JPS60103533A - 情報記録媒体 - Google Patents

情報記録媒体

Info

Publication number
JPS60103533A
JPS60103533A JP58210379A JP21037983A JPS60103533A JP S60103533 A JPS60103533 A JP S60103533A JP 58210379 A JP58210379 A JP 58210379A JP 21037983 A JP21037983 A JP 21037983A JP S60103533 A JPS60103533 A JP S60103533A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
metal
recording
thickness
recording layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58210379A
Other languages
English (en)
Inventor
Masabumi Nakao
中尾　正文
Koichi Mori
晃一 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Corp
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Asahi Kasei Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Chemical Industry Co Ltd, Asahi Kasei Kogyo KK filed Critical Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP58210379A priority Critical patent/JPS60103533A/ja
Publication of JPS60103533A publication Critical patent/JPS60103533A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25706—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing transition metal elements (Zn, Fe, Co, Ni, Pt)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25708—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 13 elements (B, Al, Ga)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/2571—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 14 elements except carbon (Si, Ge, Sn, Pb)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25715—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing oxygen
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
    • G11B7/2535—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polyesters, e.g. PET, PETG or PEN

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はヒートモード記録用として適した情報記録媒体
、さらに詳しくいえば、透明な基板側からレーザー光を
照射した場合でも安定性の優れた記録が可能な情報記録
媒体に関するものである。
従来、レーザー光線などの高密度エネルギーをスポット
に集光させて記録媒体に照射し、媒体の一部を融解させ
るか、あるいは蒸発させることによシ、これを変形又は
除去して記録を行う方法は、いわゆるヒートモード記録
法として知られている。
そして、とのヒートモード記録法は、薬品などの処理液
を必要としないドライタイプであること、−リアルタイ
ム記録法であること、高速かつ冒コントラストで大容量
記録が可能なこと及び情報の追加書き込みが可能なこと
など多くの利点を有しているので、例えば文書ファイル
、静止画ファイル、動画ファイル、あるいはコンピュー
ターメモリやデーターベースメモリなど広い用途を有し
ている。
