JPS60107552A - 光フアイバ母材の組成分析方法 - Google Patents
光フアイバ母材の組成分析方法Info
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- JPS60107552A JPS60107552A JP58214745A JP21474583A JPS60107552A JP S60107552 A JPS60107552 A JP S60107552A JP 58214745 A JP58214745 A JP 58214745A JP 21474583 A JP21474583 A JP 21474583A JP S60107552 A JPS60107552 A JP S60107552A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非破壊手段により光フアイバ母材の組成を分析
する方法に関する。
する方法に関する。
光フアイバ母材の組成分析は、これを製造する際のフィ
ードバック制御とか、あるいは特性のよい光ファイバを
得るための研究開発にとつて有用であるとされており、
その１手段として非破壊秒桁法が採用されている。
ードバック制御とか、あるいは特性のよい光ファイバを
得るための研究開発にとつて有用であるとされており、
その１手段として非破壊秒桁法が採用されている。
光フアイバ母材長手方向の任意箇所における組成分布（
＝屈折重分布）を非破壊的に測定する手段として、レー
ザビームを当該母材に照射し、その出射光の散乱パター
ンを解析する方法、平行光線を当該母材に照射し、その
出射光の干渉縞を解析する方法などが公知となっている
が、これらの光学的方法は、母材が透明体である場合の
み有効であり、例えばＶ Ａ ’Ｄ法、０■Ｄ法などに
よｐつくられる多孔質ガラス製の光フアイバ母材、すな
わち不透明な母材の場合はこれを測定できない不都合が
ある。
＝屈折重分布）を非破壊的に測定する手段として、レー
ザビームを当該母材に照射し、その出射光の散乱パター
ンを解析する方法、平行光線を当該母材に照射し、その
出射光の干渉縞を解析する方法などが公知となっている
が、これらの光学的方法は、母材が透明体である場合の
み有効であり、例えばＶ Ａ ’Ｄ法、０■Ｄ法などに
よｐつくられる多孔質ガラス製の光フアイバ母材、すな
わち不透明な母材の場合はこれを測定できない不都合が
ある。
一方、不透明母材の非破壊測定法として、単色Ｘ線を当
該母材に照射し、その−成分（例えばＧｅ）の分布を他
成分（例えば５ｉＯ２）との関係から推定する試みもあ
るが、この方法の場合、母材成分が主に石英（ＳＩＯ２
）とＧｅとの二成分であるとして、二種類以上のエネル
ギ成分が必要となシ、例えばその二種のエネルギ成分に
対するＳ ｉ ０２ とＧｅとの質量吸収係数が適当な
関係にないとき、高精度の分析が行なえないとされてい
る。
該母材に照射し、その−成分（例えばＧｅ）の分布を他
成分（例えば５ｉＯ２）との関係から推定する試みもあ
るが、この方法の場合、母材成分が主に石英（ＳＩＯ２
）とＧｅとの二成分であるとして、二種類以上のエネル
ギ成分が必要となシ、例えばその二種のエネルギ成分に
対するＳ ｉ ０２ とＧｅとの質量吸収係数が適当な
関係にないとき、高精度の分析が行なえないとされてい
る。
殊に現状の一般的なＸ線発生装置が１００ ＫｅＶ以下
のエネルギしか発生できないことを鑑みた場合、上記高
精度分析を満足させるのに適当なエネルギ成分が得られ
ない。
のエネルギしか発生できないことを鑑みた場合、上記高
精度分析を満足させるのに適当なエネルギ成分が得られ
ない。
その他、γ線が利用できることも知られているが、光フ
アイバ母材の分析に関してこれの具体的な報告例は見あ
たらない。
アイバ母材の分析に関してこれの具体的な報告例は見あ
たらない。
本発明の目的は、適切な線源を組み合わせることにより
複合線源を構成し、該複合線源からの放射線を光ファイ
バ母料に照射することにより、透明な母材はもちろん、
不透明な母材であっても非破壊的に精度よく分析できる
方法を提供することにある。
複合線源を構成し、該複合線源からの放射線を光ファイ
