JPS60103520A - 基板及び基板ホルダー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、基板の被覆その他の処理を行なうための方法
及び装置に関する。

特に２通常は平坦である周縁端部に溝が設けられている
基板をグレード妃よシ保持するようにして、基板の処理
を行なうための方法及び装置に関するっ本発明はさらに
、そのような溝付き端部を有する基板、及びそのような
基板であって被覆された基板にも関するものである。

〔発明の背景〕

成る基板においては、基板の両平坦表面を真空中で同時
に被覆することが望まれる。特にウィンチェスタ−又は
他の型のハード磁気ディスクは。

非磁性基板の平坦両面上に磁性材料を同時に真空ス／ぐ
ツタリングすることによ多形成される。ディスク表面上
への微粒子の沈降を最、Ｊ＼にするために。

被覆中のディスクを鉛直に保持することが望まれる。真
空ス・ぐツタリング装置内では微粒子が良く発生するか
らである。

〔従来技術〕

基板の端部を支持するための従来技術構造が米国特許第
４，３１１，４２７号に開示されている。この特許にお
いては、鉛直方向に伸びた溝を有する上昇ブレードによ
って基板の端部が保合支持されている。上昇ブレードが
上昇する表、その溝がホルダー内の基板の端部に係合す
る。ブレードは、基板の端部を保持したまま、基板を持
ち上げる。この特許の上昇ブレード構造物を使用するも
のとして。

磁気ディスク基板をブレードによシ上昇させ、その平行
両面を磁性材料により同時に被覆する技術がある。被覆
工程中において、基板がブレード中の溝同に置かれ、そ
のために基板中の一部である小さな部分が被覆拐料から
陰になったり隠されたシする。それによりこの隠れた小
部分は被覆されずに残る。このことはハード磁性ディス
クを製造することにおいて問題となる。伺故ならば、デ
ィスク表面の全てをデータ記憶のために最大限に利用す
べきだからである。被覆後の基板は、ブレードを下方に
下げることによシ被覆位置から下降される。基板がホル
ダーへと戻ったら１次に真空中の他の被覆位置又はアン
ローディングロックステーションなどの他の領域へと移
送される。

〔発明の目的〕

本発明の一目的は、真空中で被覆されている基板をその
表面と被覆材料源との間の何の障害もなしに支持するた
めの装置及び方法を提供することである。

他の目的は、基板の平行両平面を垂直に維持したまま、
非磁性ディスク形状基板の両面の端部に至るまで磁性材
料で同時に被覆するだめの装置及び方法に関する。

他の目的は、薄くてほぼ円形の両面基板を表面接触なし
に支持するだめの装置及び方法に関する。

他の目的は２片面又は両面の端部に至る寸で被覆材料を
付着できるように支持され得る基板を提供することであ
る。

他の目的は、基板の平行な平坦両面を鉛ｉα平面内に位
置して２両面の端部に至るまで材料を付着させることに
よって、被覆基板を提供することである。

〔発明の概要〕

本発明の上記特徴に従い、基板の平行両面を兵空中で同
時に被覆するために、基板端部内の溝にグレードを挿入
することによシ真空被覆中の基板を鉛直平面内に保持す
る。ブレード、端部及び溝は都合良く形状づけられて、
基板表面のうちどの部分も保持構造により蔽われること
なく、また両面を同時に被覆する材料源と表面との間に
何の障害もない。それにより、−＊たディスク表面上へ
の微粒汚染物の沈降が最小にされ、かつ基板全面が被覆
されることができる。

基板は、グレードの上に載置されるようにグレードによ
って支持される。ブレードは、被覆工程中の基板を保持
するだけでなく、ホルダーと被覆実行位置との間で基板
を昇降させる構造をも有する１、基板が上昇下降又は保
持されている間に基板に接触する部材は単一のグレード
のみである。１実施例においては、ブレードは好適にナ
イフエッソ形状として作られ、はぼ鉛直で平坦な両面を
有し、さらにそれらの間にほぼ水平な上方端部を有する
。この平坦表面は、基板の溝内の平坦表面間に嵌合する
。ブレードのほぼ水平な端部は、溝の平坦表面間の根底
部に接近又は係合する。磁気ディスクの場合には、平面
図における溝は円形の根底部を有する。プレーＰ−はそ
の平面図において。

円形の一部としての形状の上方端部を有する。溝及びプ
レート９の断面は、はぼ三角形状である。

本発明の他の特徴において、基板から成る新規な物品が
被覆装置及び方法とともに用いられるうそのような基板
は剛性のものであり、２つの平行な平坦面とグレードを
受ける溝を有する少なくとも１つの溝とを有するっブレ
ードは真空中の基板を独立に保持して、基板の両面の端
部に芋る捷で全てが同時に被覆されることができる７、
物品は当初、非磁性体の未被覆ディスクであり、それを
被覆して磁性ディスクを形成する。仕上げられた磁性デ
ィスクは、全面にわたシ完全に磁性材料が被覆されてい
る。

他の実施例において、基板の端部内の溝が、支持手段に
よって係合されている。この支持手段は。

異なる方向から基板内の溝に係合するための複数のグレ
ードから成るうそのような実施例においては、基板を鉛
直又は水平方向又は他の任意の方向に支持することが可
能である。そして、一枚の支持構造体上に複数の基板を
保持できる。