ところで、前記のヒートモード記録法を具体的−に用い
る場合には、円形のガラスや合成樹脂などの基板に記録
材を形成したディスクを高速回転させなからレー、ザー
光を集光し、記録材に短径約１μｍ程度のだ円孔を形成
することにより情報を記録する方法が採られている。こ
の際の孔の位置及び大きさは、パルス変調したレーザー
光の出力波形に依存し、レーザーに入力した情報に対応
して形成される。記録材に記録された信号の読み出しは
、高速回転させた記録材に記録しきい値を超えない程度
の弱い出力のレーザーを集光し、その反射光の変化を検
出することにより行うことができる。
前記の方法でヒートモード記録を行う相料として、多く
の材料が提案されてきたが、レーザー光に対する感度、
再生信号のＳ／Ｎ比、及び安定性の点で満足できるもの
はなかった。
本発明者らは、このような従来のヒートモード記録材料
のもつ欠点を克服するために種々の研究を重ねて、先に
基板上にアンチモン含有ビスマス金属記録層を設け、こ
の記録層上層に金属化合物安定化層を、そして該金属記
録層と前記基板との間にクロム層を設けることによシ、
記録材料を形成したディスクを回転数４５０　ｒｐｍで
回転させ、発１μｍ１長径１．６μｍはどの孔を形成し
て信号を記録した場合の再生信号品質としてＣ／Ｎ比５
２ｄＥを達成した。
しかしながら、よ）高密度に記録を行うために、例えば
ディスク回転数９００　ｒｐｍ、半導体レーザーの記録
変調周波数３．１ＭＨ２，パルス幅１６０　ｎ　ｓｅｃ
で記録を行ったところ、（１）ディスク最内周部におい
て、記録に要する最小パワーで書き込みを行っても大き
めの孔が開孔されて、実用再生信号に値する１６０　ｎ
　ｓｅｃのパルス幅が得られない、（２）書き込み後の
ノイズ上昇を生じ、ＣＺＮ比の低下を生じる、などの問
題が生じた。
本発明者らは、前記（１）及び（２）の問題を解決すべ
く鋭意研究を重ねた結果、記録ピットの短径が約１μｍ
で、長径が約１．５μｍ程度以下になるように記録する
場合は、金属記録層が膜厚にして１００〜２２０″Ａの
範囲の薄い領域で良好なピットを形成しうろこと、及び
ビスマスを主体とする該金属記録層がアンチモンを換算
厚にして３０〜７０Ａの範囲で含むことが記録特性上好
ましいことを見出し、この知見に基づいて本発明をなす
に至った。
すなわち、本発明は、エネルギービームの照射によりピ
ットを形成させて情報を記録する情報記録媒体の構造が
、基板上にビスマスを主体とする金属記録層及び金属化
合物安定化層を積層したＧ’／７造を有し、かつ前記基
板と前記金属記録層との間にクロム層を介在させた構造
である情報記録媒体において、該金属記録層が膜厚にし
て１００〜２２０Ｘの範囲であシ、かつ換算厚で３０〜
７０′Ａの範囲（密度６．６９ｙ／ａｄとして換算）の
アンチモンを含有することを特徴とする情報記録媒体を
提供するものである。
従来、ビスマスを記録用金属として用いることは知られ
ているが、本発明においては、アンチモ／を３０〜７０
久の範囲の換算厚で含み、かつ膜厚にして１００〜２２
０大の範囲（バルク密度を仮定して）のビスマスを主体
とする金属記録層を用い、最上層に金属化合物安定化層
を設け、かつ該金属記録層と基板との間にクロム層を介
在させることが特徴である。
本発明でいうアンチモンの換算厚とは、アンチモンを含
む金属記録層中の単位面積当りのアンチモ／重量をアン
チモンの密度で除した値である。
本発明において、ビスマスを主体とする金属記録層を膜
厚にして１００〜２２０″Ａの範囲に設け、かつ換算厚
で３０〜７０久の範囲のアンチモンを存在させた場合に
、開孔径を小さくでき、Ｃ／Ｎ比の向上を達成しうる理
由は必ずしも明らかでないが、ヒートモードの開孔過程
に関与する要因すなわち（１）金属溶融時の粘度、（２
）金属溶融分散時に生じる表面張力及び濡れ特性、（３
）金属の溶融変形に影響する金属に接する層の物理的剛
性、（４）金属の固化時に作用する周囲への熱の逸散、
（５）金属の結晶サイズと粒界の酸化状態、（６）孔形
成後局辺部に生じる結晶サイズなどにおいて、前記（２
）の要因が該金属記録層を、従来のものよシ薄い１００
〜２２０Ａの膜厚範囲に形成することによって低下し、
長径１．５μｍ以下の記録孔まで安定に形成することが
可能になるため、及びアンチモンを３０〜７０Ａの換算
厚範囲に含有させることにより、前記（１）、（２）、
（５）及び（６）の要因の相乗作用をもたらし、エツジ
の乱れの少ない良好な記録孔が形成されるものと考えら
れる。
前記金属記録層の膜厚が１００Ａよシも薄い場合は、レ
ーザー光の透過光ｌが増すだめに、開孔のための有効々
エネルギー吸収ができず感度が低下し、またＣ／Ｎ比も
低下する。一方膜厚が２２０人よｐも厚くなると、孔の
最小径が大きくな９、最内周部において実用パルス−幅
１６０　ｎ　ｓｅｃの再生信号が得られず、さらにｃ　
