JPS5994829A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS5994829A
JPS5994829A JP57204761A JP20476182A JPS5994829A JP S5994829 A JPS5994829 A JP S5994829A JP 57204761 A JP57204761 A JP 57204761A JP 20476182 A JP20476182 A JP 20476182A JP S5994829 A JPS5994829 A JP S5994829A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
annealing
flash lamp
substrate
deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57204761A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichiro Numazawa
陽一郎 沼澤
Koji Yamazaki
孝二 山崎
Kuniyuki Hamano
浜野　邦幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP57204761A priority Critical patent/JPS5994829A/ja
Publication of JPS5994829A publication Critical patent/JPS5994829A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/69215—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H10P14/6338—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition the reactions being activated by other means than plasma or thermal, e.g. photo-CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/65—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials
    • H10P14/6516—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed after formation of the materials
    • H10P14/6536—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed after formation of the materials by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H10P14/6538—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed after formation of the materials by exposure to radiation, e.g. visible light by exposure to UV light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/668—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials
    • H10P14/6681—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si
    • H10P14/6682—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、化学気相反応を用いて、膜を形成する方法に
関し、特に、光照射下で膜を形成する方法に関している
。
近年におけるＶＬＳＩのより高集積化に伴ない、深さ方
向および横方向の不純物分布全正確に制御する事、又プ
ロセス誘起欠陥全極力少なくする必要がある事等の理由
から、プロセスの低温化が重要な課題である。
低温で膜全形成する方法とに、光エネルギーを用いた光
化学気相成長法が、特に注目されてきてイル。光化学気
相反応による堆積膜は、プラズマ気相成長における様な
荷電粒子等による胛射損傷はなく、良質の膜といえる。
しかしながら、基板温度５００°Ｃ以下で膜形成した場
合、該堆積膜の稠密性において難点があり、それ故、希
釈弗酸液等に対するエツチング速度が太きい。父、従来
の光化学気相成長膜全パッシイベイション膜として旋用
した際、配線アルミニウムのヒロック抑制効果が少なく
、それ故、信頼性に難点があった。さらにこれからのＶ
ＬＳＩのパッシイベイション膜、あるいは多層配線の層
間絶縁膜として使用するためには、ピンホールは皆無に
する必要がある。
本発明の目的は、上記問題を解決し、ピンホールの無い
良質の堆積膜を形成する方法全提供することにある。
本発明の特徴は、光化学気相反応により膜全形成する工
程において、紫外光照射し膜堆積する過程テ、一定時間
間隔での７う、シーランプアニールを繰り返丁ことにあ
る。
この様に、繰、り返しのフラッシュランプアニール工程
全含む光化学気相成長法を用いることによフ、基板温度
を室温に保ちかつ稠密性に優れ１ピンホールの無い堆積
膜を得ることが可能となる。
次に実施例に基づく膜堆積法を図を用いて説明する。
第１図は、本実施例に用いた膜堆積装置の概要全示すも
のである。第１図において、１０１は光化学気相反応を
生じさせるための低圧水銀ランプで、１０２が本特許に
基づくところのクセノンフラッシュランプである。本実
施例においては、低圧水銀ランプの波長２５７ｎｍ光會
、光化学反応に使用せしめる様、光透過窓１０３は石英
で形成されている。次に、本実施例による膜堆積手順に
ついて述べる。基板１０４全合座１０５に設置後、パル
プ１０６全閉じたまま、十分に反応セル内を排気する。
その後パルプ１０６を開口し、Ｎ２０と５ｉｌ−１４に
約１０　　Ｔｏｒｒ分圧の水銀を含んだ混合ガスを導入
し、約ＩＴｏｒｒの定常流で安定したところで、５００
Ｗの低圧水銀ランプにより光照射する。この光照射によ
りシリコン酸化膜が堆積することは公知の事実である。
ここで、本実施例においては、クセノンフラッシュラン
プにより、１００秒間隔でパルスアニーリングを行なっ
た。
このパルス光により、基板４には影＃を与えることなく
、堆積膜の表面のみをアニールすることになる。ここで
、このパルスアニールの時間間隔は、膜成長速度と関係
しており、本実施例においては、１００秒間隔が最適で
あった。
以上の様に、繰り返しのフラッシュランプアニール工程
を含む、光化学気相成長法を用いることにより、基板温
度が２０℃という低温にて、稠密性に優れ、ピンホール
の無い、良質の堆積膜を得ることが可能となる。囲えば
、本発明による方法で堆積したシリコン酸化膜を用いて
Ｍ、０８型構造を作り、その特性を、従来の光化学気相
成長法によるシリコン酸化膜音用いたものと比較したと
ころ、界面準位密度が小さく、特性の再現性も良く、又
ヒステリシスも少ない良好の結果を得ることができた。
これはクセノンフラッシュによるアニール効果とともに
、パルス的ではあるが、膜堆積時における表面反応をも
律速しでいる効果によると考えられる。
次に、上述した本発明による方法で堆積した膜１Ｍ０８
）ランジスタのパッシイベイションに使用した例につい
て述べる。第２図において、２０１はＰ型シリコン基板
であり、ソース領域２０３及びドレイン領域２０１．砒
素拡散により形成し、シリコン酸化膜２０２に選択的に
開口１４１ｓ　ｋ設け、ソース電極２０５．ドレイン電
極２０６及びゲート電極２０７をアルミ蒸着によシ形成
後、本発明に基づく光化学気相成長シリコン酸化膜ヲノ
＜ツシイベイション膜２０８として使用したＭＯ８型ト
ランジスタ全示す。この様なＭ（ＪＳ型トランジスタの
信頼性評価において、本発明による光化学気相成長シリ
コンば化膜によるパッシイペイションは、その膜の稠祈
性が優れている点、又アルミヒロック抑制効果が優れて
いる点で有効である。実除に、本発明による堆積シリコ
ン酸化膜の代わりに、従来の光化学気相成長シリコンｉ
亥化膜ヲノ＜ツシイベイション膜２０８に用いた１ＶＩ
Ｕｓ型トランジスタを作製し、その信頼性を比較評価し
たところ、本発明によるシリコン［伎化膜による）（ツ
シイペイションが、信頼性を非辞に増加させることが、
見い出された。
さら［、本発明による光化学気相成長シリコン酸化膜を
、バイポーラメモリの多層配線の層間肥祿膜として１更
用したところ、層配線間のショートが無く、歩留ま！ｌ
ｌ全改善することができた。
以上の様に、本発明による堆積膜の形成法は、ＶＬ］の
製造に非常に役に立つものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例に用いた膜堆積装置を示す概
要図である。側１図において、１０１・・・・・・低圧
水銀ランプ、１０２・・・・・クセノンフラッシュラン
プ、１０３・・・・・石英光透過窓、１０４・・・・・
・基板、１０５・・・・・・基板台座、１０６・・・・
・・パルプ、である。 第２図は、本発明に基づく堆積膜のＨ住を評価するのに
用いたＭＯＳ）ランジスタの断面図である。第２図にお
いて、 ２０１・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２０２・・・・
・シリコン戚化膜、２０３・・・・・・ソース領域、２
０４・・・・・ドレイン領域、２０５・・・・・・ソー
ス電極、２０６・・・・・・ドレイン電極、２０７・・
・・・・ゲート電極、２０８・・・・・・本発明に基づ
く光化学気相成長シリコン酸化膜（パッシイペイション
膜）である。 第１　図 − ０７ 鉾２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に、光化学気相反応により、硅素酸化膜、硅素窒
    化膜等の絶縁膜全形成する工程において、紫外光を照射
    し膜堆積する過程で、一定時間間隔でのフラッシュラン
    プによるアニーリングを繰り返すことを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
JP57204761A 1982-11-22 1982-11-22 半導体装置の製造方法 Pending JPS5994829A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57204761A JPS5994829A (ja) 1982-11-22 1982-11-22 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57204761A JPS5994829A (ja) 1982-11-22 1982-11-22 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5994829A true JPS5994829A (ja) 1984-05-31

