JPS5989421A - 位置検出装置 - Google Patents

位置検出装置

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JPS5989421A
JPS5989421A JP57200066A JP20006682A JPS5989421A JP S5989421 A JPS5989421 A JP S5989421A JP 57200066 A JP57200066 A JP 57200066A JP 20006682 A JP20006682 A JP 20006682A JP S5989421 A JPS5989421 A JP S5989421A
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mask
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wafer
marks
lens
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JP57200066A
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Naoki Ayada
綾田 直樹
Yasumi Yamada
山田 保美
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Publication of JPS6362090B2 publication Critical patent/JPS6362090B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は2つの物体を位置合わせするための装置に関し
、特にマスクあるいはレチクルの半導体集積回路パター
ンをウェハー上に焼付けるに先立って、マスクとウェハ
ーをアライメントするだめの装置に適する。
半導体製造工程には幾つかのパターンをウェハー上に順
次転写し、半導体集積回路を形成する工程が含まれてい
る。その場合、既に前工程のパターンが転写されたウェ
ハー上に更に別のパターンを正確に位置合わせするため
に、パターンを具えたマスクとウェハーを高精度で7ラ
イメントする必要がある。そしてとのアライメントL、
マスクとウェハー上にそれぞれ書込まれたアライメント
マークを光電検知し、検知した信号により自動的に達成
されるのが普通である0 一方、最近はマスクを収納するオスク・キャリア中のマ
スクを自動的にマスク・セット位置に装着するマスク・
チェンジ機構を備えた装置が知られている。この機構に
はマスクを焼付はステージの所定の位置に正確にセット
するための予備位置合わせ(マスクアライメントと称す
)機能が要求される。
従来の装置はこのマスクアライメントを実IAスるため
のアライメント1−クト、マスクとウェハーとのアライ
メントを実現するためにマスクとウェハーの相対位置誤
差を検知するためのアライメントマークが異なった形状
でああため、アライメント方法が異なり、従って複数の
アライメント用駆動プログラムが必要になる難点があっ
た〇木兄9」の目的は、異種のアライメントを同等のプ
ログラムで実現することにある。
以下、図面に従って本発明の詳細な説明するが、第1図
は外観を示している。1はam回路パターンを具えたマ
スクで、他のマスクアライメントマークやマスク・ウェ
ハ−アライメントマークを具えるものとする。2はマス
ク・ステージで、マスク1を保持してマスク1を平面内
並びに回転方向に移動させる。3紘縮小投影レンズ、4
は感光層を具えるウェハーで、マスク・ウェハーアライ
メントマークとウニノ)−アライメントマークを具える
ものとする05はクエハー拳ステージである0ウエノS
−9ステージ5はウェハー4を保持してそれを平面内並
びに回転方向に移動させるものであシ、またウェハー焼
付位置(投影針内)とテレビ・ウニノ・−アライメント
位置間を移動する。6は、テレビウェハーアライメント
用検知装置の対物レンズ、7は撮像管又は固体撮像素子
、8は映像観察用のテレビ受像器である。9は双眼ユニ
ットで、投影レンズ3を介してウニI・−4の表面を観
察するために役立つ。10は、光源10aを発したマス
ク照明光を収束させるだめの照明光学系並びにマスク・