／　Ｎ比の低下も生じる。
本発明における金属記録層のよシ好ましい膜厚範囲は１
３０〜１８０Ａである。
さらに、該金属記録層中のアンチモンの換算厚が３０Ａ
よシ薄い場合は、記録孔形状の乱れによるＣ／Ｎ比の低
下を生じ、また７０′Ａよシ厚い場合は、孔形状の乱れ
によるＣ／Ｎ比の低下とともに、記録感度の低下を生じ
る。本発明における金属記録層中に含有するアンチモン
の換算厚のより好ましい範囲は４０〜５０久である。
なお、前記の膜厚範囲は、すべて密度を原子が密に詰っ
た状態のバルク値とした場合の値の範囲であシ、低真空
下における蒸着のようにガスの巻き込みなどによって、
密度が低下する場合は、金属記録層のバルク密度、実際
の薄膜の密度及び膜厚をそれぞれＤＢＸＤＡ及びＴ１ま
たアンチモノのバルク、密度、実際の薄膜の密度及び膜
厚をそれぞチモ／の換算厚範囲は３０　’ｐ、　ｘ　ａ
Ｂ／ａＡ≦ｔくハ０ＡＸｄＢ／ｄＡで表わされる範囲と
なる。
本発明においては、前記金属記録層には、ビスマス及び
アンチモンの他に、必要に応じ安定性改良及び記録特性
向上を目的として、他の第三元素を添加してもよい。こ
のような第三元素としては、５ｅＸＴｅＸＡｓＸ［）ｅ
、　５ｎＸＰｂ、　ＩｎＸＴｌＸＣｄ及びＺｎの中から
選ばれた少なくとも１種の金属又は半金属が好適である
。また、ビスマス、アンチモン及び前記第三元素の割合
は、それぞれの原子数比をＸ、ｙ及び２とし、第三元素
をＡとした場合、該記録層の１ｊｌ成が （Ｂｉ）Ｘ（Ｓｂ）ｙ（Ａ）ｚ の形で表わされ、式 ％式％ を７１：４足するような範囲が好適である。原子数比が
これらの範囲を逸脱すると、安定性及び記録特性−に好
−走しい結果が得られない。より好ましい原子数比の範
囲は、 ０．５０　（ｘ　＜　０．７０．０．３０　（ｙ＜　０
．４０、Ｏ＜Ｚ＜０．２０である。
また、該金属記録層には、本発明の目的を損わない限り
、用いた金属の酸化物、特に低級酸化物を少量含ませる
ことができる。
この金属記録層は、他の層と同様に真空蒸着、スパッタ
リング、イオンブレーティング、電気メっき、無電解め
っき、プラズマ蒸着などの薄膜形成技術によって形成し
うる。
これらの金属記録層の形成方法のうち、真空蒸着法が簡
単でかつ再現性がよいので好ましいが、金属記録層の高
温高湿下での安定性及び感度の点から、高真空下、特に
１０”−５Ｔｏｒｒ以下での蒸着がよシ好ましい。
該金属記録層は、前記方法によって形成されるが、その
全体の膜厚が１００〜２２０Ａの範囲であシ、かつ含有
されるアンチモンの換算厚が３０〜７０Ａの範囲内であ
シさえすれば、一様な単一層であってもよいし、複数層
であってもよい。また、２種以上の合金から成る単一層
であっても、数種類の単一金属層が積層され合金化した
ものであってもよいし、合金層と単一金属層が積層され
合金化したもので、あってもよく、特に再現性の点から
は、数種類の単一金属層を積層した構造のものが有利で
ある。
マタ、前記ビスマスの含有原子数比、アンチモンの含有
原子数比及び第三元素の含有原子数比が、それぞれ該金
属記録層全体に対して前記の好ましい範囲内にあれば、
構造については特に制限されない。
本発明においては、金属記録層と基板との間にクロム層
を介在させるが、該クロム層は記録特性、特にｃ　／　
Ｎ比の向上に対して効果があり、その好ましい膜厚は１
０〜２２０　Ａ　％　より好ましくは２０〜６０Ａの範
囲である。この膜厚がｔｏＸ未満ではクロム特有のｃ　
／　Ｎ比を向上させる。記録後に生じるノイズの低減効
果が得られず、また２００　Ｎを超えるとクロムが連続
層を形成して、レーザー記録光を遮断し感度の低下を引
き起す。
前記クロム層は安定性の点において、クロムの酸化物や
低級酸化物を少量含むことができる。このクロム層は、
真空蒸着、−スパッタリング、イオンブレーティング、
電気めっき、無電解めっき、プラズマ蒸着などの薄膜形
成技術によって形成することができ、そのうちでも真空
蒸着法が簡単でかつ再現性がよいので好ましい。
また、本発明においては、金属記録層と基板との間に、
高感度化及び長期保存性の向上の目的で、金属化合物層
を前記クロム層と組み合わせて複合層として介在させる
ことが好ましい。この場合、該金属化合物層は金属記録
層とクロム層との間若しくはクロム層と基板との間、い
ずれでも介在させてよいが、特にクロム層と積層構造と
し、かつ該クロム層を基板に接するように設けることが
有利である。
前記金属化合物層としては、例えばＢｅ、　Ｌｉ。
Ｂｒ　Ｍｇ＋　Ａ１１Ｓｉｔ　Ｃａ＋　Ｓｅｔ　’ｒｉ
ｌ　Ｌ　Ｃｒ、　Ｍｎ＋Ｆｅ、　Ｃ！ｏ、　Ｎｉ＋　Ｃ
ｕ、　Ｚｎ、　Ｇａ、　Ｇｅ、　Ａｓ、　Ｓｒ、　Ｚｒ
。
Ｎｂ、　Ｔｃ、　Ｒｕ、　Ｒｈ、　Ａｇ、■ｎ、Ｓｎ＋
　Ｓｂ＋　Ｂａ１Ｉｆ。
