JPS6010620A - プラズマｃｖｄ法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ法Info
- Publication number
- JPS6010620A JPS6010620A JP58118004A JP11800483A JPS6010620A JP S6010620 A JPS6010620 A JP S6010620A JP 58118004 A JP58118004 A JP 58118004A JP 11800483 A JP11800483 A JP 11800483A JP S6010620 A JPS6010620 A JP S6010620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- shutter
- electrode
- glow discharge
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する分野〕
本発明はグロー放電を利用して反応ガスを分解し、非晶
質シリコン膜などを形成するプラズマＣＶＤ法に関する
。
質シリコン膜などを形成するプラズマＣＶＤ法に関する
。
太陽電池などに用いられるａ−８ｉ二Ｈ，ａ−８ｉ；Ｃ
；Ｈ、ａ−８ｉ ； Ｇｅ ： Ｈなどの非晶質シリコ
ン（以下ａ−８ｉで総称）を製造する方法としては、第
１図に示すように対向して配置された電極２，３の片側
（通常は接地側電極）に基板４を設置した真空室１内を
排気管５を介して排気し、必要に応じて、シラン、ジボ
ラン、ゲルマン、メタンなどの反応ガスをパルプ６を介
して導入し、高周波電源７により発生されるＲ、Ｆ電界
を電極間に印力Ｕするととｌこよってグロー放電を生起
させるものが知られている。そして放電開始と同時に、
この基板上にｉ型。
；Ｈ、ａ−８ｉ ； Ｇｅ ： Ｈなどの非晶質シリコ
ン（以下ａ−８ｉで総称）を製造する方法としては、第
１図に示すように対向して配置された電極２，３の片側
（通常は接地側電極）に基板４を設置した真空室１内を
排気管５を介して排気し、必要に応じて、シラン、ジボ
ラン、ゲルマン、メタンなどの反応ガスをパルプ６を介
して導入し、高周波電源７により発生されるＲ、Ｆ電界
を電極間に印力Ｕするととｌこよってグロー放電を生起
させるものが知られている。そして放電開始と同時に、
この基板上にｉ型。
ｐ型もしくはＸ型などのａ−８ｉ膜を形成したり導電層
を有する基板上に導入ガスの切換えにより該ａ−８ｉ
膜を多層に積層（例えばｐ−１−ｎ 型、 ｎ−１−ｐ
型など）し太陽電池などの光起電力素子や他の半導体素
子を順次形成している。
を有する基板上に導入ガスの切換えにより該ａ−８ｉ
膜を多層に積層（例えばｐ−１−ｎ 型、 ｎ−１−ｐ
型など）し太陽電池などの光起電力素子や他の半導体素
子を順次形成している。
第２図は被数の真空室１１〜１４を有するプラズマＣＶ
Ｄ装置を示すもので、真空室１１はヒータ１４を設けた
基板加熱室、真空室１２〜１３は各半導体層を別々に形
成するための反応室である。
Ｄ装置を示すもので、真空室１１はヒータ１４を設けた
基板加熱室、真空室１２〜１３は各半導体層を別々に形
成するための反応室である。
基板４はトレイ８に装着されシャッタ９を介して駆動ロ
ーラ１０により、真空中で洗室に移送される。そして、
バルブ６を介して反応ガス５を導入し電極２及びヒータ
を兼用した対向電極３の間にＢＰ電界を印加すると同時
に目的とするａ−８ｉ膜を形成している。
ーラ１０により、真空中で洗室に移送される。そして、
バルブ６を介して反応ガス５を導入し電極２及びヒータ
を兼用した対向電極３の間にＢＰ電界を印加すると同時
に目的とするａ−８ｉ膜を形成している。
これらのプラズマＣＶＤ法における問題点は基板４とａ
−８ｉ膜との界面に多量の表面準位が発生したり、また
特に第１図の装置のように基板挿入等のプロセスにおい
て反応室ｌの内部が大気にさらさなければならない場合
には、界面及びａ−８ｉ膜中に酸化層などが形成される
ことがあり、不所望な障壁が生じ素子特性に悪影響を及
はＴことである。これらの原因としてζ１放電の初期的
不安定性及び反応室壁や電極などからの不純物の混入が
考えられる。通常放電開始時には放電を維持する電圧よ
り高い放電開始電圧を要するために、短時間ながらも高
電界が印加されたり、反応ガスの濃度や供給と排気のバ
ランス、及び電極表面などの状態が微妙に変化すること
によって、放電部の系のインピーダンスが時間的に変化
