JPS60100007A - 光ヘテロダイン干渉法による表面測定装置 - Google Patents
光ヘテロダイン干渉法による表面測定装置Info
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- JPS60100007A JPS60100007A JP20727783A JP20727783A JPS60100007A JP S60100007 A JPS60100007 A JP S60100007A JP 20727783 A JP20727783 A JP 20727783A JP 20727783 A JP20727783 A JP 20727783A JP S60100007 A JPS60100007 A JP S60100007A
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- OWNRRUFOJXFKCU-UHFFFAOYSA-N Bromadiolone Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(Br)=CC=2)C=CC=1C(O)CC(C=1C(OC2=CC=CC=C2C=1O)=O)C1=CC=CC=C1 OWNRRUFOJXFKCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/04—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by beating two waves of a same source but of different frequency and measuring the phase shift of the lower frequency obtained
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B11/303—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザを用いた光ヘテロダイン干渉法による表
面測定装置に関するものである。従来行なわれている光
干渉による表面状態の測定では単一周波数成分を持つ2
つの光波の干渉による。いわゆるホモダイン光干渉で、
測定量は01ミクロンメートルのオーダーである。
面測定装置に関するものである。従来行なわれている光
干渉による表面状態の測定では単一周波数成分を持つ2
つの光波の干渉による。いわゆるホモダイン光干渉で、
測定量は01ミクロンメートルのオーダーである。
近年機械加工等の精度が向上し−0,01ミクロンメー
トルオーダーの表面粗さ測定の要求も増し、新たな高精
度測定器の開発が待たれている。光ヘテロダイン干渉は
ホモダイン干渉に比べて2桁以上も高精度に表面状態を
計ることができる方法である。光ヘテロダイン干渉は2
つの異なる周波数成分を持つ光を干渉させて、その強度
を光電変換して、差の周波数のビート信号を得る方法で
ある。
トルオーダーの表面粗さ測定の要求も増し、新たな高精
度測定器の開発が待たれている。光ヘテロダイン干渉は
ホモダイン干渉に比べて2桁以上も高精度に表面状態を
計ることができる方法である。光ヘテロダイン干渉は2
つの異なる周波数成分を持つ光を干渉させて、その強度
を光電変換して、差の周波数のビート信号を得る方法で
ある。
例えば周波数f、、f2の光波をE、、 E2とすれば
E+ (tl=A、、 (tlcos(2πf、t+ダ
I(t))E、、 (tl=A2(tlcos(2πf
2 を+6(t))ここで−A、、、A2は振幅、ダ1
.グ、は位相を示す。
I(t))E、、 (tl=A2(tlcos(2πf
2 を+6(t))ここで−A、、、A2は振幅、ダ1
.グ、は位相を示す。
この2つの光波を干渉させると−その強度I (tlは
I (tl= l E、 (tl+ E2(tl l
2 となる、これを光検出器で電流量(1)に変換する
とi(t>cxA、 ’ +A2 ’ +2A4 A、
、 cos (2πΔft+Δグ)但し Δf二f、
−f2− Δダーグ1−グ。
2 となる、これを光検出器で電流量(1)に変換する
とi(t>cxA、 ’ +A2 ’ +2A4 A、
、 cos (2πΔft+Δグ)但し Δf二f、
−f2− Δダーグ1−グ。
なる電気信号が得られる。
ここでΔfは105〜106Hzのオーダーで十分に電
気的検出が可能で、このビート信号の周波数、位相の変
