JPS5990927A - ホトリソグラフイ法 - Google Patents
ホトリソグラフイ法Info
- Publication number
- JPS5990927A JPS5990927A JP57199767A JP19976782A JPS5990927A JP S5990927 A JPS5990927 A JP S5990927A JP 57199767 A JP57199767 A JP 57199767A JP 19976782 A JP19976782 A JP 19976782A JP S5990927 A JPS5990927 A JP S5990927A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photo resist
- photoresist
- oxygen
- protection film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ホトリソグラフィ法（光蝕刻法、ホトエツチ
ング法とも呼ばれる）に関し、さらに詳しくは酸素減感
性ホトレジストを用いるホトリソグラクイ法に関するも
のである。
ング法とも呼ばれる）に関し、さらに詳しくは酸素減感
性ホトレジストを用いるホトリソグラクイ法に関するも
のである。
ホ） １７ング２ノイ法は、半導体装置の製造等におい
て欠くことのできない製造技術であって、絶縁物、半導
体、金属などの被蝕刻体の上に精密なホトレジスト像を
形成し、これをマスクにして被蝕刻体をエツチングする
方法である。精密なホトレジスト像を形成するには、露
光紫外線に対して高感度でありかつ高解像度であるホト
レジストを用いる必要があるが、環化コム系ホトレジス
トは高感度であり取扱が容易であるため半導体製造プロ
セスに多用されているネガタイプのホトレジストである
。ところが以下に述べるように環化ゴム系ネガタイプホ
トレジストを用いたホトレジスト像の形成には解像度の
点で問題があり、半導体装置の高集積度化にあってこの
問題点の解決が強く要請されている。
て欠くことのできない製造技術であって、絶縁物、半導
体、金属などの被蝕刻体の上に精密なホトレジスト像を
形成し、これをマスクにして被蝕刻体をエツチングする
方法である。精密なホトレジスト像を形成するには、露
光紫外線に対して高感度でありかつ高解像度であるホト
レジストを用いる必要があるが、環化コム系ホトレジス
トは高感度であり取扱が容易であるため半導体製造プロ
セスに多用されているネガタイプのホトレジストである
。ところが以下に述べるように環化ゴム系ネガタイプホ
トレジストを用いたホトレジスト像の形成には解像度の
点で問題があり、半導体装置の高集積度化にあってこの
問題点の解決が強く要請されている。
次に、環化コム系ホトレジストを用いた従来のホトレジ
スト像の形成における問題点を、第１図工程図を参照し
て具体的に説明する。
スト像の形成における問題点を、第１図工程図を参照し
て具体的に説明する。
７パ
第１図（ａ）において、１はシリコンウエノＸあり、２
はシリコンウェハ１を酸化性雰囲気に処理をして形成さ
れたシリコン酸化膜であり、シリコン酸化膜２はこの場
合の被蝕刻体である。ホ） ＩＪノングラフィ法おける
従来のホトレジスト像の形成には、先ず同図（ｂ）のよ
うに、シリコン酸化膜２の上に普通１．０〜２．０μｍ
厚の均一な環化ゴム系ネガタイプホトレジスト膜６をス
ピンコーター等によシ塗布乾燥する。環化ゴム系ネガタ
イプホトレジストは、ベースレジンどして環化ポリイソ
プレンや環化ポリブタジェンを用い、紫外線架橋硬化剤
としてベースレジンに対して２〜５重量係の２，６−シ
ー（４’−７シドベンザル）−４−メチルシクロヘキサ
ノン、２，６−ジー（４′−アジドベンザルウ−シクロ
ヘキサノン等のビスアジド化合物が添加されている。次
に、第１図（Ｃ）のように、マスクアライナ−によりホ
トマスク４を透してホトレジスト膜６に紫外線露光５を
