JPS5997101A - シリコン表面における反射防止法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 シリコンは半導体素子として電子機器、測定器等に組み
込まれ、多用されているが、表面反射率が３５％以上と
大きく、その点が問題となる場合がある。

例えばシリコンフォトダイオードとして光学系と組み合
わされて使われる場合、該シリコンフォトダイオードに
入射した光情報の内、一部が表面で反射して光学系に戻
り再び光学系（例えばレンズ）表面で反射してシリコン
フォトダイオードに再入射し、Ｓ／Ｎ比を大きく低下さ
せることがある。

従来、このようなシリコン素子表面における光の反射防
止に関しては考慮が為されておらず、Ｓ／Ｎ比の低下を
止むを得ず甘受してきていた。但しシリコン表面の保護
膜という考え方から二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）を０．
数μｍ乃至数μｍの厚さにコーティングしたものは知ら
れている。この保護膜も多少の反射防止効果があり、膜
厚を適切に選べば、反射率を１０％程度にまで軽減可能
であるが、あくまでシリコン表面の保護が主眼である為
、膜厚の制御については考慮が払われておらず、仮に考
慮されたとしても１０％の反射は残留するから。

反射防止という観点からは全く不十分なものであった。

本発明はこの点に着目し、任意の波長にてシリコン表面
の反射率をほぼゼロにまで低下せしめる反射防止膜を実
現したものである。その内容を述べると、シリコン表面
に屈折率が１．７乃至２．５の誘電体物質を光学的膜厚
がλ／４（λは反射防止の対象とする波長）の奇数倍と
なる様にコーティングすることによってシリコン表面の
反射を防止する方法である。

第１図にシリコン表面における分光反射率特性を示す。

例えば６３３ｎｍの波長において約３８％の反射率を有
する。

実施例１はシリコン表面に例えば５ｂ２ｏ３のような屈
折率的２．０程度の誘電体物質を光学的膜厚がλ／４（
λ：反射防止の対象とする波長）となるようコーティン
グした例である。波長λにおいて反射率は０．１％以下
となる。

実施例２はシリコン表面に例えばＺｒＯ２のような屈折
率的１．７程度の誘電体物質を光学的膜厚がλ／４とな
るようコーティングした例である。波長λにおいて、反
射率は約３．４％にまで減少する。

実施例３はシリコン表面に例えばＺｎＳのような屈折率
的２．４程度の誘電体物質を光学的膜厚がλ／４となる
ようコーティングした例である。波長λにおいて反射率
は約１．９％にまで減少する。

実施例４は、実施例１と同様の屈折率的２，０の誘電体
物質を光学的膜厚がλ／４の３倍となるよ３− うコーティングした例である。波長λにおいて反射率は
０．１％以下となる。

以上のように本発明はシリコン表面における任意の波長
に対する反射防止膜を非常に簡易な構成にて実現したも
のであり、シリコン表面に入射する光の反射を防止でき
るので乱反射等に基く光学測定器の精度低下を起さなく
てすむことが出来大きな効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はシリコン表面の分光反射率特性を表わす図、第
２図、第３図、第４図、第５図は各々実施例１，２，３
．４においてλ＝　６３３ｎｍとしたときの分光反射率
特性を表わす図である。 ４− 圀ｉμｓ撮＋　　　　０４゛

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. シリコン表面に屈折率が１．７乃至２．５の誘電体物質
   を光学的膜厚がλ／４（λは反射防止の対象とする波長
   ）の奇数倍となる様にコーティングすることによってシ
   リコン表面の反射を防止する方法。