ウェハーアライメント用の検知装置を収容する上部ユニ
ットである。ウェハー・ステージ5は、図示しないウェ
ハー搬送手段により搬送されたウェハーを所定の位置で
保持し、1ずテレビ・ウェハーアライメント用対物し・
ンズ6の視野内にウェハー上のアライメントマークが入
る位置まで移動する。この時の位置f/を度は機械的な
アライメント鞘度によるものでろ夛、対物レンズ6の視
野はおよそ直径1m〜2間程度である。この視野内の7
ライメント・マークは撮像管7で検知され、テレビ・ウ
ェハーアライメント用の光学系内に設けられたテレビ・
ウェハーアライメント用基準マーク(後述)を基壁とし
て、そこからのアライメント・マークの座標位置が検出
される。一方、投影光学系のオートアライメント用検知
位置と前述のテレビ・ウェハーアライメント用基準マー
クの位置はあらかじめ設定されているので、この2点の
位tjtとテレビ・ウェハーアライメントマークの座標
位置からオートアライメント位置へのウェハー・ステー
ジ5の送シ込み量が決められる。
テレビ・ウェハーアライメントの位置株出棺度は±5μ
以下であり、テレビ・ウェハ−7ライメ7F位置からマ
スクやウニノ1−7ライメント位WLtでのウェハース
テージの移動で発生す   ゛る誤差を考慮に入れても
、±10μ程度である。
従って72イメントは約±10μの範囲で行えばよく、
これは従来のアライメントの視野範囲の1/1 oo以
下の範囲であり、アライメントが従来よシ高速で行える
ことになる。尚、テレビφウェハーアライメントについ
ては後で詳述する。
第2図はマスクアライメント及びマスク・ウェハーアラ
イメントを達成する実施例を示している。図中、マスク
1、縮小投影レンズ3、ウェハー4、ウェハーステージ
5はw11図の通シである。投影レンズ3は便宜上模式
的に描いている。11と11′はマスクアライメントマ
ークで、レンズ鏡筒あるい社装置の一部といった不動の
箇所に刻まれている。
他方、マスク1上の20.20’で示した位置には六′
53図で付番75.76で示す如き、走査台60に対し
45″傾むいて配設された線もしくはスリット状のアラ
イメント・マークが設けられている。又、ウェハー4上
の21,2I’で示した位置には第3回付番71.72
,73,74で示ず如き走介紹60に対して45°傾い
て配設された1Mもしくはスリット状の7之イメントマ
ークが設Vyられている。そして通常は左右両観察系の
信号によって位置合わせが行われる〇なお、マスク1上
のアライメントマークとウェハー上のアライメントマー
クは、等倍投影系以外の系を介在させた時には投影もし
くは逆投影しても両方のアシイメントマークの寸法が変
わらない様に、アシイメントマークの寸法を変えておく
ものとし、ここではマスクの72イメントマークの寸法
でウェハーのアライメントマ云 −りの寸法を除すると縮小倍率になる様に設定へ する。
第2図へ戻って、22はレーザー光源、23は音響光学
素子等の光偏向器である。光偏向器23は外部からの切
換信号に応じて光の射出方向を上方、水平、下方に切換
える024と25線それぞれ収斂性のシリンドリカルレ
ンズで、その毒腺が直交する様に配置され、レーザービ
ームの断面形状を線状に変換する機能を持つ。
26と27線台形プリズムで、光偏向器23で上方と下
方に偏向された光を逆方向へ屈折させる機能を持つ。2
8は回転軸29を中心として回転する回転多面鏡(ポリ
ゴン)である。
レーザ光源22かう射出したレーザ光alj!30は光
偏向器23の状態によシ、シリンドリカル−レンズ24
とプリズム26を経由するスリット状光線30a1シリ
ンドリカかレンズ25とプリズム27を経内するスリッ
ト状光線30b1或は直進するスポット状九@ 30 
cのいずれかの光路をとるが、どの場合にも回転多面鏡
28上の面の一点31へ収束する。32.33.34は
中間レンズ、35は光路分割ミラー、36は目視観察系
37.38を形成するノ?−2・ミラー、37hレンズ
、38は接眼しy ステt エバー面の像を結像する。
39は目視観察先出照明系40.41を形成する/S−
7・ミラー、40はコンデンサ・レンズ、41はランプ
でおる。42は光電検出系43,44.45.46を形
成するハーフミラ−で、43はミ2−144はレンズ、
451桟空間フィルタでij)、46はコンデンサ・レ
ンズ、47は光検出器で6る048,49゜50.51
