JPS5987687A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置Info
- Publication number
- JPS5987687A JPS5987687A JP57196007A JP19600782A JPS5987687A JP S5987687 A JPS5987687 A JP S5987687A JP 57196007 A JP57196007 A JP 57196007A JP 19600782 A JP19600782 A JP 19600782A JP S5987687 A JPS5987687 A JP S5987687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- magnetic
- bubble memory
- shield
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ装置に係わり、特に耐外乱磁
界特性を向上させた磁気バブルメモリ装置に関するもの
である。
界特性を向上させた磁気バブルメモリ装置に関するもの
である。
一般に磁気バブルメモリデバイスは、オルソフエライト
、ガーネット等の磁性薄膜およびこの磁性薄膜上に形成
された軟強磁性薄膜パターンよりなる磁気バブルメモリ
チップと、このチップを支持固定するセラミック基板（
セラミックパッケージ）と、このセラミック基板上に形
成されかっ前 ９記チツプと外部回路との信号
授受を行なう配線パターンと、前記チップに対して水平
な回転磁界を与える一組のコイルブロックと、前記チッ
プに対して垂直なバイアス磁界を与える一対の永久磁石
ブ四ツクとから主に構成され、前記軟強磁性体薄膜から
なるパターンに磁気バブルを発生、転送および分割など
をさせることによって所望の情報を書き込み、記憶およ
び読み出し等を行なっている。
、ガーネット等の磁性薄膜およびこの磁性薄膜上に形成
された軟強磁性薄膜パターンよりなる磁気バブルメモリ
チップと、このチップを支持固定するセラミック基板（
セラミックパッケージ）と、このセラミック基板上に形
成されかっ前 ９記チツプと外部回路との信号
授受を行なう配線パターンと、前記チップに対して水平
な回転磁界を与える一組のコイルブロックと、前記チッ
プに対して垂直なバイアス磁界を与える一対の永久磁石
ブ四ツクとから主に構成され、前記軟強磁性体薄膜から
なるパターンに磁気バブルを発生、転送および分割など
をさせることによって所望の情報を書き込み、記憶およ
び読み出し等を行なっている。
第１図は従来より提案されている磁気バブルメモリデバ
イスの一例を示す要部断面図である。同図において、１
はセラミックなどにより形成された絶縁基板であり、こ
の絶縁基板１の中央凹部内には磁気バブルメモリチップ
２が固定配置されている。また、仁の絶縁基板１０表面
に０１、前記チップ２の微少入出力信号を授受する図示
しない多数本の（ｉ号配線が被着形成され、前記絶縁基
板１の端部に配設された図示しない端子にそれぞれ接続
されている。また、前記絶縁基板１の外周面側にはそれ
ぞれＸ軸方向にＸ方向駆動コイル３ａおよびＹ軸方向に
Ｙ方向駆動コイル３ｂが互いに直交して巻設され、前記
テップ２に水平な回転磁界を供給している１３また、と
のＸ方向駆動コイル３ａ。
イスの一例を示す要部断面図である。同図において、１
はセラミックなどにより形成された絶縁基板であり、こ
の絶縁基板１の中央凹部内には磁気バブルメモリチップ
２が固定配置されている。また、仁の絶縁基板１０表面
に０１、前記チップ２の微少入出力信号を授受する図示
しない多数本の（ｉ号配線が被着形成され、前記絶縁基
板１の端部に配設された図示しない端子にそれぞれ接続
されている。また、前記絶縁基板１の外周面側にはそれ
ぞれＸ軸方向にＸ方向駆動コイル３ａおよびＹ軸方向に
Ｙ方向駆動コイル３ｂが互いに直交して巻設され、前記
テップ２に水平な回転磁界を供給している１３また、と
のＸ方向駆動コイル３ａ。
Ｙ方向駆動コイル３ｂの外面側には前記チップ２に均一
なバイアス磁界を与える一対の平板状永久磁石４ａ、４
ｂが整磁板５ｍ 、 ５ｂを介して対向配置されている
Ｃ７そして、この永久磁石４ｍ、４ｂの外面側は外部磁
界を遮蔽する枠状のシールドケース６内に嵌入され、そ
の局面部分には樹脂Ｔが充填されている。なお、８は前
記端子に接続された外部回路接続用のリードビンである
。
なバイアス磁界を与える一対の平板状永久磁石４ａ、４
ｂが整磁板５ｍ 、 ５ｂを介して対向配置されている
Ｃ７そして、この永久磁石４ｍ、４ｂの外面側は外部磁
界を遮蔽する枠状のシールドケース６内に嵌入され、そ
の局面部分には樹脂Ｔが充填されている。なお、８は前
記端子に接続された外部回路接続用のリードビンである