本発明の上記の及び別の目的は、添付図面を参照して以
下の明細書を考察することによって、よシ明確になるで
あろう。

〔発明を実施するための最良の形態〕

本発明を陰極ス・ぐツタリング構造体に組合わせた場合
の実施例を第１図に示す。もちろん本発明は陰極ス・ぞ
ツタリングに限定されることなく他の型の真空被覆装置
にも適用可能である。例えば本発明はスパッタエツチン
グなどのような他の型の基板処理装置にも適用可能であ
る。

第１図を参照すると、好適にはアルミニウムディスクで
ある剛性非磁性体で製作された基板１１が示されている
。基板１１は、ブレード１４により真空処理チェンバ１
２と真空ス・やツタコーティングチェンバ１３との間を
鉛直方向に運動される。

基板１１が被覆されている間には、ブレード１４が基板
の縁を支持し、それにより基板の平行な平坦表面１５及
び１６が鉛直に保たれる（第２図参照）。、表面１５及
び１６を鉛直方向になるように基板１１を位置づけるこ
とによシ、ス・やツタリング動作中に真空チェンバ１３
内で発生しゃすい微粒子の付着が最小にきれる。それに
ょシ表面１５及び１６は、比較的汚染からまぬがれるこ
とができる。

表面１５及び１６は、ターグット１７及び１８から放出
された材料によって同時に被覆される。

ターグット１７及び１８はチェノ・ぐ１３内に配置され
、それによジターグツトはそれぞれ表面１５及び１６に
対面している。スパッタリング効果をもたらすために、
ターグット１７及び１８は陰極の一部を形成している。

ディスク１１を被覆して。

コンピュータで用いられるタイグの磁性ディスクを形成
することが望まれる場合には、ターグット１７及び１８
は磁性材料で製造される。それにょシ基板１１上に付着
された材料が磁気的情報をＬ憶することが可能になる。

ターグット１７及び１８と基板１１との間に陰極スノぐ
ツタリンググラズマをもたらすために、チェノ・ぐ１３
のエンベロｆ１９が陽極として機能する。直流電源２０
が、ターｒノド１７及び１８をかなシ低い負のＤＣｉＩ
！圧に維持する。一方今属性のエンベロア”１９はアー
スされる。代表的にはアルゴンである不活性ガスが。

適切なガス源２１からチェンノ々１３の内部へと供給さ
れる。チェンノぐ１３は真空源２２によって排気される
。

コーティング処理が完了された後に、グレード１４が下
降し、基板１１を処理チェンノ々１２へともどす。基板
１１が処理チェンノぐ１２へともどった後に、基板１１
はブレード１４から取下され。

適切な手段によって他の真空コーティングステーション
又はアンローディング真空ロックステーションへと輸送
される。基板１１がブレード１４によシ支持されている
間中ずつと、基板は縁で保持されているので、その表面
１５及び１６は鉛直に保たれる。

ブレード１４及び基板１１を上昇及び下降させるために
、かつコーティング動作中に一定位置にグレード及び基
板を維持することのために、好適には空気源によシ駆動
される作動シリンダ２７が設けられる。シリンダ２−７
は、上方水平表面を有するピストン２８を駆動する。こ
の表面にブラットフオーム２９が固着されブラットフオ
ーム２９はブレード１４を支持する。

コーティングすべき表面１５及び１６をすべて３６０°
にわたり完全に露出させるために１周縁３１に溝３２が
設けられる。溝３２は基板全体と同心的であり、かつ周
縁３１の全周にわたって設けられている。

溝３２の断面は１１は三角形状をしている（第２図参照
）。大体鉛直方向であるがわずかに傾斜している平坦表
面３３及び３４が、溝３２の根底部３２′において交わ
っている。表面３３と３４との交差部における根底部３
２′は、湾曲しており溝３２の製造が容易となっている
。表面３３と３４との間の角度は代表的には６０°であ
る。代表的な磁性ディスクとしての基板１１においては
２表面１５と１６との間の厚さははｆｆ　１．９　ｒｍ
である。溝３２の半径方向の深さは約１．０頭である。

根底部３２′先端は２表面１５と１６との間のほぼ中心
にある。

溝３２は周縁３１において開口を有している。そしてそ
の開口の表面１５と１６との間の幅は約１．２餌である
。本発明に従えば、基板がかなり薄い場合においても、
溝３２０両側にある程度の厚さがあったほうが良いこと
がわかった。その理由は表面３３と１５との間及び表面
３４と１６との間の強度を適尚に保つためである。

第２図に示すようにプレー１’１４が都合良く形状づけ
られているので、グレード１４の断面形状は溝３２の断
面形状に一致する。グレード１４は。

平行で鉛直にのびる表面３５及び３６を含む。表面３５
及び３６は、ブラットフオーム２９から上方へとのびて
いる。表面３５及び３６の上方端において、水平肩部３
９及び４０が設けられる。ナイフェツジ部分３７及び３
８が、　７４部３９及び４０ノ内端から上方へのびてい
る。これらの部分３７及び３８は上方へ向けて互いにテ
ィ／４’−づけられ。