し、整合状態が不安定となったりするために、多量の水
素の取り込みや構造欠陥の増加が起こり、形成されるａ
−３ｉ Ｊｌ莫の膜質が低下する。また電極や反応室壁
へ堆積した膜や、大気開放時に吸着した酸素や水分等の
不所望な不純物は放電時にスパッタされ膜中へ取り込ま
れる。これらの不安定要因による影響はｔ’ｊ＋、Ａ以
上にも及び、光起電力素子のように買入８度の薄膜層を
有する場合には重大な問題とな する。
−８ｉ膜との界面に多量の表面準位が発生したり、また
特に第１図の装置のように基板挿入等のプロセスにおい
て反応室ｌの内部が大気にさらさなければならない場合
には、界面及びａ−８ｉ膜中に酸化層などが形成される
ことがあり、不所望な障壁が生じ素子特性に悪影響を及
はＴことである。これらの原因としてζ１放電の初期的
不安定性及び反応室壁や電極などからの不純物の混入が
考えられる。通常放電開始時には放電を維持する電圧よ
り高い放電開始電圧を要するために、短時間ながらも高
電界が印加されたり、反応ガスの濃度や供給と排気のバ
ランス、及び電極表面などの状態が微妙に変化すること
によって、放電部の系のインピーダンスが時間的に変化
し、整合状態が不安定となったりするために、多量の水
素の取り込みや構造欠陥の増加が起こり、形成されるａ
−３ｉ Ｊｌ莫の膜質が低下する。また電極や反応室壁
へ堆積した膜や、大気開放時に吸着した酸素や水分等の
不所望な不純物は放電時にスパッタされ膜中へ取り込ま
れる。これらの不安定要因による影響はｔ’ｊ＋、Ａ以
上にも及び、光起電力素子のように買入８度の薄膜層を
有する場合には重大な問題とな する。
次に第１図の装置のように同一真空室内にて例えばｐｉ
ｎ型などの多層構造を有するａ−８ｉ膜を形成しようと
する場合、第二層であるｉ層形成の際に前段のｐ層形成
時に電極や真空室壁等へ堆積した膜中の不純物（この場
合ポロン、カーボンなど）がスパッタされ、１層中へ拡
散するという問題がある。そのためｉ層がｐ層化し、完
全な負性半導体層を得ることができなくなると共に、微
量の不純物（例えばＢ、Ｐなど）による１層へのドーピ
ング制御が難しいという欠点があった。
ｎ型などの多層構造を有するａ−８ｉ膜を形成しようと
する場合、第二層であるｉ層形成の際に前段のｐ層形成
時に電極や真空室壁等へ堆積した膜中の不純物（この場
合ポロン、カーボンなど）がスパッタされ、１層中へ拡
散するという問題がある。そのためｉ層がｐ層化し、完
全な負性半導体層を得ることができなくなると共に、微
量の不純物（例えばＢ、Ｐなど）による１層へのドーピ
ング制御が難しいという欠点があった。
本発明は上述のような放電開始時の不安定要因に基づく
生成膜の膜質低下や、放電中に電極や真空室壁から放出
される不所望な不純物の膜中への取り込みを除去するこ
とにより、良□好な接合構造及び膜質を制御性良く得る
ことができるプラズマＣＶＤ法を提供することを目的と
する。
生成膜の膜質低下や、放電中に電極や真空室壁から放出
される不所望な不純物の膜中への取り込みを除去するこ
とにより、良□好な接合構造及び膜質を制御性良く得る
ことができるプラズマＣＶＤ法を提供することを目的と
する。
本発明は真空室内でグロー放電を発生させて反応ガスを
分解し基板上に膜を生成する方法において、基板をグロ
ー放電発生空間より所定の時間隔 ５− 離した後、グロー放電発生空間に接触せしめることによ
り、放電時間内でかつ任意の時間だけ膜形成を実行させ
るものである。具体的には、基板が一方の電極に固定さ
れている場合には基板前面に近接して基板を覆い、かつ
その電極と同電位のシャッタを移動可能に設置し、該シ
ャッタによる遮蔽の有無により膜形成を制御し、一方別
真空室もしくは同一真空室でも電極間とは離して基板を
セットできる場合には放電を開始して所定時間経過後基
板を放電部分に導き膜形成を実行させるものである。要
するに放電開始直後に生ずる放電の不安定な時間内及び
不所望な不純物が放出されたりする時間内は膜形成を実
行せず、これらが除去された後初めて基板を放電部分に
露呈して膜形成を実行することにより不安定要因に基づ
く膜質低下を防止し、かっ膜厚や膜質の制御性を向上さ
せようきするものである。
分解し基板上に膜を生成する方法において、基板をグロ
ー放電発生空間より所定の時間隔 ５− 離した後、グロー放電発生空間に接触せしめることによ
り、放電時間内でかつ任意の時間だけ膜形成を実行させ
るものである。具体的には、基板が一方の電極に固定さ