Family

ID=16495904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57204761A Pending JPS5994829A (ja) 1982-11-22 1982-11-22 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5994829A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59163831A (ja) * 1983-03-09 1984-09-14 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及びその製造装置
US4735821A (en) * 1985-09-21 1988-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for depositing material on depressions
JPH04291916A (ja) * 1991-03-20 1992-10-16 Kokusai Electric Co Ltd 気相成長方法及び装置
US5308651A (en) * 1986-12-25 1994-05-03 Kawasaki Steel Corp. Photochemical vapor deposition process
US5462767A (en) * 1985-09-21 1995-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. CVD of conformal coatings over a depression using alkylmetal precursors
US6067931A (en) * 1996-11-04 2000-05-30 General Electric Company Thermal processor for semiconductor wafers

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59163831A (ja) * 1983-03-09 1984-09-14 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及びその製造装置
US4735821A (en) * 1985-09-21 1988-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for depositing material on depressions
US5462767A (en) * 1985-09-21 1995-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. CVD of conformal coatings over a depression using alkylmetal precursors
US5308651A (en) * 1986-12-25 1994-05-03 Kawasaki Steel Corp. Photochemical vapor deposition process
JPH04291916A (ja) * 1991-03-20 1992-10-16 Kokusai Electric Co Ltd 気相成長方法及び装置
US6067931A (en) * 1996-11-04 2000-05-30 General Electric Company Thermal processor for semiconductor wafers

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3227980B2 (ja) 多結晶シリコン薄膜形成方法およびｍｏｓトランジスタのチャネル形成方法
TW515101B (en) Method for fabrication of field-effect transistor
JPH01187814A (ja) 薄膜半導体装置の製造方法
JP3165324B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2001189275A (ja) 半導体膜形成方法及び薄膜半導体装置の製造方法
JP2502789B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JP3596188B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPS5994829A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0233153A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3228245B2 (ja) 酸化タンタル膜の製造方法
JP3203706B2 (ja) 半導体層のアニール処理方法および薄膜トランジスタの製造方法
US6730368B1 (en) Method of preparing a poly-crystalline silicon film
JPH07183235A (ja) 多目的基板処理装置およびその動作方法および薄膜集積回路の作製方法
JP4222232B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPS61248525A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH07183234A (ja) 多目的基板処理装置およびその動作方法および薄膜集積回路の作製方法
JP2718450B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10223913A (ja) 薄膜半導体装置の製造方法
JP2001102373A (ja) 半導体装置の製造装置
JPH0682683B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JP3730185B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPH10223911A (ja) 薄膜半導体装置
JPS59194452A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPH1041513A (ja) 半導体素子の製造方法およびその装置
JP2002237598A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法