行うと、感光したホトレジスト膜の部分（交叉斜線〕に
おいてはビスアジド化合物がＮ２ガスを放出して活性の
ビスアジドラジカルとなり、ベースレジンを架橋させ現
像液に対して不溶化する。感光しないホトレジスト膜の
部分（斜線）は依然現像液に対して溶解性のままである
、マスクアライナ−の型式には、ホトレジスト膜６とホ
トマスク４とを密着させて露光するコンタクト方式、図
示したように両者を若干熱して露光するプロキシミティ
方式、そしてまた反射系もしくは屈折光学系によりホト
レジスト膜６上に結像させて露光するプロジェクション
方式などがある。当然のことであるが、これらの方式の
うちコンタクト方式が最も解像度が高い。次に第１図（
ｄ）のように、露光済みのウェハ１は、スプレ一方式現
像装置などにより現像液で現像処理を行って非感光レジ
スト膜部分を溶解し、リンス液でリンスし、最後にドラ
イエアで乾燥してホｉ・レジスト像６を得ていた。
はシリコンウェハ１を酸化性雰囲気に処理をして形成さ
れたシリコン酸化膜であり、シリコン酸化膜２はこの場
合の被蝕刻体である。ホ） ＩＪノングラフィ法おける
従来のホトレジスト像の形成には、先ず同図（ｂ）のよ
うに、シリコン酸化膜２の上に普通１．０〜２．０μｍ
厚の均一な環化ゴム系ネガタイプホトレジスト膜６をス
ピンコーター等によシ塗布乾燥する。環化ゴム系ネガタ
イプホトレジストは、ベースレジンどして環化ポリイソ
プレンや環化ポリブタジェンを用い、紫外線架橋硬化剤
としてベースレジンに対して２〜５重量係の２，６−シ
ー（４’−７シドベンザル）−４−メチルシクロヘキサ
ノン、２，６−ジー（４′−アジドベンザルウ−シクロ
ヘキサノン等のビスアジド化合物が添加されている。次
に、第１図（Ｃ）のように、マスクアライナ−によりホ
トマスク４を透してホトレジスト膜６に紫外線露光５を
行うと、感光したホトレジスト膜の部分（交叉斜線〕に
おいてはビスアジド化合物がＮ２ガスを放出して活性の
ビスアジドラジカルとなり、ベースレジンを架橋させ現
像液に対して不溶化する。感光しないホトレジスト膜の
部分（斜線）は依然現像液に対して溶解性のままである
、マスクアライナ−の型式には、ホトレジスト膜６とホ
トマスク４とを密着させて露光するコンタクト方式、図
示したように両者を若干熱して露光するプロキシミティ
方式、そしてまた反射系もしくは屈折光学系によりホト
レジスト膜６上に結像させて露光するプロジェクション
方式などがある。当然のことであるが、これらの方式の
うちコンタクト方式が最も解像度が高い。次に第１図（
ｄ）のように、露光済みのウェハ１は、スプレ一方式現
像装置などにより現像液で現像処理を行って非感光レジ
スト膜部分を溶解し、リンス液でリンスし、最後にドラ
イエアで乾燥してホｉ・レジスト像６を得ていた。
しかしながら、環化ゴム系ホトレジストを用いた上記従
来のホトレジスト像の形成方法においては、第１図（Ｃ
）の露光雰囲気中に酸素が存在していると、露光によっ
て分解生成したビスアミドラジカルがベースレジンを架
橋する前に酸素と結合して不活性な化合物となり、その
ため、露光しても架橋反応が起こらなかったレジスト膜
は現像の際溶出してしまい、膜厚が薄くなる（残膜率が
低い）という問題が起こる。この問題を一般に酸素減感
性と呼んでいる。
来のホトレジスト像の形成方法においては、第１図（Ｃ
）の露光雰囲気中に酸素が存在していると、露光によっ
て分解生成したビスアミドラジカルがベースレジンを架
橋する前に酸素と結合して不活性な化合物となり、その
ため、露光しても架橋反応が起こらなかったレジスト膜
は現像の際溶出してしまい、膜厚が薄くなる（残膜率が
低い）という問題が起こる。この問題を一般に酸素減感
性と呼んでいる。
以上のように、環化ゴム系ホトレジストは酸素減感性ホ
トレジストの一つであり、そのため環化ゴム系ホトレジ
ストを用い上記従来方法によってホトレジスト像を形成
したときには、解像度が悪くまた架橋反応度合が露光エ
ネルギーに比例しないために条件管理が離しい。従って
