JPS599526A - 温度測定装置 - Google Patents
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- JPS599526A JPS599526A JP11770082A JP11770082A JPS599526A JP S599526 A JPS599526 A JP S599526A JP 11770082 A JP11770082 A JP 11770082A JP 11770082 A JP11770082 A JP 11770082A JP S599526 A JPS599526 A JP S599526A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
- G01K11/12—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in colour, translucency or reflectance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光温度でンサより発する光信号が光ファイバ等
を介して伝送される温度測定装置に関する。
を介して伝送される温度測定装置に関する。
光温度センサから光伝送路を介してアナログ量を伝送す
る場合、温度変化および曲げ応力等によシ光伝送路の伝
送特性が変動し、正確な温度測定が困難になるため、こ
の変動を補償し、測定精度を高める必要がある。
る場合、温度変化および曲げ応力等によシ光伝送路の伝
送特性が変動し、正確な温度測定が困難になるため、こ
の変動を補償し、測定精度を高める必要がある。
第1図はそのような伝送特性変動の補償を行った温度測
定装置の一例を示し1例えばハロゲンランプを用いた光
源1より出た光はレンズ2で平行光線となり、フィルタ
3、二色複合ミラ4,5゜6で可視光線が除かれ、紫外
光線のみがレンズ7により光ファイバ8の端面コア上に
焦点を合わせ、、、y、H右側の放射波長が示すスペク
トルを有する可視−°、ユ、、! 光線を発光する。この可視光線は再び光ファイバ8を経
由しビームスプリッタ10により部分され一方はミラ1
1に反射されてそれぞれ干渉フィルタ12.13により
第2図(A)の放射波長a、cの可視光線のみをそれぞ
れ取り出し、この2つの可視光線はそれぞれレンズ14
.15により光検出器16.17に到達する。光信号は
光検出器16で電気信号に変換され、さらに前段増幅器
18.19を経てA/D変換器マルチプレクサ20によ
りA/D変換された後、Ic/Ia(Ic:波長Cの光
強度、■a :波長aの光強度)の演算を行ない、マイ
クロコンピータ21に入力される。読出し専用メモIJ
(ROM)22には、第2図の)に示す温度と放射波長
の相対強度I c / I a との関係が書きこま
れておシ、マイクロコンピュータにより温度情報に変換
され、D/A変換器24を経て表示される。ここで、波
長aとCの相対強度I c /I a を取ること第
3図は別の温度測定装置を示し、パルス発生長λ1とλ
2の光は光コネクタ39を通って温度検出部40に達す
る。検出部40には、Ga、A s 、 Cd Te等
のような半導体装置かれ、光はこの半導体中を通過し、
光ファイバ、光コネクタ41を通って光検出器42に入
り、電気信号に変換される。そして、受光回路43を経
てサンプルホールド増幅器44で増幅した後1割算回路
45でλ1.λ、の光強度■λ3.■λ2 の比■λ+
/Iλ、を求める。ここで、GaAs 、 CdTe等
のような半導体は、光を吸収する波長の範囲が温度依存
性をもっている。つまシ、第4図(6)に曲線Pで示し
たように半導体の吸収端の波長は温度によって変化し、
例えば曲線Qで示す適当な波長の発光ダイオード光を用
いると、半導体を通過した発光ダイオードの光強度は第
4図(ハ)のように温度依存性を有する。そこでλ、の
波長を温度変動によって透過光強度が変化する波長にし
かしこれらの装置における補償方法は、他の原理による
光温度センサを用いた温度測定装置においては適用不可
能である。第1図に示した装置における補償方法は、螢
光物質の発光スペクトルの温度変化を利用した光温度セ
ンサに対してのみ適用可能であり、第3図に示した装置
における補償方法は、透過光強度が温度依存性をもつ波
長と温度依存性のない波長とを利用する原理に基づく光
温度センサにのみ適用可能である。しかし、自然複屈折
あるいは多波干渉の原理を用いた光温度センサなどにお
いては、透過光強贋が温度依存性を持たない波長範囲が
存在しないのでこのような= 5− 補償方法は適用できない。
定装置の一例を示し1例えばハロゲンランプを用いた光