それにより表面３３及び３４に一致する形状を有してい
る。ナイフェツジ３７及び３８の寸法及び形状は１表面
３３と３４との間の溝３２に都合良く適合するように決
められる。ナイフェツジ３７及び３８はその端部におい
て丸められ、溝に当接する円形縁部４１を形成する。円
形縁４１の半径（第３図における側面図参照）は、根底
部３２′の半径に大体等しいがそれよシもわずかに大き
くしである。それによシ円形縁部４１が根底部３２′に
密接して係合する。円形縁部４１は約９０°の角度にわ
たってのびている。それにより基板１１０周縁のうち約
％が円形縁部４１によって支持されることになる。すな
わち基板１１とグレード１４との間の接触領域は基板１
１の全周のうち約％であるということである。円形縁４
１の角度の範囲は９０°以外でも良い。しかし好適には
１８０°を越えることはない。なぜならばそうするとブ
レードが基板の直径を越えて外方に広がってしまうから
である。

スｚｅツタコーティングにおいて、ス・ぐツタされた粒
子は全ての方向にむいてターク゛ノドから跳んでゆく。

そのためターゲット１７及び１８が基板よシも大径であ
る場合には２表拘１５及び１６上に付着されるべき材料
のうちには、基板の周縁の外側から基板に向いた軌跡に
沿って跳んでくるものがある。この効果は、ス・やツタ
された粒子のあるものがコーティングチェンノＺ内のガ
ス原子により反射されるという事実で説明することがで
きる。

この様子を第１図に示す。軌跡３０は、ス・母ツタされ
た粒子がガス原子３０′に衝突した場合のものである。

遮蔽効果を防止しかつスフ４ツタされたコーティング材
料が表面１５及び１６の全面にわたり付着されることを
保障するために２次のことが重要である。すなわち、第
２図に示すようにブレード１４はコーティング前の基板
１１よりも幅の広い部分であシかつ基板の縁３１に近接
した部分を有してはならない。強度の理由のためにもし
ブレード１４が第２図に示すよりも広くしなければなら
ない場合には、肩部３９及び４０をティ・ヤーづけるこ
とにより９表面３７及び３８が十分下方の位置から始っ
ているようにすることができる。

これはブレードが基板１１を支持している場合に遮蔽効
゛果を回避するためである。このようにして表面３７及
び３８は十分長くなり、ブレード１４が溝３２内に完全
に挿入されたときにおいても。

肩部３９及び４０が周縁３１から十分に離れていること
になる。

基板１１０周縁３１の全周にわたって溝３２が設けられ
ているときには、基板１１の方向はどのようなものでも
良い。言いかえれば、基板１１特定の方向にしなければ
ならないという必要性がない。ターゲット１７及び１８
又は被覆材料と表面１５及び１６との間に々にも障害が
ないので、被覆２４及び２５は基板１１の表面の全体に
わたって付着され９周縁部３１にまで完全に付着される
ことになる。周縁３１におけるコーティング２４及び２
５の厚さは、基板１１の他の部分の被覆の厚さと同一に
することができる。

基板及び基板を支持するグレードの製造の容易性の見地
から言えば連続的な円形の溝が好適であるが、他の溝の
形状も可能である。例えば、溝３２は基板の全周にわた
ることなく、第３図に示すブレード１４の幅よりもいく
ぶん大きい程度の°円弧部分にわたるだけでも良い。さ
らには、ブレード１４の上方縁の中央部分は凹部を設け
ることによって、ブレードの両側で基板を支持しても良
い。

例えばこの中央の凹部はブレードの幅の約２程度にして
も良い。従って、ブレードの外方部分において上方に延
びる二つの部分で基板を支持することになる。いずれに
しても重要な点は、基板の中心を通る鉛直の直径の両側
における二カ所の位置において基板にブレードが係合し
々ければならないということである。そして基板の一番
下の部分から離れた位置すなわち上方の位置において基
板を支持しなければ力らない。これは基板の傾斜を防ぐ
ためである。このような基板の支持の場合には、基板に
は二つの離れた溝部分を設けるだけで良い。そしてその
二つの溝にブレードからの二つの突起が挿入することに
なる。

ディスク１１などのようなハード磁性ディスク基板は２
通常は第３図に示すようにその中央に孔４３が設けられ
る。ディスクの外形は約５０　ＷＲから約３５５ｍｍの
間で変化する。

第４〜７図を参照すると、ブレード１４及び溝３２につ
いての変形的な形状が示されている。これら全ての変形
実施例において、ブレードは溝３２の中にはいり込むた
めの突出部を有している。この突出部が十分に長い距離
を有しているので表面１５及び１６を遮蔽する効果が取
りのぞかれる。

全ての実施例において、溝３２は好適には約１．０閲の
深さを有し１周縁３１の全周にわたって設けられている
。

第４図に示す形状において、溝３２の断面形状は５角形
のようなものである。ｆｆ１７３２は壁面４２及び４３
を有する。これらの壁面は互いに平行であシ、かつ表面
１５及び１６にも平行である。平行壁４２及び４３は、
それぞれ傾斜壁４４及び４５に交差する。壁面４４及び
４５が交差する点は。