環化ゴム系レジストは、解像度のよいコンタクト方式ア
ライナ−では便利に多用されているが、解像度の低いプ
ロジェクション方式アライナ−では現在殆んど採用され
ていない。
トレジストの一つであり、そのため環化ゴム系ホトレジ
ストを用い上記従来方法によってホトレジスト像を形成
したときには、解像度が悪くまた架橋反応度合が露光エ
ネルギーに比例しないために条件管理が離しい。従って
環化ゴム系レジストは、解像度のよいコンタクト方式ア
ライナ−では便利に多用されているが、解像度の低いプ
ロジェクション方式アライナ−では現在殆んど採用され
ていない。
本発明の目的は、酸素減感性のホトレジストを用いるホ
トリソグラフィ方法において、解像度を高めかつ残膜率
を高めるホトレジスト像形成方法を提供することにある
。また本発明の別の目的はプロジェクション方式アライ
ナ−において酸素減感性ホトレジストを適用し精密なホ
トレジスト像が形成できるホトリソグラフィ方法を提供
することにある。
トリソグラフィ方法において、解像度を高めかつ残膜率
を高めるホトレジスト像形成方法を提供することにある
。また本発明の別の目的はプロジェクション方式アライ
ナ−において酸素減感性ホトレジストを適用し精密なホ
トレジスト像が形成できるホトリソグラフィ方法を提供
することにある。
本発明は被蝕刻体上に酸素減感性ホトレジストを用いて
ホトレジスト膜を従来法のように形成した後に、該ホト
レジスト膜上に酸素の透過係数の小さい樹脂からなる保
護膜を被覆してホトレジスト膜を酸素を含む雰囲気と遮
断した状態で、躾−伶奔典禰マスクアライメント時にプ
ロジェクション方式のアライナ−で露光し、露光して生
じたビスアジドラフカルを有効にベースレジンの架橋反
応に寄与せしめ、しかる後肢保護膜を除去し次いで該ホ
トし／スト膜を現像することを特徴とするホトリソグラ
フィ法である。
ホトレジスト膜を従来法のように形成した後に、該ホト
レジスト膜上に酸素の透過係数の小さい樹脂からなる保
護膜を被覆してホトレジスト膜を酸素を含む雰囲気と遮
断した状態で、躾−伶奔典禰マスクアライメント時にプ
ロジェクション方式のアライナ−で露光し、露光して生
じたビスアジドラフカルを有効にベースレジンの架橋反
応に寄与せしめ、しかる後肢保護膜を除去し次いで該ホ
トし／スト膜を現像することを特徴とするホトリソグラ
フィ法である。
保護膜を形成する’ｔ！７脂として、例えばポリビニル
アルコール系樹脂が誉げられる。ポリビニルアルコール
（Ｐ’ＶＡ）はポリ酢酸ビニルのけん化法などによって
得られ、けん化度７８％以上、重合度３００以上のポリ
ビニルアルコール系樹脂といえるものが種々市販されて
いる。これらのポリビニルアルコール系樹脂は酸素透過
率が他の樹脂に比較して優れ、特にけん化度９８％以上
のＰＶＡが優れている。本発明においては酸素透過率が
ポリビニルアルコール系樹脂に準じて小さい樹脂の保護
膜を形成するが、ポリビニルアルコール系樹脂は水すこ
とかないので特に好ましい。
アルコール系樹脂が誉げられる。ポリビニルアルコール
（Ｐ’ＶＡ）はポリ酢酸ビニルのけん化法などによって
得られ、けん化度７８％以上、重合度３００以上のポリ
ビニルアルコール系樹脂といえるものが種々市販されて
いる。これらのポリビニルアルコール系樹脂は酸素透過
率が他の樹脂に比較して優れ、特にけん化度９８％以上
のＰＶＡが優れている。本発明においては酸素透過率が
ポリビニルアルコール系樹脂に準じて小さい樹脂の保護
膜を形成するが、ポリビニルアルコール系樹脂は水すこ
とかないので特に好ましい。
ポリビニルアルコールはネガタイプレジストよりステッ
キング（付着例れ〕しやすいポジタイプレジストの付着
防止剤として使用できることは知られていたが、環化ゴ
ム系レジストの酸素減感防止のために用いることは全く
知られていなかったのであり、また付着防止の必要のな
いプロジェクション方式の露光において酸素減感防止の
ために使用することは全く新規な方法である。
キング（付着例れ〕しやすいポジタイプレジストの付着