は全反射ミラー、52はプリズム、53はf−θ対物レ
ンズである。54はマスクl上に設けられたマスク7ラ
イメント用の7ライメントパターンの位置で心る。
第2凶かられかる様に信号検出系は全く対称な左右の系
から成っており、オペレータ側を紙面の手前8+1」と
するとダッシュで示した系は右、ダッシュなしの系は左
の信号検出系と呼ぶことにする。
中+”4jレンズ32,33.34は回転多面鏡28か
らの振れ原点を対物レンズ53の絞シ位置55の中の瞳
56に形成する。従ってレーザービームは回転多面鏡2
8の回転によυマスク及びウェハー上を走査する。
また対物レンズ系において、対物レンズ53、絞シ55
、ミニ7−51及びプリズム52はXY方向に図示しな
い移動手段により移動可能でらシ、マスク1及びウェハ
ー4の観察及び測定位置は任意に変えることができる。
例えば、X方向の8wJはミラー51が図中矢印Aで示
した方向に移動すると対物レンズ53及び絞シ55も同
時にA方向に移動すると共に光路長を常に一定に保つた
めプリズム52もA方向にミラー51の移動量の1/2
0量移動する。
一方、Y方向の移動は観察・位置検出用の光学系全体が
Y方向(紙面に垂直な方向)に移動する。
シリンドリカルレンズ24を経由する光路30aの走査
ビーム61は走査軸60に対し角度0=45″をなし、
ははマーク71.72.75と平行をなす。この状態で
走査した時に光検出器47,4τには第3図(Blに示
すようなSl、。
S?、# S、 040号が’+9らレルo Swx 
t Sn s Styは位置合わせマーク71,75.
72にそれぞれ対応した4(j号である。また、走−に
初1上に微小なゴミがあってもスポット状ビームの場合
とは異なり、平ノブ化され出力として実用上検知されな
い。
一方、シリンドリカルレンズ25を通過する光路30b
の走査ビーム62は走査軸6oに対して0=−45’傾
斜しマーク73,74.76と平行しているので検出1
4号は第3図(blの5aWS?lly staとなる
。従って検出信号Sol t sts t sty *
S?3 w Sn t s、、の間隔を計測すれはマス
クとウェハーのズレ敞が検出でき、両者が整合した場合
には検出イ、■号の間隔が等しくなる。
なお、本出願人は特開昭53−90872号あるいは特
開昭53−91754号等でオート・アライメントにつ
いて提案している。
以上、第2図と第3図を用いて、マスク1上のアライメ
ントマーク20とウェハー11(j上のアライメントマ
ーク2xco整合即ちマスク嚢つェハーアライノントに
ついて説明を行ったが、本発明は殊に、上述した光学系
及び同一形状のアライメントマークで、マスク1面上の
アライメン)?−り54と、レンズfilfa3に図示
しない手段によシ支持せられたマスク基準マーク11の
位置合せ、即ちマスクアライメントを行える点である。
この場合、前述した様に対物レンズ53.1155、ミ
ラー51、及びプリズム52は第2図中、入方向にマス
ク基準マーク11の位置まで移動しアライメントを行う
マスクアライメントにおけるパターンは、マスク基準マ
ーク11に社第3回付番?1,72゜73.74で示し
たパターンを、マスク1のアライメントマーク54には
、第31付番75゜76で示したアライメントマークが
設けられる。
従って、マスクアライメントにおいても、マスク・ウェ
ハーアライメントと全く同様にマスクとマスク基準マー
クの位置合せが行われ、マスクがレンズ3に対して所定
の位置にセットされるO 尚、マスクアライメントの場合には縮小投影レンズ3を
用いないためマスク如上の7ライメントマーク54とマ
スク2IA−準マーク11は等倍率のパターンでよい。
ところでステッパ一方式の焼付は装置においては、縮小
投影光学系が用いられているため、ウェハーアライメン
トにおいて位置合せのため移動するのは、通常マスクを
保持しているマスク・ステージ(第1図2)である。一
方、マスクアライメントにおいてもマスクステージが移
動して位置合せを行う。従って、いずれの場合にも移動
するマスク側に、2本線のパターン75゜76が設けら
れているが、これけ、本発明の一実施例にすぎず、マス
ク側に4本線のパターン71.72,73.74を設け
てもよいし、また、マスクアライメントとウェハアライ
メントでマスク上のパターンの本数が異ってもよく、パ
ターンの選択に限定はない。
次にマスクアライメントの方法について更に詳述する0
