JPS599535A - 物体の気密性試験方法 - Google Patents

物体の気密性試験方法

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JPS599535A
JPS599535A JP11905782A JP11905782A JPS599535A JP S599535 A JPS599535 A JP S599535A JP 11905782 A JP11905782 A JP 11905782A JP 11905782 A JP11905782 A JP 11905782A JP S599535 A JPS599535 A JP S599535A
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JP
Japan
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vacuum
airtightness
degree
vacuum degree
testing
Prior art date
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Pending
Application number
JP11905782A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisakazu Kataoka
久和 片岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS599535A publication Critical patent/JPS599535A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M3/00Investigating fluid-tightness of structures
    • G01M3/02Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
    • G01M3/26Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors
    • G01M3/32Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors for containers, e.g. radiators
    • G01M3/3281Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors for containers, e.g. radiators removably mounted in a test cell
    • G01M3/329Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors for containers, e.g. radiators removably mounted in a test cell for verifying the internal pressure of closed containers

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、例えばセラミックパッケージ型半導体装置
のような気密室を有する物体の気密性試験、特に試験レ
ベルから言うとグロスリークテストの領域に関するもの
である。
従来この種の試験として、中空パッケージに半導体素子
を気密封止した半導体装置に対して行われるバブルリー
クテストと呼ばれる高温液中への浸漬試験またはグロス
リークテストと呼ばれる液体圧入後の高温液中浸漬試験
があった。バブルリークテス!・は、1〜l X IQ
 Torr lAの漏れを検査するために行うもので、
約130°Cの液中に半導体装置を浸漬し、その気密室
内部のガスの膨張によるガス圧力の増大によって、パッ
ケージの微小穴からガスが液中に吹き出されて生ずる泡
の有無を肉眼で観察して良否判定を行なうものである。
グロスリークテストとは、バブルリークテスト前に半導
体装置を真空に引き(MIL規格では1O−3Torr
 )、この後バブルリークテストに使用する液より十分
に沸点の低い液体に浸漬し、さらにこのまま圧力をかけ
てバブルリークテストの検出感度を上げたものであり、
感度としては1〜1 x 10”−6Torr l/s
と言われている。もし気密性を有するパッケージに微小
穴があると、この中に沸点の低い液体が圧入され、この
状態でバブルリークテストと同様に130°0の液中に
浸漬されると、圧入された液体が気化11、この気密室
内部の圧力変化はバブルリークテストの場合よりはるか
に大きいので、検出感度が上がることになる。なお’I
’orr l/Aの単位は、ある真空度において1秒間
に何Iの漏れがあるかということである。
しかるに」二記の方法によるときは、気密室の微小穴か
らガスが吹き出されて生じる小さな気泡の有無をいずれ
も人間が目で見て良否を判定するので、見のがしが発生
し試験の信頼性が悪くなるという欠点があった。
この発明は上記のような従来の方法の欠点を除去するた
めになされたもので、気密室を有する物体が収められた
気密容器内を排気装置で排気し、前記気密容器内の真空
度の変化に基づいて前記物体の気密性試験を行なうこと
により、肉眼にたよる試験で起こる見落しによる信頼性
の低下をきたすことがなく、バブルリークまたはグロス
リークと呼ばれる大リーク・中リークの判定を信頼度良
く行なうことができる方法を提供することを目的として
いる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図においてfi+は半導体素子が中空セラミックパッケ
ージ内に封止され、0.1 d以上の空間を有する気密
室を持つ半導体装置で、気密性試験を行なう物体である
。(21はこの判導体装置(1)を内部に格納する容積
が100ffl以下の気密筐体のポートであり、気密容
器を構成する。(3)はこの気密容器(2)の排気口に
開口の一端が取り付けられたリークバルブ、(41はこ
のリークバルブ(3)の気密容器(2)側の開口と連通
ずる開口に取り付けられ気密容器(2)内を排気する真
空ポンプすなわち排気装置、(i5)は気密容器(2)
の開口部に取り付けられ真空度を検出し信号を電圧変換
する真空計、(61はこの真空計(51に接続され真空
度を表示する真空度表示器、α(至)ハマイクロコンピ
ュータであり、真空計(5)からの信号を処理するO 
P U (71と、このOP U (71で処理された
データを記憶する記憶装置(8)と、CPU(7)に接
続された出力装置(9)および入力装置(1(1で構成
されている。
」二記のように構成されたものにおいて、半導体装置(
])をポー1−121に収容し、リークバルブ(3)を
閉じた状態でボート(2)内を真空ポンプ141によっ
て排気する。このとき時間の経過と共に変化する真空度
が真空計(5)によって検出され、この検出された情報
は信号に変換されて真空度表示器(6)に表示される。
またその信号はOP U (71にも送られて処理され
た後、記憶装置(8月こ入力されて、例えば第2図にα
υで示す真空度特性が記憶される。ここで上記半導体装
置illと同じ体積の完全気密性物体または気密室を持
たない物体を同じ条件で排気して得た例えば第2図に(
121で示す真空度特性を、入力装置+91を用いて予
め記憶装置(8)に基準として記憶させておく。この記
憶された2つの真空度特性を読み出してa p U (
71で比較させ、例えば所定排気時間t□における真空
度に差があるかどうかによって半導体装置(11の気密
性の良否判定を行ない、データ・結果等を出力装置口0
に出力させる。このように真空度の変化に基づいて気密
性試験を行なうので、従来のような誤りが生じやすい目
視試験がなく信頼性の高い試験ができ、またコンピュー
タを使用しているので真空度の変化の読み取り・記憶・
比較・出力、他のデータの入力等を即座に正確に行なう
ことができる。また高価なリーク試験液も不要となる。
。 なお上記実施例では、所定時間経過後の真空度に基づい
て試験するようにしたが、例えば第2図に示す所定真空
度1′0に達するまでの時間t1基準の特性0′IJに
おける時間t、oと比較させる試験であってもよく、要
するに排気する時間の峰過につれて変化していく真空度
特性Ql)を求め、真空度特性の基準(1つと比較させ
る試験であればよい。
また比較はo p U 171に行なわせたが、出力装
置001に出力された真空度の変化を読み取って比較を
してもよく、また真空度の変化はコンピュータ0.ll
lによって処理させたが、表示装置161に表示された
真空度の変化を読み取って比較してもよい。
さらにポート(2)の排気は真空ポンプを使用して行な
ったが、他の排気装置で排気してもよく、また排気条件
をコンピュータ等を使用した制御装置で制御してもよく
、排気装置を制御する場合排気条件をより安定に保つこ
とができ試験精度を向上させることができる。
さらに−に記実施例ではポート(2)内に1つの半導体
装置(1)を収容したが、複数個を同時に収容してもよ
く、またポート(2)は1つであったが複数個のポート
を設け、それぞれのポートを1つの排気装置で排気して
真空度の変化を求めてもよく、この場合試験の処理能力
を向上させることができる。
さらにまた上記実施例ではポート(2)の容積は100
d以下、半導体装置(1)の気密室の容積は0.】2以
上すなわち容積比は1000:1より小としたがこれに
限るものでなく、また被試験物体を半導体装置としたが
これに限るものでもないことは言うまでもない。
さらに上記実施例では半導体装置(11は前処理されて
いないが、予め気体中で大気圧以上に加圧されていても
よく、また予め大気圧以下に減圧された後、加熱によっ
て気化する性質を持つ液体中で大気圧以上に加圧されて
いてもよく、また真空度の変化は半導体装置(11の常
温状態で求めたが加熱状態で求めてもよく、加熱する場
合気体の体積が膨張するので試験感度を向上させること
ができる。
また上記実施例はポート(2)内を排気している間に求
めた真空度の変化であったが、所定の真空度に到達後排
気を停止させた状態で放置し、放置時間中に求めた真空
度の変化であってもよい。
以上のように、この発明によれば気密室を有する物体が
収められている気密容器内を排気したときの前記気密容
器内の真空度の変化に基づいて前記物体の気密性試験を
行なうようにしたので、従来の液体中の気泡を目視する
作業はなく、したがって気泡の見落しによる試験の信頼
性低下の要因はなく、物体の大リーク・中リークの判定
を信頼度良く行なうことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す概念図、第2図はこ
の発明を説明するための真空度特性図である。 図において、(1)は物体、(2)は気密容器、(4)
は排気装置である。 代理人 葛野信− IQ+ 第1図 第2図 手続補正書(自発) 21発明の名称 物体の気密性試験方法 3、補正をする者 事件との関係   特許出願人 住 所     東京都千代田区丸の内二丁目2番3号
名 称(601)   三菱電機株式会社代表者片由仁
八部 4、代理人 住 所     東京都千代田区丸の内二丁目2番3号
三菱電機株式会社内 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、 補正の内容 明細書@8頁第4行及び第18行1こ「180℃」 と
あるのを「125℃」と訂正する。 以上

