JPS6010790A - 太陽電池の電極形成方法 - Google Patents

太陽電池の電極形成方法

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Publication number
JPS6010790A
JPS6010790A JP58120718A JP12071883A JPS6010790A JP S6010790 A JPS6010790 A JP S6010790A JP 58120718 A JP58120718 A JP 58120718A JP 12071883 A JP12071883 A JP 12071883A JP S6010790 A JPS6010790 A JP S6010790A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
layer
nickel
oxide film
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58120718A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeaki Tomonari
恵昭 友成
Toshiro Abe
敏郎 阿部
Yoshimitsu Tanaka
義光 田中
Kiyoshi Hosoya
清志 細谷
Shuichiro Yamaguchi
周一郎 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP58120718A priority Critical patent/JPS6010790A/ja
Publication of JPS6010790A publication Critical patent/JPS6010790A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はｆｆＰＰ＋型、又はｎＰ型の太陽電池の電極を
無電解ニッケルメッキにより形成する方法に関する。
〔背景技術〕
無電解ニッケルメッキによる太陽電池電極形成において
、ニッケルメッキのつき方がｎ層上とＰ層上では異なり
ＣＰＰ層上つきにくい）、ｎｐｐ＋型の太陽電池におい
てはその電極形成条件の制御が非常に困難である。第１
図乃至第５図に電極形成の従来方法を示す。
図面において、（６）はＰ型基板、（２１はＰ型基板【
６）の表面に形成されたｎ＋層、１６１はＰ型基板（６
＋の裏面に形成されたＰ＋層、（１１はｎ＋層（２＋上
の反射防止膜である。（４）は反射防止膜（１１の窓（
ハを介してＰ型基板（２＋上に設けられたニッケル電極
である。（８１はＰ＋層の裏面に設けられたニッケル電
極である。
尚、（４５，（８１はニッケル電極［４１，（８１上に
二次メッキで形成されたニッケル電極である。（９１は
ニッケル電極（４１上にもられた半田である。第１次工
程である一次メツキにおいて形成される＊ｉ（２］上の
メッキ層（４１の厚さが特性に大きく影響を与え、厚す
ぎると第３図に示す第２工程であるシンタリング工程で
Ｐｎ接合の破壊を起こし、薄すぎると第３工程の二次メ
ッキにおいてメッキ層（４）にはがれが発生する。そこ
で適当な厚さく最大０．２５μ程度）のメッキ層の形成
が必要であるが、ｎ側をＰ側でのメッキのつき方が異な
るため、ｎ側に適当量ついたとしてもＰ側では二次メッ
キの第５工程においてメッキ層の剥れが発生する。
〔発明の目的〕
本発明は太陽電池の電極形成方法における上記問題点の
改善を目的としたものであるが、特にｎ側・Ｐ側でのメ
ッキのつき方が異なることにより生じるＰ側のメッキの
剥れを改善するものである。
〔発明の開示〕
本発明の要旨とするところはｎＰＰ＋型又はｎＰ型の太
陽電池の電極を無電解ニッケルメッキにより形成する方
法において、ｎ層側を酸化膜等によりマスキングするこ
とにより通常ニッケルメッキのつきにくいＰ土層側の電
極を先に形成し、その後ｎ層側の電極を形成し、シンタ
リングの際のＰｎ接合の破壊による特性劣化を防ぐこと
を特徴とする太陽電池電極形成方法である。
以下、本発明を第６図乃至第１２図に図示せる一実施例
に基づいて説明する。図面に使用せる記号は上記従来例
において使用したものと同じ意味である。
本発明は＠６図乃至第１２図に示す如くメッキかつきに
くいＰ側の電極（８１を先に形成し、その後ｎ側の電極
（４１を形成していくことによりＰ側電極（８１の剥れ
を防ぐようにしたものである。以下各工程の説明を行う
。第１工程において、ＣＶＤ法等によりｎ層側の表面に
酸化膜（１０）を形成し、それをマスクしてＰ層側のみ
にニッケルメッキ等によりメッキを行う。第７図はこの
工程を示す。
この工程において酸化膜の代わりにマスク材としてフォ
トレジストを用いることも可能である。第２工程におい
てＢＨＦ　（バッファ弗酸）等により酸化膜（１０）を
除去する。マスキングによりフォトレジストを使用した
場合にはマイクロストリップにより除去する。第８図は
この状態を示す。
その後第９図乃至第１１図に示す第３工程乃至第５工程
においてニッケルの無電、解メッキによる一次メツキ（
温浴８９℃で１分間）並びにシンタリング（５００℃で
２０分間）を行い、しかるのち　１にニッケルの無電解
メッキによる二次メッキ（温浴８９℃で５分間）を行な
いニッケル電極（４１，（８１を形成する。この際−次
メツキで形成されたニッケル電極（８）はさらにメッキ
厚を増す。
最後に第１２図に示す第６エ程において半田ディツプに
よりニッケル電極（４＋、　（８＋上にはんだ層（９１
を設け、太陽電池の電極形成の仕上げを行う。上記実施
例はｎＰＰ十型小型明した。
〔発明の効果〕
以上説明したメッキ工程を用いることにより、ｆｆＰＰ
＋型又はｎｐ型の太陽電池の電極形成を無電解メッキで
容易にかつ再現性よく形成することができる。特にＰ側
の剥れを大幅に改善できる点において多大の効果が期待
できるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第５図は無電解ニッケルメッキによる電極形
成方法の従来例を示す断面図、第６図乃至＠１２図は本
発明による電極形成方法の一実施例を示す断面図である
。 １・・・反射防止膜、２・・・ｎ＋拡散層、３・・・Ｐ
十裏面拡散層、４・・・無電解ニッケルメッキによるニ
ッケル電極、５・・・はんだ層、６・・・マ久ｌ用酸化
膜。 第１図　第２図 第３図　、４゜ 第５図　第６゜ 第７図 第９図 第１１図 第８図 第１０図 ］ 第１２図 モデ丘。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ｎｐｐ＋型又はｎＰ型の太陽電池の電極を無電解ニッケ
    ルメッキにより形成する方法において、ｎ層側を酸化膜
    等によりマスキングすることによりＰ＋層側の電極を先
    に形成し、その後ｎ層側の電極を形成することを特徴と
    する太陽電池の電極形成方法。
JP58120718A 1983-06-30 1983-06-30 太陽電池の電極形成方法 Pending JPS6010790A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19937444C1 (de) * 1999-08-07 2001-01-18 Winkelmann & Pannhoff Gmbh Vorrichtung zur Verteilung von Kraftstoff für Kraftstoffeinspritzanlagen von Verbrennungsmotoren
WO2012029847A1 (ja) * 2010-08-31 2012-03-08 三洋電機株式会社 太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法

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