間にはソ集中する
分布をなす。しかしながら実質的には、この反対側のア
ース導体間及びストリップ中心２５体１６の上下のエツ
ジ部分とアース導体間にも電磁界は発生し、分布するの
で、マイクロストリップ線路の設計値より間隔り広くと
るのが一般的である。

同図ωではストリップ中心導体１６とアース導体１５と
の間に誘電体２０が挿入されているため、電磁界はス）
　ＩＪツゾ中心導体１６とアース導体間にすべて集中す
る分布をなす。

ここで、ストリップ中心導体１６、円形ストリップ中心
導体１７、マイクロストリップ分布回路抵抗薄膜形減衰
鼎１８、マイクロストリップスルー素子１９等は−１−
ス導体１５とともに、所定の値の特性インピーダンスを
満足するような寸法が決められ、配置されている。

それ故、前記のような電磁界の分布は短形のストリップ
中心導体１６がマイクロストリップ分布回路抵抗薄膜形
減衰盟１８側からマイクロストリップスルー素子１９側
へ移っても、全く同様の分布をなす。従がって特性イン
ピーダンスを変えることなく切換えることができる。

第８図は本発明を用いた一実施例の可変減衰写の断面図
を示しており、Ｎ中、符号１５．１５ａ。

１５ｂ、１７ないし１９は第、６図のものに対応する。

符号２１　ｅ　２２は断面が短形のストリップ中心導体
であり、第６図のストリップ中心導体１６に対応するも
のである。従がってストクツ１９６５１２体２１．２２
の先端部は少なくとも磁性体からなる尋電利で構成され
ている。

アース導体１５Ｖ３の中央部にはマイクロストリップ分
布回路抵抗薄膜形減衰器１８及びマイクロストリップス
ルー素子１９がそれぞれ設けられている。マイクロスト
リップ分布回路抵抗書膜形減衰詣１８は第９図図示の如
く誘電体３１の表面にマイクロストリップ分布回路抵抗
薄膜３２が取り付けられており、また誘電体３１の裏面
にはアース導体３３が取付けられている。なお符号３４
．３５はアース導体、２５はマグネットである。

マイクロストリップスルー素子１９は第１０図図示の如
く誘電体３６の表面にマイクロストリップスルー導体２
４が取り付けられており、また誘１「体３６の裏面には
アース導体３７が取り付けられている。誘ｉｌＬ体３６
の厚さは前記第９図の誘電体３１の厚さと同じに作られ
ている。

誘ｔ＋’を体３１，３６の裏面側には、例えば第８（２
）図示の極性を有するマグネツ）２５．２６がアース導
体３３．３７を介してそれぞれ配置されており、当該ア
ース導体３３．３７はアース導体１５と電気的に接続さ
れて第１．第２の内壁１５ａ。

１５ｂと同電位になっている。

アース導体１５の外側の１１ｙ中央部にはゼビン２７に
巻かれた励磁コイル２８が１個設けられておジ、該励磁
コイル２８に流す励磁電流の向きにより磁性体からなる
ストリップ中心導体２１．２２の先端部を磁化する。磁
化されたストリップ中心導体２１．２２の先端部と前記
マグネット２５゜２６の磁極との間で反ばつ吸引作用が
生じ、ストリップ中心導体２１．２２が撓曲させられ、
ストリップ中心導体２１．２２の先端がマイクロストリ
ップ分布回路抵抗薄膜形減衰詣１８またはマイクロスト
リップスルー素子１９のいずれか一方の側へ接触させら
れる。このとき前記説明した如く撓んだストリップ中心
導体、例えば２１のストリップ中心導体面とアース導体
３３及び第１の内壁１５ａの距離、或いはアース導体３
７及び第２のＩ’ｌ壁１５ｂの距離はそれぞれ等しく形
成されているから特性インピーダンスははソ一定に維持
される。イ１１風のストリップ中心導体２２についても
同様であり、特（／ｌインピーダンスもはソ一定に維持
される。しかも誘導体３１．３６の厚さが同一に形成さ
れているので、励磁コイル２８の作用によりストリップ
中心導体２１．２２がマイクロストリップ分布回路抵抗
薄膜形減衰器１８側、或い代マイクロストリップスルー
素子１９　ｆｔ１１へ何回接触しても、常にアース導体
３３或いは３７までの距離ｔｊ、一定に保たれており、
従がって特性インピーダンスも常にニ定となる。