源1より出た光はレンズ2で平行光線となり、フィルタ
3、二色複合ミラ4,5゜6で可視光線が除かれ、紫外
光線のみがレンズ7により光ファイバ8の端面コア上に
焦点を合わせ、、、y、H右側の放射波長が示すスペク
トルを有する可視−°、ユ、、! 光線を発光する。この可視光線は再び光ファイバ8を経
由しビームスプリッタ10により部分され一方はミラ1
1に反射されてそれぞれ干渉フィルタ12.13により
第2図(A)の放射波長a、cの可視光線のみをそれぞ
れ取り出し、この2つの可視光線はそれぞれレンズ14
.15により光検出器16.17に到達する。光信号は
光検出器16で電気信号に変換され、さらに前段増幅器
18.19を経てA/D変換器マルチプレクサ20によ
りA/D変換された後、Ic/Ia(Ic:波長Cの光
強度、■a :波長aの光強度)の演算を行ない、マイ
クロコンピータ21に入力される。読出し専用メモIJ
(ROM)22には、第2図の)に示す温度と放射波長
の相対強度I c / I a との関係が書きこま
れておシ、マイクロコンピュータにより温度情報に変換
され、D/A変換器24を経て表示される。ここで、波
長aとCの相対強度I c /I a を取ること第
3図は別の温度測定装置を示し、パルス発生長λ1とλ
2の光は光コネクタ39を通って温度検出部40に達す
る。検出部40には、Ga、A s 、 Cd Te等
のような半導体装置かれ、光はこの半導体中を通過し、
光ファイバ、光コネクタ41を通って光検出器42に入
り、電気信号に変換される。そして、受光回路43を経
てサンプルホールド増幅器44で増幅した後1割算回路
45でλ1.λ、の光強度■λ3.■λ2 の比■λ+
/Iλ、を求める。ここで、GaAs 、 CdTe等
のような半導体は、光を吸収する波長の範囲が温度依存
性をもっている。つまシ、第4図(6)に曲線Pで示し
たように半導体の吸収端の波長は温度によって変化し、
例えば曲線Qで示す適当な波長の発光ダイオード光を用
いると、半導体を通過した発光ダイオードの光強度は第
4図(ハ)のように温度依存性を有する。そこでλ、の
波長を温度変動によって透過光強度が変化する波長にし
かしこれらの装置における補償方法は、他の原理による
光温度センサを用いた温度測定装置においては適用不可
能である。第1図に示した装置における補償方法は、螢
光物質の発光スペクトルの温度変化を利用した光温度セ
ンサに対してのみ適用可能であり、第3図に示した装置
における補償方法は、透過光強度が温度依存性をもつ波
長と温度依存性のない波長とを利用する原理に基づく光
温度センサにのみ適用可能である。しかし、自然複屈折
あるいは多波干渉の原理を用いた光温度センサなどにお
いては、透過光強贋が温度依存性を持たない波長範囲が
存在しないのでこのような= 5− 補償方法は適用できない。
本発明は上記の欠点を解消するためのもので、他の原理
に基づく光温度センサを用いた場合にも光伝送路特性の
変動の補償が行われる温度測定装置を提供することを目
的とする。
に基づく光温度センサを用いた場合にも光伝送路特性の
変動の補償が行われる温度測定装置を提供することを目
的とする。
れて一方の波長の光の強度のみ温度に依存して変を比較
して温度を算出する手段とを備えることによって達成さ
れる。
して温度を算出する手段とを備えることによって達成さ
れる。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。各
図において前に引用した各図と共通の部分には同一符号
が付されている。第5図において、異なる波長λ1.λ
、の発光素子33.34を駆動部32によって発光させ
る。発光素子駆動部32の一例を第6図に示す。パルス
発生器31でパルス−6= を発生させ、一方の発光素子駆動回路51にはそのパル
スを直接加えるが、他方の発光素子駆動回路52には、
インバータ53全通してからパルスを加える。これによ
り発光素子33を駆動する回路51、発光素子34を駆
動する回路52を交互に働かせ1発光素子33.34を
交互に発光させる。
図において前に引用した各図と共通の部分には同一符号
が付されている。第5図において、異なる波長λ1.λ
、の発光素子33.34を駆動部32によって発光させ
る。発光素子駆動部32の一例を第6図に示す。パルス
発生器31でパルス−6= を発生させ、一方の発光素子駆動回路51にはそのパル
スを直接加えるが、他方の発光素子駆動回路52には、
インバータ53全通してからパルスを加える。これによ
り発光素子33を駆動する回路51、発光素子34を駆
動する回路52を交互に働かせ1発光素子33.34を
交互に発光させる。
発光素子33.34を出射した光は、光ファイバ35.