バ母料に照射することにより、透明な母材はもちろん、
不透明な母材であっても非破壊的に精度よく分析できる
方法を提供することにある。
本発明の方法は、Ｃｄ１６８ からなる線源と他の線源
とを組み合わせることにより複合線源を構成して該複合
線源からの放射線を光フアイバ母材に照射し、その透過
線量を測定解析するととにより光フアイバ母材の組成分
布を分析するととを特徴としている。
とを組み合わせることにより複合線源を構成して該複合
線源からの放射線を光フアイバ母材に照射し、その透過
線量を測定解析するととにより光フアイバ母材の組成分
布を分析するととを特徴としている。
以下、本発明方法の実施例につき、図面を参照して説明
する。
する。
第１図は本発明方法を実施するための１手段を示したも
のである。
のである。
同図において、１は光フアイバ母材、２はＸ線、γ線な
どの放射線を上記母材１へ照射するだめの放射線発生器
、３は上記母材１を透過した放射線を検出するための透
過線検出器である。
どの放射線を上記母材１へ照射するだめの放射線発生器
、３は上記母材１を透過した放射線を検出するための透
過線検出器である。
上記放射線発生器２は、複合線源４を収納箱５内に収納
することにより構成され、その複合線源４はｃｘ ａ
７．ｑ３からなる線源と他の線源（ＣＳ １８７．１
ｒ １９２、Ｂ ａ １３ａなど）との組み合わせ構成
からなり、照射用開口を有する収納箱５は鉄、鉛などの
放射線遮蔽材料からなる。
することにより構成され、その複合線源４はｃｘ ａ
７．ｑ３からなる線源と他の線源（ＣＳ １８７．１
ｒ １９２、Ｂ ａ １３ａなど）との組み合わせ構成
からなり、照射用開口を有する収納箱５は鉄、鉛などの
放射線遮蔽材料からなる。
一方、透過線検出器３は厩知の検出素子６と、放射線遮
蔽材料からなる収納箱７とで構成され、検出素子６は受
承用開口を有する収納箱γ内に収納されている。
蔽材料からなる収納箱７とで構成され、検出素子６は受
承用開口を有する収納箱γ内に収納されている。
放射線発生器２と透過線検出器３とは互いに対向して配
置され、これらの間に光フアイバ母材１が介在されるが
、この際、光ファイバ母料１と放射線発生器２との間、
光フアイバ母材１と透過線検出器３との間には、それぞ
れコリメータ８ａ、８ｂ、および８ｃ、８ｄが配置さ九
、さらに透過線検出器３の検出素子６には、その検出結
果に基づく出力を電気的に増巾する増巾器９と、各透過
線のうち、特定エネルギによるものだけを選出すべく増
「１〕器９がらの信号を選分するマルチチャンネル型な
どの波高分析器１Ｑと、記録器１１とが順次接続されて
いる。
置され、これらの間に光フアイバ母材１が介在されるが
、この際、光ファイバ母料１と放射線発生器２との間、
光フアイバ母材１と透過線検出器３との間には、それぞ
れコリメータ８ａ、８ｂ、および８ｃ、８ｄが配置さ九
、さらに透過線検出器３の検出素子６には、その検出結
果に基づく出力を電気的に増巾する増巾器９と、各透過
線のうち、特定エネルギによるものだけを選出すべく増
「１〕器９がらの信号を選分するマルチチャンネル型な
どの波高分析器１Ｑと、記録器１１とが順次接続されて
いる。
本発明方法において測定対象となる光ファイバ母料１は
石英系であり、具体的には５ｉｎ２−Ｇｅ０２ 系とか
、アルイハコレにＰ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ２などが添加された
ものである。
石英系であり、具体的には５ｉｎ２−Ｇｅ０２ 系とか
、アルイハコレにＰ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ２などが添加された
ものである。
さらに上記母材１けＶＡＤ法、ＯｖＤ法によりつくられ
る多孔質ガラス製（不透明）、ＭＣＶＤ法によりつくら
れる透明ガラス製など、各種あυ、層構成からはコア層
のみのもの、コア層とクラッド層とからなるもの、シシ
÷÷す゛−パ′−石鵠−−コア層とク ラッド層とサポート層またはジャケット層とからなるも
のなど、各種の母料１が測定対象となる。
る多孔質ガラス製（不透明）、ＭＣＶＤ法によりつくら
れる透明ガラス製など、各種あυ、層構成からはコア層