次ＶＣ第１１図を用いて第８図に示された可変域ｇ、器
の動作を説明する。同図におい−Ｃ１符号１７ないし１
９は第６図のものに対応し、２１，２２゜２５．２６．
２８は第８図のものに対応している。

励磁コイル２８は本来アース導体１５のはソ中央部に巻
かれているものであるが、説明を判シーやすくするため
マグネット２６の下側に描かれている。

介助ｊｉｉｉ　ｊイル２８の端子３８．３９ＶＣ直流電
源ル２８に同図図示の矢印の方向に励磁電流が流れる。

この方向に流れる励磁電流によって、当該励磁コイル２
８の内部に配設されている磁性体からなるストリップ中
心導体２２の先端部はＮ極に磁化され、また磁性体から
なるストリップ中心導体２１の先端部は前記ストリップ
中心導体２２と相対向しているため、Ｓ極に磁化される
。この磁化Ｌ−よってストリップ中心導体２１の先端部
はマグネット２５のＮ極で吸引作用が生じるとともに、
マグネット２６の８極で反ばつ作用が生じ、ストリップ
中心導体２１は撓曲され、当該ストリップ中心導体２］
の先端はマイクロストリップ分布回路抵抗薄膜形減衰罰
１８と接触をなす。一方ストリップ中心尋体２２の先端
部もマグネット２５の８極で吸引作用が生じるとともに
、マグネット２６のＮ極で反ばつ作用が生じ、ストリッ
プ中心導体２２は撓曲され、当該ストリップ中心導体２
２の先端はマイクロストリップ分布回路抵抗１１ケ模形
減衰器１８と接触をなす。すなわちストリップ中心導体
２１とストリップ中心導体２２とは前記マイクロストリ
ップ分布回路抵抗薄膜形減哀ｉ！：÷１８を介して電気
的に接続される。そして励磁コイル２８に流れている励
磁電流が切れた場合においても、マグネット２５のＮ極
及びＳ極がストリップ中心導体２１及びストリップ中心
導体２２の各先端部をそれぞれ吸引している吸引力は、
撓曲している各ストリップ中心導体２１．２２の弾性力
よりも大きいので、マイクロストリップ分布回路抵抗薄
膜形減衰器１８を介したストリップ中心導体２１とスト
リップ中心導体２２との電気的接続は維持される。

次に励磁コイル２８の端子３８．−３９に直流電源の陰
（・Ｘ、陽極をそれぞれ印加すると、励磁コイル２８に
はｌｊ−＋１図図示の矢印と反対方向に励磁電流が流れ
、ストリップ中心導体２１の先端部はＮ極に、またスト
リップ中心導体２２の先端部ｔｉＳ極にそれぞれ磁化さ
れる。これによりストリップ中心導体２１．２２の各先
端部はマグネット２５のＮ極、８極とのあいだに反ばつ
力が生じ、マイクロストリップ分布回路抵抗薄膜形城衰
際１８を介したストリップ中心導体２１とストリップ中
心導体２２との電気的な接続は解除される。−万Ｎ極に
磁化されたストリップ中心導体２１の先端部はマグネッ
ト２５のＮ極に反ばつされるとともに、マグネット２６
の８極とのめいだで吸引作用が生じ、ストリップ中心導
体２１は婦曲され、当該ストリップ中心導体２１の先端
はマイクロストリップスルー素子１９と接触をなす。同
様ｒｃ８極に磁化されたストリップ中心導体２２の先端
部はマグネット２５の８極に反ばつされるとともに、マ
グネット２６ＯＮ極とのあいだで吸引作用が生じ、スト
リップ中心導体２２祉撓曲され、当該ストリップ中心導
体２２の先端はマイクロストリップスルー素子１９と接
触をなす。すなわち励磁コイル２８に反対方向の励磁電
流を流すことにより、ストリップ中心導体２１とストリ
ップ中心導体２２とは前記マイクロストリップスルー素
子１９を介して再び電気的に接ヤ続される。そして前記
説明した如く励磁コイル２８に流れている励磁電流が切
れてイ）、マグネット２６のＳ極及びＮ極がストリップ
中心導体２１及びストリップ中心導体２２の６先り；、
１部をそれぞれ吸引している吸引力は、撓曲している各
ストリップ中心導体２１．２２の弾性力より大きいので
、ストリップ中心導体２１とストリップ中心導体２２と
の電気的接続れ維持される。

