JPS5989770A - イオンスパツタリング装置 - Google Patents
イオンスパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS5989770A JPS5989770A JP19932882A JP19932882A JPS5989770A JP S5989770 A JPS5989770 A JP S5989770A JP 19932882 A JP19932882 A JP 19932882A JP 19932882 A JP19932882 A JP 19932882A JP S5989770 A JPS5989770 A JP S5989770A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- anode
- target
- cylindrical
- cathode target
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオンスパッタリング装置に関するものである
。
。
従来のイオンスパッタリング装置としては陰極ターゲッ
トと対向する位置に陽極を配し、その陽極上に試料を置
くものや試料台を別に設けて試料に対する損傷を軽減す
るものなどがあるが、いずれもなお飛来する電子および
イオンによる試料の熱的９機械的な損傷を避けることが
できない欠点がある。また、両電極が対向する配置では
広い面積に一様なコーティングを施すことが出来ない。
トと対向する位置に陽極を配し、その陽極上に試料を置
くものや試料台を別に設けて試料に対する損傷を軽減す
るものなどがあるが、いずれもなお飛来する電子および
イオンによる試料の熱的９機械的な損傷を避けることが
できない欠点がある。また、両電極が対向する配置では
広い面積に一様なコーティングを施すことが出来ない。
本発明の目的は試料の電子およびイオンによる損傷を少
なくシ、かつ一様なコーテイング膜を得ることができる
イオンスパッタリング装置を提供することにある。
なくシ、かつ一様なコーテイング膜を得ることができる
イオンスパッタリング装置を提供することにある。
本発明は前述の試料損傷が、試料を放電プラズマ中また
はその近傍に置き、かつターゲットに対する対向面に配
置することが原因であることを実験により見出し、これ
を避けるために陽極を筒状にして、その内側に絶縁物を
介して筒状の陰極ターゲットを配置し、かつ試料をその
面が陰極ターゲットの軸に対して実質的に直角になるよ
うに陰極ターゲットの近傍に配置するようにした点に特
徴をもつものである。
はその近傍に置き、かつターゲットに対する対向面に配
置することが原因であることを実験により見出し、これ
を避けるために陽極を筒状にして、その内側に絶縁物を
介して筒状の陰極ターゲットを配置し、かつ試料をその
面が陰極ターゲットの軸に対して実質的に直角になるよ
うに陰極ターゲットの近傍に配置するようにした点に特
徴をもつものである。
本発明の詳細な説明に先立って第１図に示さねている従
来装置の一例を説明する。スパッタリングは１０−１〜
１０”” Ｔｏｒｒの真空中で行われる。
来装置の一例を説明する。スパッタリングは１０−１〜
１０”” Ｔｏｒｒの真空中で行われる。
このため絶縁筒１は耐真空容器として構成され。
通常は放電の状態を見る丸めガラス円筒でつくられる。
２は高電圧の導入のためのブッシング４を有する金属製
の上フランジ、３は金属製の下７ランジで、油回転ポン
プの引き口を有する。５は陰極ターゲット、６は陽極、
７は陽極と電気的に絶縁した試料台で、これには試料９
が載置嘔れている。１０は直流電圧電源で、ターゲット
の種類にもよるが通常１０００Ｖからａｏｏｏ ｖ程度
の電源である。
の上フランジ、３は金属製の下７ランジで、油回転ポン
プの引き口を有する。５は陰極ターゲット、６は陽極、
７は陽極と電気的に絶縁した試料台で、これには試料９
が載置嘔れている。１０は直流電圧電源で、ターゲット
の種類にもよるが通常１０００Ｖからａｏｏｏ ｖ程度
の電源である。
陽極６と陰極ターゲット５の間に高電圧を印加すること
によって放電が生ずる。絶縁筒１内のガスとしてはアル
ゴンガスを用いる場合もあるが。
によって放電が生ずる。絶縁筒１内のガスとしてはアル
ゴンガスを用いる場合もあるが。
簡便には空気が用いられる。したがって窒素、酸素等の
イオンが作られ、正のイオンは陰極ターゲットに飛来し
て衝突し、その際の機械的なエネルギーによりターゲッ
ト金属、たとえば金の原子又はクラスタを飛散せしめ、
これにより試料９の面がコーティングさ九る。放電によ
り生じた電子および負のイオンは第１図に点線で示す如
く陽極に向い、その一部は試料に衝突し、損傷を与える
。
イオンが作られ、正のイオンは陰極ターゲットに飛来し
て衝突し、その際の機械的なエネルギーによりターゲッ
ト金属、たとえば金の原子又はクラスタを飛散せしめ、
これにより試料９の面がコーティングさ九る。放電によ
り生じた電子および負のイオンは第１図に点線で示す如
く陽極に向い、その一部は試料に衝突し、損傷を与える
。
金の原子およびクラスタも中性のみとは限らず、負の電
荷をもったものもあり、これらは陽極に向い、その一部
は試料上に蓄積される。
荷をもったものもあり、これらは陽極に向い、その一部
は試料上に蓄積される。
第２図は本発明の一実施例である。陰極ターゲット５の
上下には筒状の補助電極１１を配する。
上下には筒状の補助電極１１を配する。
この電極は、陰極ターゲット５と共に絶縁支持体１３で
固定されているが、電位は特に与えられていない。１２
は容器であると同時に筒状の陽極であり、金属製のため
、放電状態を観察するのに便利なよう、上部にガラス板
１４を設ける。試料台７は絶縁台８上にある。５はター
ゲットで筒状をなし、高圧ブッシング４によって負の高
電圧が供給されている。
固定されているが、電位は特に与えられていない。１２
は容器であると同時に筒状の陽極であり、金属製のため
、放電状態を観察するのに便利なよう、上部にガラス板
１４を設ける。試料台７は絶縁台８上にある。５はター
ゲットで筒状をなし、高圧ブッシング４によって負の高
電圧が供給されている。
陰極ターゲット５と、その背面にある陽極の間で放電を
生ずる。従って、陰極５の背面と向き合った陽極１２の
間には、直接この場所で放電を生じないよう、絶縁物で
隔離しなければならない。
