JPS5998518A - ランプ・アニ−ル装置 - Google Patents

ランプ・アニ−ル装置

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Publication number
JPS5998518A
JPS5998518A JP57207405A JP20740582A JPS5998518A JP S5998518 A JPS5998518 A JP S5998518A JP 57207405 A JP57207405 A JP 57207405A JP 20740582 A JP20740582 A JP 20740582A JP S5998518 A JPS5998518 A JP S5998518A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lamp
sample
heating
heater
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP57207405A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS5998518A publication Critical patent/JPS5998518A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P10/00—Bonding of wafers, substrates or parts of devices

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  • Furnace Details (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はランプ・アニール装置構造に関する。
従来、ランプ・アニール装置は、ハロゲン・ランプを用
いて、均一な赤外線を試料表面に照射する構造となって
いた。
しかし、上記従来技術では、例えば８１半導体ウェーハ
をランプ・アニールする場合ニ、ウェーハ端部に於てア
ニール温度が２００℃程度低くなり、アニールがウェー
ハ端部において充分に施されず、かつ、熱処理歪が発生
するという欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、アニール処
理を試料表面に於て均一に且つ熱処理歪のないランプ・
アニール装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、２
ンブ・アニール装置において、部分的に付加的に加熱温
度を変化させる加熱ランプまたは加熱ヒーター６を具備
することを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明によるランプ・アニール装置の構成の一
例を模式的に示した図である。石英チューブ１には窒素
ガスが導入され、ハロゲン・ランプ２からの光は反射鏡
３等を反射したりして、石英チューブ１内に設置された
試料４の表面がらランプ・アニール処理を施す。試料４
は石英支持台に支えられ、該試料４の周辺は、支持台５
内に埋込まれたヒーター５により２００　’Ｃ程度に予
め加熱される。
第２図は本発明の他の実施例であり、石英チェープ１１
内には窒素ガスが導入され、ハロゲン・ランプ１２およ
び反射鏡１３等からの表面光と、ハロゲン・ランプ１４
および反射鏡１５等がらの部分光により試料支持台１７
上の試料１６は端部が裏面光により２００℃程度に高く
保たれながら、表面光によりランプ・アニールされる。
このように、ウェーハ端部を高い温度に保つ構造を具備
することにより、ウェーハ等の端部におけるアニール不
均一や熱歪を避けることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明によるランプ・アニール装
置の実施例を示す模式図である。 １．１１・・・・・・石英チューブ ２．１２．１４・・・・・・ハロゲン０２ンブ３．１３
．１５・・・・・・反射鏡 ４．１６・・・・・・試　料 ６・・・・→−ヒーター ５．１７・・・・・・支持台 以上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、　ハロゲン・ランプによる試料加熱装置において、
    部分的に付加的に加熱温度を変化させる加熱ランプまた
    は加熱ヒーターを具備することを特徴とするランプ・ア
    ニール装置。 Ｚ　ウェーハ状試料の周辺端部を付加的に加熱する加熱
    ランプまたはヒーターを具備することを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載のランプ・アニール装置。 五　半導体ウェーへの周辺端部を付加的に加熱する加熱
    ランプまたはヒーターを具備することを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載のランプ・アニール装置。
JP57207405A 1982-11-26 1982-11-26 ランプ・アニ−ル装置 Pending JPS5998518A (ja)

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JPS5998518A true JPS5998518A (ja) 1984-06-06

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004211948A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Showa Shinku:Kk アニール処理、装置及びシステム
US7601469B2 (en) 2001-04-24 2009-10-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma etching chamber and method for manufacturing photomask using the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58175826A (ja) * 1981-12-04 1983-10-15 Ushio Inc 半導体を光照射で加熱する方法
JPS58194332A (ja) * 1981-12-04 1983-11-12 Ushio Inc 半導体を光照射で加熱する方法

Patent Citations (2)

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