化を検出することにより、もとの光波が持っている光の
周波数領域での情報を高精度に取り出すことができる。
気的検出が可能で、このビート信号の周波数、位相の変
化を検出することにより、もとの光波が持っている光の
周波数領域での情報を高精度に取り出すことができる。
本発明による光ヘテロダイン干渉法による表面測定装置
では音響光学素子(以下にA・0と略す)を用いて前記
周波数の異なる2本の光線を発生させ、干渉されたビー
ト信号相互の位相検出を行なうと共に一被測定物の物体
面からの反射光の反射方向を共に検出して一従来の光ヘ
テロダイン干渉法に比べて広範囲な測定範囲の計測を高
精度に実現させるもので、@に非球面形状の計測に適し
た表面測定装置を提供するものである。
では音響光学素子(以下にA・0と略す)を用いて前記
周波数の異なる2本の光線を発生させ、干渉されたビー
ト信号相互の位相検出を行なうと共に一被測定物の物体
面からの反射光の反射方向を共に検出して一従来の光ヘ
テロダイン干渉法に比べて広範囲な測定範囲の計測を高
精度に実現させるもので、@に非球面形状の計測に適し
た表面測定装置を提供するものである。
第1図に本発明の実施例である表面測定装置のブロック
線図を示す。
線図を示す。
He−Neレーザ管あるいは半導体レーザ等によるレー
ザ発振部100がら放射された周波数f oをもつ1本
の光ビーム101は音響光学素子(Aφ0)103に入
射される。A・0106はfmなる周波数の正弦波発振
器111を入力とするA−0ドライバー112によって
超音波進行波をその内部に発生させ、光と超音波の相互
作用により光ヘテロダイン干渉の基礎となる周波数の異
なる2本の光ビーム104及び105の2ビームを発生
させる。なお光線108は非回折光で計測には用いない
光である。
ザ発振部100がら放射された周波数f oをもつ1本
の光ビーム101は音響光学素子(Aφ0)103に入
射される。A・0106はfmなる周波数の正弦波発振
器111を入力とするA−0ドライバー112によって
超音波進行波をその内部に発生させ、光と超音波の相互
作用により光ヘテロダイン干渉の基礎となる周波数の異
なる2本の光ビーム104及び105の2ビームを発生
させる。なお光線108は非回折光で計測には用いない
光である。
ここでA・0ドライバー112は一般に電圧制御発振器
(VCD)、平衡変調器、高周波パワーアンプ等から構
成され一超音波駆動信号の周波数fa酸成分対して、f
a −f m及びf a −4−f mなる周波数成
分を持つ信号を発生させ、A−0103内部を透過する
光の周波数シフトを行なうもので、光ビーム104はf
o+fa−fm−光ビーム105はfo+fa+fmな
る周波数を持ち、その差の周波数は2fmである。
(VCD)、平衡変調器、高周波パワーアンプ等から構
成され一超音波駆動信号の周波数fa酸成分対して、f
a −f m及びf a −4−f mなる周波数成
分を持つ信号を発生させ、A−0103内部を透過する
光の周波数シフトを行なうもので、光ビーム104はf
o+fa−fm−光ビーム105はfo+fa+fmな
る周波数を持ち、その差の周波数は2fmである。
ここで光ビーム104及び105の間の距離は周波数f
mに比例する。光ビーム104及び105の2つの光線
をひとつの単位としてプローブ光線となし、該プローブ
光線を2つの方向に分割する。
mに比例する。光ビーム104及び105の2つの光線
をひとつの単位としてプローブ光線となし、該プローブ
光線を2つの方向に分割する。
102は偏光ビームスプリッタ−及び1/4波長板から
構成される光アイソレータで、A・0103と測定する
物体面1070間に設置する。
構成される光アイソレータで、A・0103と測定する
物体面1070間に設置する。
2つの光ビーム104及び105は光アイソレータ10
2で2つの方向に分割する。一方は物体面107に照射
しない参照光101105となし、他方は集光用レンズ
106を通して物体面107に照射する。物体面107
からの反射光を再び集光用レンズ106を通して光アイ
ソレータ102により再び進路を曲げ物体反射光120
゜121とする。122及び126は参照光104.1
05及び物体反射光120−121の干渉を行なわせる
光電変換部で1例えばPINフォトダイオード及び電流
−電圧変換器等で構成され。
2で2つの方向に分割する。一方は物体面107に照射
しない参照光101105となし、他方は集光用レンズ
