JPS5990247A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPS5990247A JPS5990247A JP57199267A JP19926782A JPS5990247A JP S5990247 A JPS5990247 A JP S5990247A JP 57199267 A JP57199267 A JP 57199267A JP 19926782 A JP19926782 A JP 19926782A JP S5990247 A JPS5990247 A JP S5990247A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔利用分野〕
不発１月は光学的な記録媒体に関するものであり、レー
ザ光グ，・の光及び熱エネルギーを用いて情報をｉ“１
，密度に記録し、目つ再生可能な記録媒体に関するＣ） レーザ光線を利用し７て高密度な情報の記録・再生を行
う装置Ｋｆ及び技術は公知である。そして光学記録媒体
・１については、レーザ光のＩＫ！射により、ヒツト（
凹部）を形成−Ｊるものと、ｌｊ＋，Ｂ射部の光学的特
性（例えは、反射率、吸収係数、屈］ハ率）を変化させ
るものとがある。
ザ光グ，・の光及び熱エネルギーを用いて情報をｉ“１
，密度に記録し、目つ再生可能な記録媒体に関するＣ） レーザ光線を利用し７て高密度な情報の記録・再生を行
う装置Ｋｆ及び技術は公知である。そして光学記録媒体
・１については、レーザ光のＩＫ！射により、ヒツト（
凹部）を形成−Ｊるものと、ｌｊ＋，Ｂ射部の光学的特
性（例えは、反射率、吸収係数、屈］ハ率）を変化させ
るものとがある。
前者は、レーザ光等のエネルギービームを照射して、ｈ
（板上の金属等の薄膜を溶融あるいは蒸発させピットを
形成するものである。この方式の記録相料の代表例とし
ては、低融点金属であるＢｊ、ＳＯ、Ｔｅ，Ｏθ、Ｉｎ
等の単体金属及び合金である。後者は、レーザ光照射に
より、）、丸板上の薄膜の光学的な性５１ｊの変化を牛
せしめるものである。
（板上の金属等の薄膜を溶融あるいは蒸発させピットを
形成するものである。この方式の記録相料の代表例とし
ては、低融点金属であるＢｊ、ＳＯ、Ｔｅ，Ｏθ、Ｉｎ
等の単体金属及び合金である。後者は、レーザ光照射に
より、）、丸板上の薄膜の光学的な性５１ｊの変化を牛
せしめるものである。
即ち、物ｒ１のイ旧Ｖ．移あるいはＤ；」イ間の結合状
ＩＡ（５を替えて、反射率、透過率あるい＆；Ｌ Ａ旧
ｊｊ率勿の光学的性ａの変化を行うものである，、不発
り１は、Ｊυ［かる後者の方式に関する。
ＩＡ（５を替えて、反射率、透過率あるい＆；Ｌ Ａ旧
ｊｊ率勿の光学的性ａの変化を行うものである，、不発
り１は、Ｊυ［かる後者の方式に関する。
〔に（−来技体１〕
前記光学的性ｒ」の変化を利用１゛る記録４副創の代表
例としてカルコゲン化物が知られている。即ち、酸素を
除く周期率表の第六族の元素Ｓ、Ｓθ、Ｔθグｌの金属
あるいは半金属の化合物薄膜である。
例としてカルコゲン化物が知られている。即ち、酸素を
除く周期率表の第六族の元素Ｓ、Ｓθ、Ｔθグｌの金属
あるいは半金属の化合物薄膜である。
例えば、特公昭５４−３７２５号にテルル低酸化物′丁
θ＋）Ｘ （ｏ＜ｘ、＜２．ｏ）を主成分と−する糊料
について報４４ｊされている。
θ＋）Ｘ （ｏ＜ｘ、＜２．ｏ）を主成分と−する糊料
について報４４ｊされている。
これは、非晶９Ｉ状態から結晶状バーあるいは他の非晶
ｒｉ状態への朴転移による光学的特性への変化によるも
のである。チル／Ｌ−似酸化物はレーザ光照射による加
熱り１温により黒化する。熱黒化転移温ノひは′Ｊ′θ
成分の却により異なり、Ｔｅ成分が多いと転移温ルが１
１（＜、反別にＴｅ成分が少ないと転移温１１１は４１
１い。ｘ＝＝ｏ、ｓ 〜ｔ、２）間で、熱黒化転移温ノ