マスクア2イメントにおいては、マスクチェンジ4L’
e 4?1からマスクステージにマスクが不図示の手段
で搬送され、保持されるが、こ0時の位置決めは機械的
に行われるので)8度は低く、数100μm8度の誤差
が生じる。
従って対物レンズの視野を狭めた場合には祝針内即ちレ
ーザー光の走査範囲内にマスクアライメントマークが位
置するとは限らず、そのため対物レンズがマスク基準マ
ーク11を児込む位置にあったとしても、マスクをセッ
トした時の誤差でマスク上のアライメントマークが視野
から外れることがある。その場合は、第3図IBIにお
りる信号S□w Sty * 8ts * S?4 シ
か検出されず、81% t sysの信号は検出されな
いので、オート・アライメントは実現されない。
この槌な場合、マスク上のi−りを探索する過程が必要
となるが、従来例では、ウェハー或はマスクを保持して
いるステージが移動して、いわゆる模索駆動をくり返し
ながらマークの探    索を行ってきた。
以降の説明をわかシ良くするため、従来の模索駆動例倉
第4回向について説明する。
図はマスク或はウェハー面上の7ライメントマークを探
索する場合の対物レンズの軌跡を描いている。但し、実
際には対物レンズをX及びY方向に移動する替りにマス
ク又はウェハーを保持しているステージを動かす方が選
ばれるが、ここで1説明の便宜上対物レンズを動がして
いる0 マスクは周知の搬送手段で対物レンズ53の略下方に当
るA(第4図)位置に搬送されてきたものとする(A位
置を初期設定位置と呼ぶ)。
しかしながら、マスクの設定に誤左がちシ、またビーム
走立範囲の長さLと幅T(第3図参照)が設定誤差を内
含できる程度に大きくない場合は、Aの位置でマークM
が検出されないため、対物レンズは模索駆動範囲の境界
まで移動し、B点より模索駆動を開始してB−+C4D
→E・・・と移動しながらマークを探索する。この例示
では、3往復目のJ−に過程でマークMを検知する。
以上の従来例では次の雑煮を指摘できる。
(J)  マークの存在する蓋然性はA点付近が高いの
にもかかわらず存在蓋然性の低い境界領域B点まで移動
し、B点から探索を開始するので、マークを検知するま
でに要する時間が長い。
(2)  ステージは一般に低速で高性度駆動を行って
いるため、マスク等のアライメントにおけるアシイメン
トマークを模索する場合、ステージ移動に時間を要し検
知時間が長くなる。
後述する実施例では次の構成を採るので、マーク検知時
間を短縮できる。
(1)対物レンズの初期設定位置の周辺から境界領域へ
向けて模索を行う。
(2)更に好ましく紘、模索駆動の時はステージを固定
し、X方自社対物レンズと絞り。
そしてオプティカル拳トロンポーンを構成するプリズム
52を移動し、Y方向は走査光学系全体22〜55を移
動する。一般にステージは最も精密な位置設定を要求さ
れるので、移送機構はそれに則した栂造を採用せざるを
4’Jない。従ってステージを高速で動かすのに適さな
い。
第4図(13)は本発明の実施例に係る模索駆動の軌跡
を示す。ここでは対物レンズ系が初期設定値iAからマ
スク上をA −+ p−+Q−4R→S→・・・と渦巻
状に移動しつつマークを探し、本例で値UからVへの経
路上でマークMを検知する。そしてマークの存在する蓋
然性は一般にA点近傍が高いから、検知に要する時間は
短かくて済む利点がある。同、作動の始点で、対物レン
ズ系は常に同−位・匝にセットされているものとする。
嬉5図に対物レンズ系の移動を示すフロー図を示す。模
索駆動が501にてスタートすると、502にてX方向
移動カウンタ及びY方向移動カウンタがまずクリアされ
る。この2つのカウンタは対物レンズのX方向及びY方
向の移動量を決めるカウンタである(X方向、Y方向に
ついては第4図(■3)に示す)。次に503にて倶索
駆ζりのX方向の視界に達したか否かを判別するリミッ
ト・チェ゛ツクが行われ、リミット内であれtfX方向
移動カウンタの内容Nが504でインクリメントされる
もし、後述する様に何回かこのループを通ってリミット
に達していれ[,504を飛びこして503から505
へ移る。505にてXの正方向へ移動が行われるが、こ
の時の移動量は、例えif、TXNである。(Tは第3
図で示した様にレーザスキャン巾である)ここにおいて
、まず1回目のループでは、第4図(B)で示したA→