れている場合には基板前面に近接して基板を覆い、かつ
その電極と同電位のシャッタを移動可能に設置し、該シ
ャッタによる遮蔽の有無により膜形成を制御し、一方別
真空室もしくは同一真空室でも電極間とは離して基板を
セットできる場合には放電を開始して所定時間経過後基
板を放電部分に導き膜形成を実行させるものである。要
するに放電開始直後に生ずる放電の不安定な時間内及び
不所望な不純物が放出されたりする時間内は膜形成を実
行せず、これらが除去された後初めて基板を放電部分に
露呈して膜形成を実行することにより不安定要因に基づ
く膜質低下を防止し、かっ膜厚や膜質の制御性を向上さ
せようきするものである。
真空蒸着やスパッタリング等においてシャッタを設置し
、蒸着あるいはスパッタリングの諸条件が安定したのち
シャッタを開き、蒸着あるいはス ６− バッタリングを行うことは周知であるが、導入した反応
ガスを分解して薄膜を得るプラズマＣＶＤ法においては
、ガス圧力が０．１〜１ＱＴｏｒｒと高いため粒子の指
向性がなく、回り込みが生じて粒子の堆積を遮断するこ
とができないなど本質的な相異点が多く、これまでシャ
ッタを設置することは試みられなかった。これに対し本
発明者は、基板とシャッタとを同電位にしてしかもそれ
らの間隔を狭くすることでプラズマの回り込みを抑制す
ると、基板への膜形成をシャッタによっても阻止できる
ことを新たに見い出した。この状態で電極間にＲＦ電界
を印加すると、グロー放電はＲＦ印加側電極と金属板（
シャッタ）及びこれにより覆われていない基板側電極と
の間にのみ生起し、金属板と基板との間の空間には生起
せず、シラン等の反応ガスを導入しても基板上へのａ−
８ｉ膜の形成は行われない。この理由は金属板が基板側
電極と同電位であるため、この空間内において放電を生
起し反応ガスを分解するだけの電界が印加されないこと
と、両者の間隔が狭いために、他の放電空間内で生成さ
れるＳｉ、ＳｉＨ，ＳｉＨ２などの膜形成にあずかるラ
ジカルや中性種の拡散が行われにくいためである。
、蒸着あるいはスパッタリングの諸条件が安定したのち
シャッタを開き、蒸着あるいはス ６− バッタリングを行うことは周知であるが、導入した反応
ガスを分解して薄膜を得るプラズマＣＶＤ法においては
、ガス圧力が０．１〜１ＱＴｏｒｒと高いため粒子の指
向性がなく、回り込みが生じて粒子の堆積を遮断するこ
とができないなど本質的な相異点が多く、これまでシャ
ッタを設置することは試みられなかった。これに対し本
発明者は、基板とシャッタとを同電位にしてしかもそれ
らの間隔を狭くすることでプラズマの回り込みを抑制す
ると、基板への膜形成をシャッタによっても阻止できる
ことを新たに見い出した。この状態で電極間にＲＦ電界
を印加すると、グロー放電はＲＦ印加側電極と金属板（
シャッタ）及びこれにより覆われていない基板側電極と
の間にのみ生起し、金属板と基板との間の空間には生起
せず、シラン等の反応ガスを導入しても基板上へのａ−
８ｉ膜の形成は行われない。この理由は金属板が基板側
電極と同電位であるため、この空間内において放電を生
起し反応ガスを分解するだけの電界が印加されないこと
と、両者の間隔が狭いために、他の放電空間内で生成さ
れるＳｉ、ＳｉＨ，ＳｉＨ２などの膜形成にあずかるラ
ジカルや中性種の拡散が行われにくいためである。
第３図は本発明の実施例を示すもので、基板４を設置し
た基板側電極３と２とを対向するＲＦ電極２との間に、
基板側電極と同電位でしかも基板全体を覆う形でシャッ
タ２１がセットされた構成となっている。このシャッタ
はステンレス鋼、アルミニウム、炭素などの材質を用い
た板もしくは伸縮自在の構成で、外部操作により移動さ
せ、基板を放電空間に露呈できる。また、第３図の構成
ではシャッタ２１の開閉などによりシャッタに堆積した
物質の落下を防ぐため基板４の面は下向きにセットされ
ている。そこで、シャッタ２１を閉じたままグロー放電
を開始すると放電２２はシャッタ２１とＲ，Ｆ電極２の
みに生起し、基板４とシャッタ２１間には生起しないた
め基板４の上への １ａ−８ｉ膜の形成は実行されない
。従って不安定要因等が除去された時点で例えば軸２３
を回転してシャッタ２１を開き膜形成を実行することが
できる。第４図は多翼空室を有し、基板４はトレイ８に
装着されて移送される場合の実施例を示すもので、基板
を装着したトレイ８は排気管５を介して排気される前室
２４内で待機させ、反応室１内では予め電極２，３間に
電圧を印加して放電を開始し同じく不安定要因が除去さ
れた段階で前室２４と反応室１の間のシャッタ２５を開