ここで、ストリップ中心導体２１とストリップ中心導体
２２とがマイクロストリップ分布回路抵抗薄膜形減衰器
１８を介して電気的に接続されている場合は、当該マイ
クロストリップ分布回路抵抗薄膜形減衰滞１８が有する
減衰量の電力を減衰させた上で、ストリップ中心導体２
１からストリップ中心導体２２へまたは逆の方向へ電力
が伝送される。またストリップ中心導体２１がマイクロ
ストリップスルー素子１９を介してストリップ中心導体
２２と電気的に接続されている場合は、伝送電力を減衰
させることなくストリップ中心導体２１からストリップ
中心導体２２へまたは逆の方向へ１Ｅ力が伝送される。

以上の説明では一対で伝送線路を切換えるようにしてい
るが、いずれか一方の伝送線路だけを切換えることがで
きることはぼうまでもない。

第１２図は本発明を用いた可変減衰器の他の実施例の断
面図を示しており、第８図１凶示の可変減衰器が実質的
［２細面列に接続されたものに相当する。

符号１５．１５ａ、１５ｂ、１７は第６図のものに対応
し、１８．１９，２７ないし３０は第８図のものに対応
している。４０，４１．４２は各先端部が少なくとも磁
性体からなるストリップ中心導体であり、４３はストリ
ップ中心導体保持Ｊ１である。当該ストリップ中心導体
保持具４３１よ第１３図に示されているようにストリッ
プ中心導体４１がリベット止めされている。

従がって２個の励磁コイル２８に流す励磁電流の向きを
適当に組合−ヒ−ることにより、ストリップ中心導体４
０．４１．４２がマイクロストリップ分布回路抵抗薄膜
形減哀器１８或いはマイクロストリップスルー素子１９
ｒｃ接続され、特性インピーダンスをはソ一定に維持し
つつ伝送電力の減衰、ｌ、ｌ二を可変することができる
。

第１４１Ａはアース導体の内壁の他の実施例の部分Ｎｌ
ｉ面ｔ：′−１であり、符号１５．１７は第６図のもの
に対応し、１８，１９，２１，２２．２９は第８１！；
４のものに対応している。１５′お、は第１のｔり壁を
１　ｓ’　ｂ　ｔＪ二第２の内壁を表わしており、第６
図や第８し１に示されたなめらかに傾斜する曲線の第１
゜第２の内壁１５ａ、１５ｂに換え、簡単に機械加工が
可能な形状で近似してもさしつかえがないことが実験上
確ｎ３された。第１４１しＪ示の如き近似形状の第１の
内壁１５’　ａ　、第２の内壁１５′ｂを用いても実用
土伝送線路の切換が可能である。

なお、前記説明でマグネット２５．２６は図示された棒
状のものに限定されるものではなく、複数個のマグネッ
トを用いて図示の極性を持たせてもよい。またマグネッ
ト２５．２６の極ｎをすべて逆極ｔ’ｂｃｔ、でもよい
ことは言うまでもない。

以」−説明した如く、本発明によれば、断面が短形のス
トリップ中心導体のストリップ中心導体面とアース導体
の内壁との距離をはソ一定に維持し７て伝送線路の切換
で行うようにしたので、ストリップ中心導体とアース導
体との間隔が犬きくとれ、加工精度や組Ｍ精度のオ′９
度に対する苦労が減少し鏝れた伝送線路切換装置が可能
となる。そして特性インピーダンスがはソ一定に維持さ
れた伝送線路の切換ができ、また切換藷としてアイソレ
ーション、イ／ザーションロスは高周波において十分な
ｌ［イ性を備えることになる。