Pの移動が行われる。
X方向に所定量の移動が行われたならは、次に506に
て(ハ)Y方向のリミットチェックを行い、X方向と同
様、リミット内ならd507にてY方向移動カウンタの
内容Mをインクリメントシ、リミットに達していれば5
07の処理をジャンプして508を行う。508は(→
Y方向へLXMO量移動する(Lは第3図で示すレーザ
スキャン長である)0 同様に←)X方向に、509.510.511の処理を
、次にY方向に512%513.514の夕゛1理を行
う。次にX方向、Y方向ともすべて+〆索厄ヒ・男のリ
ミットに辺したか否かを515でチェックし、述してい
れば516にて終了し、まグど駆シ、η領域が残ってい
れば再び503に飛び、前述したループをリミットに達
するまで〈ル返す。
ここで、X方向、Y方向の移動量は第4図(Blの?j
!4号を用いて説明すると、ψは居の2倍、面は沖の3
倍・・・であり、また皿は凶の2倍、扇は員の3倍・・
・でるる。従ってX方向、Y方向それぞれ1回毎にAP
 、 PQずつ増加することになり、この廿をX方向移
動カウンタ及びY方向移動カウンタで計数するものであ
る。また」及び1)QO量は、夫々レーザのスキャン巾
T及びレーザのスキャン長しに等しい。
第4図(!3)申いずれかの方向がリミットに達した状
況は、例えば←)Y方向の例をとると、図中1′、−→
Zで示した状態で前回O移tJhW−+Zと同じ移i:
u’J )i(である。このことは、第5図のフロー図
において507の処理をパスして506→5070処理
フローを行ったことに相当している。
尚、ζこで説明した例は、必ずマスク上の2本の7ライ
メントパターン75.76を検知する様な模索の仕方で
あって、例えは、まず上述のパターンのいずれか1本を
検知した後、2本の検知を行う方法をとれに、模索駆動
のピッチは荒くてよい。即ち舒及び艮は夫々T及びLよ
り長くてよく、従って模索駆動の移動量は特に上で説明
した量に限定されることはない。
次に本発明の他の利点である右対物レンズ系と左対物レ
ンズ系の連動駆動及び独立駆動について述べる。
第3図、第4図の動作の説明は、片側の対物レンズ系に
ついて行ったが実際には、第2図で示した様に、左右両
側の対物レンズ系にて72イメントマークの模索駆動を
行う。この場合、両側の対物レンズ系を連動して駆動す
るモードと独立して駆動する缶−ドの2つのモードを有
し、両モードの望ましい方を選択できる0の場合アライ
メントマークを検知する時間は、後述する独立駆動の場
合よりも、平均して、ややJりくなるが、対物レンズ系
の動作及びその制御が連動しているので、装置自体は簡
単である。
一方、独立駆動の場合、例□えば、片側の対物レンJ5
第4図iBlに示す様に右回シに模索駆動へ させ、もう一方の対物レンズ系を第4図0に示す様に左
回シに模索駆動させることにより、動作は連動駆動に比
べて若干複′雑であるがアライメント・マークを検知す
る平均時間は短くなる。
本5?、曲はこの連動駆動モード及び独立駆動モードを
必要に応じて選択できる点にある。これらを複合した例
としては、例えは、まず対物レンズ系の初期位置近傍で
は連動駆動を行い、周辺tISへ行くと、独立駆動を行
うと言う方法がある。
また他の1シリとしてはアライメント・マークのいずれ
がの1本のパターンを検知するまでは連動駆動を行い、
検知後は独立駆動を行い、両対物レンズ系とも4本のパ
ターンを検知する方法がある。この方法は、特に前述し
た模索駆動の駆動ピッチが荒い時、或紘マスクに0方向
のズレがある時等に有効である。
次にスキャンビームのビーム形状の選択と使用について
述べる。第2図において説明した様にレーザ光30を7
リンドリカルレンズ24.25を経由させず、そのまま
直進する光路30cを用いることでおる。この場合ビー
ムは、所謂スポット状になシスリット状光線の様に傾き
特性を持たないから、パターン71.72.73.74
.75.76のいずれに対しても信号を得ることができ
る。特に、この方法は、光強度が十分とれて、S/N此
のよいマスクアライメントにおいて有効であるが、それ
に限定されることなくマスク嗜ウェハーアライメントに
おいても用いることができる。或は、例えはマスクアラ
イメントにおいてマスク上の4本、又は、マスク上の4
本と基準マークの2不の合計6本を検知するまではスポ
ット状光殻で行い、その後スリット状ビームにしてスキ