生ずる。従って、陰極５の背面と向き合った陽極１２の
間には、直接この場所で放電を生じないよう、絶縁物で
隔離しなければならない。
陰極ターゲット５の面と、背後の陽極１２の間で放電プ
ラズマが成牛され、正のイオンはターゲツト面に向い、
それによって陰極ターゲット５から生じるターゲット金
属、たとえば金の原子又はクラスタが飛散され、試料９
表面をコーティングする。また電子および負のイオンは
点線で示すように、背後の陽極１２に向い、従って試料
面に直進する電子およびイオンは極めて少いことになる
。
ラズマが成牛され、正のイオンはターゲツト面に向い、
それによって陰極ターゲット５から生じるターゲット金
属、たとえば金の原子又はクラスタが飛散され、試料９
表面をコーティングする。また電子および負のイオンは
点線で示すように、背後の陽極１２に向い、従って試料
面に直進する電子およびイオンは極めて少いことになる
。
このため、試料のイオンの衝突による熱的９機械的損傷
は極めて少い。
は極めて少い。
また、筒状面がターゲットであるから、広い面積からの
金属原子のスノくツタリングが行われ、回り込みのよい
、かつ一様なコーテイング膜が作られる６本実施例の場
合、筒状の陰極ターゲット５の内径が９０咽でかつこの
内径と同一径の試料面の場合はぼ一様なコーチインが行
われ、むらは観察されなかった。
金属原子のスノくツタリングが行われ、回り込みのよい
、かつ一様なコーテイング膜が作られる６本実施例の場
合、筒状の陰極ターゲット５の内径が９０咽でかつこの
内径と同一径の試料面の場合はぼ一様なコーチインが行
われ、むらは観察されなかった。
筒状の陽極１２、陰極ターゲット５、補助電極１１は具
体的には円筒形、本発明の実施例では円、筒形状につい
て説明した角筒形でもよく、またこの場合部分的切断状
態のものを配置した構造でも差支えない。更に、金属タ
ーゲットの場合には直流放電が使い易いが、ターゲット
が絶縁性の場合は高周波電圧を用いてもよい。
体的には円筒形、本発明の実施例では円、筒形状につい
て説明した角筒形でもよく、またこの場合部分的切断状
態のものを配置した構造でも差支えない。更に、金属タ
ーゲットの場合には直流放電が使い易いが、ターゲット
が絶縁性の場合は高周波電圧を用いてもよい。
試料の配置は下段のみとしたが、上部ガラス板１４にも
同様なコーティングが行われるので、この部分に、試料
台を設ければ、同時に多数の試料をコーティングするこ
とも可能である。
同様なコーティングが行われるので、この部分に、試料
台を設ければ、同時に多数の試料をコーティングするこ
とも可能である。
本発明によれば熱的１機械的な損傷の少いコーティング
が一様に行われるため、たとえば走査型電子顕微鏡用の
原物試料、または熱的に弱い高分子試料などをコーティ
ングするのに有利であり、生体膜の破れ、高分子粒子の
変形などがない状態での観察が可能となる。また半導体
デバイスなどのコーティングでも温度上昇を極端に嫌う
場合などに有利である。
が一様に行われるため、たとえば走査型電子顕微鏡用の
原物試料、または熱的に弱い高分子試料などをコーティ
ングするのに有利であり、生体膜の破れ、高分子粒子の
変形などがない状態での観察が可能となる。また半導体
デバイスなどのコーティングでも温度上昇を極端に嫌う
場合などに有利である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来装置の一実施例の縦断面図であり、第２図
は本発明の一実施例の縦断面図である。
は本発明の一実施例の縦断面図である。
Claims (1)
- １、筒状の陽極と、該筒状の陽極の内側に絶縁物を介し
て配置された筒状の陰極ターゲットと、試料をその面が
前記筒状の陰極ターゲットの軸に対して実質的に直角に
なるように前記筒状の陰極りているイオンスパッタリン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19932882A JPS5989770A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | イオンスパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19932882A JPS5989770A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | イオンスパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5989770A true JPS5989770A (ja) | 1984-05-24 |
Family
ID=16405963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19932882A Pending JPS5989770A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | イオンスパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5989770A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108770176A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-11-06 | 法德(浙江)机械科技有限公司 | 一种大型低压高效高束流直流空心阴极源 |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP19932882A patent/JPS5989770A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108770176A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-11-06 | 法德(浙江)机械科技有限公司 | 一种大型低压高效高束流直流空心阴极源 |
| CN108770176B (zh) * | 2018-08-06 | 2023-11-17 | 法德(浙江)机械科技有限公司 | 一种大型低压高效高束流直流空心阴极源 |
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