防止剤として使用できることは知られていたが、環化ゴ
ム系レジストの酸素減感防止のために用いることは全く
知られていなかったのであり、また付着防止の必要のな
いプロジェクション方式の露光において酸素減感防止の
ために使用することは全く新規な方法である。
次に本発明の実施例を第２図の工程説明図を参照して具
体的に説明する。
体的に説明する。
第２図（ａ）において、シリコンウェハ１１ｄ、１１０
０℃の温度で酸素及び水素を燃焼させこの雰囲気中に約
７０分間さらすことにょシ、約５０００１厚のシリコン
酸化膜２を形成し、これがこの実施例において被蝕刻体
となる。次に第２図（ｂ）のように、このシリコン酸化
膜２上に、０ＭＲ８３ＳＲ（東京応化製環化ゴム系ネガ
タイプホトレジスト商品名）ヲ３０ｃｐの粘度に調製し
、スピンコーターで１．１μｍ厚に塗布する。このとき
のスピンコーターの回転数は２５００ ｒｐｍであった
。その後８５°Ｃのホットプレートで１０分間熱処理を
行い、塗膜中の有機溶剤を除去し、ホトレジスト膜２１
を形成する。次に第２図（Ｃ）のように、ホトレジスト
膜２１上にスピンコーター法（回転数５００Ｏｒｐｍ
）により５％のポリビニルアルコール水溶液を１０００
λ厚に塗布する。
０℃の温度で酸素及び水素を燃焼させこの雰囲気中に約
７０分間さらすことにょシ、約５０００１厚のシリコン
酸化膜２を形成し、これがこの実施例において被蝕刻体
となる。次に第２図（ｂ）のように、このシリコン酸化
膜２上に、０ＭＲ８３ＳＲ（東京応化製環化ゴム系ネガ
タイプホトレジスト商品名）ヲ３０ｃｐの粘度に調製し
、スピンコーターで１．１μｍ厚に塗布する。このとき
のスピンコーターの回転数は２５００ ｒｐｍであった
。その後８５°Ｃのホットプレートで１０分間熱処理を
行い、塗膜中の有機溶剤を除去し、ホトレジスト膜２１
を形成する。次に第２図（Ｃ）のように、ホトレジスト
膜２１上にスピンコーター法（回転数５００Ｏｒｐｍ
）により５％のポリビニルアルコール水溶液を１０００
λ厚に塗布する。
その後８５℃のホットプレートで１ｏ分間熱処理を行い
、塗膜中の水分を除去し、ポリビニルアルコールの保護
膜２２を形成する。次に第２図（ｄ）のように、マスク
アライナ−によりホトマスク４を透して紫外線露光５を
行うと、紫外線はポリビニルアルコールの保護膜２２を
透過してホトレジスト膜２１が感光する。ホトレジスト
膜２１中には感光して分解したビスアジドラジカルが生
成するが、保護膜２２が存在するために雰囲気中の酸素
と反応して不活性化することなく、有効にホトレジスト
中のベースレジンを架橋させることができる。ホトレジ
スト膜２１の交叉斜線部分は架橋して不溶化した部分で
あシ、斜線部分は未感光で現像液に対して溶解する部分
である。次に第２図＜ｅ＞のように、ポリビニルアルコ
ールの保護膜２２を専用の除去剤で取除く、次に第２図
（ｆ）のように、スプレ一方式の視像装置を用い、ホト
レジスト膜２１をｎ−ヘプタンで６０秒間現像した後酢
酸ブチルで６０秒間リンスを行い最後にドライエアで乾
燥してホトレジスト像２６を得る。
、塗膜中の水分を除去し、ポリビニルアルコールの保護
膜２２を形成する。次に第２図（ｄ）のように、マスク
アライナ−によりホトマスク４を透して紫外線露光５を
行うと、紫外線はポリビニルアルコールの保護膜２２を
透過してホトレジスト膜２１が感光する。ホトレジスト
膜２１中には感光して分解したビスアジドラジカルが生
成するが、保護膜２２が存在するために雰囲気中の酸素
と反応して不活性化することなく、有効にホトレジスト
中のベースレジンを架橋させることができる。ホトレジ
スト膜２１の交叉斜線部分は架橋して不溶化した部分で
あシ、斜線部分は未感光で現像液に対して溶解する部分
である。次に第２図＜ｅ＞のように、ポリビニルアルコ
ールの保護膜２２を専用の除去剤で取除く、次に第２図
（ｆ）のように、スプレ一方式の視像装置を用い、ホト
レジスト膜２１をｎ−ヘプタンで６０秒間現像した後酢