106を通して物体面107に照射する。物体面107
からの反射光を再び集光用レンズ106を通して光アイ
ソレータ102により再び進路を曲げ物体反射光120
゜121とする。122及び126は参照光104.1
05及び物体反射光120−121の干渉を行なわせる
光電変換部で1例えばPINフォトダイオード及び電流
−電圧変換器等で構成され。
PINフォトダイオードから得られたビート電流信号を
電流−電圧変換する。
電流−電圧変換する。
ここで参照光101105は被測定物体面の表面情報を
ふくまず一物体反射光120及び121は光ビームが照
射されたポイントの表面情報即ち表面の粗さあるいは表
面の傾き角度等の表面情報を含む。物体反射光120及
び121の光電変換部123は第1の光電変換部123
1及び第2の光電変換部1231 1233とから成る
。
ふくまず一物体反射光120及び121は光ビームが照
射されたポイントの表面情報即ち表面の粗さあるいは表
面の傾き角度等の表面情報を含む。物体反射光120及
び121の光電変換部123は第1の光電変換部123
1及び第2の光電変換部1231 1233とから成る
。
第1の光電変換部1231は主として物体反射光のビー
ト信号の位相を検出するもので、第2の光電変換部12
32.1263は主として物体反射光の反射方向による
光量を検出するもので、物体面107の形状、粗さ等の
差により、照射されたプローブ光の反射方向に差が生ず
るのを検出する。例えば物体面107の形状が1071
の如き場合には、第2の光電変換部1262に物体反射
光が入射し、物体面107の形状が1072の如き場合
には第2の光電変換部1266に物体反射光が入射し、
いずれの部分に物体反射光があるかによって形状を区別
することができる。物体面107が入射方向に対して垂
直な面であれば、いずれの槙2の光電変換部1231
1233にも物体反射光は入射されず、光電変換部12
61のみに入射され面形状は平坦であることが判定され
る。一般に物体反射光は幅の広いビーム径を有し。
ト信号の位相を検出するもので、第2の光電変換部12
32.1263は主として物体反射光の反射方向による
光量を検出するもので、物体面107の形状、粗さ等の
差により、照射されたプローブ光の反射方向に差が生ず
るのを検出する。例えば物体面107の形状が1071
の如き場合には、第2の光電変換部1262に物体反射
光が入射し、物体面107の形状が1072の如き場合
には第2の光電変換部1266に物体反射光が入射し、
いずれの部分に物体反射光があるかによって形状を区別
することができる。物体面107が入射方向に対して垂
直な面であれば、いずれの槙2の光電変換部1231
1233にも物体反射光は入射されず、光電変換部12
61のみに入射され面形状は平坦であることが判定され
る。一般に物体反射光は幅の広いビーム径を有し。
第1の光電変換部1261を中心として、3つの光電変
換部のうちのいずれかの2つに反射光が入射するように
設置するのが望ましい。
換部のうちのいずれかの2つに反射光が入射するように
設置するのが望ましい。
線であるが一物体反射光120及び121は物体面10
70表面形状、表面粗さ等の凹凸による2つのビームの
間の光路長の差により一両者の位相が異なり一干渉され
たビート信号の位相の変化として現われてくる。
70表面形状、表面粗さ等の凹凸による2つのビームの
間の光路長の差により一両者の位相が異なり一干渉され
たビート信号の位相の変化として現われてくる。
光電変換部122及び126の出力信号となる電圧信号
の直流成分をカットすれば、得られる交流電圧信号12
4及び125は各々 A、’cos(2yr 拳2fmt+θ1) 及びA2
’cos(2π* 2fmt+θ2) で表わされる。
の直流成分をカットすれば、得られる交流電圧信号12
4及び125は各々 A、’cos(2yr 拳2fmt+θ1) 及びA2
’cos(2π* 2fmt+θ2) で表わされる。
θ1は参照信号の初期位相で一定量であり、θ2は物体
面107の表面凹凸量によって変化する量で、こ−の差
θ2−θ、の変化を検出すればよい。
面107の表面凹凸量によって変化する量で、こ−の差
θ2−θ、の変化を検出すればよい。
114は位相比較器で参照光光電変換部122と物体反
射光光電変換部123からの信号相互の位相差を検出す
る。126は位相比較器114と物体反射光光電変換部
12311233がらのデータに基すき物体面1070
表面状態を演算するデータ処理部である。