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)気密室を有する物体が収められている気密容器内
    を排気装置で排気し、前記気密容器内の真空度の変化に
    基づいて前記物体の気密性試験を行なうことを特徴とす
    る物体の気密性試験方法。
  2. (2)気密性試験は、所定の排気時間に対応する真空度
    に基づいて行なわれる特許請求の範囲第1項記載の物体
    の気密性試験方法。
  3. (3)気密性試験は、所定の真空度に対応する排気時間
    に基づいて行なわれる特許請求の範囲第1項記載の物体
    の気密性試験方法。
  4. (4)真空度の変化は表示手段に出力される特許請求の
    範囲第1項記載の物体の気密性試験方法。
  5. (5)真空度の変化は信号に変換されて記憶装置に入力
    される特許請求の範囲第1項記載の物体の気密性試験方
    法。
  6. (6)真空度の変化は基準と比較される特許請求の範囲
    第1項記載の物体の気密性試験方法。
  7. (7)基準は信号に変換され、記憶装置に入力される特
    許請求の範囲第6項記載の物体の気密性試験方法。
  8. (8)比較はコンピュータによって行なわれ出力装置に
    出力される特許請求の範囲第6項記載の気密性試験方法
  9. (9)気密容器の容積と物体の気密室の容積の比は10
    00:1より小である特許請求の範囲第1項記載の物体
    の気密性試験方法。 曲物体は半導体装置である特許請求の範囲第1項に記載
    の物体の気密性試験方法。
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