溝３２の断面が円形である根底部４６である。壁面４４
と４５とのなす角は大体４５°である。ぞして壁面４２
及び４３は、基板１１の内部へ向けて半径方向に約０−
５　ｗｎ　ＩＴＥびている。

溝３２に係合して基板１１を支持しそれを保持゛するだ
めのブレード１４の端部は、傾斜端壁４７及び４８を含
む５角形形状である。端壁４７及び４８はそれぞれ、壁
面４４及び４５と大体同じ長さを有する。端壁４７及び
４８は、屈曲先端部４９において互いに接合している。

この先端部４９は丸い根底部４６の形状に一致する。傾
斜壁４７及び４８は、平行壁５１及び５２から延びてい
る。

平行壁５１及び５２は、壁面４２及び４３の長さの大体
２倍の長さを有している。それによシ壁面５１及び５２
が傾斜肩部５３及び５４からそれぞれ延び、従ってその
肩部はディスク基板１１の表面１５及び１６から離れそ
してそれらを遮蔽することはない。

第５図の形状において、溝３２は傾斜壁５５及び５６を
有する。これらの傾斜壁５５及び５６は。

端部３１から始まり、ディスク基板１１の中心へ向けて
半径方向内方へと延びて互いにティパーづけられている
。傾斜壁５５及び５６は、ディスク１１の半径方向に約
０．５ｍの長さを有する。そして傾斜壁５５及び５６は
、壁面５７及び５８にそれぞれ交差する。壁面５−７及
び５８は互いに平行であり、かつ表面１５及び１６とも
平行である。

壁面５７及び５８はディスク基板ＩＩの半径方向内方へ
と延びて２円形根底部分５９に交差する。

第５図に示すディスク基板１１は、一対の伸長壁面６１
及び６２を含むグレードによって支持される。伸長壁面
６１及び６２は互いに離れて対置し、それらの間隔は壁
面５７と５８との間隔よりもわずかに小さい。壁面６１
及び６２の長さは。

端部３１と根底部５９との間の距離よりも長い。

このことにより表面１５及び１６を遮蔽する効果が取除
かれる。この目的のために、壁面６１及び６２はグレー
ド１４の傾斜肩部６３から長く延びている。壁面６Ｔ及
び６２け１円形先端部６０に接続している。傾斜壁面５
５と５６との間において端部３１が比較的広くおいてい
るので、ブレード１４を基板１１に対して位置づけると
きに許容差を大きくすることができる。仁のためプレー
ト。

を溝３２へと挿入する操作が非常に楽になる。

第６図の実施例において、溝３２は断面半円形状を有す
る。溝３２の周縁部６４の直径は端部３１の部分の間隔
である。この半円形の端部はそれぞれ表面１５及び１６
からの遠距離の位置にある。

ところでこの実施例だけでなく他の実施例においても溝
は基板の対向表面間において中心に位置づけられること
が好ましい。他の実施例の溝に比べてこの半円形状の溝
６４は製作が容易である。し。

かし他の実施例に比べ基板を保持すると七における安定
性において多少劣るものとなる。

第６図の溝３２によって基板１１を保持するために、ブ
レード１４は半円形の周縁部６５を有するように形状づ
けられる。この半円形周縁部６５の半径はほぼ周縁半径
６４と同じであシしかしわずかに小さい。半円形の周縁
部６５は、壁面６６及び６７から垂直方向に向けて延び
ている。そして周縁部６５は壁面６６及び６７に接して
いて。

その接点は半円形状の半径である。鉛直壁６６及び６７
の長さけ、端部付近の表面１５及び１６に対しての遮蔽
効果を防止するために十分な長さである。壁面６６及び
６７は肩部６８から延びている。

第７図のグレード及び溝の形状において、溝３２は２つ
の平行壁面７１及び７２を有して形成される。壁面７１
及び７２は端部３１がら延びて、それらは互いに平行で
あり、かつ表面１５及び１６にも平行である。壁面７１
及び７２は、ｆイック１１の中心方向へ向は半径方向に
約０．５ｍだけ延びている。壁面７１及び７２が半円形
状の部分７３に交差する点において、半円形部分７３は
これらの壁面７１及び７２に接する。従ってこれらの点
の間の距離はちょうど円形部分７３の直径となり−Ｃい
る。

グレード１４は、第７図に示した溝と大体同じような形
状の端部を有している。特に、グレード１４の端部は、
断面半円形状の周縁部７４を有している。周縁部７４の
直径は周縁部分７３の直径よりもわずかに小さい。この
周縁部７４の直径上の対向する両側の点において平行壁
面７５及び７６とそれぞれ交差する。交差というよシも
むしろそれらの壁面７５及び７６に接している。この両
点の間隔は、壁面７１及び７２０間の間隔よりもわずか
に小さい。壁面７５及び７６の長さは、壁面７１及び７
２の長さよシも十分に長く、それによシ端部３１におけ
る交差部付近の表面１５及び１６に対して遮蔽するよう
な効果を防止する。壁面７５及び７６はブレード１４の
傾斜肩部７７から延びている。

第５〜７図において、基板がブレードによシ鉛直方向に
支持されているときに、ブレードの先端端部は溝３２の
根底部に係合している。このような保合状態は、第２，
４及び１０図の場合には生じない。