Ｔａ、Ｉ（ｅ、工ｒ、ＴＩ、Ｐｂ’、Ｂｉｔ　Ｙ＋　Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ＋罰＋　Ｐｍ、　Ｓｍ、　Ｃ）ｄ、　Ｅ
ｕｔ　Ｔｂ＋　Ｄｙ＋　Ｈｏｔ　Ｅｒｒ　Ｔｍ。
Ｙｂ、及びＬｕなどの酸化物、窒化物及びフッ化物など
が好１しく用いられる。本発明においては。
特に高感度化を達成するためには、記録媒体におけるレ
ーザー光入射側の反射率を下げることが有効であって、
透明基板側よシレーブー光を入射させる場合は、介在さ
せる層の構造をクロムと希土類酸化物との積層構造とす
ることにょシ、ビスマスを主体とした金属記録層の透明
基板側の反射率を効果的に低下させ、大幅に記録感度を
向上させることができる。この希土類酸化物としては、
Ｙ。
Ｌａ＋　Ｃａ＋　Ｐｒ＋　Ｎｄ＋’　Ｐｍ、　Ｓｍ、　
Ｃａ＋　Ｅｕ、　’ｒｂ、　Ｄｙ＋Ｈｏ＋　Ｅｒ、　Ｔ
ｍ、　ｙｂ及び猟などの酸化物が挙げられ、丑だ、これ
らの酸化物は高Ｃ／Ｎ比化の点でも有利である。
前記金属化合物はそれぞれ単独で用いてもよいし、２種
以上組み合わせて用いてもＪ：＜、また複数種を多層構
造、あるいは混合構造としてもよいが、出現性及び蒸着
工程の簡便さの点から、それぞれ単独で用いることが有
利である。
前記金属化合物の好ましい膜厚は使用する該化合物の種
類によって異なるが、厚すぎるとクランクを生じやすく
なったシ、特に希土類酸化物を用いる場合は極度の反射
率の低下を招いたシするので、ｌＯ〜２０ｏＡの範囲、
特に２０〜８０′Ａの範囲内にあることが望ましい。
また、希土類酸化物はクロムとの相乗効果によって、媒
体の反射率の低減効果があり、該クロムと希土類酸化物
の膜厚を調節することにょシ、反射率を１０〜６０％の
範囲で任意に選定することが可能である。
また、積層構造における金属化合物の層を形成する方法
としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法、プラズマ蒸着法などの薄膜形成技術を適
用することができる。特に真空蒸着法を用いる場合はお
いては、金属化合物をそのまま蒸着源として、抵抗加熱
法やエレクトロンビーム蒸着法を用いて蒸着させてもよ
いし、金属化合物そのものを蒸着源として用いて、ペル
／ヤー内の閃′囲気と反応させながら前記方／去により
金属化合物層を形成することもできる。この薄膜の形成
において、金属化合物が酸化物の場合例えば高真空下で
の電子ビーム蒸着法では、還ノヒや不冗全酸化が生じ、
金属酸化物に、低級酸化物が含まれる場合があるが、そ
れらの混入（ｒｉ本発明の目的を妨げない範囲において
差し支えない。
本発明の記録媒体において、金属記録層の上層に設ける
金属化合物安定化層としては、例えばＢｅｔ　Ｌ］、＊
　Ｂ、　Ｍｇ、Ａｌ＋　Ｓｉｔ　Ｃａ、　Ｓｅｔ　Ｔｉ
ｎ　ＬＣｒ＋　Ｍｎ＋　Ｆａｒ’　Ｃｏ＋　Ｎｉ＋　Ｃ
ｔｔ＋　Ｚｎ＋　Ｇｅｔ　Ｇｅｔ　ＡｇＩＳｒ、　Ｚｒ
＋　Ｎｂ、　Ｔａｒ　Ｒｕｔ　Ｒｈ＋　ＡｇＩ　工ｎ、
　Ｓｎ、　Ｓｂ。
Ｂａ、１ｉｆ＋　Ｔａ、Ｒｅｚ　工ｒ＋　Ｔｌ、Ｐｂ、
Ｂｉｔ　Ｙ＋　Ｌａ。
Ｃｏ、　Ｐｒ、　Ｎｄ、　Ｐｍ、　Ｓｍ、　Ｇｄ、　Ｅ
ｕ、　Ｔｂ、　Ｄｙ、　Ｈｏ。
Ｅｒ、Ｔｍ＋　ｙｂ及びＬｕなどの酸化物、窒化物、フ
ッ化物などが挙げられ、これらの中で特にＳｉ。
Ａ１＋　Ｇｅｔ　Ｚｒ、　Ｔａｒ　Ｂｉｔ　Ｌｉｔ　Ｍ
ｇ、　’ｒｉ、　Ｌａ＋　Ｃｅ＋Ｙ、　Ｄｙ、　Ｅｒ、
　Ｇｄ＋　Ｈｆ、　Ｓｍ、　Ｏｒ＋　Ｎｃｔｌ　Ｐｒ＋
　Ｐｍ。
ＩＣｕ＋　Ｔｂ＋　Ｈｏ、　Ｔｍ＋　Ｔｂ＋　Ｌｕなど
の金属の酸化物が好適である。
前記金属化合物安定化層は、これらの金属化合物の２種
類以上を用いて、異種金属化合物の２層構造にすること
が情報記録と−して形成される孔の形状を整え、その安
定性を図る上で好ましい。
この金属化合物安定化層を形成する方法としては、真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、
プラズマ蒸着法などの薄膜形成技術を適用することがで
きる。また、異なる単一金属から成るターゲットの複数
個や、２種以上の金属を含むターゲットを用い、空気、
酸素、酸素−アルゴンなどの気体による反応性スパッタ
リングによっても形成することができる。
これらの薄膜の形成方法において、特に金属化合物が酸
化物の場合、例えば高真空下での電子ビーム蒸着などに
おいて、１ｔＯｘ（ただしＭは金属元素、Ｘは１又は２
である）のような低級酸化物が金属化合物安定化層に含
まれる場合があるが、本発明の目的を妨げない範囲にお
いて差し支えない。
このような低級酸化物の生成を防止するためには、例え
ば酸素、空気、酸素−アルゴンなどの気体をリークして
低真空下で蒸着する方法などが好ましく用いられる。
該金属化合物安定化層の膜厚は、用いる化合物の種類に
もよるが、厚すぎるとクランクを生じたりすルノテ、１
０〜１００００　Ａ、特に２０〜３０ｏＡの範囲が好ま