36に入り光合波器37で一つの光ファイバ38に入る
。次いで光分岐器54でλ1とλ2の光の1.41ii イ1バ55と異なる光ファイバ58に入シ、受光素子5
9に入射し、信号処理部61によって電気信号に変換さ
れる。第7図は信号処理部の一例を示す。受光素子59
で受けるλ1.λ2の光に対する電気信号をそれぞれ■
、λ1.■、λ、とし、光源子ユタ用受光素子60で受
けるλ1.λ、の光に対する電気信号をそれぞれv2λ
1.■、λ2とする。電気信号を増幅器62で増幅して
から1割算器45へ入力し。
36に入り光合波器37で一つの光ファイバ38に入る
。次いで光分岐器54でλ1とλ2の光の1.41ii イ1バ55と異なる光ファイバ58に入シ、受光素子5
9に入射し、信号処理部61によって電気信号に変換さ
れる。第7図は信号処理部の一例を示す。受光素子59
で受けるλ1.λ2の光に対する電気信号をそれぞれ■
、λ1.■、λ、とし、光源子ユタ用受光素子60で受
けるλ1.λ、の光に対する電気信号をそれぞれv2λ
1.■、λ2とする。電気信号を増幅器62で増幅して
から1割算器45へ入力し。
V1λ1/■、λ、と■、λ1α、λ、の割算を交互に
行なう。
行なう。
なぜなら、λ1とλ2の光が交互に受光素子59と光源
モニタ用受光素子60に入射するからである。
モニタ用受光素子60に入射するからである。
両割算の結果をサンプルホールド増幅器44.44’で
ホールドし、両割算の結果を再び第2の割算器45’に
入力する。割算結果のホールドは発光素子駆動部32か
らの信号によって行なう。その結果、(V+λUα、λ
+ )/ (Vtλv%λ2)の値が割算器45’ カ
ら出力される。この出力は増幅器63で増幅し。
ホールドし、両割算の結果を再び第2の割算器45’に
入力する。割算結果のホールドは発光素子駆動部32か
らの信号によって行なう。その結果、(V+λUα、λ
+ )/ (Vtλv%λ2)の値が割算器45’ カ
ら出力される。この出力は増幅器63で増幅し。
/l’tN=の光はフィルタ66で反射される。すなわ
ち、フィルタ66はλ、の光を透過し、λ2の光を反射
するという特性を持っている。光学的平行平面(を有す
る)透明固体67に入射したλ、の光は、多波干渉を起
こし、入射した光の一部が反射光となって透明固体67
よシ出射する。この出射光の強度は、光学的平行平面固
体67の温度により変化する。こうして反射光となった
λ、とλ2の光は、ビームスプリッタ10によって光路
を曲げられ、ミラ11、レンズ65を経て、検出端57
に入射した時と異なる光ファイバ58に入射する。
ち、フィルタ66はλ、の光を透過し、λ2の光を反射
するという特性を持っている。光学的平行平面(を有す
る)透明固体67に入射したλ、の光は、多波干渉を起
こし、入射した光の一部が反射光となって透明固体67