のみのもの、コア層とクラッド層とからなるもの、シシ
÷÷す゛−パ′−石鵠−−コア層とク ラッド層とサポート層またはジャケット層とからなるも
のなど、各種の母料１が測定対象となる。
本発明方法によるとき、光フアイバ母材１ばこれの製造
工程と同期してその組成を分析することができ、また、
該母材製造後においてその組成を分析することもできる
。
工程と同期してその組成を分析することができ、また、
該母材製造後においてその組成を分析することもできる
。
一般に、石英系光フアイバ母材１ではＳｉＯ□が不可欠
成分となっており、ＧｅＯ２が屈折率特性を決定づける
重要成分となっており、当該母料１中のＧｅ濃度を測定
分析すれば、その屈折率特性が判明する。
成分となっており、ＧｅＯ２が屈折率特性を決定づける
重要成分となっており、当該母料１中のＧｅ濃度を測定
分析すれば、その屈折率特性が判明する。
さらに上記分析結果が母材製造時のフィードバック制御
、母材の良否判別、母材研究開発の資料などに活用でき
る。
、母材の良否判別、母材研究開発の資料などに活用でき
る。
したがって以下に述べる本発明方法の具体例では、光フ
ァイバ母料１が５ＩＯ２−ＧｅＯ２系（通常、５ｉ０２
に対するＧｅ量はｌｏ数係以下）である場合を説明する
。
ァイバ母料１が５ＩＯ２−ＧｅＯ２系（通常、５ｉ０２
に対するＧｅ量はｌｏ数係以下）である場合を説明する
。
第１図において、放射線発生器２の複合線源４から発す
る放射線工がコリメータ８ａ、８ｂを経由して光ファイ
バ母料１に照射されると、該放射線■は上記母材１ｔｌ
−透過し、その透過線Ｊがコリメータ８ｃ、８ｄを経由
して透過線検出器３の検出素子６へ入る。
る放射線工がコリメータ８ａ、８ｂを経由して光ファイ
バ母料１に照射されると、該放射線■は上記母材１ｔｌ
−透過し、その透過線Ｊがコリメータ８ｃ、８ｄを経由
して透過線検出器３の検出素子６へ入る。
つまり放射線■はそのエネルギに対する物質の質量吸収
係数、距離に応じて波器され、透過線Ｊとなって検出素
子（６）へ入る。
係数、距離に応じて波器され、透過線Ｊとなって検出素
子（６）へ入る。
この透過線Ｊを受けた検出素子６は、増巾器９、波高分
析器１ｏを介して上記母材１中の組成すなわちＧｅ濃度
を分析するとともにこれを記録計１１によシ記録する。
析器１ｏを介して上記母材１中の組成すなわちＧｅ濃度
を分析するとともにこれを記録計１１によシ記録する。
この際、放射線発生器２および透過線検出器３は母材断
面からみて第２図のごとく走査されるのでアシ、光フア
イバ母材１におけるＧｅ分布が第３図のようなものであ
るとすると、上記分析によＦ）Ｇｅ分布が第３図の通シ
精度よくあられれる。
面からみて第２図のごとく走査されるのでアシ、光フア
イバ母材１におけるＧｅ分布が第３図のようなものであ
るとすると、上記分析によＦ）Ｇｅ分布が第３図の通シ
精度よくあられれる。
光フアイバ母材１が第３図のとときＧｅ分布を有すると
き、その透過線Ｊの強度を放射線■との比であられすと
次表のようＫなる。
き、その透過線Ｊの強度を放射線■との比であられすと
次表のようＫなる。
つぎに本発明方法の有効性につき、測定対象物を一般化
して述べる。
して述べる。
測定物の成分をｊ（ｊ＝１〜ｍ）、その成分量をＸｊ、
ｉ番目（１−１〜ｍ）の光量子エネルギをＥ ｌ 、そ
のＥｌに対するＪ＠目の成分の質量減弱吸収係数をμｌ
Ｊ／ｐＨ測定物に入射する上記Ｅｉの強度を１１、測定
物から波器されて出る上記Ｅ１の強度をＪｉとすると、
放射線の波器の原理から次式が定まる。
ｉ番目（１−１〜ｍ）の光量子エネルギをＥ ｌ 、そ
のＥｌに対するＪ＠目の成分の質量減弱吸収係数をμｌ
Ｊ／ｐＨ測定物に入射する上記Ｅｉの強度を１１、測定
物から波器されて出る上記Ｅ１の強度をＪｉとすると、
放射線の波器の原理から次式が定まる。
ここで（１）式を簡単にするためｈ １＝ｉｎ （Ｉ
ｉ／Ｉ ｊ ）、ａｌｇ−μ】Ｊ／ρ１とおくと次式の
ようになる。
ｉ／Ｉ ｊ ）、ａｌｇ−μ】Ｊ／ρ１とおくと次式の
ようになる。
すなわち上記（２）式はっぎの行列式の成分となる。
これは、それぞれの対応する行列をＨ，Ａ。
Ｘとするとつぎのように表わせる。
Ｈ＝ＡＸ・・・・−（４）
