JPS5994468A - 薄膜電子装置の短絡部の除去方法 - Google Patents
薄膜電子装置の短絡部の除去方法Info
- Publication number
- JPS5994468A JPS5994468A JP57203269A JP20326982A JPS5994468A JP S5994468 A JPS5994468 A JP S5994468A JP 57203269 A JP57203269 A JP 57203269A JP 20326982 A JP20326982 A JP 20326982A JP S5994468 A JPS5994468 A JP S5994468A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- capacity
- pinholes
- electronic device
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/135—Application of a bias; Current injection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
する。
電子装置をＮ膜にすることにより、特性が向上したり、
省資源の観点から材料コストを低減することができるた
め、各種電子装置の薄膜化についテ広く応用されようと
している。
省資源の観点から材料コストを低減することができるた
め、各種電子装置の薄膜化についテ広く応用されようと
している。
例えばＫＬ （エレクトロ・ルミネッセンス）発光素子
においては、薄膜にすることにより動作電圧を下げたり
、発光輝度を上げたりすることが可能である。また、ア
モルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）太陽電池はわずかＯ．
Ｓミクロンの厚みで８％以上の光電変換効率が達成され
、これまでの結晶シリコン太陽電池の約７００θ分の／
の厚みで太陽電池を構成でき低コスト太陽電池の有力候
補として開発が進められている。
においては、薄膜にすることにより動作電圧を下げたり
、発光輝度を上げたりすることが可能である。また、ア
モルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）太陽電池はわずかＯ．
Ｓミクロンの厚みで８％以上の光電変換効率が達成され
、これまでの結晶シリコン太陽電池の約７００θ分の／
の厚みで太陽電池を構成でき低コスト太陽電池の有力候
補として開発が進められている。
しかしかかる薄膜電子装置は、薄膜であるが故にビンホ
ールなどのため、薄膜機能材料を表裏から挾持する２層
の電極間で短絡する場合が多い。
ールなどのため、薄膜機能材料を表裏から挾持する２層
の電極間で短絡する場合が多い。
このような短絡が薄膜電子装置にある場合、その装置全
体が電子装置として働かないものとなってしまう。薄膜
電子装置を形成する基板の前処理・作業場の空気雰囲気
の清浄化をはかつても、かかる短絡は避けることが非常
に困難である。
体が電子装置として働かないものとなってしまう。薄膜
電子装置を形成する基板の前処理・作業場の空気雰囲気
の清浄化をはかつても、かかる短絡は避けることが非常
に困難である。
本発明は、上記の問題を解決すべく種々検討の結果なさ
れたもので、薄膜機能材料を表裏２層の電極で挾持して
成る薄膜電子装置νこおいて、該コ層の電極間に充電し
たコンデンサを接触させ・放電させることにより薄膜機
能材料の短絡部を除去するものである。
れたもので、薄膜機能材料を表裏２層の電極で挾持して
成る薄膜電子装置νこおいて、該コ層の電極間に充電し
たコンデンサを接触させ・放電させることにより薄膜機
能材料の短絡部を除去するものである。
以下実施例に従かい詳細に説明する。
図はＥＬ素子の断面図であり、／はガラス基板、Ωは酸
化インジウム・錫の透明電極、３、左は酸化イツトリウ
ム層、グはマンガンを添加した硫化亜鉛層、乙はアルミ
ニウム電極で、ガラス基板／の上に順次積層されている
。７は薄膜機能材である酸化イツトリウム層３、Ｓ及び
硫化亜鉛層グにできたピンホールであり、７の部分で透
明電極Ωとアルミニウム電極乙が短絡しているため、こ
のＫＬ素子は動作しない。電極λ、乙及び薄膜機能材料
の各層３、ゲ、汐は真空蒸着法で作成され、各層は厚み
は透明電極λが約、、２ｏｏｏＸ、酸化イツトリウム層
３、汐が各々約３０００β、硫化亜鉛層ケが約５ｏｏｏ
！ 、アルミニウム電極乙が約３０００ Ｋである。
化インジウム・錫の透明電極、３、左は酸化イツトリウ
ム層、グはマンガンを添加した硫化亜鉛層、乙はアルミ
ニウム電極で、ガラス基板／の上に順次積層されている
。７は薄膜機能材である酸化イツトリウム層３、Ｓ及び
硫化亜鉛層グにできたピンホールであり、７の部分で透
明電極Ωとアルミニウム電極乙が短絡しているため、こ
のＫＬ素子は動作しない。電極λ、乙及び薄膜機能材料
の各層３、ゲ、汐は真空蒸着法で作成され、各層は厚み
は透明電極λが約、、２ｏｏｏＸ、酸化イツトリウム層
３、汐が各々約３０００β、硫化亜鉛層ケが約５ｏｏｏ
！ 、アルミニウム電極乙が約３０００ Ｋである。
電極コ、６間に２００ Ｖ充電した容量０．７μＦのコ
ンデンサーを接触させ、ピンホール７を通して、コンデ
ンサーを放電させることにより、ピンホール部７のアル
ミニウムが発熱し、ピンホール部７からアルミニウムを
取除くことができる。この放電電流は抵抗の低いピンホ
ール部に集中して流れるため、大きさの異なるピンホー
ル７が複数個存在するような場合、複数回数コンデンサ
を接触、放電させることによりピンホールを全てなくす
ることができる。
ンデンサーを接触させ、ピンホール７を通して、コンデ