よシ出射する。この出射光の強度は、光学的平行平面固
体67の温度により変化する。こうして反射光となった
λ、とλ2の光は、ビームスプリッタ10によって光路
を曲げられ、ミラ11、レンズ65を経て、検出端57
に入射した時と異なる光ファイバ58に入射する。
第9図は自然複屈折の原理に基づく光温度センサの例で
ある。第9図では、レンズ65より出射”した平行ビー
ムは偏光ビームスプリッタ68を通り、直線偏光となっ
た後、波長板69を通っ1て位相差を与えられる。この
後、λ2の光はフィルタ66ケ着し、反射膜71によっ
て反射し、再び光学的−異方性結晶70中を入射光とは
逆向きに進行し、−9= 学的異方性結晶中でさらに位相差を与えられる。
ある。第9図では、レンズ65より出射”した平行ビー
ムは偏光ビームスプリッタ68を通り、直線偏光となっ
た後、波長板69を通っ1て位相差を与えられる。この
後、λ2の光はフィルタ66ケ着し、反射膜71によっ
て反射し、再び光学的−異方性結晶70中を入射光とは
逆向きに進行し、−9= 学的異方性結晶中でさらに位相差を与えられる。
方向の光の振動成分(S成分)を取シ出し、ミラ11、
レンズ65を経て、検出端57に入射した時と異なる光
ファイバ58に入射する。この時。
レンズ65を経て、検出端57に入射した時と異なる光
ファイバ58に入射する。この時。
波長板69によって与えられる位相差は、はとんど温度
依存性はないが、光学的異方性結晶7oによって与えら
れる位相差は温度依存性をもつ。っまシ、λ1の光に与
えられる位相差は温度依存性を性をもつが、λ2のS成
分はほとんど温度依存性をもたない。
依存性はないが、光学的異方性結晶7oによって与えら
れる位相差は温度依存性をもつ。っまシ、λ1の光に与
えられる位相差は温度依存性を性をもつが、λ2のS成
分はほとんど温度依存性をもたない。
上述した構成をとることにより1発光素子の出力変動、
光ファイバの光損失特性の変動等に基づく測定誤差を補
償することができる。その理由を−10= 以下に述べる。第5図において発光素子33がら発せら
れるλ1の光の強度を1λ1.受光素子59でバ35.
光合波器37、光ファイバ38.光分岐−i−での光損
失、M(T)は温度センサ57での光強度の温度依存性
をあられす。Bλ1.Dλl、Iλ1はそれぞれ時間依
存性をもつ。一方、光源モニタ用受光素子60で受光す
るλ、の光の強度を■2λ、とすると、■、λ1は、 ■2λ、=Cλ、 i)λ11λ1(2)で与えられる
。ここで、C20は光分岐器54を出射してから光ファ
イバ56を通過し、光源モニタ用受光素子60に入射す
るまでの光損失である。
光ファイバの光損失特性の変動等に基づく測定誤差を補
償することができる。その理由を−10= 以下に述べる。第5図において発光素子33がら発せら
れるλ1の光の強度を1λ1.受光素子59でバ35.