上記の実施例の全てにおいて、端部３１において円形の
溝３２を形成するためには通常の技術を用いることがで
きる。特に基板１１は、成型アルミニウム又はその他の
成型非磁性金属によって形成することができる。これら
の形状は９通常の成型ダイを用いて所望の形状にするこ
とができる。

変形的には、端部３１内に溝３２を形成するためには１
例えばのこぎシやミルなどのような機械的手段を用いる
ことも可能である。

第８，９及び１０図において２本発明の他の実施例を示
す。この実施例において複数の支持グレードによって基
板１１が支持され移送されるように支持構造が設計され
ている。この支持構造は単一の基板を支持することもで
き、或いは複数の基板を支持することもできる。後者の
場合にはその支持構造は第８図のような拡大プラテン５
０の形態にすることができる。もちろんプラテンのサイ
ズは単一の基板のみを支持するような大きさにすること
も可能である。

第８〜１０図に示すように、プラテン５０などのような
支持構造物には、−又は複数の開孔５２が設けられる。

複数の支持プレー）’５４．５５及び５６がこの開孔５
２に沿って陥れた位置においてプラテンへと取付けられ
る。ブレード５４’、５５は固定とし、ブレード５６は
基板の端部３１へ近づいたり離れたジする方向に移動す
ることが可能である。ブレード５４及び５５は好適には
互いに離れた位置にあシ、それらの間隔は好適には約１
２０゜の角度を成すようなものである。或いはこれよシ
も小さくても良いが好ましくは約９０°よシも小さくて
はいけない。可動グレード５６は、固定グレード５４と
５５との成す角度を２等分するような開孔５２の直径上
に設置することが好ましい。変形的にはブレード５４及
び５５は単一の固定ブレードで置換えることが可能であ
る。この場合には単一のグレードは好適には可動ブレー
ド５６の直径方向反対側に位置づけることが良く、そし
てその単一ブレードの長さは十分長いことが望ましい。

それによシ基板とこのブレードとが接触する領域の長さ
が十分となシ、基板を一つの一定の平面内に確実に保持
することが可能となる。

ブレード５６の移動は様々な方法によって達成すること
ができ名。第９及び１０図に拡大して示しであるように
、ブレード５６は一体的なアーム５８を有している。こ
のアーム５８は軸６０に剛的に付着されている。軸６０
はプラテン５０内の軸受孔の中に支持され、ナツト６２
によって軸方向移動に対向して保持されている。ローレ
ット回転ノブ６４が、軸６ｏの軸線に同心的にアーム５
８へと剛的に付着されている。この配列についての重要
な点は、基板のローディング及びアンローダインクの動
作中においてグレード５６７１ＱＩ］６０　ノ軸線の回
シに回転するけれどもそれは一定平面内に維持されると
いうことである。このように配列したので、アーム５８
はプラテンの収容壁６６に対して摺接して回転すること
ができる。或いはワッシャを介在させることも可能であ
る。プラテンの反対側の壁面に対してはナツト６２又は
その均等物が摺接して回転する。ナツト６２等はシャフ
ト６０に対して振込まれているので、シャフトの軸の回
シにアーム５８が回転する際において軸に対してナツト
が回転することが防止される。更に次のことが必要であ
る。アーム５８が回転して基板１１の端部内の溝６８（
第１０図参照）にブレード５６が接触するような位置に
なるときに、基板をアンロードするときまでにブレード
はそのような接触状態から移ることが完全に防止される
。

第９図に略示するように、このことはピン７２に回転可
能に支持された円形末端部を有する圧縮スプリング型０
によって達成される。ビン７２は。

アーム５８及びプラテン５０から外方へと突出している
。アーム５８が第９及び１０図の支持位置にあるときに
、スプリングの圧縮力がブレード５６を基板内の溝６８
との接触状態に維持するように配列がなされている。ス
ゲリング７０の配列は好ましくは次の様なものである。

アーム５８が時計方向に回転して後退位置（その位置に
おいては基板の脱着が可能となる）にある時において、
スゲリングはアーム５８に力を及ぼしてその位置に止る
ようにする。次にノブ６４が反時計方向に回転されると
、グレード５６は後退させられて基板との保合が解かれ
る。

ブレード５４〜５６のそれぞれの端部及び溝６８の断面
形状を第１０図に示す。そこではグレードの形状はナイ
フェツジチー・ぐ−であり、溝の壁面もそれにマツチす
るようなテーノｅ−であるっちょうど第２図のものと類
似しているが肩部３９及び４０は有していない。変形的
には第８〜１ｏ図の実施例のだめの溝及びブレードの形
状は、第２及び４〜７図に示すような形状としても良い
。第８〜１０図の多数ブレード実施例においては、第６
図のような溝の形状が用いられたとしても単一ブレード
の場合におとシ得るような支持の不安定性は取除かれる
。

第８〜１０図の実施例についての基板のローダイング処
理を以下に説明する。まずオペレータがノブ６４をその
後退位置へと回転させる。その位置においてはグレード
５６の内端は外方へと移動させられる。それによって基
板ＩＩをブレード５４及び５５へと接近させそれらを溝
６８の中に収容するように位置づけることが可能となる
。次にオペレータがノブ６４を回転してブレード５６を
溝内へと挿入させる。アンローディングのためには。