伝送側路の切換が励磁コイルに流す励磁電流の方向によ
ってストリップ中心導体が無接触で切換えられるので、
切換え動作が安定化する。

また本発明の伝送線路切換装置を可変減衰器に使用する
ことによｐ、ＤＣから高周波の広帯域の周波数にわたっ
て減衰量を＃１ソ一定に減衰させることが可能な周波１
ｒ′ｉ特性の優れた可変減衰器となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の伝送線路切換装置の部分断面図、第２Ｎ
は第１図のＸ−Ｘ矢視し１、第３し１は第１し１のＹ−
Ｙ矢視図、第４図、第５−はｌ時性インビー。 ダンスを説明する原理説明１ノ１％第６１ンＪは本発明
を説りｌ’Ｊするための内部概略断面（凶、第７１閃中
ないしく１ｌＪ）は；￥ｒ、６図における各矢視ての＋
＋１磁界の分布を説明している説明図、第８凶は本発明
を用いた一実施例の可変減衰型の断面図、第９図ｔよマ
イクロストリップ分布回路抵抗薄膜形減梗器の斜視図、
第１０１ン１はマイクロストリップスルー素子の斜視図
、第１１図は第８図に示された可変減衰型のｍ１作を説
明する説明図、第１２図は本発明を用いた可変減衰）器
の他の実施例の断面図、第１３図はストリップ中心導体
保持具の斜視図、第１４図はアース導体の内壁の他の実
施例の部分断面図を示してい図中、１５はアース導体、
１５ａ、１５’ａは第１の内壁、１５ｂ、１５’ｂは第
２の内壁、１６はストリップ中心導体、１７は円形スト
リップ中心導体、１８はマイク日ストリップ分布回路抵
抗薄膜形減衰器、１９はマイクロストリップスルー素子
、２０は誘電体、２１．２２はストリップ中心２６はマ
グネット、２７はフＪｚピン、２８は励磁コイル、２９
．３０は入出力栓、３１は誘電体、３２はマイクロスト
リップ分布回路（（（抗薄膜、３３ないし３５　ＦＪ、
アース導体、３６は誘電体、３７はアース導体、３８．
３９は端子、４０ないし４２はストリップ中心導体、４
３はストリップ中心導体保持具をそれぞれ表わしている
。 特許出願人　安立πを気株式会社 第１図　　　　　　１５２図 第４図　　　　　　ｉ′イ５Ｕ７Ｊ １１４ ；４’）；　６図 （Ｉ［）　　　　　　　　　　　　（ＩＶ）２４′５８
図 第９図 へ′Ｓ１０図 第１１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. Ｑ：’ｊ１部の間隙が狭く他端部の間隙が広くなるよう
   ［Ｌ、傾斜し対向して軸線方向に延びている第１゜第２
   の内壁を有する同電位にされた外部導体Ｏ１１と；前記
   Ｉｎｌ＋腺に一致して前記一端部の内壁間にその一端が
   配置されその他端が前記他端ｔｔｌｓの内壁間にわたっ
   て往役帥可能にされ、かつ、少なくとも該他端が′６ｆ
   ｉ性体でなる中心導体（イ）と；前記第１．第２の各８
   璧に取り伺けられ前記中心導体（イ）の該他端に接触可
   能な接点部を有する第１のマイクロストリップ線路０ル
   及び第２のマイクロストリップ線路０１と；該外部導体
   ＯｒＪの外側に配置され前記中心導体（ト）の磁性体部
   分を磁化させる励磁手段（ハ）と；前記第１のマイクロ
   ストリップ線路０榎側ではＮ極に、前記第２のマイクロ
   ストリップ線路０埠側ではＳ極になるように配置されて
   、該励磁手段によって磁化された前記中心導体（イ）の
   磁性体部分を反ばつ吸引し、前記第１のマイクロストリ
   ップ線路θ呻または第２のマイクロス）　＋７ツゾ線路
   ＯＬＩの接点１Ｍ５Ｋ接触保持するためのマグネット（
   ハ）、（ハ）とを備えた伝送線路切換装置。