き、放電空間にトレイ８ごき基板４をローラ１０上で導
き、膜形成を開始する。第５図は第４図の変形例を示す
もので第４図と異なる点は基板４は真空室１の同−真空
内に置かれ間仕切り２６ｉこよって放電空間から隔離さ
れていることで、この場合も放電を開始し断点時間経過
後トレイ８ごと基板４を搬送し膜形成を実行するもので
ある。
た基板側電極３と２とを対向するＲＦ電極２との間に、
基板側電極と同電位でしかも基板全体を覆う形でシャッ
タ２１がセットされた構成となっている。このシャッタ
はステンレス鋼、アルミニウム、炭素などの材質を用い
た板もしくは伸縮自在の構成で、外部操作により移動さ
せ、基板を放電空間に露呈できる。また、第３図の構成
ではシャッタ２１の開閉などによりシャッタに堆積した
物質の落下を防ぐため基板４の面は下向きにセットされ
ている。そこで、シャッタ２１を閉じたままグロー放電
を開始すると放電２２はシャッタ２１とＲ，Ｆ電極２の
みに生起し、基板４とシャッタ２１間には生起しないた
め基板４の上への １ａ−８ｉ膜の形成は実行されない
。従って不安定要因等が除去された時点で例えば軸２３
を回転してシャッタ２１を開き膜形成を実行することが
できる。第４図は多翼空室を有し、基板４はトレイ８に
装着されて移送される場合の実施例を示すもので、基板
を装着したトレイ８は排気管５を介して排気される前室
２４内で待機させ、反応室１内では予め電極２，３間に
電圧を印加して放電を開始し同じく不安定要因が除去さ
れた段階で前室２４と反応室１の間のシャッタ２５を開
き、放電空間にトレイ８ごき基板４をローラ１０上で導
き、膜形成を開始する。第５図は第４図の変形例を示す
もので第４図と異なる点は基板４は真空室１の同−真空
内に置かれ間仕切り２６ｉこよって放電空間から隔離さ
れていることで、この場合も放電を開始し断点時間経過
後トレイ８ごと基板４を搬送し膜形成を実行するもので
ある。
第６図は第３図に示す実施例に用いるシャッタを平面図
で示し、シャッタ２１は軸２３の外部操作によって矢印
３６の方向に回転し、基板４を露出させる。シャッタの
回転軸２３はこの方式だけでなく、第７図の変形例のよ
うに中心に位置して ９− も良く、この場合の方がシャッタが対向電極空間からは
み出すことがない利点がある。これらの場合においてシ
ャッタと基板との間隔はできるだけ密着させた方が放電
の回り込みが少ないため効果的であるが、基板面積より
シャッタ面積が十分広げれば数（ｃｒｌＬ離しても良い
。通常は約１ｃｒｒＬ程度離しておけば、シャッタ端部
から約２ｃＩｒＬの所より内側に基板を配置すれば十分
に遮蔽効果が得られる。
で示し、シャッタ２１は軸２３の外部操作によって矢印
３６の方向に回転し、基板４を露出させる。シャッタの
回転軸２３はこの方式だけでなく、第７図の変形例のよ
うに中心に位置して ９− も良く、この場合の方がシャッタが対向電極空間からは
み出すことがない利点がある。これらの場合においてシ
ャッタと基板との間隔はできるだけ密着させた方が放電
の回り込みが少ないため効果的であるが、基板面積より
シャッタ面積が十分広げれば数（ｃｒｌＬ離しても良い
。通常は約１ｃｒｒＬ程度離しておけば、シャッタ端部
から約２ｃＩｒＬの所より内側に基板を配置すれば十分
に遮蔽効果が得られる。
第８図は上記の方法を更に改良したもので、シャッタ２
７を屈折可能な構成とすることで伸縮自在にし、基板側
電極３上の基板設置有効面積を、第７図に示す方法の５
０％から１００％としたものである。この方式は角型の
反応室に設置する場合特に有効である。
７を屈折可能な構成とすることで伸縮自在にし、基板側
電極３上の基板設置有効面積を、第７図に示す方法の５
０％から１００％としたものである。この方式は角型の
反応室に設置する場合特に有効である。
第９図、第１０図は第８図で示したシャッタ２７の構造
をさらに詳細に示した第９図は平面図、第１０図は正面
図である。シャッタ２７は複数枚の板２８から成り、各
板はジグザグに折り曲げでき、かつ各板間で隙間がない
よう接続される。各版２８にはガイドピン２９が側面に
取り付けられ、−１０− 支柱に固定されたガイド３０内を該ピンが摺動すること
によってシャッタ２７が伸縮し開閉動作が実行される。
をさらに詳細に示した第９図は平面図、第１０図は正面
図である。シャッタ２７は複数枚の板２８から成り、各
板はジグザグに折り曲げでき、かつ各板間で隙間がない
よう接続される。各版２８にはガイドピン２９が側面に
取り付けられ、−１０− 支柱に固定されたガイド３０内を該ピンが摺動すること