オにレータはノｆ６４を回転させてブレード５６を完全
に後退させる。その後基板をブレード５４及び５５から
取出す。オペレータは基板のローラ゛ィンダ及びアンロ
ーディングの際に基板を千によシ保持することが可能で
ある。このごとはホール４３について−っの指を通し残
りの指を基板の外側の端部に添えることによってつかむ
ことができる。或いは基板全体を外周をつかむことによ
って保持することもできる。基板の外周の全体を保持す
る場合には、開孔５２は十分に大きくなければならずそ
のようにしてオペレータの指を収容させなければならな
い。変形的にはオペレータはスプリング型のビンセント
を用いて基板の内周又は外周のいずれかをつかむことも
できる。

プラテン５ｏに−又は複数の基板がロードされた後に、
７°ラテン５ｏは真空チェンバ内において垂直に固定さ
れることができる。或いはチェンバ内において移動する
ことも可能である。プラテンの方向は垂直ばがシでなく
、水平又は他の角度の方向にしても良い。そして−又は
複数の基板が。

プラテンの一方側又は両側に設けられたー又は複数の被
覆装置にょシ被覆することができる。

もし基板の片面のみを被覆するだけである場合には、或
いは同時には片面のみを被覆する場合には、グレード５
４〜５６及びブレード５６のだめの移動機構は未開孔グ
ラテン５０の表面上に取付けることができる。そのよう
な装置においても。

第９図に示すようなグレードの円形配列を用いることが
可能である。又第８図に示すような配列を用いることも
可能でアシ、各基板を保持するためにそれぞれ３つのブ
レードの組が用いられる。