しい。
本発明の記録媒体において、記録材料を支持する役割を
果す基板としては、レーザー光を基板側より入射させる
意味では透明であることが必要である０ 一般Ｖこ、物質の透明性は入射光線の波長によって相違
することが知られているが、本発明の記録媒体に情報全
記録する場合には、半導体レーザーやアルゴンガスレー
ザー、Ｈｅ−ＮＧレーザー、その他の可視領域あるいは
近赤外領域に発振波長をもつ各種のレーザーやキセノン
フラッシュランプなど光波特性を異にする多棟類の光源
を用いることかできる。（７かし、特定の光源の使用を
所望する場合ｉ／Ｃは、その光源がもつ）°ａ波４も性
に適した透明−１／ｌ：４−イｉ’−４−：Ａ、↓、ｔ
７ｉノＦ＋７’＋ｄ、θ）スーツ；ｌ：ＪＦｒＪ−−）
Ｚ、７Ｌ−Ａ：Ｐｈ感度の向上をはかるうえで好ましい
。そして、透明性については、入射光の約９０％以上の
透過率を示すことを一応の目安とすることができる。
前記の光源のいずれに対しても、十分な透過率をもつ基
板としては、ガラスなどの無機材料又はポリエステル、
ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート
などのポリマー、あるいはこれらの変性ポリマー、コポ
リマー、ブレンド物などの有機材料から成るフィルム又
はシートを挙げることができる。ビデオディスクなどの
ように基板自体の表面平滑性が信号のＳ／Ｎ比に大きな
影響を与える場合には、別の基板上に前記の材料をスピ
ンコードなどで均一に塗布した基板を用いることが好ま
しい。
特に好ましく用いられる基板としては、ポリエステル又
はポリメチルメタクリレートから成るフィルム及びシー
トを挙げることができる。
１だ、ランダムアクセス読み取シ及びランダムアクセス
書き込みを行う場合、一般に基板にあらかじめレーサー
光をガイドする案内溝及びアドレスを基板表面にしＩＪ
　−フ状に設ける方法がとられる。これらは通常射出成
形法や２・Ｐ法（ｐｈＯｔＯ−ｐｏ：ｔｙｍｅｒ法）な
どにより形成されるが、量産性の点においては射出成形
法が好ましく用いられる。
この射出成形に適した基板材料としては、ポリメチルメ
タクリレートやポリカーボネート及びポリメチルメタク
リレートとスチレンとの共重合物などがある。
本発明の記録媒体は、その最上層部に、安定性の向上、
物体との接触による損傷防止、汚染防止などのために保
護層を形成させることもできる。
この保護層は、有機高分子化合物全主体とした層で形成
され、用いられる有機高分子化合物としては、例えばポ
リ塩化ビニリデン、塩化ビニリデンとアクリロニトリル
との共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリイミド、ポリビニ
ルシンナメート、ポリインプレン、ポリブタジェン、ポ
リスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタン
、ポリビニルブチラール、フッ素ゴム、フッ素系ポリマ
ー、ハリレン、ポリアミド、ポリエステル、エポキシ樹
脂、酢酸セルロースなどのポリマー、これらの変成ポリ
マー、コ梁すマーなどを挙げることができ、これらは単
独で又は混合物として用いられる。
特ニ、ポリエステル、フッ素ゴノ４、ポリ酢酸ビニル−
ポリビニルブチラール−ポリビニルアルコールの三元コ
ポリマーが好ましく用いられる。
このような有機高分子化合物にシリコーンオイル、帯電
防止剤、架橋剤などを添加することは、膜強度、帯電防
止性能の改良の点で好ましい。
また、保護層として、このような有機高分子化合物を主
体とする層ｆ：２層以層重上て用いてもよい０ 該保護層は、例えは有機化合物を主体とする成分を適当
な溶媒に溶解して塗布する方法、真空蒸着法、スパッタ
リング法、プラズマ真空重合法、あるいは薄いフィルム
としてラミネートする方法などにより形成される。その
膜厚は０．０１〜１０μｍの範囲が適当である。
次に本発明の・ｔｉ’ｉル記録媒体を添伺図面により。
さらに基体的に説明する。第１図〜第３図は、いずれも
本発明の記録媒体のそれぞれ異なった構造例を示す断面
図である・ 本発明の情報記録媒体の基本構造は、第１図に示すよう
ＶＣ，基板１の上にクロム層３を設け、その上に順次ビ
スマスを主体とする金属記録層２及び金属化合物安定化
層４を設けた構造である。
クロム層の構造としては、第１図に示すように、クロム
単独層３のみから成るものの外、第２図及び第３図に示
すように、クロム単独層：うと他の金属あるいは金属化
合物の層５との積層構造をとるものがある。
以上の第１図〜第３図“！トでの構造の中で、本発明の
目的を達成する上で最も好ましいもの（・ま第３図に示
す構造のものであり、特にクロム層と積層する金属化合
物として布上−ｆＡ酸化物を用いた場合である。
第４図は本発明の記録媒１本に、レーザー光など内ニス