■、１、ＲＯ℃〜１５０ ℃−７Ｊる。ＴｅＯｘ、ｘ−
１，ｌの薄＋＋ｅ ＜ ｔｑ、みｌ ２ （１０Ａ ）
ニー）イテ、１体レーザ波１８−で透過率が１５％か
ら５％へと減少上反射率が１５％から３０％へと増加す
る。
ｒｉ状態への朴転移による光学的特性への変化によるも
のである。チル／Ｌ−似酸化物はレーザ光照射による加
熱り１温により黒化する。熱黒化転移温ノひは′Ｊ′θ
成分の却により異なり、Ｔｅ成分が多いと転移温ルが１
１（＜、反別にＴｅ成分が少ないと転移温１１１は４１
１い。ｘ＝＝ｏ、ｓ 〜ｔ、２）間で、熱黒化転移温ノ
■、１、ＲＯ℃〜１５０ ℃−７Ｊる。ＴｅＯｘ、ｘ−
１，ｌの薄＋＋ｅ ＜ ｔｑ、みｌ ２ （１０Ａ ）
ニー）イテ、１体レーザ波１８−で透過率が１５％か
ら５％へと減少上反射率が１５％から３０％へと増加す
る。
ところで、信号を記録再生する場合、Ｓ／Ｎ比の点から
光学的特１ノ１変化が大きいことが望しい。
光学的特１ノ１変化が大きいことが望しい。
１゛θ（］ ｘの場合、再４Ｉは表面反射率変化にょシ
行う。ｓ Ｎ比の点から言えば、反射光変化の月は未だ
不充分である。信号を計、録する場合、半導体レーザ光
のの光出力の点からは、記録ｍ牡ｌなるべく高感度であ
ることが望捷しい。現在でｄ、人出力のレーザ光淵を必
要としている。
行う。ｓ Ｎ比の点から言えば、反射光変化の月は未だ
不充分である。信号を計、録する場合、半導体レーザ光
のの光出力の点からは、記録ｍ牡ｌなるべく高感度であ
ることが望捷しい。現在でｄ、人出力のレーザ光淵を必
要としている。
光学的特性変化が大きい記録な１・を提供することを目
的とする。更に記録薄膜の記録感ルを向」ユせんとする
ものである。
的とする。更に記録薄膜の記録感ルを向」ユせんとする
ものである。
カルコゲン元素’ｒｅと他の酸化物により、効果的に非
晶１３４状態を得て、カルコゲン元素の特徴（光学的変
化）を用いるものである。酸化物を用いる伸出は、一般
に酸化物は透明のものが多く、初期光学的濃度を小さく
出来るからである。そ１−で、更に、ルシ録薄膜の記録
Ｗ＆度向−にの為、Ｔｅ（チル／Ｉ／）薄膜を前記非晶
ｒ］薄膜の下に積層したものである。
晶１３４状態を得て、カルコゲン元素の特徴（光学的変
化）を用いるものである。酸化物を用いる伸出は、一般
に酸化物は透明のものが多く、初期光学的濃度を小さく
出来るからである。そ１−で、更に、ルシ録薄膜の記録
Ｗ＆度向−にの為、Ｔｅ（チル／Ｉ／）薄膜を前記非晶
ｒ］薄膜の下に積層したものである。
積層する用１出は以下のカ）Ｊ９である。ｎＩＪ記ジ１
晶ガ薄膜は初期光学的濃度が小さい為、照射レーザ光エ
ネルギーの利用効率が息い０、っ１少吸耽係数が小さい
ため、前記９１品７Ｊ薄眸に吸収される光エネルギーか
少シい。このため前＆ｉ ＩＩ品Ｙ１薄膜の配置録１・
八１９が但−トする。このだめ、記、録膜の全体のエネ
ルギー吸１１又を大きくするために、テルル記ジ１品ｒ
Ｊ薄１１’：°【の下に積層にぜんとするものである。
晶ガ薄膜は初期光学的濃度が小さい為、照射レーザ光エ
ネルギーの利用効率が息い０、っ１少吸耽係数が小さい
ため、前記９１品７Ｊ薄眸に吸収される光エネルギーか
少シい。このため前＆ｉ ＩＩ品Ｙ１薄膜の配置録１・
八１９が但−トする。このだめ、記、録膜の全体のエネ
ルギー吸１１又を大きくするために、テルル記ジ１品ｒ
Ｊ薄１１’：°【の下に積層にぜんとするものである。
次に抽々の相和の熱伝導率を示ｊ−。アルミニウム：０
．５０．グークニウム＋ ０． ０ ５ （＋ 、テル
ル；０．０＋１ ７ （ｉ 、アクリル０．００＋１４
８ （ ｃａ／／Ｓ．ｃｍ・℃）。レーザー光線の熱を
逃がさずに、記録部（レーザー光照射部）のみを効率よ
く昇温せしめるために、積Ｎｉ Ｒ９ ＩＩ’；’（と
じてｔ：Ｊ：熱伝ｉｎ率が小さいものか望捷し，い。壕
だ、ｌｉｆｔ記ジ１晶ｔｊ薄膜の熱転移温度は１ ８