これまで本発明の特定の実施例についてのみ説明してき
たが９図示した実施例の詳細以外に多くの変形を成し得
ることは描業者に明白であシそのような変形は本発明の
真の範囲を逸脱しないということは明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は２本発明を実施した被覆装置の断面図である。 第２図は、第１図に示した支持構造の拡大側面断面図で
ある。 第３図は２本発明に従った基板の平面図であり。 支持構造をも示している。 第４．５．６及び７図は２本発明の他の実施例の拡大側
面断面図である。 第８図は、支持構造体の他の実施例の平面図である。 第９図は、第８図の拡大部分平面図である。 第１０図は、第９図の１０−１０線に沿った断面図であ
る。 〔主要符号の説明〕 １１・・・基板 １２・・・真空処理チェンバ １３・・・Ｘ　空ス、９ツタコーティングチェンバ１４
・・・ブレード １５．１６・・・平坦表面 １７．１８・・・ターゲット １９・・・エンペロ！ ２０・・・直流電源 ２１・・・ガス源 ２２・・・真空源 ２４．２５・・・コーティング ２７・・・シリンダ ２８・・・ピストン ２９・・・ノラット７ォーム ３１・・・周縁 ３２・・・溝 ３３．３４・・・平坦斜面 ３２′・・・根底部 ３５．３６・・・垂直面 ３７．３８・・・ナイフェツジ部分 ３９．４０・・・水平肩部 ４１−・・円形縁 ４３・・・孔 ５０・・グラテン ５２・・・開孔 ５４．５５・・・固定グレード ５６・・・可動ブレード ５８・・・一体アーム 画商の浄書（内容に変更なし） ＦＩＧ、３ 手続補正書 特許庁長官　志　賀　学　殿 １、事件の表示　昭和５９年特許願第２１８７３０号２
、　発明の名称　基板及び基板ホルダー３、補正をする
者 事件との関係　特許出願人 住　所（居所） 氏　名（名称）　バリアンーアソシエイツ―インコーポ
レイテッド４、代理人 住所東京都ｊａ区西新橋１丁口６番２１号大和銀行虎の
門ビルディノグ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌ、真空中の基板の平行な両表面を同時的に被覆するだ
   めの方法であって： 基板の縁部の溝内にブレードを挿入することによシ、真
   空被覆中の基板を鉛直平面内に支持する段階から成シ； 以て平面のうちどの部分も支持構造により蔽われること
   なく、かつ被覆材料源手段と表面との間に支持構造によ
   って障害がもたらされるということがない； ことを特徴とする方法。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された方法であって： 基板がプレーｒ上に載置されるように、ブレードが基板
   を支持する； ことを特徴とする方法。 ３、特許請求の範囲第２項に記載された方法であって： 基板が単一のグレードのみによって支持される： ことを特徴とする方法。 ４．２つの平行な平坦表面：並びに 真空中で該表面に同時に材料が被覆される際に基板をも
   っばら支持するためのグレードを受容し得る溝を有する
   少なくとも１つの端部；を有する実質的に剛性の基板か
   ら成シ。 該端部付近の両表面の部分が同時に被覆され得る； ことを特徴とする物品。 ５、特許請求の範囲第４項に記載された物品であって： 磁気ディスクを形成するために被覆すべき未被覆ディス
   ク基板であり； 非磁性体であシ：かつ 端部全周にわたシ溝が設けられている；ことを特徴とす
   る物品。 ６、特許請求の範囲第４項に記載された物品であって： 当該基板が非磁性体である磁気ディスクであり； ディスク基板の全面にわたって磁性材料が被覆されてい
   て；かつ 端部全周にわたり溝が設けられている；ことを特徴とす
   る物品。 ７、特許請求の範囲第４項に記載された物品であって： 当該基板が円形の周縁を有するディヌクであり：かつ 前記溝が、ディスク周縁と同心的である円形根底部を有
   する； ことを特徴とする物品。 ８、特許請求の範囲第７項に記載された物品であって： 前記溝が、はぼ三角形断面形状の部分を有する； ことを特徴とする物品。 ９、溝を設けた端部を有する基板の第１及び第２の平坦
   平行表面を被覆するだめの装置であって二基板を被覆の
   ために据付ける位置へと反対方向から同時に被覆材料源
   手段づけるための手段を備える真空チェンバ；並びに 前記平行表面を鉛直方向にしたまま基板をその縁によっ
   て昇降させるだめの手段； から成シ。 以て基板の第１及び第２の表面が前記被覆手段からの材
   料の進路を遮断し得るような位置に鉛直方向に保持され
   るように、基板が前記昇降手段によ多位置づけられ；か
   つ 前記昇降手段が前記溝内へと挿入するようなグレードを
   有し、それにより基板が前記被覆手段からの材料の進路
   を遮断し得るように位置づけられたときに、前記表面の
   うちのどの部分も支持構造によシ蔽われることなく、か
   つ被覆材料源手段と前記表面との間に支持構造によって
   障害がもたらされるということがない：ことを特徴とす
   る装置。 １０、特許請求の範囲第９項に記載された装置であって
   ： 基板が昇降され又は所定位置に保持されている際にブレ
   ード上に載置されるように、グレードが構成され配置さ
   れている； ことを特徴とする装置。 １１、特許請求の範囲第９項に記載された装置であって
   ： 前記昇降手段が単一のブレードを含み；がっ該ブレード
   が、基板の昇降保持にあたシ基板に接触する唯一の物で
   ある： ことを特徴とする装置。 １２、特許請求の範囲第１０項に記載された装置であっ
   て： 前記グレードが、２つの平坦鉛直表面を有するナイフェ
   ツジと、該鉛直表面間でほぼ水平に延在する上方エツジ
   とを有し： 前記平坦表面が溝を画成する壁面の間に嵌合するように
   され；かっ 前記水平延在エツジが前記平坦表面間の溝の根底部に係
   合する； ことを特徴とする装置。 １３、特許請求の範囲第１２項に記載された装置であっ
   て： 前記基板は円形周縁を有するｙｈ　イスクであシ：前記
   溝はディス゛り周縁と同心的な円形根底部を有し： 前記水平延在エツジが前記円形根底部の牛径とほぼ同径
   の円形部分の一部として形状づけられている： ことを特徴とする装置。 １４、特許請求の範囲第１３項に記載された装置であっ
   て： 前記溝及びブレードが、はぼ対応するような断面形状を
   有する； ことを特徴とする装置っ １５、％許請求の範囲第１４項に記載きれた装置であっ
   て： 前記ブレード鉛直表面が、７Ｊイスクの鉛直表面の間で
   ナイフェツジよシも十分に下方に延びて、縁におけるデ
   ィスク表面を材料源から遮蔽することを防止する： ことを特徴とする装置。 １６、溝を設けた端部を有する基板の第１及び第２の平