、ルキービームのｌ［（４４；ｊにより〕杉１ｊνにた
記録層の断面図である。最上層に設けた金属ｆじ合物安
定１ヒ層４は残存することが好１しく、さらに図のよう
に一様に膨出状に残存することが好ましい。
本発明の情報記録媒体においては、ディスク回転数９０
０　ｒｐｍ、記録周波数３．１ＭＨｚ（パルス幅１６０
　ｎ　ｓｅｃ　）で記録を行った場合、ディスク最内周
部において、記録ビットの太きさとして短径約１μｍ、
長径約１μｍ以下の記録が容易で、チューティ比５０％
に対応する１６０　ｎ　ｓｅｅのパルス幅を得ることが
できる。また、書き込み後のノイズ上昇も少なく、ディ
スク最内周部においても、Ｃ７Ｎ比にして５４ｄＢ以上
の記録が可能である。
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例に何ら限定されるものではない。
実施例１ キャスト法によシ作成した表向平滑性のよい厚さ１．２
ｍｉ、直径３０ｃｍのポリメチルメククリレ−１・板を
基板として用い、真空蒸着機槽内にセットする。
ディスクは、装置内において回転できるようになってお
り、装置内には回転中心軸を中心にして複数の加熱蒸着
ボートと複数めるつぼをもつ電子ビーム装置を複数備え
ている。
膜厚のモニターは水晶振動子法で行い、順次自動的にプ
ログラムされた順序でコントロールを行う。基板の意図
的加熱は行わず、また蒸着による基板温度の上昇はほと
んどなかった。
蒸着槽内を１０−５Ｔｏｒｒ　以下に真空引きしたのち
、基板上にまずＯｒ層、次に金属化合物層としてＳｍ２
０１．層を設け、さらに金属記録層としてｓｂ及びＢ１
　を、最上層に金属化合物安定化層としてＳｍ２Ｏ３層
を順次積層したサンプルを作成した。
Ｏｒ　、　Ｓｍ２Ｏ３は電子ビーム蒸着法により、また
ｓｂ　及びＢ１は抵抗加熱法により蒸着を行った。
アンチモア（７）換算厚を４０Ｘ（密度６．６９９７ｃ
ｍ５として換算）と固定して、ビスマスの膜厚を８０Ｘ
〜ｔ’ｓ　ｏＸ　（密度９．８０　ｙ／ｃｔｎ３−　ト
Ｉ、−ｃ換Ｎ　）　（７）範囲で変化させ、金属記録層
の全体膜厚ｆｆ：１２０＾〜２２０Ａの範囲で変化させ
たサンプルＡ　、　Ｂ。
０、Ｄを作成した。比較サンプルとして、ビスマスの膜
厚を５０に、及び２２ｏＸとして金属記録層の全体膜厚
を９０Ｘ、２６０ＡとしたサンプルＡ′及びＢ′を作成
した。
それぞれのサンプルの最下層クロムの膜厚は３０１、最
上層Ｓｍ２Ｏ３の膜厚は１２０Ｘと固定した。
下層Ｓｍ２０５の膜厚は、金属膜厚が変わると反射率が
変化するので、レーザー光入射側の反射率をほぼ一定の
３５％〜４ｏｆ２の範囲内に調節するために、金属層膜
厚に応じて、３０〜８０Ａの範囲で形成した。
以上のサンプルの記録特性の評価は、以下の手順で行っ
た。
まず、発振波長８３０ｎｍの半導体レーザー光を厚さ１
．２關の透明基板越しに、記録膜上にＮ、Ａ、　＝　０
．６のレンズでビーム杼約１　／１ｍ程度まで集光、オ
ートフォーカスをかけて照射する。
その時のディスクの回転数は９０　Ｏｒｐｍ　で、１、
レーザー光は周波数３．１ＭＨｚ　（パルス幅　１６０
ｎＳｅｃ　）でｏｎ−ｏｆｆ変調し、記録面上にディス
ク半径方向に記録ｈθａｄを移動させながら記録ピット
を形成する。レーザー光がｏｎの時の発光出力は記録膜
上で０〜１１ｍＷまで可変である。
以」二の操作でスパイラル状の記録ピット列が形成され
るが、そのピット列に１ｍＷ程度の新たに孔を形成しな
い程度の出力で連続発光している再生用半導体レーザー
光を、オートフォーカス及びオートトラッキング サンプル面上からの反射光を光検出器により検出し再生
信号を得る。
その再生信号をスペクトルアナライザーに人力し、ノイ
ズレベルとキャリアピークレベルを読み取りＣｌＮ比を
得た。また、同時に記録レーザー光ｆ：変調しているパ
ルスｒｌ］（　１　６　０　ｎｓｅｃ）と同じパルス１
］が再生信号について得られる時のレーザー記録ｐｏｗ
ｅｒを実用記録値ｐｖとして測定した。ＯｌＮ　比につ
いて実用記録値で記録した際の再生信号についてのＯｌ
Ｎ　比を（ＯｌＮ　ｌｖとして、記録パワーを変え最高
のｃＺＮ　比が得られた時のＯｌＮ　比を（Ｃ！／Ｎ）
ＭＡＸとして評価した。
サンプルＡ〜Ｄ，及び比較サンプルＡ’，Ｂ’の結果を
第１表に示す。
また、金属記録層の膜厚が厚くなるに従い、最小記録パ
ワーで開孔する際の孔径が太きくなる傾向があり、最も
厚い比較サンプルＤにおいては、記録しきい値で開孔し
た孔の大きさはすでに再生パルス巾１６０ｎｓｅｃに近
いパルス巾が得られるほどの孔径で１．１６０ｎｓｅｃ
以下の再生パルス巾は得られないが、一方金属記録層の
膜厚が薄くなるほど小さな孔が得られやすくなる傾向が
あり、実施サンプルＡについては、１５０ｎｓｅｃのパ
ルス巾の再生信号も安定して得られた。
以上のことから、実用記録ｐｏｗｅｒで記録した際のＣ