ャンの途中で切換える方法をとってもよい。そしてこの
様にすることによ#)へ鉛な制御を不実とすると共にシ
ート状ビームによる高精度のアライメントが行える。
つまりこの方法のオリ点は、シート状ビームとスポット
状ビームの両者を発生する構造を設け、それらを対象に
よって選択できることにある。
続いて対物レンズの模索駆動後のマスクの位1ン聞合わ
せについて、第4図(13)を用いて述べる。
前述し/上様に模索駆動によシ、マスク上のマスクアラ
イメントマークを検知した場合、その対9゛タレンズ位
置Mは、例えば基準マークの位置Aからの移ル、bムセ
から簡単に求めることができる。
従って次に位置へ・1から位置Aまで対物レンズ系(5
2乃至53)を戻すと共に、マスクステージ2もN1か
ら入方向に移動きせる。移動が完了すると、対物レンズ
の視野内にマスク基準マークもマスクアライメントマー
クも観察でき、第3 i、”J (t’Jで示した状態
になる。この状態では、6本のアライメント信号が検知
できるので、後は6本の信号間隔を計測して位置合せを
行えばよいO 次に第6図を用いてテレビ・ウェハーアライメント用検
知装置につき説明する。
図中の縮小投影レンズ3、ウェハー4、対物レンズ6、
撮像管7は第1図と同一でるる。他方、91は照明用光
源で、例えばハロゲンランプを使用する。92はコンデ
ンサーレンズ。
93Aと93Bは交換的に着脱される男視野絞シと暗視
野絞シで、図では明視野絞シ93Aを光路中に装着して
いる。コンデンサーレンズ92は光源11を明視野絞シ
上に結像する。94は照明用リレーレンズ、95は接合
プリズムで、接合プリズム95は照明系の光軸と受光系
の光軸を共軸にする機能を持ち、内側反射面95aと半
透過反射面95bを具える。ここで光源91、コンデン
サーレンズ92、明又は暗祝野叔シ93Aと93B1照
明リレーレンズ94、接合プリズム95、対物レンズ6
は照明系を栴成し、対物レンズ6を射出した光速はウェ
ハー6上を落射照明する。
4庁1 次に96はリレーレンズ、97は光路をetげる鏡。9
8けテレビ・ウェハーアライメント用基阜マークを有す
るガラス板で、基準マークはいわば庁(功の原点を与え
る機能を持つ。従ってウェハーアライメントマークはX
 fM gO値とYFI標の値として検出されることに
なる。99は(i:を像レンズで、上に述べた接合レン
ズ95、リレーレンズ96、i97、ガラス板98、t
ji像レンズ99そして撮像管7と共に受光系を構成し
、対物レンズ6を辿る光路は接合プリズムの内側反射面
95aで反射して半透過面95bで反射し、栴仮内側反
射面15aで反射してリレーレンズ96へ向つ。ウェハ
ー4上のウェハーアライメントマーク像は基準マークを
有するガラス板98上に形成された後、基準マーク像と
共に嶺保管7の撮像面に結像する。
L〒いて作用を説明する。照明用光源91からの光束は
コンデンサーレンズ12で収斂されて明視野絞シ93A
又は暗視野絞り93Bの開口を照明し、更に照明リレー
レンズ94を通過し、接合プリズムの半透過面95bを
透過して反射面95aで反射し、対物レンズ6を通って
ウェハー4を照明する。
ウェハー4の表面で反射した光束は対物レンズ6で結像
作用を受け、接合プリズム15へ入射して反射面95a
で反射し、次いで半透過面95b1反射面15aで反射
してこれを射出し、リレーレンズ96でリレーされて鏡
97で反射し、ガラス板98上に結像した後、撮像レン
ズ99により撮像管7上に結像する。その際、上標の原
点を決め、続いて暗視野状態に切換えてウェハーアライ
メントマーク像が明瞭に見得る様にし、これを撮像して
ウェハーアライメントマーク像の位置を検出する。そし
て電気的処理によシ検出された、ウェハーアライメント
マークの位置ニ応じてウェハー・ステージ5はウェ/’
  4が投影レンズ3の投影野牛の規定位置4′を占め
る様に移動して停止する。
且 なお、ウェハー4を一旦標準位置にアライメントし、そ
の後投影野牛へ移動させる様に変形しても良い。
以上説明した本発明に依ればほば同等のプログラムに従
った信号検出と処理過程で異種のアライメントが実現さ
れ、また同一構造の光学系を使用できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例に係る装置を示す斜視図0第2図
は実施例に係る光学系側面図0第6図(A)はアライメ