   坦平行表面を被覆するための装置であって二基板を被覆
   のために据付ける位置へと反対方向から同時に被覆材料
   を方向づけるための手段を備える真空チェンバ：並びに 前記第１及び第２の平行表面を鉛直方向にしたまま基板
   をその縁によって保持させるための手段； から成シ。 以て基板の第１及び第２の表面が前記被覆手段からの材
   料の進路を遮断し得るような位置に鉛直方向に保持され
   るように、基板が前記保持手段によシ位置づけられ：か
   つ 前記保持手段が前記溝内へと挿入するようなブレードを
   有し、それによシ前記表面のうちのどの部分も支持構造
   によシ蔽われることなく。 かつ被覆材料源手段と表面との間に支持構造によって障
   害がもたらされるということがない：ことを特徴とする
   装置。 １７、％許請求の範囲第１６項に記載された装置であっ
   て： 基板が被覆手段による被覆のために保持されている際に
   ブレード上に載置されるように、ブレードが構成され配
   置されている； ことを特徴とする装置、 １８、特許請求の範囲第１６項に記載された装置であっ
   て： 前記保持手段が単一のブレードを含み；かつ該ブレード
   が、基板の被覆時の保持にあたり　、基板に接触する唯
   一の物である； ことを特徴とする装置。 １９、特許請求の範囲第１８項に記載された装置であっ
   て： 前記ブレードが、２つの平坦鉛直表面を有するナイフェ
   ツジと、該鉛直表面間でほぼ水平に延在する上方エツジ
   とを有し； 前記平坦表面が溝を画成する壁面の間に嵌合するように
   され；かつ 前記水平延在エツジが前記平坦表面間の溝の根底部に係
   合する； ことを特徴とする装置。 ２、特許請求の範囲第１９項に記載された装置であって
   ： 前記基板は円形周縁を有するディスクでアシ；前記溝は
   ディスク周縁と同心的な円形根底部を有し； 前記水平延在エツジが前記円形根底部の半径とほぼ同径
   の円形部分の一部として形状づけられている； ことを特徴とする装置。 ２、特許請求の範囲第２０項に記載された装置であって
   ： 前記ブレード鉛直表面が、ディスクの鉛直表面の間でナ
   イフェツジよシも十分に下方に延びて、縁におけるディ
   スク表面を材料源から遮蔽することを防止する； ことを特徴とする装置。 ２２、処理手段を備える真空チェン／ｆ内でほぼ円形の
   基板の少なくとも１面を処理するための方法であって： 該基板の縁の溝部分内に少なくとも１つのブレード手段
   を挿入させることによシ、処理中の該基板を保持する段
   階； から成）。 以て、前記少なくとも１面のうちのどの部分も支持構造
   に蔽われることなく、かつ被覆材料源手段と表面との間
   に支持構造がもたらされるということがない； ことを特徴とする方法。 ２３、　％許請求の範囲第２２項に記載された方法であ
   って： 基板がグレード上に載置されるように、前記ブレード手
   段が基板を支持する； ことを特徴とする方法。 ２、特許請求の範囲第２２項に記載された方法であって
   ： 前記基板が複数のプレー１手段によシ保持され、以て基
   板がどのような角度でも保持され得る； ことを特徴とする方法。 ２、特許請求の範囲第２４項に記載された方法であって
   ： 複数の基板を保持可能な一枚の支持部材上に。 複数グレード手段の複数の組が設けられている：ことを
   特徴とする方法。 ２６．２つの平行な平坦表面；並びに 真空中で該表面に材料が被覆される際に基板をもっばら
   支持するためのグレード手段を受容し得る溝部分を有す
   る周縁端部； を有する実質的に剛性のほぼ円形の基板から成シ。 両表面のうち端部に近接する部分が、実質的に内方の表
   面部分における被覆厚と実質的に同一の厚さに被覆され
   ることができ； 基板中の溝はブレード手段を受容すること以外の目的を
   有する； ことを特徴とする物品。 ２、特許請求の範囲第２６項に記載された物品であって
   ： 磁気ディスクを形成するために被覆すべき未被覆ディス
   ク基板で多少： 非磁性体であ夛；かつ 端部全周にわたり溝が設けられている：ことを特徴とす
   る物品。 ２、特許請求の範囲第２６項に記載された物品であって
   ： 当該基板が非磁性体である磁気ディスクであシ：かっ ディスク基板の両面が磁性材料で被覆されている； ことを特徴とする物品。 ２９、溝部分を設けた端部を有するほぼ円形の基板の少
   なくとも１つの表面を被覆するだめの装置であって： 基板を被覆中に据付ける位置へと被覆材料を方向づける
   ための手段を備える真空チェンバ；並びに 被覆中の基板を保持するだめの手段であって。 基板が被覆手段からの材料の進路を遮断し得るような位
   置に保持するために、前記溝部分へ挿入するブレード手
   段を含む保持手段； から成シ。 前記少なくとも１つの表面のうちのどの部分も支持構造
   によシ蔽われることなく、かつ被覆手段と前記少なくと
   も１つの表面との間に支持構造によって障害がもたらさ
   れるということがない； ことを特徴とする装置。 ３０、特許請求の範囲第２９項に記載された装置であっ
   て： 基板が被覆中に保持される際にグレード上に載置される
   ように、ｆソー１手段が構成され配置され； グレード手段が基板に接融する唯一の保持手段である： ことを特徴とする装置。 ３１、特許請求の範囲第２９項に記載された装置であっ
   て： 前記保持手段が複数のグレード手段を含み。 以て基板が鉛直或いは何れの方向にも保持し得る： ことを特徴とする装置。 ３２、溝部分を設けた端部及び対向表面を有する薄くて
   ほぼ円形の基板を保持するための装置であって： 基板の溝部分に挿入し得るプレート°手段；から成シ。 以て前記対向表面の少なくとも１つの表面のうちのどの
   部分も当該保持装置によって蔽われることがない； ことを特徴とする。 ３３、特許請求の範囲第３２項に記載された装置であっ
   て： 前記ブレード手段が、基板の鉛直直径の反対側で基板底
   部よシ実質的に上方の少なくとも２点における溝に係合
   するように形状づけられた鉛直グレードから成る； ことを特徴とする特許 ３４、特許請求の範囲第３２項に記載された装置であっ
   て：さらに 基板の移動をもたらすための、グレード手段の移動手段
   ； から成る装置。 ３５、特許請求の範囲第３２項に記載された装置であっ
   て： 前記ブレード手段が、基板に接触する唯一の保持手段で
   ある単一のブレードを含む；ことを特徴とする装置。 ３６　％許請求の範囲第３２項に記載された装置であっ
   て： 前記グレード手段が、はぼ円周上に沿って互いに離れて
   配置された複数のブレードと、該ブレードのうちの１つ
   を他のブレードに対して移動させるための手段と、を含
   む ことを特徴とする装置。