射光光電変換部123からの信号相互の位相差を検出す
る。126は位相比較器114と物体反射光光電変換部
12311233がらのデータに基すき物体面1070
表面状態を演算するデータ処理部である。
本実施例では参照光の出力信号と物体反射光光電変換部
123の第1の光電変換部1261の出力信号との位相
差を検出する例を示しているが。
123の第1の光電変換部1261の出力信号との位相
差を検出する例を示しているが。
物体反射光の反射角度が大きく、物体反射光光電変換部
126の第1の光電変換部1231に反射光が余り入射
されない様な場合には一第20光電変換部1232ある
いは1236からの出力信号との位相差を検出してもよ
い。さらには物体面107の形状がある一方方向のみの
凹又は凸の状態を有する場合には第2の光電変換部は1
262及び1233の2つを同時に用いる必要はなく、
反射の状態に応じてどちらかの1つのみを用いてもよい
。
126の第1の光電変換部1231に反射光が余り入射
されない様な場合には一第20光電変換部1232ある
いは1236からの出力信号との位相差を検出してもよ
い。さらには物体面107の形状がある一方方向のみの
凹又は凸の状態を有する場合には第2の光電変換部は1
262及び1233の2つを同時に用いる必要はなく、
反射の状態に応じてどちらかの1つのみを用いてもよい
。
次に位相比較器114の出力と物体反射光の第2の光電
変換部の出力からデータ演算を行なうデータ処理部12
6の動作の説明をする。
変換部の出力からデータ演算を行なうデータ処理部12
6の動作の説明をする。
2つの光ビーム104及び105が物体面107に照射
されたとき2本の光ビームの間にZなる表面凹凸量があ
り1位相比較器114の出力データがθ=θ2−θ、で
あったとすればZ−λ・θ/4πで表わされる。但しλ
はレーザ光線の波長である。例えばλ=0.6328ミ
クロンメートルとしたとき、θ。=1°当りのZは8.
8オングストロームである。
されたとき2本の光ビームの間にZなる表面凹凸量があ
り1位相比較器114の出力データがθ=θ2−θ、で
あったとすればZ−λ・θ/4πで表わされる。但しλ
はレーザ光線の波長である。例えばλ=0.6328ミ
クロンメートルとしたとき、θ。=1°当りのZは8.
8オングストロームである。
位相比較器114は一π4θ〈πあるいは0〈θイ2π
のいずれかのモードで位相角を測ることができるが−例
えばOイθ〈2πモードで動作しているとき−θ=3π
はθ=πとしてしか計測せずm一般的にθ二2nπ」−
θ。(nは整数)においてnは不定でθ。のみの計測と
なる。
のいずれかのモードで位相角を測ることができるが−例
えばOイθ〈2πモードで動作しているとき−θ=3π
はθ=πとしてしか計測せずm一般的にθ二2nπ」−
θ。(nは整数)においてnは不定でθ。のみの計測と
なる。
2ビームのプローブ光101105が物体面の範囲が位
相角O〈θ≦2π又は−π≦θイπでの測定範囲である
。
相角O〈θ≦2π又は−π≦θイπでの測定範囲である
。
位相比較器114が一π〈θ〈πのモードで動λ
では−π≦θ≦0で表示、0≦Z≦−なる凸状態と判定
してしまい、正確な表面状態の復調ができない不都合が
ある。即ち位相比較器114だけではIZI〉二なる表
面状態の計測は不可能である。
してしまい、正確な表面状態の復調ができない不都合が
ある。即ち位相比較器114だけではIZI〉二なる表
面状態の計測は不可能である。
4
第2図(alは物体面107及び光電変換部123とに
対する入射光線と反射光線の関係を示す模式図、第2図
fblは第2図(alの物体面107を拡大して示す側
面図、第2図(C)は位相角を示す模式図である。
対する入射光線と反射光線の関係を示す模式図、第2図
fblは第2図(alの物体面107を拡大して示す側
面図、第2図(C)は位相角を示す模式図である。
第2図(alにおいて20は入射光線である。前述して
きた様に実際は2本の光ビームであるが一図では省略し
て1本の光ビームとして記述する。なお反射光線につい
ても同様である。入射光線20が物体面107の平面部
1076に照射された場合は、正反射してその反射光2
5は入射光線20と逆向きに進み、光アイソレータ10
2で直角に進路を変えて第1′の物体反射光光電変換部
1261に主として入射する。このときの位相の状態を
第2図(C)の位相角0の状態とする。入射光線20が
物体面107の面状態1072にも照射されれば、反射
光は21の進路を通り、光アイソレータ102で再び進
