JPS59919A - ガス導入器 - Google Patents
ガス導入器Info
- Publication number
- JPS59919A JPS59919A JP10927782A JP10927782A JPS59919A JP S59919 A JPS59919 A JP S59919A JP 10927782 A JP10927782 A JP 10927782A JP 10927782 A JP10927782 A JP 10927782A JP S59919 A JPS59919 A JP S59919A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- stage
- deflection plate
- introduction pipe
- stages
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
゛本発明は半導体気相成長用縦型反応炉に反応ガスを導
入するためのガス導入器、特に一端を閉鎖し、他端よシ
反応ガスを流入させ、前記一端の近傍において周壁に設
けた噴出孔を通して前記反応ガスを噴出させる導入管を
備えたガス導入器に関する。
入するためのガス導入器、特に一端を閉鎖し、他端よシ
反応ガスを流入させ、前記一端の近傍において周壁に設
けた噴出孔を通して前記反応ガスを噴出させる導入管を
備えたガス導入器に関する。
〔発明の技術的背景および背景技術の問題点〕この種の
ガス導入器は、例えば第１図に示すように、基台ｌと、
基台／を貫通する回転支持軸−と、該回転支持軸−に支
持され、ヒータＪＫより加熱されるサセプタ亭と、基台
／に取付けられたペルジャー型外囲器３とを備え、サセ
プタ亭の上に半導体、例えばシリコン基板６を載せ、図
示しない手段により回転支持軸コを介してサセプタ弘を
回転させる半導体気相成長用縦型反応炉に反応ガスを導
入するために用いられるもので１回転支持軸コを貫通し
、一端？ａが円板ｌにより閉鎖され、他端７ｂから反応
ガスを流入させ、前記一端７ａの近傍において周壁り０
に設けた噴出孔りから反応ガスを噴出させるものである
。噴出したガスは、半導体基板ふと反応した後、排気孔
ＩＯを介１７て排出させる。
ガス導入器は、例えば第１図に示すように、基台ｌと、
基台／を貫通する回転支持軸−と、該回転支持軸−に支
持され、ヒータＪＫより加熱されるサセプタ亭と、基台
／に取付けられたペルジャー型外囲器３とを備え、サセ
プタ亭の上に半導体、例えばシリコン基板６を載せ、図
示しない手段により回転支持軸コを介してサセプタ弘を
回転させる半導体気相成長用縦型反応炉に反応ガスを導
入するために用いられるもので１回転支持軸コを貫通し
、一端？ａが円板ｌにより閉鎖され、他端７ｂから反応
ガスを流入させ、前記一端７ａの近傍において周壁り０
に設けた噴出孔りから反応ガスを噴出させるものである
。噴出したガスは、半導体基板ふと反応した後、排気孔
ＩＯを介１７て排出させる。
従来このようなガス導入器として種々のものが使用され
ているが、いずれも、反応ガスの製産むら、乱流現象の
ため、サセプタ上の各位置での気相成長速度を均一にす
ることができず、成長膜厚分布や抵抗分布を一様のもの
にする層とができないという問題があった。
ているが、いずれも、反応ガスの製産むら、乱流現象の
ため、サセプタ上の各位置での気相成長速度を均一にす
ることができず、成長膜厚分布や抵抗分布を一様のもの
にする層とができないという問題があった。
本発明の目的は、サセプタ上の各位置での気相成長速度
を均一にすることができ、従って成長膜厚分布や抵抗分
布を一様のものにすることができるガス導入器を提供す
ることにある。
を均一にすることができ、従って成長膜厚分布や抵抗分
布を一様のものにすることができるガス導入器を提供す
ることにある。
〔発明の概要〕
本発明のガス導入器は、噴出孔の寸法、例えば直径をへ
３乃至Ｊ、！ｒｍとし、該噴出孔を３乃至６段にわたっ
て設け、各段間の間隔および最上段と前記導入管の閉鎖
した側の端部との間隔を３乃至／ｋｅｙｓとし、各段の
噴出孔を、周壁を周方向に略ダ等分した位置に配置し、
かつすべての段の噴出孔を導入管の軸方向に整列させ、
また前記導入管の前記閉鎖した側の端部に積形つば状の
偏向板を設け、この偏向板の導入管周壁からの突出長を
、導入管周壁において噴出孔が分布している部分の軸方
向の長さに略等しくしたことを特徴とするものである。
３乃至Ｊ、！ｒｍとし、該噴出孔を３乃至６段にわたっ
て設け、各段間の間隔および最上段と前記導入管の閉鎖
した側の端部との間隔を３乃至／ｋｅｙｓとし、各段の
噴出孔を、周壁を周方向に略ダ等分した位置に配置し、
かつすべての段の噴出孔を導入管の軸方向に整列させ、
また前記導入管の前記閉鎖した側の端部に積形つば状の
偏向板を設け、この偏向板の導入管周壁からの突出長を
、導入管周壁において噴出孔が分布している部分の軸方
向の長さに略等しくしたことを特徴とするものである。
第一図は本発明一実施例に係るガス導入器を示したもの
である。同図において７は直径が／！ｒ ｒａｔ”ＩＤ