。
このように構成された磁気バブルメモリデバイスにおい
て、チップ２内の図示しない磁気バブルメモリ検出器に
よって検出された微少な磁気バブル検出信号は、図示し
ない信号線、端子およびリードピン８を介して図示しな
い外部の差動増幅器に供給されて増幅され、その検出信
号の差信号によって所定の磁気バブルメモリ出力信号を
得ている。
て、チップ２内の図示しない磁気バブルメモリ検出器に
よって検出された微少な磁気バブル検出信号は、図示し
ない信号線、端子およびリードピン８を介して図示しな
い外部の差動増幅器に供給されて増幅され、その検出信
号の差信号によって所定の磁気バブルメモリ出力信号を
得ている。
また、このように構成された磁気バブルメモリデバイス
において、外部磁界の影響を遮蔽する手段としてのシー
ルドケース６は、その材質を高透磁重態の一例としてパ
ーマロイ板、飽和磁束密度の大きい材料として鉄板がそ
れぞれ用いられてきた１、そして、これらの板材を用い
て寸法使用を全く同一にしてシールドケー・スを製作し
、外部磁界対ケース内部磁界特性をとると、第２図に示
すようにパーマロイケースでは特性！、鉄板ケースでは
特性［で示す磁界特性が得られた。すなわち、同図から
明らかなようにシールドケース内部への外部磁界の影響
を少なくするには、外部磁界５０６ｅ以下ではパーマロ
イの方が良好であることがわかる７、シかしながら、外
部磁界が数百Ｏｓと大きくなると、パーマロイは飽和し
て外部磁界の影響を大きく受けることがわかる。一方、
鉄の場合は、数百Ｏｅまでは外部磁界による影響のされ
方が一定であるが、ケース内部へ数６ｅ程度の影響を力
えるので、無視することができない１．シたがって、従
来は磁気バブルメモリデバイスのシールドケースとして
はパーマロイ等の高透磁率材料が使用されていた。
において、外部磁界の影響を遮蔽する手段としてのシー
ルドケース６は、その材質を高透磁重態の一例としてパ
ーマロイ板、飽和磁束密度の大きい材料として鉄板がそ
れぞれ用いられてきた１、そして、これらの板材を用い
て寸法使用を全く同一にしてシールドケー・スを製作し
、外部磁界対ケース内部磁界特性をとると、第２図に示
すようにパーマロイケースでは特性！、鉄板ケースでは
特性［で示す磁界特性が得られた。すなわち、同図から
明らかなようにシールドケース内部への外部磁界の影響
を少なくするには、外部磁界５０６ｅ以下ではパーマロ
イの方が良好であることがわかる７、シかしながら、外
部磁界が数百Ｏｓと大きくなると、パーマロイは飽和し
て外部磁界の影響を大きく受けることがわかる。一方、
鉄の場合は、数百Ｏｅまでは外部磁界による影響のされ
方が一定であるが、ケース内部へ数６ｅ程度の影響を力
えるので、無視することができない１．シたがって、従
来は磁気バブルメモリデバイスのシールドケースとして
はパーマロイ等の高透磁率材料が使用されていた。
しかしながら、前記構成による磁気バブルメモリデバイ
スは、このデバイス単体もしくはこのデバイスとその周
辺回路部の少なくとも一部とを同一基板上に搭載し°Ｃ
なるカセット形磁気バブルメモリ装置として携帯用に手
舒に取扱われるため、磁気チャックやマグネットスタン
ド等の強磁界域のもとに放置される機会が多くなり、数
千６０程度の耐外乱磁界特性を有するデバイスではその
磁界の影響によりデバイス内に記憶保存されている磁気
バブルメモリ情報が破壊されてしまうという欠点があっ
た３、また、鉄板ケースの場合は、ケース内部に数６ｅ
程度の外部磁界の影響があるため、動なされたものであ
り、その目的とするところは、シールドケースヲハーマ
ロイケースト鉄板ケースとを組合せた二重シールドで構
成することによって、耐外乱磁界特性を向上させた磁気
バブルメモする。
スは、このデバイス単体もしくはこのデバイスとその周
辺回路部の少なくとも一部とを同一基板上に搭載し°Ｃ
なるカセット形磁気バブルメモリ装置として携帯用に手
舒に取扱われるため、磁気チャックやマグネットスタン
ド等の強磁界域のもとに放置される機会が多くなり、数
千６０程度の耐外乱磁界特性を有するデバイスではその
磁界の影響によりデバイス内に記憶保存されている磁気
バブルメモリ情報が破壊されてしまうという欠点があっ
た３、また、鉄板ケースの場合は、ケース内部に数６ｅ
程度の外部磁界の影響があるため、動なされたものであ
り、その目的とするところは、シールドケースヲハーマ
ロイケースト鉄板ケースとを組合せた二重シールドで構
成することによって、耐外乱磁界特性を向上させた磁気
バブルメモする。
第３図は本発明による磁気バブルメモリ装置に係わる磁
気バブルメモリデバイスの一実施例を示す第１図に相当
する要部断面図であり、第１図と同記号は同一要素とな
るのでその説明は省略する。
気バブルメモリデバイスの一実施例を示す第１図に相当