によってシャッタ２７が伸縮し開閉動作が実行される。
ここでガイドピン２９の摺動は駆動部３１により行われ
る。この摺動方式としては、スプリング方式、圧空作動
方式、チェーン巻取り方式、ベルト方式などが挙げられ
る。
る。この摺動方式としては、スプリング方式、圧空作動
方式、チェーン巻取り方式、ベルト方式などが挙げられ
る。
本発明によれば、プラズマＣＶＤ法による膜生成の際、
当初基板とグロー放電空間とをシャッタ等により分離す
ることにより、放電開始時に生ずる、放電の不安定性や
反応ガスの濃度や給排気のバランスの乱れと、電極から
スパッタされる不所望不純物の影響が除去された後から
ａ−８ｉ膜の形成を実行できるため上記要因に基づく膜
質低下が防止できる。実際にカーボンを含むａ−８ｉ：
Ｃ；Ｈ膜の形成したところ基板界面に多量に含まれてい
た高抵抗層が除去されて抵抗値が１桁以上減少した。
当初基板とグロー放電空間とをシャッタ等により分離す
ることにより、放電開始時に生ずる、放電の不安定性や
反応ガスの濃度や給排気のバランスの乱れと、電極から
スパッタされる不所望不純物の影響が除去された後から
ａ−８ｉ膜の形成を実行できるため上記要因に基づく膜
質低下が防止できる。実際にカーボンを含むａ−８ｉ：
Ｃ；Ｈ膜の形成したところ基板界面に多量に含まれてい
た高抵抗層が除去されて抵抗値が１桁以上減少した。
また、単一反応室におけるｐｉｎ型など多層のａ−８ｉ
ｌＩｊ形成に用いた場合前層の形成に用いたドーパント
の影響が除去されるため、各層間の接合性が向上し、か
゛つ不所望な不純物拡散が抑制されるために微量な不純
物制御が可能になるという効果も得られる。これを実際
にｐｉｎ型ａ Ｓｉ太陽電池の形成に適用したところ、
第２層の１層形成前に約１００ＯＡのａ−８４膜生成に
相当する時間分のプレデポジションを電極等へ行うこと
で第１層の生成に用いたボロンの混入が除去されｉ層中
でのボロン濃度が約１桁低下し、太陽光ＡＭ−１下にお
ける発生電流が約２ ｍＡ／ｍ増加した。本発明はこれ
才で述べてきたａ−８ｉ膜生成の他にＳｔ Ｎ ｘ ＋
Ｓｔ ０２などの生成など、すべてのプラズマＣＶＤ
法に応用できる。また放電方式についても容量結合型ば
かりでなく誘導結合型などの方式にも応用できる。
ｌＩｊ形成に用いた場合前層の形成に用いたドーパント
の影響が除去されるため、各層間の接合性が向上し、か
゛つ不所望な不純物拡散が抑制されるために微量な不純
物制御が可能になるという効果も得られる。これを実際
にｐｉｎ型ａ Ｓｉ太陽電池の形成に適用したところ、
第２層の１層形成前に約１００ＯＡのａ−８４膜生成に
相当する時間分のプレデポジションを電極等へ行うこと
で第１層の生成に用いたボロンの混入が除去されｉ層中
でのボロン濃度が約１桁低下し、太陽光ＡＭ−１下にお
ける発生電流が約２ ｍＡ／ｍ増加した。本発明はこれ
才で述べてきたａ−８ｉ膜生成の他にＳｔ Ｎ ｘ ＋
Ｓｔ ０２などの生成など、すべてのプラズマＣＶＤ
法に応用できる。また放電方式についても容量結合型ば
かりでなく誘導結合型などの方式にも応用できる。
第１図、第２図はそれぞれ従来のプラズマＣＶＤ装置を
示す断面図、第３図は本発明の一実施例に用いる装置の
断面図、第４図は別の実施例に用 １いる装置の断面図
、第５図は第４図の装置の変形例の断面図、第６図は第
３図装置に用いられるシャッタの一実施例の平面図、第
７図は同じくシャッタの別の実施例の平面図、第８図は
さらに別のシャッタを用いた実施例の装置の要部断面図
、第９図はそのシャッタの平面図、第１０図は正面図で
ある。 １・・・反応室、２，３・・・電極、４・・・基板、２
１，２５゜２７・・シャッタ、２３・・・回転軸、２４
・・・前室、２６・・・間仕切り。 、？ｐ） □Ａノ ー １３− 第１図 第２図 ｂ 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第１０図 ９５−
示す断面図、第３図は本発明の一実施例に用いる装置の
断面図、第４図は別の実施例に用 １いる装置の断面図
、第５図は第４図の装置の変形例の断面図、第６図は第
３図装置に用いられるシャッタの一実施例の平面図、第
７図は同じくシャッタの別の実施例の平面図、第８図は
さらに別のシャッタを用いた実施例の装置の要部断面図
、第９図はそのシャッタの平面図、第１０図は正面図で
ある。 １・・・反応室、２，３・・・電極、４・・・基板、２
１，２５゜２７・・シャッタ、２３・・・回転軸、２４