Ｘは未知量、Ａは既知量、Ｈは測定により得られる量で
ある。
ある。
上記（１）式または（４）式ばＸｊ について解くこと
ができる。
ができる。
たたし、ｍ＝ｎの場合、ｎ元１次連立方程式により数式
として解けるが、この場合の測定値はいわゆる測定誤差
を含み、その影響で解が不安定となる。
として解けるが、この場合の測定値はいわゆる測定誤差
を含み、その影響で解が不安定となる。
ｍ ） ｎとし、ｈｌの測定値力・ら最／ＪＸ２乗法で
Ｘｊを導けば安定な解が得られる。
Ｘｊを導けば安定な解が得られる。
ここｆＸよ（ｊ −１、・・・・・、ｎ）を解とす差を
含むかぎり必ずしも−０とならない。
含むかぎり必ずしも−０とならない。
したがって下記＋５１式が最小に導びけるよう、ように
なる。
なる。
ただしＡ′はＡの転置行列である。
なお、（６）式はｍ ＞ ｎであっても一義的に解くこ
とができ、各成分の量Ｘｊ（ｊ−１、・・・・、ｎ）が
最小２乗法でまることを示している。
とができ、各成分の量Ｘｊ（ｊ−１、・・・・、ｎ）が
最小２乗法でまることを示している。
いま、実施例のごとく母材成分の数を２とすると、ｊ＝
１２となり、Ａ’ Ａ、Ａ’ Ｈはっぎの（７１＋８１
式のようになる。
１２となり、Ａ’ Ａ、Ａ’ Ｈはっぎの（７１＋８１
式のようになる。
上記（刀（８）式により前記（６）式は次式のようにな
る。
る。
これら各式からＸｌ、Ｘ２をめると次式のようになる。
ところで前述した（７）式であるが、第４図に示すごと
く成分Ｌ１と成分ｔ２との吸収係数が比例関係にあると
解がなく、また、比例に近い場合も解が不安定となるこ
とがわかる。
く成分Ｌ１と成分ｔ２との吸収係数が比例関係にあると
解がなく、また、比例に近い場合も解が不安定となるこ
とがわかる。
すなわち、Ｋを定数とした場合、圓（ｌＨ３１式のよう
になυ、解がない。
になυ、解がない。
（μ／ρ）ｔ２＝Ｋ（μ／ρ）１＋・・・・・圓ａｉ２
＝に＊ａｉ１＠＠Ｉ＋＠＠ Ｑ３１Ａ’ＡＩ＝に２（
Σａｉ、２）２ Ｋ２（Σａｉｌ ？ ）２＝ ０ ＊
・・・（１３１上述の説明で明らかなように、光量子エ
ネルギと測定物質の成分の質量吸収係数とは適当な関係
になければならない。
＝に＊ａｉ１＠＠Ｉ＋＠＠ Ｑ３１Ａ’ＡＩ＝に２（
Σａｉ、２）２ Ｋ２（Σａｉｌ ？ ）２＝ ０ ＊
・・・（１３１上述の説明で明らかなように、光量子エ
ネルギと測定物質の成分の質量吸収係数とは適当な関係
になければならない。
前述した光フアイバ母材のように、成分が８１０２とＧ
ｅである場合、光量子エネルギに対するこれら成分の質
量吸収係数を詳細に調べると第５図のようになる。
ｅである場合、光量子エネルギに対するこれら成分の質
量吸収係数を詳細に調べると第５図のようになる。
第５図で明らかなように、上記エネルギ１００ＫｅＶを
境に吸収特性が大きく変化しており、１００ Ｋ ｅ
Ｖよりも小さい範囲では、（μ／ρ） Ｇｅ／（μ／ρ
）Ｓｔ が８〜１１ 程度であシ、両者の質量吸収係数
は概ね比例関係にあると見做せる。
境に吸収特性が大きく変化しており、１００ Ｋ ｅ
Ｖよりも小さい範囲では、（μ／ρ） Ｇｅ／（μ／ρ
）Ｓｔ が８〜１１ 程度であシ、両者の質量吸収係数
は概ね比例関係にあると見做せる。
つまり、この範囲内のエネルギを用いることは解が不安
定となるのて適当でなく、従来例で述べたエネルギ１０
０ＫｅＶ 以下のＸ線がこれに該当する。
定となるのて適当でなく、従来例で述べたエネルギ１０
０ＫｅＶ 以下のＸ線がこれに該当する。
第５図において、２．００ ＫｅＶ 以上における各成
分の質量吸収係数の比、例えば（μ／ρ）Ｇｅ／（μ／
ρ）８１ は２４よりも小さく、シたがって１００Ｋｅ
Ｖ 以下とは大きく異なり、しかも１００ＫｅＶ以下の
範囲と２００ ＫｅＶ以上の範囲とは比例関係にないこ
とがわかる。
分の質量吸収係数の比、例えば（μ／ρ）Ｇｅ／（μ／
ρ）８１ は２４よりも小さく、シたがって１００Ｋｅ
Ｖ 以下とは大きく異なり、しかも１００ＫｅＶ以下の
範囲と２００ ＫｅＶ以上の範囲とは比例関係にないこ
とがわかる。
前記光フアイバ母材１のごとく成分がＳｉＯ□とＧｅで
ある場合、２種類の放射線エネルギとしては、一方がお
よそ１００ ＫｅＶ 以下、他方がおよそ２００ＫｅＶ