する要部断面図であり、第１図と同記号は同一要素とな
るのでその説明は省略する。
第３図において、磁気バブルメモリデバイスの外面部分
、つまり永久磁石４ａ、４ｂの外面部分には、内側に板
厚０，６〜１．２ ｔｍの厚さを有する内部シールドケ
ース９を、外側に板厚０．６−１．２Ｉｌ＋Ｉ１１の厚
さを有する外部シールドケース１０をそれぞれ配置して
組合せた二重シールド構成からなるシールドケース１１
が配設されている。この場合、内部シールドケース９お
よび外部シールドケース１０の各材質は、高透磁率性を
有する材質としてパーマロイを、飽和磁束密度の大きい
材質として鉄をそれぞれ用い、この両者を下記表に示す
ようにＡ、Ｂ、Ｃ。
、つまり永久磁石４ａ、４ｂの外面部分には、内側に板
厚０，６〜１．２ ｔｍの厚さを有する内部シールドケ
ース９を、外側に板厚０．６−１．２Ｉｌ＋Ｉ１１の厚
さを有する外部シールドケース１０をそれぞれ配置して
組合せた二重シールド構成からなるシールドケース１１
が配設されている。この場合、内部シールドケース９お
よび外部シールドケース１０の各材質は、高透磁率性を
有する材質としてパーマロイを、飽和磁束密度の大きい
材質として鉄をそれぞれ用い、この両者を下記表に示す
ようにＡ、Ｂ、Ｃ。
Ｄの４種類の組合せでシールドケース１１を構成し、そ
れぞれ耐外乱磁界特性の実験、検討を繰り返し行なった
結果、 表 Ａタイプは、外部シー・ルドで数（ｊ Ｑｅ以上の外部
磁界の影響を遮断できないため、内部シールド内でも大
きく外部磁界の影響を受けるので、十分な遮蔽効果が得
られなかった。Ｂタイプは内部シールドのみの場合と大
差がなく、シたがって遮蔽効果はほとんど得られなかっ
た。、Ｃタイプの場合は、外部シールドで外部磁界の影
響を大幅に減少させることができるが、内部シールドが
低透磁率材であるため、外部シールドケースのみの場合
とあまり効果の差がない。また、Ｄタイプの場合は飽和
磁束密度の大きい外部シールドにより、外部シールドケ
ース内の外部磁界の影響を数千６０以内に抑え、高透磁
率の内部シールドにより、内部シールドケース内では数
６ｅ以下に外部磁界の影響を抑えることができ、極めて
有効であった。したがって、本発明の実施例は、シール
ドケースをＤタイプで構成したものである。すなわち、
第３図において、内部シールドケース９を高透磁率性を
有するパーマロイケースで形成し、外部シールドケース
１０を飽和磁束密度の大きい鉄ケースで形成して二重シ
ールド構造からなるシールドケース１１を構成したもの
である。
れぞれ耐外乱磁界特性の実験、検討を繰り返し行なった
結果、 表 Ａタイプは、外部シー・ルドで数（ｊ Ｑｅ以上の外部
磁界の影響を遮断できないため、内部シールド内でも大
きく外部磁界の影響を受けるので、十分な遮蔽効果が得
られなかった。Ｂタイプは内部シールドのみの場合と大
差がなく、シたがって遮蔽効果はほとんど得られなかっ
た。、Ｃタイプの場合は、外部シールドで外部磁界の影
響を大幅に減少させることができるが、内部シールドが
低透磁率材であるため、外部シールドケースのみの場合
とあまり効果の差がない。また、Ｄタイプの場合は飽和
磁束密度の大きい外部シールドにより、外部シールドケ
ース内の外部磁界の影響を数千６０以内に抑え、高透磁
率の内部シールドにより、内部シールドケース内では数
６ｅ以下に外部磁界の影響を抑えることができ、極めて
有効であった。したがって、本発明の実施例は、シール
ドケースをＤタイプで構成したものである。すなわち、
第３図において、内部シールドケース９を高透磁率性を
有するパーマロイケースで形成し、外部シールドケース
１０を飽和磁束密度の大きい鉄ケースで形成して二重シ
ールド構造からなるシールドケース１１を構成したもの
である。
なお、前述した実施例においては、磁気バブルメモリデ
バイスの外面部分に、内部シールドケースと外部シール
ドケースとを設けた二重シールド構造について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、磁気バブ
ルメモリデバイスの周辺回路部を備えた磁気バブルメモ
リ装置の基板上に、内部シールドケースのみを設けた磁
気バブルメモリデバイスを搭載し、この磁気バブルメモ
リデバイスの内部シールドケースを覆うようにこの基板
上に外部シールドケースを設けても前述とルメモリデバ
イス内部において外部磁界の影響を大幅に低減させるこ
とができるので、耐外乱磁界特性が大幅に向上し、性能
および信頼性の高い磁気バブルメモリ装置が得られると
いう極めて優れた効果を有する。
バイスの外面部分に、内部シールドケースと外部シール
ドケースとを設けた二重シールド構造について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、磁気バブ