１１ ”Ｃ前後（後述）に対し、デ）ｖ／Ｉ／薄膜の融
点し１、４５２°Ｃと高い。非晶？１薄ＩＩ・；ζが熱
転移温度に達しても、チル）Ｖ薄膜を４ｔ４傷しない。
．５０．グークニウム＋ ０． ０ ５ （＋ 、テル
ル；０．０＋１ ７ （ｉ 、アクリル０．００＋１４
８ （ ｃａ／／Ｓ．ｃｍ・℃）。レーザー光線の熱を
逃がさずに、記録部（レーザー光照射部）のみを効率よ
く昇温せしめるために、積Ｎｉ Ｒ９ ＩＩ’；’（と
じてｔ：Ｊ：熱伝ｉｎ率が小さいものか望捷し，い。壕
だ、ｌｉｆｔ記ジ１晶ｔｊ薄膜の熱転移温度は１ ８
１１ ”Ｃ前後（後述）に対し、デ）ｖ／Ｉ／薄膜の融
点し１、４５２°Ｃと高い。非晶？１薄ＩＩ・；ζが熱
転移温度に達しても、チル）Ｖ薄膜を４ｔ４傷しない。
これらの点からｉｌ’を層ＡＩ＞膜とし，てデルルが有
効であることかわかる。
効であることかわかる。
不発（引に係る記録媒体はテ＃ル（Ｔｅ）、シリコン（
Ｓｌ）及び酸％ （ ｏ ）から）（る。即ち、透過率
の６゛０い酸化シリコンＳｊ．ｏｘ（ｏ＜ｘ≦２）とチ
ル／Ｉ／（ Ｔ ｅ ）とからなる１１晶γ′１薄ｎ・
１１，を用いる。
Ｓｌ）及び酸％ （ ｏ ）から）（る。即ち、透過率
の６゛０い酸化シリコンＳｊ．ｏｘ（ｏ＜ｘ≦２）とチ
ル／Ｉ／（ Ｔ ｅ ）とからなる１１晶γ′１薄ｎ・
１１，を用いる。
薄膜の組成は
Ｔｅ Ｙ ＳｉＯＸ １００−Ｙ
（１；ｊ、モ ル ％ 、 ０ ＜Ｙ＜ １
０ ０ 、 ０（Ｘ ≦ ２ ）− 。
０ ０ 、 ０（Ｘ ≦ ２ ）− 。
である。Ｙ；４．５、ｘ＝２、膜ｐＨ ５ ０ ０ Ａ
ｆｚる場合、第１図に示１ような熱転移による反射率
及び透過率の変化をした。熱転移温度は約１３０℃であ
る。この熱転移により半導体レーザ波長（８０００＾）
に於いて透過率は５６９６から２（）％へと減少し、ま
た反射率は２０％から４０９６へと増加した。
ｆｚる場合、第１図に示１ような熱転移による反射率
及び透過率の変化をした。熱転移温度は約１３０℃であ
る。この熱転移により半導体レーザ波長（８０００＾）
に於いて透過率は５６９６から２（）％へと減少し、ま
た反射率は２０％から４０９６へと増加した。
一酸化シリコン（ｓｉｏ）とテルル
の非晶γ（状態に於いても殆んど同様の効果が得られた
。即ぢ、Ｓ１０２が３ｉｏｘ（ｏ＜Ｘ≦２）となっても
、形成される非晶％ｊ状態薄膜の転移温度及び光学的特
性変化に大きな差がないことを示している。
。即ぢ、Ｓ１０２が３ｉｏｘ（ｏ＜Ｘ≦２）となっても
、形成される非晶％ｊ状態薄膜の転移温度及び光学的特
性変化に大きな差がないことを示している。
ところで、上述した酸化シリコンテルル薄膜は透過率が
高く、レーザ光エネルギー吸１１メ効４＜が吸い。この
為、酸化シリコンテルル薄膜の下にテルル層を、百りる
１、このデルシル層からのレーザ光の反射ｅ（より、非
晶ＴＩ薄膜を通過するレーザ光のおを」ｖ１１加さぜる
。才だチル／Ｖ層に発生した熱を非晶賀薄１１・力に伝
える。これ等により１１晶ｙｈ薄膜のレーザ光エネルギ
ーの利用効率を高める。酸化シリコンテルル により、記録層のレーザ光エネルギーの吸収率を高め、
これにより記録感度の向上をもたらす。
高く、レーザ光エネルギー吸１１メ効４＜が吸い。この
為、酸化シリコンテルル薄膜の下にテルル層を、百りる
１、このデルシル層からのレーザ光の反射ｅ（より、非
晶ＴＩ薄膜を通過するレーザ光のおを」ｖ１１加さぜる
。才だチル／Ｖ層に発生した熱を非晶賀薄１１・力に伝
える。これ等により１１晶ｙｈ薄膜のレーザ光エネルギ
ーの利用効率を高める。酸化シリコンテルル により、記録層のレーザ光エネルギーの吸収率を高め、
これにより記録感度の向上をもたらす。
次に第２図を参１はして、上記１粕を利用した記ケ＋ｌ
ＩＶ、イ（・について船、リドＪる。基板＋１１として
目、ガラス板若しくはポリメチルメタクレート樹脂、ポ