／Ｎ　比＝（０／Ｎ）■、及び小さな開孔を得るという
特性面からは実施サンプルＡ、Ｂ、Ｏ。
Ｄ、が優れていることが明らかである。
実施例２ 実施例１と同基板、同蒸着装置を用いて、ｓｂ有量の効
果を見るだめのサンプルを作成した。
記録材料の構成も実施例１と同様であり、基板上にまず
Ｏｒ層、次に金属化合物層とじて５１１２０５層を設け
、さらに金属記録層としてｓｂ及びＢｉ　１１う２．最
上層に金属化合物層として５ｒｒＱＯｓ１＋／ｉを順次
積層した構造である。
記録材の膜厚組成は、実施例１の実施サンプルＢを基本
組成とし、ｓｂ含有膜厚ｆ：８０’ｚ。
５ｏＸ、６ｏＸ、、７ｏＸ、と変化させたサンプルＥ　
、　Ｆ　、　Ｇ　、Ｈ＋　ｋ作成した。さらに比較例と
してｓｂ含有膜厚を２ｏｏ、ｓｏＸとした比較−リーン
プルｃＪ、　Ｄ′を作成した。
以上のサンプルの評価は、実施例１と同様な方法で行い
、第２表に示すような結果を得だ。
以」二の結果より、Ｃ／Ｎ　特性の面から見て、サンプ
ルＥ、Ｂ、Ｆ、Ｇ、Ｈ，について好ましい結果が得られ
、特にサンプルＢ、Ｆが好ましい結果であった。
実施例３ 実施例１と同基板、同蒸着装置を用いて、ｓｂ含有量の
効果を見るだめのサンプルを作成した。
記録材の構成も実施例１と同様であり、膜厚組成は実施
サンプルＣを基本組成とし、ｓｂ含有膜厚ｆ：８０Ａ、
５０Ａ、６０Ａ、７０Ｘと変化させたザングルエ、Ｊ　
、に、Ｌを作成した。さらに比較サンプルＥ／　、　Ｆ
Ｌ　としてｓｂ換算厚を２０１、及び８０Ｘとしたもの
を作成した。
サンプルの評価は実施例１と同様な方法で行い、第３表
に示すような結果を得た。
以上より、Ｃ／Ｎ　特性の面から見て、サンプルＩ、Ｊ
、に、Ｌ、について好捷しい結果が得られ、特にサンプ
ル０．Ｊが良い結果であった。
実施例２及び３よりｓｂ含有量の最適範囲１′ｒｉａｏ
Ｚ　〜ｒｏＸで１＞す、％に４０Ｘ　〜５ｏＡの範囲が
好ましいことが明らかとなった。
実施例４ 実施例１と同基板、同蒸着装置を用い、金属化合物とし
てＬａ２Ｏ３を用いたサンプルを作成した０ 蒸着槽内を１Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下に真空引きしたのち、
基鈑上にまずＯｒ層、次に金属化合物層としてＬａ２Ｏ
５層を設け、さらに金属記録層としてｓｂ及びＢｉ層、
最上層に金属化合物安屋化層としてＬａ２Ｏ３層を順次
積層したサンプルに、Ｌを作成した。Ｏｒ　ｒ　Ｌａ２
０ｓ　＋は電子ビーム蒸着法により蒸着を行い、ｓｂ及
びＢｉは抵抗加熱法により蒸着を行った。
サンプルの評価は、実施例１と同様な方法で行った。そ
の結果を第４表に示す。
この表より分るように、金属化合物としてＬａ２Ｏ５を
用いても金属記録層の組成を前記の値に設定することに
より、余裕をもって１６０　ｎ５ｅｃのパルス［ＩＪの
μ１生信号が得られ、Ｃ／Ｎ　モ高＜て良い結果を１（
Ｉることかできた。
実施例５ 実施例１と同基板、同蒸着装置を用い、金属化合物とし
てＹ２Ｏ６を用いたザンプルを作成し。
た。
蒸／＋’ｌ槽内金１０’Ｔｏｒｒ以下に真空引きしたの
ち、基４反上にまずＣｒ層、次に金属化合物層としてＹ
２Ｏ５層を設け、さらに金属記録層としてｓｂ及びＢｉ
層、最上層に金属化合物安定化層としてＹ２Ｏ５層を順
次積層したザンプルＭ、Ｎを作成した。Ｏｒ、　Ｙ２Ｏ
３は電子ビーム蒸着法により蒸着を行い、ｓｂ及びＢｉ
は抵抗加熱法により蒸着を行った。
ザンプル評価は、実施例１と同様な方法で行つ／ζ。そ
の結果を第５表に示す。
この表から分るように、金Ａく化合物Ｋ　Ｙ２０３を用
いても金属記録層の組成を前記の値に設定することによ
り、余裕をもって１６０ｎｓｅｃのパルスｒｌ」の再生
信号が得られ、Ｃ／Ｎ　も高く良い結果を１４すること
ができた。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図、及び第３図は本発明記録媒体のそれぞ
れ異った構造例を示す断面図である。 図中１は基板、２は金属記録層、３はクロム層、４は上
層に形成する金属化合物安定化層、５は■層に形成する
金属化合物層を示す。 第４図は、レーザーにより記録したのちに形成ａ；ｌす
る孔の断面図である。 肪許出願人　旭化成工業株式会社 代理人　阿　形　明 第１図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １　エネルギービームの照射によシビットを形成させて
    情報を記録するだめの、基板上にビスマスを主体とする
    金属記録層及び金属化合物安定化層を積層し、かつ前記
    基板と前記金属記録層との間にクロム層を介在させた構
    造を南する情報記録媒体において、該金属記録層が膜厚
    にして１００〜２２０　Ａの範囲であシ、かつｊ奥算厚
    ３０〜７０Ａの範囲（密度６．６９５’　／’ｃ＋ｔｉ