以上の範囲になければならない。
ある場合、２種類の放射線エネルギとしては、一方がお
よそ１００ ＫｅＶ 以下、他方がおよそ２００ＫｅＶ
以上の範囲になければならない。
本発明において他の線源としたもののうち、Ｂ ａ １
３Ｂ とｉ ｒ １９２ とは第６図、第７図を参照し
て明らかなように、上記両範囲にエネルギ成分をもち、
Ｂａ１３８では３１．０ＫｅＶ’、 ８０．８ＫｅＶ。
３Ｂ とｉ ｒ １９２ とは第６図、第７図を参照し
て明らかなように、上記両範囲にエネルギ成分をもち、
Ｂａ１３８では３１．０ＫｅＶ’、 ８０．８ＫｅＶ。
３５６、 ＯＫ ｅ Ｖ、 ■ｒ ｘ９ｘ で、は６
６．８ ＫｅＶ、３１６．５ＫｅＶ、 ４６７．９Ｋｅ
Ｖがそれぞれ優位のレベルにある。
６．８ ＫｅＶ、３１６．５ＫｅＶ、 ４６７．９Ｋｅ
Ｖがそれぞれ優位のレベルにある。
第５図に併記したこれらのエネルギはそれぞれ１００Ｋ
ｅＶを境にして分布しており、Ｂ ａ １８８、Ｉ ｒ
＋Ｑ２が５ｉ０２、Ｇｅなどを成分とする光ファイバ
母料１の分析に有効な線源であることを確証している。
ｅＶを境にして分布しており、Ｂ ａ １８８、Ｉ ｒ
＋Ｑ２が５ｉ０２、Ｇｅなどを成分とする光ファイバ
母料１の分析に有効な線源であることを確証している。
一方、本発明において特定した線源Ｇｄ １３８と、他
の線源Ｃ８１３ｆｆとは、第５図に示すとと（１００Ｋ
ｅＶ を境にして片側にしか主エネルギ成分をもたず、
Ｑ ｄ１６Ｂは１００ＫｅＶ近辺、Ｃ５１８７は６６２
ＫｅＶにそれぞれ主エネルギ成分を有しているが、既
述のごと＜ Ｇ ｄ１ｆｉ３ を特定線源とし、Ｃ８１
８ＶＸＢ ａ１′＋ 、 （ｒＩＪ２ などを他の線源
とし、これら線源の組み合わせ構成からなる複合線源４
の場合は、自明の通シ光ファイバ母材１の分析に有効で
あるといえる。
の線源Ｃ８１３ｆｆとは、第５図に示すとと（１００Ｋ
ｅＶ を境にして片側にしか主エネルギ成分をもたず、
Ｑ ｄ１６Ｂは１００ＫｅＶ近辺、Ｃ５１８７は６６２
ＫｅＶにそれぞれ主エネルギ成分を有しているが、既
述のごと＜ Ｇ ｄ１ｆｉ３ を特定線源とし、Ｃ８１
８ＶＸＢ ａ１′＋ 、 （ｒＩＪ２ などを他の線源
とし、これら線源の組み合わせ構成からなる複合線源４
の場合は、自明の通シ光ファイバ母材１の分析に有効で
あるといえる。
以上説明した通り、本発明方法によるときは透明な光フ
アイバ母材はもちろん、多孔質ガラス製のごとき不透明
な光フアイバ母材であってもこれを精度よく測定分析す
ることができ、母材製造時のフィードバンク制御、母材
の良否判別、母材研究開発の資料など、これらに貢献す
るところ大である。
アイバ母材はもちろん、多孔質ガラス製のごとき不透明
な光フアイバ母材であってもこれを精度よく測定分析す
ることができ、母材製造時のフィードバンク制御、母材
の良否判別、母材研究開発の資料など、これらに貢献す
るところ大である。
第１図は本発明方法の１実施例を示す説明図、第２図は
同上ｅζ尤・ける放射線のに査状況を示・す説明図１第
３図は同上におけるＧｅ濃度の測定結果を示す説明図、
第４図、第５図は光量子エネルギと質量吸収係数との関
係を示す説明図、第６図、第７図はそれぞれＢ ａｌｓ
ｓ、■ｒ１９２の光量子エネルギスペクトラムの説明図
である。 １、・・・・・光フアイバ母材 ４・・・・・複合線源 ６・・・・・検出素子 ■・・・・・放射線 Ｊ・・・・・透過線 １１７ 閃 方 ｌｆ＋ − 暫 第３図 。 第４図 第ｂｍ 光量主エネルギ“（Ｋｅ７１ 第５図 光量子エネルギ〔Ｋｅ７〕 １Ｊ７図 宏）１子工ネルキ° ｒＫｅＶ） 手続補正書 １ 事件の表示 特願昭５８−２１４７４５２ 発明の
名称 光フアイバ母材の組成分析方法３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 古河電気工業株式会社 ４復代 理 人 〒１００ 東京都千代田区有楽町１−８−８小谷ビル昭和５９年
２月２８日 ６ 補正の対象 明細書全文 ７ 補正の内容 別紙の通り、タイプ浄書した明細書（内容に変更なし）
を捉出します。
同上ｅζ尤・ける放射線のに査状況を示・す説明図１第
３図は同上におけるＧｅ濃度の測定結果を示す説明図、