路を変え22の方向に進み物体反射光の第2の光電変換
部1266にも入射(c)のPとする。
きた様に実際は2本の光ビームであるが一図では省略し
て1本の光ビームとして記述する。なお反射光線につい
ても同様である。入射光線20が物体面107の平面部
1076に照射された場合は、正反射してその反射光2
5は入射光線20と逆向きに進み、光アイソレータ10
2で直角に進路を変えて第1′の物体反射光光電変換部
1261に主として入射する。このときの位相の状態を
第2図(C)の位相角0の状態とする。入射光線20が
物体面107の面状態1072にも照射されれば、反射
光は21の進路を通り、光アイソレータ102で再び進
路を変え22の方向に進み物体反射光の第2の光電変換
部1266にも入射(c)のPとする。
このとき位相比較器114が−π≦θ≦πのモードで動
作していれば一位相角はOAPの軌跡で0BCPの軌跡
でθ=−(2π−θ。)で計測されねばならない。この
上記に示した位相角の変換を第2の光電変換部1233
への入射光量の電圧データにより行なわせる。
作していれば一位相角はOAPの軌跡で0BCPの軌跡
でθ=−(2π−θ。)で計測されねばならない。この
上記に示した位相角の変換を第2の光電変換部1233
への入射光量の電圧データにより行なわせる。
前述した如く、物体反射光はある程度ビーム径の広い光
線であるため、光電変換部1231と1232に同時に
入射され、第1の光電変換部1261で位相の計測を、
第2の光電変換部1233で反射方向の検出を行なって
測定された位相角θ。の変換を行なうか1行なわないか
を判断処理することができる。さらに例えば入射光線2
0が物体面107の面状態1071に照射され、反射光
23が光アイソレータ102によって進路を変え24の
方向に進み物体反射光の第20光電変換部1232にも
入射されて− (このとき第1の光電変換部1231に
も入射される)第2図(C1λ の位相角Pの状態になれば+ Z(−でθ=00に対応
する面状態であると判断される。
線であるため、光電変換部1231と1232に同時に
入射され、第1の光電変換部1261で位相の計測を、
第2の光電変換部1233で反射方向の検出を行なって
測定された位相角θ。の変換を行なうか1行なわないか
を判断処理することができる。さらに例えば入射光線2
0が物体面107の面状態1071に照射され、反射光
23が光アイソレータ102によって進路を変え24の
方向に進み物体反射光の第20光電変換部1232にも
入射されて− (このとき第1の光電変換部1231に
も入射される)第2図(C1λ の位相角Pの状態になれば+ Z(−でθ=00に対応
する面状態であると判断される。
λ
以上の例で示した如〈従来のZ〈−なる測定範囲であっ
たものが一本発明による物体反射光の反射方向を検出す
ることにより位相角の絶対値がλ 2πまでの範囲で(即ちIZI≦−)表面状態を正確に
復調できる。
たものが一本発明による物体反射光の反射方向を検出す
ることにより位相角の絶対値がλ 2πまでの範囲で(即ちIZI≦−)表面状態を正確に
復調できる。
さらには物体反射光の大きさの変化をも同時にる。即ち
位相角が2πを何回転したかを光量変化から検出可能で
ある。
位相角が2πを何回転したかを光量変化から検出可能で
ある。
Zが大きくなるに従って物体反射光の反射の方向が大き
くなり一例えば第20光電変換部1262への入射光量
が増大すると第1の光電変換部1231への入射光量が
減小するから、両者のゲインを検出し、ゲインがある値
goとなれば位相角は2πを1回転したと判断でき1例
えばθ−2π十〇。でZ〉二であると判断処理できる。
くなり一例えば第20光電変換部1262への入射光量
が増大すると第1の光電変換部1231への入射光量が
減小するから、両者のゲインを検出し、ゲインがある値
goとなれば位相角は2πを1回転したと判断でき1例
えばθ−2π十〇。でZ〉二であると判断処理できる。
物体面107に入射する2ビーム光を順次重ね合せて物
体面上を線走査あるいは面走査を行ない。
体面上を線走査あるいは面走査を行ない。
測定された位相集合の積分を行なうことにより。
一般の形状計測が可能である。
第3図は第1図に用いられる光ヘテロダイン干渉の光学
系の詳細を示す模式図であり、160及び134はシリ
ンドリカルレンズで各々の焦点距離は11 とする。1
31及び162は平凸レンズで各々の焦点距離は12と
する。133は偏光ビームスプリッター−165は1/