導入管、ｔは円板上のカバーで、その直径は約７００晒
と導入管よりも大きく、その周辺部ｆｆａは導入管の周
壁７ｏから径方向に突出して積形つは状の偏向板を形成
している。
である。同図において７は直径が／！ｒ ｒａｔ”ＩＤ
導入管、ｔは円板上のカバーで、その直径は約７００晒
と導入管よりも大きく、その周辺部ｆｆａは導入管の周
壁７ｏから径方向に突出して積形つは状の偏向板を形成
している。
噴出孔９Ｉｉ、、導入管７の閉鎖した側の端部７ａの近
傍において、３乃至６段、図示の例ではダ段にわたって
設けられ、各段間の間隔および最上段と端部りａとの間
の間隔りは、Ｓ〜７５調に定められている。
傍において、３乃至６段、図示の例ではダ段にわたって
設けられ、各段間の間隔および最上段と端部りａとの間
の間隔りは、Ｓ〜７５調に定められている。
各段の噴出孔デけ、第３図に示すように周壁７ｃを周方
向にグ等分した位置に配置され、またすべての段の噴出
孔は管の軸方向に整列している。さらに各噴出孔の寸法
、例えば、孔が円形の場合にはｉ＆径は、７．５〜３．
３鰭と定められている。
向にグ等分した位置に配置され、またすべての段の噴出
孔は管の軸方向に整列している。さらに各噴出孔の寸法
、例えば、孔が円形の場合にはｉ＆径は、７．５〜３．
３鰭と定められている。
また、偏向板ざの直径をＤ、導入管の直径をｄ、段間間
隔をｈ、段数を８としたとき、偏向板ざの導入管周壁７
ｏからの突出長（Ｄ −ａ ）／、２が、周壁７ｃにお
いて噴出孔が分布している部分の長さｓｈに略等しくな
るように定められている。本実施例ではＤ−１００，ｄ
−／に、 ５−１Ｉであるので、Ｄ−ｃｌ １
００−／ｊｔ 。
隔をｈ、段数を８としたとき、偏向板ざの導入管周壁７
ｏからの突出長（Ｄ −ａ ）／、２が、周壁７ｃにお
いて噴出孔が分布している部分の長さｓｈに略等しくな
るように定められている。本実施例ではＤ−１００，ｄ
−／に、 ５−１Ｉであるので、Ｄ−ｃｌ １
００−／ｊｔ 。
ｈ −乞 □ 雪 ／Ｉｔｒｒｒｎ
コ×Ｂ コ×ダ 。
と定められている。
上記のような、ガス導入器を例えば第１図に示すような
反応炉に組込んで使用すると、膜厚分布、抵抗分布が一
様のものとなることが分かった。即ち、膜厚のバラつき
ｅは て表わされ、従来±Ｓ〜７ｑ６であっｆが、これを十／
〜Ｊ％程度に抑えることができた。
反応炉に組込んで使用すると、膜厚分布、抵抗分布が一
様のものとなることが分かった。即ち、膜厚のバラつき
ｅは て表わされ、従来±Ｓ〜７ｑ６であっｆが、これを十／
〜Ｊ％程度に抑えることができた。
また、従来、サセプタ弘の内周側と外周側とで膜厚が異
なるという問題があったが、本発明に従えば、膜厚の差
異を小さくできることが分かった。
なるという問題があったが、本発明に従えば、膜厚の差
異を小さくできることが分かった。
まず、噴出孔の配置については、本発明のようにすべて
の段の噴出孔を互いに整列させた場合と、第１図および
第（図に示すよって隣接する段間で噴出孔の位置を、管
の軸心位置Ｏに対して＆＆’ ずらした場合とで比較す
ると、（この場合、両者ともカバーは導入管から突出し
ておらず、偏向板を形成する部分はない）第６図に示す
ように整列した場合の方が膜厚の差が小さくなることが
分かった。
の段の噴出孔を互いに整列させた場合と、第１図および
第（図に示すよって隣接する段間で噴出孔の位置を、管
の軸心位置Ｏに対して＆＆’ ずらした場合とで比較す
ると、（この場合、両者ともカバーは導入管から突出し
ておらず、偏向板を形成する部分はない）第６図に示す
ように整列した場合の方が膜厚の差が小さくなることが
分かった。
次に偏向板の有無とその寸法、即ち導入管からの突出長
（Ｄ−ａ）／、２については、第７図に示すように偏向
板がない場合（曲線Ａ）、偏向板の突出長が比較的短い
場合（曲ｍＢ）、偏向板の膜厚の差が最小となることが
分かった。
（Ｄ−ａ）／、２については、第７図に示すように偏向
板がない場合（曲線Ａ）、偏向板の突出長が比較的短い
場合（曲ｍＢ）、偏向板の膜厚の差が最小となることが
分かった。
以上のように本発明によれば、気相成長速度を均一′に
し、膜厚分布、抵抗分布を一様やものにすることができ
る。
し、膜厚分布、抵抗分布を一様やものにすることができ
る。
第１図は反応炉の一例を示す概略断面図、第２図は本発
明一実施例のガス導入器を示す立面図、第３図は第一図
の■−■線断面図、第４図は従来のガス導入器の一例を
示す立面図、第３図は第ｅ′図のｖ−■線断面図、第６
図および第７図はサセプタ上の各位置と、その点におけ
る半導体の成長膜厚の偏差を示す線図である。 ７・・・導入管、７Ｃ・・・周壁、Ｓ・・・カバー、ｇ
ａ・・・偏向板、９・・・噴出孔。 出願人代理人 猪 股 清此 １ 図 氾 ４ 図 躬 ５ 図 も ６ 図 も ７ 図 術 没
明一実施例のガス導入器を示す立面図、第３図は第一図
の■−■線断面図、第４図は従来のガス導入器の一例を
示す立面図、第３図は第ｅ′図のｖ−■線断面図、第６
図および第７図はサセプタ上の各位置と、その点におけ
る半導体の成長膜厚の偏差を示す線図である。 ７・・・導入管、７Ｃ・・・周壁、Ｓ・・・カバー、ｇ