    として換算）のアンチモンを含有することを特徴とする
    情報記録媒体。 ２　情報記録媒体の構造が、金属記録層とクロム層との
    間若しくはクロム層と基板との間に金属化合物層を介在
    させた構造である特許請求の範囲第１項記載の情報記録
    媒体。 ３　金属記録層を構成する金属が（Ｂｉ　）ｘ（Ｓｂ）
    ｙ（Ａ）ｚの形で表わされ、かつＡはＳ　ｅ　ＸＴ　ｅ
    、Ａｓ、　Ｇｅ、　Ｓｎ、　Ｐｂ、工ｎ、　ＴｌＸＣｄ
    及びＺｎの中から選ばれた少なくとも１種の金属又は半
    金属であって、ｘ、ｙ及び２はそれぞれ原子数比にして
    、式 ％式％ を満足する値である特許請求の範囲第１項又は第２項記
    載の情報記録媒体。
JP58210379A 1983-11-09 1983-11-09 情報記録媒体 Pending JPS60103533A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58210379A JPS60103533A (ja) 1983-11-09 1983-11-09 情報記録媒体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58210379A JPS60103533A (ja) 1983-11-09 1983-11-09 情報記録媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60103533A true JPS60103533A (ja) 1985-06-07

Family

ID=16588366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58210379A Pending JPS60103533A (ja) 1983-11-09 1983-11-09 情報記録媒体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60103533A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6242157B1 (en) * 1996-08-09 2001-06-05 Tdk Corporation Optical recording medium and method for making

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6242157B1 (en) * 1996-08-09 2001-06-05 Tdk Corporation Optical recording medium and method for making

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4370391A (en) Recording material
US4461807A (en) Recording material
EP0195532A1 (en) An information recording medium
EP0045183B1 (en) Recording material
JPWO2003101750A1 (ja) 情報記録媒体及びその製造方法
US5124232A (en) Optical recording medium
US4580146A (en) Information recording material
US4973520A (en) Optical recording medium
US5013635A (en) Information storage medium
JPS59225992A (ja) 光記録媒体
JPS5885945A (ja) 情報記録用部材
JP2679995B2 (ja) 情報記録用薄膜
JP2001035014A (ja) 光情報記録媒体及びその製造方法並びにその製造に用いるスパッタ装置
JPS58100250A (ja) 情報記録用材料
US5164290A (en) Optical recording medium
JPH05262040A (ja) 光情報記録媒体
JPH0298847A (ja) 情報記録媒体の製造方法
JP2003030899A (ja) 情報記録媒体、情報の記録再生方法および情報の記録再生装置
JPS6059551A (ja) レ−ザ−記録材料
JPS60103534A (ja) 情報の記録用部材
JPH02217289A (ja) 光記録媒体
JPH0441293A (ja) 光学的情報記録用媒体
JPH06223408A (ja) 光学的情報記録用媒体
JPH06103546B2 (ja) 光記録媒体
JPH03108133A (ja) 光記録媒体