ンサーを放電させることにより、ピンホール部７のアル
ミニウムが発熱し、ピンホール部７からアルミニウムを
取除くことができる。この放電電流は抵抗の低いピンホ
ール部に集中して流れるため、大きさの異なるピンホー
ル７が複数個存在するような場合、複数回数コンデンサ
を接触、放電させることによりピンホールを全てなくす
ることができる。
ピンホールを除去した後しかるべきパンシベーションを
施すことにより、ＥＬ素子の耐候性、寿命などの向上を
図ることができる。
施すことにより、ＥＬ素子の耐候性、寿命などの向上を
図ることができる。
使用するコンデンサの容量及び充電電圧はピンホールの
形状、材質つまりピンホール部の抵抗や、電極形状、素
子の耐圧などを考慮に入れ選定すべきである。
形状、材質つまりピンホール部の抵抗や、電極形状、素
子の耐圧などを考慮に入れ選定すべきである。
また、太＠電池などの整流性を有する電子装置において
は、逆方向に電圧が印加されるようにコンデンサを接触
すべきである。
は、逆方向に電圧が印加されるようにコンデンサを接触
すべきである。
また短絡部に流れる電流、あるいは短絡部、電子装置に
掛かる電圧を調整するためにコンデンサに直列あるいは
並列に抵抗やインダクタン支を接続することも可能であ
る。
掛かる電圧を調整するためにコンデンサに直列あるいは
並列に抵抗やインダクタン支を接続することも可能であ
る。
以上の説明はＫＬ素子、太＠電池素子についで述べたが
、他の薄膜電子装置であっても同様に本発明を実施でき
ることは明らかである。
、他の薄膜電子装置であっても同様に本発明を実施でき
ることは明らかである。
以上詳細に説明した如く本発明によれば、薄膜電子装置
の短絡部を容易にしかも確実に除去できる。
の短絡部を容易にしかも確実に除去できる。
図は本発明を実施するのに使用するＫＬ発光素子の断面
図である。 ／・・ガラス基板、−・・透明電極、３．３・・酸化イ
ツトリウム層、り・・酸化亜鉛層、乙・・アルミニウム
電極、７・・短絡部。 出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理土中村勝成。
図である。 ／・・ガラス基板、−・・透明電極、３．３・・酸化イ
ツトリウム層、り・・酸化亜鉛層、乙・・アルミニウム
電極、７・・短絡部。 出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理土中村勝成。
Claims (1)
- （１）薄膜機能材料を表裏２層の電極で挾持して成る薄
膜電子装置において、該２層の電極間に、充電したコン
デンサを接触させ、放電させることにより薄膜機能材料
の短絡部を除去することを特徴とする薄膜電子装置の短
絡部の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203269A JPS5994468A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 薄膜電子装置の短絡部の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203269A JPS5994468A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 薄膜電子装置の短絡部の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994468A true JPS5994468A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16471241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57203269A Pending JPS5994468A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 薄膜電子装置の短絡部の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994468A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228662B1 (en) | 1999-03-24 | 2001-05-08 | Kaneka Corporation | Method for removing short-circuited sections of a solar cell |
| US6365825B1 (en) | 1999-05-14 | 2002-04-02 | Kaneka Corporation | Reverse biasing apparatus for solar battery module |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP57203269A patent/JPS5994468A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228662B1 (en) | 1999-03-24 | 2001-05-08 | Kaneka Corporation | Method for removing short-circuited sections of a solar cell |
| US6365825B1 (en) | 1999-05-14 | 2002-04-02 | Kaneka Corporation | Reverse biasing apparatus for solar battery module |
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