リ塩化ビニ−＃ ４１脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エチルラレフタレート柁（脂等の合成樹脂シート若しく
（、Ｌフィルムを用いる。この基板＋１１上にテルル層
（２）を設置る。このＩ’／みけ、８００〜５０′Ａ程
度とする。この」−に、テルル・酸化シリコンの非晶ｒ
」薄膜（３）を形成する。その組成は上述したｉ７１’
ｌりである。この第２図に示す実施例の場合には、上方
（爪板側でない力）より和牛レーザ光を照射し、記録層
にて反射されたレーザ光を、同じ＜ Ｌ力に配向された
読出し手段（図示ゼず）でダけることによｐ、ｌＦｉ報
を再生することができる。
ＩＶ、イ（・について船、リドＪる。基板＋１１として
目、ガラス板若しくはポリメチルメタクレート樹脂、ポ
リ塩化ビニ−＃ ４１脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エチルラレフタレート柁（脂等の合成樹脂シート若しく
（、Ｌフィルムを用いる。この基板＋１１上にテルル層
（２）を設置る。このＩ’／みけ、８００〜５０′Ａ程
度とする。この」−に、テルル・酸化シリコンの非晶ｒ
」薄膜（３）を形成する。その組成は上述したｉ７１’
ｌりである。この第２図に示す実施例の場合には、上方
（爪板側でない力）より和牛レーザ光を照射し、記録層
にて反射されたレーザ光を、同じ＜ Ｌ力に配向された
読出し手段（図示ゼず）でダけることによｐ、ｌＦｉ報
を再生することができる。
第８図は他の実施例を示すものであり、基板（１）」〕
に非晶ｒ↓薄膜（３）、テルル層（２）をこの順序にで
積層したものである。この場合にＣ、４１４斗レーザ光
源及び読出し手段は共に、基板側に配ｆｆ’：ｉされる
。
に非晶ｒ↓薄膜（３）、テルル層（２）をこの順序にで
積層したものである。この場合にＣ、４１４斗レーザ光
源及び読出し手段は共に、基板側に配ｆｆ’：ｉされる
。
カルコゲン元素持論の光学的特慴変化を示すテルル・酸
化シリコンからなる非晶り１↓薄膜を用いだので、従来
に比較して大きな光学的中、１ｆ性変化（特に透過率の
変化）が得られた。そして、記録層を非晶’ｆｉＷ！膜
とテルルとの積層構造により打４成したので、従来の非
晶Ｊｊ薄膜だけの場合に比較して記録感度を１．５倍以
上向上させることができた。
化シリコンからなる非晶り１↓薄膜を用いだので、従来
に比較して大きな光学的中、１ｆ性変化（特に透過率の
変化）が得られた。そして、記録層を非晶’ｆｉＷ！膜
とテルルとの積層構造により打４成したので、従来の非
晶Ｊｊ薄膜だけの場合に比較して記録感度を１．５倍以
上向上させることができた。
第１図は本発明に係る記録媒体の特性を示す図、第２図
は不発リコに係る記録ｎ、体の一実施例の柘成を示す図
、第８図は他の実施例を示す図である。 ＋１１・・・基板、（２）・・・チルｌｖ層、（４）・
非晶Ｊｊ薄膜。
は不発リコに係る記録ｎ、体の一実施例の柘成を示す図
、第８図は他の実施例を示す図である。 ＋１１・・・基板、（２）・・・チルｌｖ層、（４）・
非晶Ｊｊ薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１） 光学的あるいは熱的なエネルギー照射により
光学性１イ１−笈化企む）る光学記録媒体であって、基
板上にテルル ）を１：成分とする非晶質薄膜を形成すると共に、読出
し方向からふ１てこの非晶質薄膜の下となる方向にテル
ル（ Ｔ Ｏ ） ｊｆｉを形成して記録感度を向上さ
ぜだことを４，＋１徴とする光学記録ｔｌ￥；体。 （２）ヲ１゛晶Ｔ１薄１１１ムが、Ｔｅ ＹＳｉ（ｌス
１０（１−Ｙ（イ］！シ、Ｏ＜Ｘ＜２、Ｏ＜’Ｙ（１
（１０、Ｙはモ／Ｌ／％）なＸｌ．成分とすることを特
徴とする特ｔｔ’ｌ’ ｆｆｉ’＋求の節１囲Ｎ’ｒ
］ ＱＩＭｌ’．ｌｔ’ｌノ光学８［１，録ｔＶ、体，
、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199267A JPS5990247A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199267A JPS5990247A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990247A true JPS5990247A (ja) | 1984-05-24 |
| JPH0376238B2 JPH0376238B2 (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=16404943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57199267A Granted JPS5990247A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990247A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144690A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-04 | Res Dev Corp Of Japan | 光による記録材料 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727788A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-15 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording member |
| JPS57135197A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording medium |
| JPS5845634A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-16 | Fujitsu Ltd | 情報記録媒体 |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP57199267A patent/JPS5990247A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727788A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-15 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording member |
| JPS57135197A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording medium |
| JPS5845634A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-16 | Fujitsu Ltd | 情報記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144690A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-04 | Res Dev Corp Of Japan | 光による記録材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0376238B2 (ja) | 1991-12-04 |
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