・・・前室、２６・・・間仕切り。 、？ｐ） □Ａノ ー １３− 第１図 第２図 ｂ 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第１０図 ９５−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）真空室内にグロー放電を発生させ反応ガスを分解し
て基板上に膜を生成する方法において、基板をグロー放
電発生空間より所定の時間隔離した後、グロー放電発生
空間に接触せしめることを特徴とするプラズマＣＶＤ法
。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、放電を
生起するための電極のうをの一方に基板を固定し、該基
板前面に近接して基板を榎い、かつ該基板の固定される
電極と同電位のシャッタを移動可能に設置してグロー放
電発生空間と、基板を隔離し、前記シャッタの移動によ
り基板をグロー放電発生空間に接触せしめることを特徴
とするプラズマＣＶＤ法。 ３）特許請求の範囲第１項記載の方法において、二つの
真空室を開閉可能のシャッタを介して隣接して設け、先
ず一方の真空室内に基板を置いて他方の真空室内にグロ
ー放電を発生させ、次いで他方の真空室内に基板を移し
てグロー放電発生空間に接触せしめることを特徴とする
プラズマＣＶＤ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118004A JPS6010620A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | プラズマｃｖｄ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118004A JPS6010620A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | プラズマｃｖｄ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010620A true JPS6010620A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14725666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118004A Pending JPS6010620A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | プラズマｃｖｄ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010620A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6460526A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Fujitsu Ltd | Printing device |
| US5680651A (en) * | 1995-05-09 | 1997-10-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Duplex printing apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54153740A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Ulvac Corp | Continuous vacuum treatment apparatus |
| JPS5628637A (en) * | 1979-08-16 | 1981-03-20 | Shunpei Yamazaki | Film making method |
| JPS57115556A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58118004A patent/JPS6010620A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54153740A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Ulvac Corp | Continuous vacuum treatment apparatus |