4波長板、106はレーザ集光レンズで焦点距離はl。
系の詳細を示す模式図であり、160及び134はシリ
ンドリカルレンズで各々の焦点距離は11 とする。1
31及び162は平凸レンズで各々の焦点距離は12と
する。133は偏光ビームスプリッター−165は1/
4波長板、106はレーザ集光レンズで焦点距離はl。
とする。
一般にA・0106は光と超音波の相互作用により、光
波の変調を行なうもので、A・0106に入射する光の
ビーム幅は広いのが好ましいため。
波の変調を行なうもので、A・0106に入射する光の
ビーム幅は広いのが好ましいため。
シリンドリカルレンズ130と平凸レンズ161の組み
合せで幅の広いだ円ビームを発生させる。
合せで幅の広いだ円ビームを発生させる。
さらに直線偏光レーザを用いることにより、偏光ビーム
スプリッタ−133と1/4波長板165の組み合せか
ら参照光と物体光の分離を行なう。
スプリッタ−133と1/4波長板165の組み合せか
ら参照光と物体光の分離を行なう。
光電変換部122及び123からのビート信号124と
125は一般に振幅が異なり一位相比較器114にはで
きるだけ振幅が近い状態の電気信号を入力するのが好ま
しいため一照射する物体面1070反射率に応じて−例
えばレーザ管を回転させ直線偏光の軸を調整すればよい
。あるいは偏光板を回転させて直線偏光軸を回転しても
よい。
125は一般に振幅が異なり一位相比較器114にはで
きるだけ振幅が近い状態の電気信号を入力するのが好ま
しいため一照射する物体面1070反射率に応じて−例
えばレーザ管を回転させ直線偏光の軸を調整すればよい
。あるいは偏光板を回転させて直線偏光軸を回転しても
よい。
さらにビート信号124.125のS/N比を良くする
ため、偏光ビームスプリッタ−133は干渉光がだ円ビ
ームとなる場所に設置するのが好ましい。
ため、偏光ビームスプリッタ−133は干渉光がだ円ビ
ームとなる場所に設置するのが好ましい。
第3図の実施例ではA・0106によって分離された2
つの光ビームは図示していないが、実際には非常に接近
した2ビームに分離している。また非回折光は図から省
略している。
つの光ビームは図示していないが、実際には非常に接近
した2ビームに分離している。また非回折光は図から省
略している。
この2ビ一ム分離を与える周波数をfmとしたとき一物
体面上での分離距離dは で与えられる。
体面上での分離距離dは で与えられる。
但し■はA・0103を伝わる超音波の速度である。し
かも■はA・0106の媒質で決まるもので−例えばV
=3.8km/5ec= A’、 =15g−12=5
00+w−lo =7mmとすれば。
かも■はA・0106の媒質で決まるもので−例えばV
=3.8km/5ec= A’、 =15g−12=5
00+w−lo =7mmとすれば。
f m = 1. OOk Hzで、d−7ミクロンメ
ートルである。
ートルである。
また物体照射面でのビームスポット径は集光レンズ10
6に入射されるビームの径(このときは円形ガウスビー
ムに変換されている)とレンズの焦点距離l。に関係す
るが、小さいビーム径及び2ビームの間かくdをより小
さくするには、シリンドリカルレンズ134と焦光レン
ズ106の間にビームエクスパンダ−を入れればよい。
6に入射されるビームの径(このときは円形ガウスビー
ムに変換されている)とレンズの焦点距離l。に関係す
るが、小さいビーム径及び2ビームの間かくdをより小
さくするには、シリンドリカルレンズ134と焦光レン
ズ106の間にビームエクスパンダ−を入れればよい。
以上述べた如く本発明による光ヘテロダイン干渉法によ
る表面測定装置は従来の光ヘテロダイン干渉法と比べて
、広い測定範囲で正確な計測が可能である。
る表面測定装置は従来の光ヘテロダイン干渉法と比べて
、広い測定範囲で正確な計測が可能である。
第1図は本発明の実施例による光ヘテロダイン干渉法に
よる表面測定装置のブロック線図、第2図(alは物体
面及び光電変換部に対する入射光線と反射光線の関係を
示す模式図、第2図(b)は第2図(a)の物体面を拡
大して示す側面図、第2図(c)は位相角を示す模式図
、第3図は第1図に用いられる光ヘテロダイン干渉法の
光学系の詳細を示す模式100・・・・・・レーザ発振
部。 103・・・・・・音響光学素子。 104−105・・・・・・参照光、107・・・・・
・物体面、114・・・・・・位相比較器、 120−121・・・・・・物体反射光、122・・・