ａ・・・偏向板、９・・・噴出孔。 出願人代理人 猪 股 清此 １ 図 氾 ４ 図 躬 ５ 図 も ６ 図 も ７ 図 術 没
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （／）半導体気相成長用縦型反応炉に反応ガスを導入す
るため、一端を閉鎖し、他端より反応ガスを流入させ、
前記一端の近傍において周壁に設けた噴出孔を通して前
記反応ガスを噴出させる導入管を備えたガス導入器にお
いて、前記噴出孔の寸法をへ３乃至Ｊ、！ｆｖｍとし、
該噴出孔を３乃至６段にわたって設け、各段間の間隔お
よび最上段と前記導入管の前記一端との間隔を３乃至／
！鱈とし、各段の噴出孔を前記周壁を周方向に略亭等分
した位置に配置し、かつすべての段の噴出孔を導入管の
軸方白和整列させ、また前記導入管の前記一端に３Ｉｌ
形つげ状の偏向板を設け、この偏向板の前記導入管から
の突出長を、前記周壁において噴出孔が分布している部
分の軸方向の長さに略等しくしたことを特徴とするガス
導入器。 （，２）前記導入管の前記一端を閉鎖する手段と前記偏
向板とを一体に形成して成ることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のガス導入器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10927782A JPS59919A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | ガス導入器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10927782A JPS59919A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | ガス導入器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59919A true JPS59919A (ja) | 1984-01-06 |
Family
ID=14506085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10927782A Pending JPS59919A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | ガス導入器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59919A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0636705A3 (en) * | 1993-07-27 | 1996-03-13 | Shinetsu Handotai Kk | Vertical vapor deposition device. |
| US20120103260A1 (en) * | 2009-07-16 | 2012-05-03 | Wonik Ips Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor |
| EP2560193A4 (en) * | 2010-04-12 | 2014-07-02 | Semes Co Ltd | GAS INJECTION UNIT AND THIN LAYER VAPOR DEPOSITION DEVICE, AND METHOD USING THE SAME AND DEVICE |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP10927782A patent/JPS59919A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0636705A3 (en) * | 1993-07-27 | 1996-03-13 | Shinetsu Handotai Kk | Vertical vapor deposition device. |
| US20120103260A1 (en) * | 2009-07-16 | 2012-05-03 | Wonik Ips Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor |
| US8246747B2 (en) * | 2009-07-16 | 2012-08-21 | Wonik Ips Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor |
| EP2560193A4 (en) * | 2010-04-12 | 2014-07-02 | Semes Co Ltd | GAS INJECTION UNIT AND THIN LAYER VAPOR DEPOSITION DEVICE, AND METHOD USING THE SAME AND DEVICE |
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