| JPS5628637A (en) * | 1979-08-16 | 1981-03-20 | Shunpei Yamazaki | Film making method |
| JPS57115556A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6460526A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Fujitsu Ltd | Printing device |
| US5680651A (en) * | 1995-05-09 | 1997-10-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Duplex printing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58199571A (ja) | 光起電力デバイス製造装置用のガス・ゲ−ト | |
| JPH0556850B2 (ja) | ||
| JPH0817244B2 (ja) | 基板加熱装置および該基板加熱装置を用いた光起電力デバイスの製造装置 | |
| CN101245448A (zh) | 单室等离子箱制作薄膜硅光电转换器件的方法 | |
| JPH04266019A (ja) | 成膜方法 | |
| EP0659905B1 (en) | Plasma chemical vapor deposition device capable of suppressing generation of polysilane powder | |
| Kakiuchi et al. | Characterization of intrinsic amorphous silicon layers for solar cells prepared at extremely high rates by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition | |
| JPS5934421B2 (ja) | 薄膜製造法 | |
| US20020022349A1 (en) | Semiconductor thin-film formation process, and amorphous silicon solar-cell device | |
| KR101279495B1 (ko) | 광전 변환 장치의 제조 방법, 광전 변환 장치, 광전 변환 장치의 제조 시스템 및 광전 변환 장치 제조 시스템의 사용 방법 | |
| US4834023A (en) | Apparatus for forming deposited film | |
| JPH08298333A (ja) | 半導体被膜作製装置および薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の作製方法 | |
| CA1188399A (en) | Reduced capacitance electrode assembly | |
| JPS6132416A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08195348A (ja) | 半導体装置製造装置 | |
| JP2562686B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3100668B2 (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JPS61256625A (ja) | 薄膜半導体素子の製造方法 | |
| JP2644901B2 (ja) | ｐｉｎ型アモルファスシリコン太陽電池の製造方法 | |
| JPH0822960A (ja) | プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 | |
| JPH0547970B2 (ja) | ||
| JPH0645895B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JPS6362914B2 (ja) | ||
| JP3984761B2 (ja) | 光起電力素子、その製造方法、およびその製造装置 | |
| JPS6336520A (ja) | 非晶質薄膜の形成方法 |