光合波器37、光ファイバ38.光分岐−i−での光損
失、M(T)は温度センサ57での光強度の温度依存性
をあられす。Bλ1.Dλl、Iλ1はそれぞれ時間依
存性をもつ。一方、光源モニタ用受光素子60で受光す
るλ、の光の強度を■2λ、とすると、■、λ1は、 ■2λ、=Cλ、 i)λ11λ1(2)で与えられる
。ここで、C20は光分岐器54を出射してから光ファ
イバ56を通過し、光源モニタ用受光素子60に入射す
るまでの光損失である。
同様に発光素子34から発せられたλ2の波長の光の強
度を■λ2.受光素子59.光源モニタ用受光素子60
で受光するλ、の光の強度を各々、11λ、。
度を■λ2.受光素子59.光源モニタ用受光素子60
で受光するλ、の光の強度を各々、11λ、。
I−宜とすると
■1λ、=13λ2Dλ、■λ2(3)I2λ2=Cλ
、 I)λ、■λ2(4)で与えられる。ここで、Bλ
1+Cλ2.Dλ、はλ、ノ場合と同様に、λtの光に
対する光伝送路の損失をあとなる。(6)式の右辺は、
温度検出端の温度依存性をあられしており、光源変動、
光伝送路の損失変動は消去されている。このことから、
本構成をとることによって光源変動、光伝送路の損失変
動にかかわりなく、精度のよい温度測定が可能であるこ
とがわかる。
、 I)λ、■λ2(4)で与えられる。ここで、Bλ
1+Cλ2.Dλ、はλ、ノ場合と同様に、λtの光に
対する光伝送路の損失をあとなる。(6)式の右辺は、
温度検出端の温度依存性をあられしており、光源変動、
光伝送路の損失変動は消去されている。このことから、
本構成をとることによって光源変動、光伝送路の損失変
動にかかわりなく、精度のよい温度測定が可能であるこ
とがわかる。
次に第5図の変形例を述べる。第10図はλ鳳とλ2の
光を交互に発光するのでは々く、同時に発光するように
した例である。第5図と異なるところは、光が受光素子
59.光源モニタ用受光素子60に入射する前に、光分
波器72でλ1とλ2の光を分波し、λ1とλ2で異な
る受光素子59.59’、光源モニタ用受光素子60
、60’に光が入射する点である。
光を交互に発光するのでは々く、同時に発光するように
した例である。第5図と異なるところは、光が受光素子
59.光源モニタ用受光素子60に入射する前に、光分
波器72でλ1とλ2の光を分波し、λ1とλ2で異な
る受光素子59.59’、光源モニタ用受光素子60
、60’に光が入射する点である。
シ
三
−を同時に発光させる構成であるが、光が光合波器54
に入射する前に光分岐器54により分岐し光源モニタ用
受光素子60 、60’に入射させる方式で=13− あシ、光源モニタ用受光素子60 、60’の前に光分
波器72を必要としない。第13図は、λ、とλ、の光
を交互に発光させる方式であるが、検出端57へ入射す
る光と出射する光を同一の光ファイバにした構成である
。発光素子33.34から出射した光は光ファイバ35
、36 、光合波器37、光ファイバ38を通り、光
方向性結合器74に入射する。
に入射する前に光分岐器54により分岐し光源モニタ用
受光素子60 、60’に入射させる方式で=13− あシ、光源モニタ用受光素子60 、60’の前に光分
波器72を必要としない。第13図は、λ、とλ、の光
を交互に発光させる方式であるが、検出端57へ入射す
る光と出射する光を同一の光ファイバにした構成である
。発光素子33.34から出射した光は光ファイバ35
、36 、光合波器37、光ファイバ38を通り、光
方向性結合器74に入射する。
ここで、光の一部を分岐し、分岐された光は光ファイバ
56を通り、光源モニタ用受光素子6oに入射する。光
方向性結合器74を出射するもう一方の光は、光ファイ
バ55を通シ、温度検出端57に入射し、その内部で反
射され、入射した光7アイパ55に再び入射し、光方向
性結合器7+に達する。ここで光は、光源モニタ用受光
素子6oに14− を第15.第16図に示す。第15図は自然複屈折の原