酸ブチルで６０秒間リンスを行い最後にドライエアで乾
燥してホトレジスト像２６を得る。
Ｆ３図Ｕ、上記実施例においてポリビニルアルコール（
ＰＶＡ）の保護膜２２の膜厚を変えたときの環化ゴム系
ホトレジスト膜２１の残膜率（現像後のホトレジスト膜
厚／現像前のホトレジスト膜厚）の関係を示したもので
ある、同図かられかるように、ＰｖＡ膜厚が１０００＾
という薄い膜厚でも０９５という高い残膜率が得られ、
１ｏｏｏ Ａ以上のどの膜厚でも一定した残膜率が得ら
れるので製造条件の管理が容易である。
ＰＶＡ）の保護膜２２の膜厚を変えたときの環化ゴム系
ホトレジスト膜２１の残膜率（現像後のホトレジスト膜
厚／現像前のホトレジスト膜厚）の関係を示したもので
ある、同図かられかるように、ＰｖＡ膜厚が１０００＾
という薄い膜厚でも０９５という高い残膜率が得られ、
１ｏｏｏ Ａ以上のどの膜厚でも一定した残膜率が得ら
れるので製造条件の管理が容易である。
第４図は、上記実施例と前記比較例とをグロジエクショ
ンアライナー（ＭＰＡ ５００ ＦＡ）で露光エネルギ
ー量を変えて露光した場合、露光エネルギー量と残膜率
の関係を示したものである。同図かられかることは第一
に、実施例（曲線ａ）と比較例（曲線ｂ）との間で残膜
率に１２チもの差があることである。この１２％もの差
は、実施例において比較例の酸素減感性が改善されたた
めであり、従来例の膜厚べりが解決できることである。
ンアライナー（ＭＰＡ ５００ ＦＡ）で露光エネルギ
ー量を変えて露光した場合、露光エネルギー量と残膜率
の関係を示したものである。同図かられかることは第一
に、実施例（曲線ａ）と比較例（曲線ｂ）との間で残膜
率に１２チもの差があることである。この１２％もの差
は、実施例において比較例の酸素減感性が改善されたた
めであり、従来例の膜厚べりが解決できることである。
第二に、実施例における露光エネルギーの実用範囲は矢
印８以上の範囲であり、従来例における実用範囲（矢印
す以上）よりも改善されていることである。
印８以上の範囲であり、従来例における実用範囲（矢印
す以上）よりも改善されていることである。
また、上記実施例では前記比較例に比較して解像度が改
善された。すなわち実施例と比較例とをグロジェクショ
ンアライナー（ＭＰＡ５００ＦＡ）で０．５ 、１．０
、 ｉ、５ 、２．０ 、２．５ 、３．０ 、３．
５ 、４．０ 、４．５μｍの抜きパターンで試験し全
くブリッジを起さないパターン幅を求めたところ、実施
例では３．０７ＩＮであって比較例の４．５μｍに対し
て１．５μｍの改善がみられた。
善された。すなわち実施例と比較例とをグロジェクショ
ンアライナー（ＭＰＡ５００ＦＡ）で０．５ 、１．０
、 ｉ、５ 、２．０ 、２．５ 、３．０ 、３．
５ 、４．０ 、４．５μｍの抜きパターンで試験し全
くブリッジを起さないパターン幅を求めたところ、実施
例では３．０７ＩＮであって比較例の４．５μｍに対し
て１．５μｍの改善がみられた。
因みに従来例のコンタクト方式アライナ−でのブリッジ
を起こさないパターン幅は３．０μｍである。
を起こさないパターン幅は３．０μｍである。
このようにプロジェクション方式においても本発明は実
用的解像度が得られる。
用的解像度が得られる。
以上説明したところから明らかなように、本発明によれ
ば、環化ゴノ、系ネガタイプホトレジストのような酸素
減感性ホトレジストであっても架橋剤が酸素によって不
活性化せず、その結果残膜率が高くまた高感度である。
ば、環化ゴノ、系ネガタイプホトレジストのような酸素
減感性ホトレジストであっても架橋剤が酸素によって不
活性化せず、その結果残膜率が高くまた高感度である。
その上解像度が優れているので、従来ネガタイプホトレ
ジストが殆んど使用されることがなかったプロジェクシ
ョン方式の露光においても十分実用的なきれのよいパタ
ーン像が得られるようになった。勿論、プロジェクショ
ン方式のみならず、コンタクト方式やプロキシミティ方
式の露光においても有効である。