ルメモリデバイスの周辺回路部を備えた磁気バブルメモ
リ装置の基板上に、内部シールドケースのみを設けた磁
気バブルメモリデバイスを搭載し、この磁気バブルメモ
リデバイスの内部シールドケースを覆うようにこの基板
上に外部シールドケースを設けても前述とルメモリデバ
イス内部において外部磁界の影響を大幅に低減させるこ
とができるので、耐外乱磁界特性が大幅に向上し、性能
および信頼性の高い磁気バブルメモリ装置が得られると
いう極めて優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の磁気バブルメモリデバイスの一例を示す
要部断面図、第２図は磁気バブルメモリデバイスの外部
磁界対内部磁界特性を示す図、第３図は本発明による磁
気バブルメモリ装置に係わる磁気バブルメモリデバイス
の一例を示す要部断面図である。 １・・・・絶縁基板、２・・・・磁気バブルメモリチッ
プ、３ｍ・・・・Ｘ方向駆動コイル、３ｂ・・・・Ｙ方
向駆動コイル、４ａ 、 ４ｂ・・・・永久磁石、５ａ
、 ５ｂ・・・・整磁板、γ・・・・樹脂、８・・・
・リードピン、９・・・・内部シールドケ−ｘ、ｔｏ・
・・・外部シールドケース、１１・・・・シールドケー
ス。 第１図 第２図 外層１１５１号 （００） 第３図 １
要部断面図、第２図は磁気バブルメモリデバイスの外部
磁界対内部磁界特性を示す図、第３図は本発明による磁
気バブルメモリ装置に係わる磁気バブルメモリデバイス
の一例を示す要部断面図である。 １・・・・絶縁基板、２・・・・磁気バブルメモリチッ
プ、３ｍ・・・・Ｘ方向駆動コイル、３ｂ・・・・Ｙ方
向駆動コイル、４ａ 、 ４ｂ・・・・永久磁石、５ａ
、 ５ｂ・・・・整磁板、γ・・・・樹脂、８・・・
・リードピン、９・・・・内部シールドケ−ｘ、ｔｏ・
・・・外部シールドケース、１１・・・・シールドケー
ス。 第１図 第２図 外層１１５１号 （００） 第３図 １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に配設されかつ磁
気バブルで所望の情報を１き込み、記憶および読み出し
を行なう磁気バブルメモリチップと、前記絶縁性基板の
外周に巻設されかつ前記磁気バブルメモリチップに水平
な回転磁界を与えるＸ方向、Ｙ方向駆動コイルと、前記
Ｘ方向、Ｙ方向駆動コイルの外面にそれぞれ配設されか
つ前記磁気バンルメモリチップに垂直磁界を与える一対
の永久磁石と、前記永久磁石の外面部に配設された高透
磁率性を有する第１の金属ケースと、前記第１の金属ケ
ースの外面部に配設された飽和磁束密度の大きい第２の
金属ケースとを少なくとも備えた′ことを特徴とする磁
気バブルメモリ装置。 ２、前記第１の金属ケースをパーマロイケースとし、第
２の金属ケースを鉄板ケースとしたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196007A JPS5987687A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 磁気バブルメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196007A JPS5987687A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 磁気バブルメモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987687A true JPS5987687A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16350672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57196007A Pending JPS5987687A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987687A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148500U (ja) * | 1984-08-31 | 1986-04-01 |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP57196007A patent/JPS5987687A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148500U (ja) * | 1984-08-31 | 1986-04-01 |
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