理を、第16図は多波干渉の原理を使用したものでおる
。両図においてλ、の光はフィルタ66によって反射さ
れ、光学的異方性結晶70あるいは光学的平行平面を有
する透明固体67に入射せず戻るが、λ1の光はフィル
タ66を通過し、異方性結晶70あるいは透明固体67
に入射し1反射膜71あるいは透明固体67の端面に反
射されて戻る。
56を通り、光源モニタ用受光素子6oに入射する。光
方向性結合器74を出射するもう一方の光は、光ファイ
バ55を通シ、温度検出端57に入射し、その内部で反
射され、入射した光7アイパ55に再び入射し、光方向
性結合器7+に達する。ここで光は、光源モニタ用受光
素子6oに14− を第15.第16図に示す。第15図は自然複屈折の原
理を、第16図は多波干渉の原理を使用したものでおる
。両図においてλ、の光はフィルタ66によって反射さ
れ、光学的異方性結晶70あるいは光学的平行平面を有
する透明固体67に入射せず戻るが、λ1の光はフィル
タ66を通過し、異方性結晶70あるいは透明固体67
に入射し1反射膜71あるいは透明固体67の端面に反
射されて戻る。
以上述べたように本発明は波長の異なる二つの光を用い
、同一の光伝送路を通過させ、温度センサにおいて一方
の波長の光の強度のみを温度に依存して変化させ、温度
センサに入射する前に分岐したそれぞれの波長の光の強
度との比を計算し、さらにそれらの商を比較することに
よって温度を測定するもので、これにより自然複屈折の
温度変化あるいは多波干渉の温度依存性等の原理に基づ
うち一方の波長に対してのみ温度に依存した強度第1図
は従来の光温度センサを用いた温度測定装置の一例の系
統図、第2図(ハ))はそれに利用される螢光物質の特
性を示す励起紫外線と放射光とのスペクトル図、第2図
(ハ)は放射光の波長a、cの光強度およびその比と温
度との関係線図、第3図は別の従来例の系統図、第4図
(ト)はそれに利用される半導体の吸収端特性の温度依
存性、第4図(ロ)はそれに基づく半導体を通過した光
の光強度の依存性をそれぞれ示す線図、第5図は本発明
による温度測定装置の一実施例の構成図、第6図はその
発光素子駆動部の系統図、第7図はその信号処理部の系
統図、第8図はその光温度センサの一実施例を示す系統
図、第9図は別の実施例を示す系統図、第10図は温度
測定装置の別の実施例を示す系統図、第11図はその変
形例における信号処理16一 部の系統図、第12ないし第14図はそれぞれ温度測定
装置のさらに異なる実施例の系統図、第15゜!1.”
6図は第13 第14図に〒す装置に用いらる光温度セ
ンサの二つの実施例をそれぞれ示す′読図である。
、同一の光伝送路を通過させ、温度センサにおいて一方
の波長の光の強度のみを温度に依存して変化させ、温度
センサに入射する前に分岐したそれぞれの波長の光の強
度との比を計算し、さらにそれらの商を比較することに
よって温度を測定するもので、これにより自然複屈折の
温度変化あるいは多波干渉の温度依存性等の原理に基づ
うち一方の波長に対してのみ温度に依存した強度第1図
は従来の光温度センサを用いた温度測定装置の一例の系
統図、第2図(ハ))はそれに利用される螢光物質の特
性を示す励起紫外線と放射光とのスペクトル図、第2図
(ハ)は放射光の波長a、cの光強度およびその比と温
度との関係線図、第3図は別の従来例の系統図、第4図
(ト)はそれに利用される半導体の吸収端特性の温度依
存性、第4図(ロ)はそれに基づく半導体を通過した光
の光強度の依存性をそれぞれ示す線図、第5図は本発明
による温度測定装置の一実施例の構成図、第6図はその
発光素子駆動部の系統図、第7図はその信号処理部の系
統図、第8図はその光温度センサの一実施例を示す系統
図、第9図は別の実施例を示す系統図、第10図は温度
測定装置の別の実施例を示す系統図、第11図はその変
形例における信号処理16一 部の系統図、第12ないし第14図はそれぞれ温度測定
装置のさらに異なる実施例の系統図、第15゜!1.”