ントマークの平面図で、 (B)はアライメントマーク
を走査した時の出力信号例の図。第4図(勾は従来例の
作用を説明するだめの平面図o A 4図(B)と(Q
Fi実施例の作用を説明するための平面図。 縮小投影レンズ、4はフェノ−−,5はフェノ・−・ス
テージ、6は対物レンズ、7は撮像管、8はテレヒ受1
11RR,11は固定のマスク・アライメントマーク、
22はレーザー光源、23は光偏向器、24と25はシ
リンドリカルレンズ、26と27はプリズム、28は回
転多面鏡、56は対物レンズ、52はプリズム、71・
72・76・74はウェハー側アライメントマークを構
成するエレメントで、75・76はマスク側アライメン
トマークを構成するエレメント、Aは初期設定位置、M
はアライメントマークである。 出願人 キャノン株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ウェハー面上にマスクのパターンをm付1rj 
    7;)装置に於いて、マスクを所定の位置に位置決めス
    ルマスクアライメントのマスク位置検知用のアライメン
    トマークと、マスクとウェハーの位置合わせを行うマス
    ク・ウェハーアライメントのだめのマスクとウェハーの
    相対位置検知用のアライメントマークを同一形状とする
    ことを特徴とするパターン焼付装置。
JP57200066A 1982-11-15 1982-11-15 位置検出装置 Granted JPS5989421A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57200066A JPS5989421A (ja) 1982-11-15 1982-11-15 位置検出装置
US06/550,097 US4655599A (en) 1982-11-15 1983-11-09 Mask aligner having a photo-mask setting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57200066A JPS5989421A (ja) 1982-11-15 1982-11-15 位置検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5989421A true JPS5989421A (ja) 1984-05-23
JPS6362090B2 JPS6362090B2 (ja) 1988-12-01

Family

ID=16418269

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JP57200066A Granted JPS5989421A (ja) 1982-11-15 1982-11-15 位置検出装置

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JP (1) JPS5989421A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61116836A (ja) * 1984-11-13 1986-06-04 Hitachi Ltd 縮小投影露光方式におけるアライメント方法

Citations (3)

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JPS5356975A (en) * 1976-11-01 1978-05-23 Hitachi Ltd Exposure apparatus
JPS53144270A (en) * 1977-05-23 1978-12-15 Hitachi Ltd Projection-type mask aligner
JPS57183031A (en) * 1981-05-06 1982-11-11 Toshiba Corp Method for wafer exposure and device thereof

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JPS6362090B2 (ja) 1988-12-01

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