ジストが殆んど使用されることがなかったプロジェクシ
ョン方式の露光においても十分実用的なきれのよいパタ
ーン像が得られるようになった。勿論、プロジェクショ
ン方式のみならず、コンタクト方式やプロキシミティ方
式の露光においても有効である。
第１図は従来のホトリソグラフィ法の工程図、第２図は
本発明実施例の工程図、第６図及び第４図は本発明の詳
細な説明するグラフである。 １・・・シリコンウエノ・、２・・・被蝕刻体、３．２
１・・・ホトレジスト膜、４・・・ホトマスク、５・・
・露光紫外線、６．２６・・・ホトレジスト像、２２・
・保護膜。 第１図 第２図 ｆｌ 第３図
本発明実施例の工程図、第６図及び第４図は本発明の詳
細な説明するグラフである。 １・・・シリコンウエノ・、２・・・被蝕刻体、３．２
１・・・ホトレジスト膜、４・・・ホトマスク、５・・
・露光紫外線、６．２６・・・ホトレジスト像、２２・
・保護膜。 第１図 第２図 ｆｌ 第３図
Claims (1)
- １ 酸素減感性ホトレジストを用いるホトリソグラフィ
法において、被蝕刻体上に上記ホトレジストのホトレジ
スト膜を形成し２、次いで該ホトレジスト膜上にポリビ
ニルアルコール系樹脂又はそれに準する酸素の透過係数
の小さい樹脂からなる保護膜を被覆し、しかる後露光し
、該保護膜を除去し次いで該ホトレジスト膜を現像する
ことを特徴とするホトリソグラフィ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199767A JPS5990927A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | ホトリソグラフイ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199767A JPS5990927A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | ホトリソグラフイ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990927A true JPS5990927A (ja) | 1984-05-25 |
Family
ID=16413274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57199767A Pending JPS5990927A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | ホトリソグラフイ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990927A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6038821A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | エッチング方法 |
| JPS61160935A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Nec Corp | Ｘ線露光方法 |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP57199767A patent/JPS5990927A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6038821A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | エッチング方法 |
| JPS61160935A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Nec Corp | Ｘ線露光方法 |
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