6図は第13 第14図に〒す装置に用いらる光温度セ
ンサの二つの実施例をそれぞれ示す′読図である。
訃呵−−
地部、64・・・表示部、67・・・光学的平行平面を
有する透明固体、70・・・光学的異方性結晶、74・
・・光方向性結合器。
有する透明固体、70・・・光学的異方性結晶、74・
・・光方向性結合器。
に、t+矢=フ羊1ヱ^ミ1Nこ
特許出願人 石 坂 誠 −
17−
オ1閃
44
才3図
’lt’4閃
才5図
オフ(3)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)波長の異なる二つの光の発光源と、それらの光をそ
れぞれ二つの部分に分ける分岐器と、その一方の部分の
光が導かれて一方の波長の光の強度のみを温度に依存し
て変化させる光温度センサと、その光温度センサを経た
一方の部分の光と他方の部分の光の強度の比を計算し、
さらに両波長の光ゴ一対するそれぞれの比を比較して温
度を算出する段とを備えたことを特徴とする温度測定装
置。 )特許請求の範囲第1項記載の装置において、]温度セ
ンサが自然複屈折の温度依存性を利用しものであること
を特徴とする温度測定装置。 ミ“田 ’、 、3i )特許請求の範囲第1項記載0装置にゝ
″″・光温度センナが多波干渉の温度依存性を利用した
ものであることを特徴とする温度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11770082A JPS599526A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 温度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11770082A JPS599526A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 温度測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599526A true JPS599526A (ja) | 1984-01-18 |
| JPH0131580B2 JPH0131580B2 (ja) | 1989-06-27 |
Family
ID=14718135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11770082A Granted JPS599526A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 温度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599526A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0224943A3 (de) * | 1985-10-01 | 1989-03-15 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren zur wellenlängenselektiven Messung der in einem optischen Übertragungssystem hervorgerufenen Abschwächung der Intensität einer optischen Strahlung |
| US7849586B2 (en) | 2003-07-16 | 2010-12-14 | Marvell World Trade Ltd. | Method of making a power inductor with reduced DC current saturation |
| US7868725B2 (en) | 2003-07-16 | 2011-01-11 | Marvell World Trade Ltd. | Power inductor with reduced DC current saturation |
| JP2014167605A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-09-11 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光学式センサ装置及びそれに用いる光ファイバケーブル |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5714729A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Nec Corp | Temperature measuring device |
-
1982
- 1982-07-08 JP JP11770082A patent/JPS599526A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5714729A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Nec Corp | Temperature measuring device |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0224943A3 (de) * | 1985-10-01 | 1989-03-15 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren zur wellenlängenselektiven Messung der in einem optischen Übertragungssystem hervorgerufenen Abschwächung der Intensität einer optischen Strahlung |
| US7849586B2 (en) | 2003-07-16 | 2010-12-14 | Marvell World Trade Ltd. | Method of making a power inductor with reduced DC current saturation |
| US7868725B2 (en) | 2003-07-16 | 2011-01-11 | Marvell World Trade Ltd. | Power inductor with reduced DC current saturation |
| US7882614B2 (en) | 2003-07-16 | 2011-02-08 | Marvell World Trade Ltd. | Method for providing a power inductor |
| US7987580B2 (en) | 2003-07-16 | 2011-08-02 | Marvell World Trade Ltd. | Method of fabricating conductor crossover structure for power inductor |
| US8028401B2 (en) | 2003-07-16 | 2011-10-04 | Marvell World Trade Ltd. | Method of fabricating a conducting crossover structure for a power inductor |
| JP2014167605A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-09-11 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光学式センサ装置及びそれに用いる光ファイバケーブル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0131580B2 (ja) | 1989-06-27 |
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