・・・参照光光電変換部。 126・・・・・・物体反射光光電変換部。 126・・・・・・データ処理部。 1261・・・・・・物体反射光の第10光電変換部、
1262.1263・・・・・・物体反射光の第2の光
電変換部。 第 2 図 (C) 特開昭GO−100007(6)
よる表面測定装置のブロック線図、第2図(alは物体
面及び光電変換部に対する入射光線と反射光線の関係を
示す模式図、第2図(b)は第2図(a)の物体面を拡
大して示す側面図、第2図(c)は位相角を示す模式図
、第3図は第1図に用いられる光ヘテロダイン干渉法の
光学系の詳細を示す模式100・・・・・・レーザ発振
部。 103・・・・・・音響光学素子。 104−105・・・・・・参照光、107・・・・・
・物体面、114・・・・・・位相比較器、 120−121・・・・・・物体反射光、122・・・
・・・参照光光電変換部。 126・・・・・・物体反射光光電変換部。 126・・・・・・データ処理部。 1261・・・・・・物体反射光の第10光電変換部、
1262.1263・・・・・・物体反射光の第2の光
電変換部。 第 2 図 (C) 特開昭GO−100007(6)
Claims (1)
- レーザ発振部から放射される光を音響光学素子により周
波数の異なる2つの光線に分割し、該2つの周波数成分
を有する2つの光線を被測定面である物体面に照射する
光ヘテロダイン干渉法による表面測定装置において、前
記音響光学素子から放射される周波数の異なる2つの光
線をひとつの単位のグローブ光線となし、該プローブ光
線を2つの方向に分割し一一方のプローブ光線は前記物
体面に照射しない参照光となし、他方のプローブ光線は
前記物体面に照射し、該物体面に照射された光の反射光
を物体反射光となし、前記参照光を光電変換してビート
信号を作成する参照光光電変換部と2前記物体反射光な
光電変換してビート信号を作成する第1と第2の複数の
物体反射光光電変換部と、前記参照光光電変換部と前記
物体反射光光電変換部からの信号相互の位相差を検出す
る位相比較器と、該位相比較器と前記物体反射光光電変
換部からのデータに基すき前記物体表面の表面状態を演
算するデータ処理部とから構成される光ヘテロダイン干
渉法による表面測定装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20727783A JPS60100007A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 光ヘテロダイン干渉法による表面測定装置 |
| US06/608,744 US4650330A (en) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | Surface condition measurement apparatus |
| GB08412312A GB2146116B (en) | 1983-05-13 | 1984-05-14 | Surface condition measurement apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20727783A JPS60100007A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 光ヘテロダイン干渉法による表面測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100007A true JPS60100007A (ja) | 1985-06-03 |
Family
ID=16537125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20727783A Pending JPS60100007A (ja) | 1983-05-13 | 1983-11-04 | 光ヘテロダイン干渉法による表面測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100007A (ja) |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP20727783A patent/JPS60100007A/ja active Pending
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