第４図、第５図は光量子エネルギと質量吸収係数との関
係を示す説明図、第６図、第７図はそれぞれＢ ａｌｓ
ｓ、■ｒ１９２の光量子エネルギスペクトラムの説明図
である。 １、・・・・・光フアイバ母材 ４・・・・・複合線源 ６・・・・・検出素子 ■・・・・・放射線 Ｊ・・・・・透過線 １１７ 閃 方 ｌｆ＋ − 暫 第３図 。 第４図 第ｂｍ 光量主エネルギ“（Ｋｅ７１ 第５図 光量子エネルギ〔Ｋｅ７〕 １Ｊ７図 宏）１子工ネルキ° ｒＫｅＶ） 手続補正書 １ 事件の表示 特願昭５８−２１４７４５２ 発明の
名称 光フアイバ母材の組成分析方法３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 古河電気工業株式会社 ４復代 理 人 〒１００ 東京都千代田区有楽町１−８−８小谷ビル昭和５９年
２月２８日 ６ 補正の対象 明細書全文 ７ 補正の内容 別紙の通り、タイプ浄書した明細書（内容に変更なし）
を捉出します。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１，Ｑ ｄ１５ｆからなる線源と他の線源とを組み合
わせることにより複合線源を構成して該複合線源からの
放射線を光フアイバ母材に照射し、その透過線量を測定
解析することにより光フアイバ母材の組成分布を分析す
る光フアイバ母材の組成分析方法。 （２）他の線源がＣＳ 、１８Ｂ、工ｒ１９２、Ｂ ａ
＋ｓａ のいずれかからなる特許請求の範囲第１項記
載の光フアイバ母材の組成分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214745A JPS60107552A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光フアイバ母材の組成分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214745A JPS60107552A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光フアイバ母材の組成分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107552A true JPS60107552A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16660881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58214745A Pending JPS60107552A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光フアイバ母材の組成分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107552A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10242829B2 (en) | 2014-07-28 | 2019-03-26 | Fujitsu Component Limited | Electromagnetic relay and coil terminal |
-
1983
- 1983-11-15 JP JP58214745A patent/JPS60107552A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10242829B2 (en) | 2014-07-28 | 2019-03-26 | Fujitsu Component Limited | Electromagnetic relay and coil terminal |
| US11120961B2 (en) | 2014-07-28 | 2021-09-14 | Fujitsu Component Limited | Electromagnetic relay and coil terminal |
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